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側(cè)出聲揚聲器模組的制作方法

文檔序號:8734103閱讀:423來源:國知局
側(cè)出聲揚聲器模組的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及揚聲器技術(shù)領(lǐng)域,更為具體地,涉及一種側(cè)出聲揚聲器模組。
【背景技術(shù)】
[0002]對于側(cè)出聲揚聲器模組,揚聲器單體產(chǎn)生的聲音經(jīng)過前聲腔及側(cè)出聲通道后,從側(cè)出聲孔向側(cè)出聲揚聲器模組的外部進行輻射,由于前聲腔與側(cè)出聲通道形成諧振結(jié)構(gòu),在揚聲器單體發(fā)聲時前聲腔與側(cè)出聲通道產(chǎn)生諧振,使頻響曲線對應(yīng)前聲腔的部分產(chǎn)生諧振峰,從而影響頻響曲線對應(yīng)前聲腔部分的靈敏度,尤其是前聲腔高頻截止頻率附近,靈敏度高,變化幅度大,影響產(chǎn)品的音質(zhì),并且不利于音效的進一步調(diào)整優(yōu)化。
[0003]目前主要通過在前聲腔添加吸音材料或者阻尼網(wǎng)布等方法將頻響曲線對應(yīng)前聲腔部分的諧振峰壓低,在壓低諧振峰的同時也會將頻帶內(nèi)靈敏度整體壓低,尤其低頻截止頻率附近,靈敏度將會受到較大的影響,使產(chǎn)品的性能損失較大。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]鑒于上述問題,本實用新型的目的是提供一種側(cè)出聲揚聲器模組,以改善前聲腔與側(cè)出聲通道產(chǎn)生的諧振對產(chǎn)品性能的不利影響。
[0005]本實用新型提供的側(cè)出聲揚聲器模組,包括揚聲器單體、收容固定揚聲器單體的模組外殼和在模組外殼的側(cè)壁上開設(shè)的側(cè)出聲孔,揚聲器單體包括振膜;模組外殼包括模組上殼;振膜、模組上殼與側(cè)出聲孔之間形成的空間為前聲腔出聲通道;其中,所述模組上殼上對應(yīng)所述前聲腔出聲通道的位置開設(shè)有與外部連通的泄露孔。
[0006]此外,優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是,在模組上殼對應(yīng)泄露孔的周圍開設(shè)有避讓結(jié)構(gòu)。
[0007]另外,優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是,避讓結(jié)構(gòu)為凹槽,凹槽的深度小于模組上殼的厚度。
[0008]再者,優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是,在避讓結(jié)構(gòu)的上方粘結(jié)有與避讓結(jié)構(gòu)形狀相同的阻尼網(wǎng)。
[0009]此外,優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是,阻尼網(wǎng)粘結(jié)在避讓結(jié)構(gòu)的上方。
[0010]另外,優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是,側(cè)出聲揚聲器模組還包括設(shè)置在揚聲器單體下方的模組下殼,模組下殼扣合在模組上殼的側(cè)壁的底部,振膜、模組上殼與模組下殼之間形成的空間為后聲腔。
[0011]此外,優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是,模組上殼與模組下殼接觸的部分以及揚聲器單體與模組上殼接觸的部分均通過超聲焊接或涂膠或壓接的方式密封。
[0012]另外,優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是,在模組上殼的側(cè)壁上開設(shè)側(cè)出聲孔。
[0013]再者,優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是,揚聲器單體還包括結(jié)合于振膜下側(cè)的音圈、中心磁鐵、結(jié)合在中心磁鐵上方的中心華司、設(shè)置在中心磁鐵兩側(cè)的邊磁鐵和結(jié)合在邊磁鐵上方的邊華司;其中,中心磁鐵和中心華司之間的空隙形成磁間隙,音圈設(shè)置在磁間隙中。
[0014]利用上述本實用新型的側(cè)出聲揚聲器模組,通過在前聲腔出聲通道上開設(shè)泄露孔,減弱前聲腔的諧振,從而有效降低頻響曲線對應(yīng)前聲腔部分的諧振峰,改善揚聲器的失真(對應(yīng)高頻截止頻率下的THD尖峰同步衰減),從而更方便后續(xù)音頻調(diào)整,實現(xiàn)更高音質(zhì)效果。
【附圖說明】
[0015]通過參考以下結(jié)合附圖的說明及權(quán)利要求書的內(nèi)容,并且隨著對本實用新型的更全面理解,本實用新型的其它目的及結(jié)果將更加明白及易于理解。在附圖中:
[0016]圖1為根據(jù)本實用新型實施例一的側(cè)出聲揚聲器模組的整體結(jié)構(gòu)示意圖;
[0017]圖2為圖1沿A-A線的剖視圖;
[0018]圖3為根據(jù)本實用新型實施例二的側(cè)出聲揚聲器模組的整體結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖4為圖3沿B-B線的剖視圖;
[0020]圖5為根據(jù)本實用新型實施例的頻響曲線的對比圖;
[0021]圖6為根據(jù)本實用新型實施例的諧波失真曲線的對比圖。
[0022]其中的附圖標記包括:揚聲器單體1、模組上殼2、模組下殼3、側(cè)出聲孔4、前聲腔5、后聲腔6、泄露孔7、避讓結(jié)構(gòu)8、阻尼網(wǎng)9和固定筋10。
[0023]在所有附圖中相同的標號指示相似或相應(yīng)的特征或功能。
【具體實施方式】
[0024]以下將結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施例進行詳細描述。
[0025]實施例一
[0026]圖1和圖2分別示出了根據(jù)本實用新型實施例一的側(cè)出聲揚聲器模組的整體結(jié)構(gòu)。
[0027]如圖1和圖2所示,本實施例一提供的側(cè)出聲揚聲器模組包括揚聲器單體I和用于收容固定揚聲器單體I的模組外殼;其中,揚聲器單體I包括振膜(圖未示出)、結(jié)合于振膜下側(cè)的音圈(圖未示出)、中心磁鐵(圖未示出)、結(jié)合在中心磁鐵上方的中心華司(圖未示出)、設(shè)置在中心磁鐵兩側(cè)的邊磁鐵(圖未示出)和結(jié)合在邊磁鐵上方的邊華司(圖未示出);其中,中心磁鐵和中心華司之間的空隙形成磁間隙,音圈設(shè)置在磁間隙中。
[0028]模組外殼包括模組上殼2和模組下殼3,模組上殼2為四個側(cè)壁和一個頂壁形成的無底腔體,在模組上殼2的頂部設(shè)置有向下延伸的固定筋10,用于固定揚聲器單體1,振膜、固定筋10以及模組上殼2的頂壁形成一個空間,該空間作為前聲腔5,在模組上殼2的一個側(cè)壁上開設(shè)有側(cè)出聲孔4,前聲腔5與側(cè)出聲孔4相連通,形成前聲腔出聲通道,揚聲器單體振動產(chǎn)生的聲音經(jīng)由前聲腔出聲通道從側(cè)出聲孔4傳送到側(cè)出聲揚聲器模組的外部;模組上殼2四個側(cè)壁的底部設(shè)置有去料形成的凹槽,模組下殼3設(shè)置在揚聲器單體I的下方,并通過模組上殼2的側(cè)壁底部的凹槽與模組上殼2扣合在一起,振膜、固定筋10、模組上殼2的四個側(cè)壁與模組下殼3形成另一個空間,該空間作為后聲腔6。
[0029]由于側(cè)出聲揚聲器模組的后聲腔6需要密封,也就是說,模組上殼2與模組下殼3結(jié)合的位置需要密封,模組上殼2與揚聲器單體I結(jié)合的位置也需要密封,本實用新型的一個【具體實施方式】中,模組上殼2與模組下殼3結(jié)合的位置和模組上殼2與揚聲器單體I結(jié)合的位置均可通過超聲焊接或涂膠或壓接等方式密封,形成密封的后聲腔。
[0030]為了減弱前聲腔出聲通道的諧振,在前聲腔出聲通道對于模組上殼2的位置開設(shè)有泄露孔7,泄露孔7的數(shù)量和位置可以根據(jù)實際需求進行調(diào)整,但泄露孔7的位置只能開設(shè)在前聲腔出聲通道內(nèi),通過在前聲腔出聲通道內(nèi)開設(shè)泄露孔7能夠減弱前聲腔出聲通道的諧振,有效降低頻響曲線在前聲腔出聲通道部分諧振峰的Q值(品質(zhì)因數(shù)的值),還能夠在一定程度上提升頻響曲線的高頻截止頻率,增加產(chǎn)品的有效帶寬,以及改善揚聲器的失真,失真表現(xiàn)在高頻截止頻率對應(yīng)在THD曲線上的尖峰,利用本實用新型能夠有效降低高頻截止頻率在THD曲線上的尖峰。
[0031]在組裝產(chǎn)品時,為了防止開設(shè)的泄露孔7被產(chǎn)品的其它部件封堵,如手機外殼等等部件,在模組上殼2頂壁的外側(cè)對應(yīng)泄露孔7的位置開設(shè)有避讓結(jié)構(gòu)8,在本實用新型一個【具體實施方式】中,避讓結(jié)構(gòu)為凹槽,凹槽的深度小于模組上殼2頂壁的厚度,避讓結(jié)構(gòu)8不只限于圖1中所示的形狀,可以根據(jù)不同的產(chǎn)品設(shè)定為不同的形狀。
[0032]實施例二
[0033]圖3和圖4分別示出了根據(jù)本實用新型實施例二的側(cè)出聲揚聲器模組的整體結(jié)構(gòu)。
[0034]如圖3和圖4所示,本實施例二提供的側(cè)出聲揚聲器模組包括揚聲器單體1、用于收容固定揚聲器單體I的模組上殼2和設(shè)置在揚聲器單體I下方的模組下殼3 ;其中,揚聲器單體I包括振膜(圖未示出)、結(jié)合于振膜下側(cè)的音圈(圖未示出)、中心磁鐵(圖未示出)、結(jié)合在中心磁鐵上方的中心華司(圖未示出)、設(shè)置在中心磁鐵兩側(cè)的邊磁鐵(圖未示出)和結(jié)合在邊磁鐵上方的邊華司(圖未示出);其中,中心磁鐵和中心華司之間的空隙形成磁間隙,音圈設(shè)置在磁間隙中。
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