[0035]模組上殼2為四個側(cè)壁和一個頂壁形成的無底腔體，在模組上殼2的頂部設(shè)置有向下延伸的固定筋10，用于固定揚聲器單體1，振膜、固定筋10以及模組上殼的頂壁組成的空間為前聲腔5，在模組上殼2的一個側(cè)壁上開設(shè)有側(cè)出聲孔4，前聲腔5與側(cè)出聲孔4相連通，形成前聲腔出聲通道，揚聲器單體振動產(chǎn)生的聲音經(jīng)由前聲腔出聲通道從側(cè)出聲孔4傳送到側(cè)出聲揚聲器模組的外部；模組上殼2四個側(cè)壁的底部設(shè)置有去料形成的凹槽，模組下殼3設(shè)置在揚聲器單體I的下方，并通過模組上殼2的側(cè)壁底部的凹槽與模組上殼2扣合在一起，振膜、固定筋10、模組上殼2的四個側(cè)壁與模組下殼3組成的空間為后聲腔6。
[0036]另外，由于側(cè)出聲揚聲器模組的后聲腔6需要密封，也就是說，模組上殼2與模組下殼3結(jié)合的位置需要密封，模組上殼2與揚聲器單體I結(jié)合的位置也需要密封，本實用新型的一個【具體實施方式】中，模組上殼2與模組下殼3結(jié)合的位置和模組上殼2與揚聲器單體I結(jié)合的位置均可通過超聲焊接或涂膠或壓接等方式密封，形成密封的后聲腔。
[0037]同樣地，為了減弱前聲腔出聲通道的諧振，在前聲腔出聲通道對于模組上殼2的位置開設(shè)有泄露孔7，泄露孔7的數(shù)量和位置可以根據(jù)實際需求進行設(shè)定，但泄露孔7的位置只能開設(shè)在前聲腔出聲通道內(nèi)，通過在前聲腔出聲通道內(nèi)開設(shè)泄露孔7能夠減弱前聲腔出聲通道的諧振，有效降低頻響曲線在前聲腔出聲通道部分諧振峰的Q值(品質(zhì)因數(shù)的值)，還能夠在一定程度上提升頻響曲線的高頻截止頻率，增加產(chǎn)品的有效帶寬。
[0038]在組裝產(chǎn)品時，為了防止開設(shè)的泄露孔7被產(chǎn)品的其它部件封堵，如手機外殼等等部件，在模組上殼2頂壁的外側(cè)對應(yīng)泄露孔7的位置開設(shè)有避讓結(jié)構(gòu)8，在本實用新型一個【具體實施方式】中，避讓結(jié)構(gòu)為凹槽，凹槽的深度小于模組上殼2頂壁的厚度，避讓結(jié)構(gòu)8不只限于圖3中所示的形狀，可以根據(jù)實際產(chǎn)品的需求設(shè)定為不同的形狀。
[0039]實施例二與實施例一的不同之處在于，實施例二中在避讓結(jié)構(gòu)8的上方鋪設(shè)有阻尼網(wǎng)9，阻尼網(wǎng)9的形狀與避讓結(jié)構(gòu)8相同，通過鋪設(shè)阻尼網(wǎng)9能夠更有效地降低因前聲腔出聲通道諧振引起的諧波失真曲線的峰值。實施例二是實施例一的一種衍變形式，實施例二中鋪設(shè)的阻尼網(wǎng)起到改變揚聲器失真的輔助作用，實施例一和實施例二的實質(zhì)是通過在前聲腔出聲通道上開設(shè)泄露孔，從而降低揚聲器的失真，具體選擇鋪設(shè)阻尼網(wǎng)的揚聲器模組(實施例二提供的側(cè)出聲揚聲器模組)還是未鋪設(shè)阻尼網(wǎng)的揚聲器模組(實施例一所提供的側(cè)出聲揚聲器模組)根據(jù)產(chǎn)品的實際情況而定。
[0040]上述兩個實施例分別說明了側(cè)出聲揚聲器模組的結(jié)構(gòu)，通過在前聲腔出聲通道內(nèi)開設(shè)泄露孔，從而減弱前聲腔出聲通道的諧振，提升側(cè)出聲揚聲器模組的性能，影響側(cè)出聲揚聲器模組性能的兩個主要因素為SPL(聲壓級，表示某一頻率的靈敏度)和THD(諧波失真
[0041]圖5示出了開設(shè)泄露孔前和開設(shè)泄露孔后的頻響曲線的變化。
[0042]如圖5所示，圖5中橫坐標表示頻率，縱坐標表示聲壓級，藍色曲線為開設(shè)泄露孔前的頻響曲線，紅色曲線為開設(shè)泄露孔后的頻響曲線，圖5中第一個峰值(聲壓級在90dB-100dB之間)對應(yīng)的是低頻截止頻率(頻率為1000Hz)，可以看出在開設(shè)泄露孔后，對低頻截止頻率靈敏度的影響微乎其微，而圖5中第二個峰值(聲壓級在110dB-120dB之間)對應(yīng)的是高頻截止頻率(頻率為5000Hz)，在開設(shè)泄露孔后，高頻截止頻率的靈敏度有明顯的降低。
[0043]圖6示出了開設(shè)泄露孔前和開設(shè)泄露孔后的諧波失真曲線的變化。
[0044]如圖6所示，在圖6中，橫坐標代表頻率，縱坐標代表失真值(值越大失真越大)，藍色曲線為開設(shè)泄露孔前的失真曲線，紅色為開設(shè)泄露孔后的失真曲線，結(jié)合圖5，在圖5中高頻截止頻率所對應(yīng)的橫坐標為5000Hz，同樣在圖6中高頻截止頻率所對應(yīng)的橫坐標為5000Hz，而圖6中橫坐標5000Hz所對應(yīng)的縱坐標為失真值，明顯看出開設(shè)泄露孔后的失真值要小于開設(shè)泄露孔前的失真值。
[0045]上述內(nèi)容詳細說明了本實用新型提供的側(cè)出聲揚聲器模組，通過在前聲腔出聲通道內(nèi)開設(shè)泄露孔，從而減弱前聲腔出聲通道的諧振，能夠有效降低高頻截止頻率的靈敏度峰值，改善揚聲器的失真(對應(yīng)高頻截止頻率下的THD尖峰會同步衰減)，從而更方便后續(xù)音頻調(diào)整，實現(xiàn)更高音質(zhì)效果。
[0046]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種側(cè)出聲揚聲器模組，包括揚聲器單體、收容固定所述揚聲器單體的模組外殼和在所述模組外殼的側(cè)壁上開設(shè)的側(cè)出聲孔，所述揚聲器單體包括振膜；所述模組外殼包括模組上殼；所述振膜、所述模組上殼與所述側(cè)出聲孔之間形成的空間為前聲腔出聲通道，其特征在于: 所述模組上殼上對應(yīng)所述前聲腔出聲通道的位置開設(shè)有與外部連通的泄露孔。
2.如權(quán)利要求1所述的側(cè)出聲揚聲器模組，其特征在于， 在所述模組上殼對應(yīng)所述泄露孔的周圍開設(shè)有避讓結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的側(cè)出聲揚聲器模組，其特征在于， 所述避讓結(jié)構(gòu)為凹槽，所述凹槽的深度小于所述模組上殼的厚度。
4.如權(quán)利要求3所述的側(cè)出聲揚聲器模組，其特征在于， 在所述避讓結(jié)構(gòu)的上方粘結(jié)有與所述避讓結(jié)構(gòu)形狀相同的阻尼網(wǎng)。
5.如權(quán)利要求4所述的側(cè)出聲揚聲器模組，其特征在于， 所述阻尼網(wǎng)粘結(jié)在所述避讓結(jié)構(gòu)的上方。
6.如權(quán)利要求1所述的側(cè)出聲揚聲器模組，其特征在于， 還包括設(shè)置在所述揚聲器單體下方的模組下殼，所述模組下殼扣合在所述模組上殼的側(cè)壁的底部，所述振膜、所述模組上殼與所述模組下殼之間形成的空間為后聲腔。
7.如權(quán)利要求6所述的側(cè)出聲揚聲器模組，其特征在于， 模組上殼與模組下殼接觸的部分以及揚聲器單體與模組上殼接觸的部分均通過超聲焊接或涂膠或壓接的方式密封。
8.如權(quán)利要求1所述的側(cè)出聲揚聲器模組，其特征在于， 在所述模組上殼的側(cè)壁上開設(shè)所述側(cè)出聲孔。
9.如權(quán)利要求1所述的側(cè)出聲揚聲器模組，其特征在于， 所述揚聲器單體還包括結(jié)合于所述振膜下側(cè)的音圈、中心磁鐵、結(jié)合在所述中心磁鐵上方的中心華司、設(shè)置在所述中心磁鐵兩側(cè)的邊磁鐵和結(jié)合在所述邊磁鐵上方的邊華司；其中，所述中心磁鐵和所述中心華司之間的空隙形成磁間隙，所述音圈設(shè)置在所述磁間隙中。
【專利摘要】本實用新型提供一種側(cè)出聲揚聲器模組，包括揚聲器單體、收容固定揚聲器單體的模組外殼和在模組外殼的側(cè)壁上開設(shè)的側(cè)出聲孔，揚聲器單體包括振膜；模組外殼包括模組上殼；振膜、模組上殼與側(cè)出聲孔之間形成的空間為前聲腔出聲通道；其中，在前聲腔出聲通道對應(yīng)模組上殼的位置開設(shè)有與外部連通的泄露孔。利用上述本實用新型的側(cè)出聲揚聲器模組，能夠有效降低高頻截止頻率的靈敏度峰值，改善揚聲器的失真(對應(yīng)高頻截止頻率下的THD尖峰會同步衰減)，從而更方便后續(xù)音頻調(diào)整，實現(xiàn)更高音質(zhì)效果。
【IPC分類】H04R9-06
【公開號】CN204442667
【申請?zhí)枴緾N201520122373
【發(fā)明人】劉磊, 徐同雁
【申請人】歌爾聲學(xué)股份有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2015年3月2日