一種mems麥克風(fēng)、mems電容傳感器和一種振膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及麥克風(fēng)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種MEMS麥克風(fēng)、MEMS電容傳感器 和一種振膜。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前的MEMS麥克風(fēng)的振膜通常為單一厚度，并且是全膜設(shè)計的。對于MEMS麥克 風(fēng)的振膜，需要滿足機(jī)械沖擊、跌落、吹氣等相關(guān)強(qiáng)度的性能要求。然而現(xiàn)有的全膜設(shè)計的 MEMS麥克風(fēng)的振膜，在突然受到大的氣壓沖擊，如吹氣時，容易造成振膜的破損。
[0003] 由上述可知，現(xiàn)有的MEMS振膜在突然受到大的氣壓沖擊時如吹氣，容易造成破損 的問題。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 本實(shí)用新型提供了一種MEMS麥克風(fēng)、MEMS電容傳感器和一種振膜。本實(shí)用新型 提供的技術(shù)方案能夠解決現(xiàn)有的MEMS振膜在突然受到大的氣壓沖擊時如吹氣，容易造成 破損的問題。
[0005] 本實(shí)用新型公開了一種振膜，所述振膜上設(shè)有在外氣壓超過預(yù)設(shè)值后開啟的泄氣 結(jié)構(gòu)。
[0006] 可選的，所述泄氣結(jié)構(gòu)的個數(shù)為N個；其中N為小于等于50的自然數(shù)。
[0007] 可選的，所述N個泄氣結(jié)構(gòu)均勻地分布在所述振膜的邊緣上。
[0008] 可選的，所述泄氣結(jié)構(gòu)的橫截面為平滑曲線。
[0009] 可選的，所述泄氣結(jié)構(gòu)包括V型、C型、S型、田型或者X型。
[0010] 可選的，所述泄氣結(jié)構(gòu)為型，或者所述泄氣結(jié)構(gòu)為..型。
[0011] 可選的，所泄氣結(jié)構(gòu)的橫截面的寬度范圍為0.lum~10um。
[0012] 可選的，所泄氣結(jié)構(gòu)的橫截面的長度范圍為lum~200um〇
[0013] 本實(shí)用新型還公開了一種MEMS電容傳感器，所述MEMS電容傳感器的振膜采用上 述任一項(xiàng)所述的振膜。
[0014] 本實(shí)用新型還公開了一種MEMS麥克風(fēng)，所述MEMS麥克風(fēng)包含上述的MEMS電容傳 感器。
[0015] 綜上所述，在本實(shí)用新型所提供的技術(shù)方案中，通過在MEMS麥克風(fēng)的振膜上設(shè)置 泄氣結(jié)構(gòu)，使得振膜能夠在受到大的氣壓沖擊時，能夠?qū)崿F(xiàn)泄氣，從而保護(hù)振膜不因大的氣 壓沖擊而損壞，從而解決了現(xiàn)有的MEMS振膜在突然受到大的氣壓沖擊時如吹氣，容易造成 破損的問題。
【附圖說明】
[0016] 圖1是本實(shí)用新型中一種振膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017] 圖2是圖1所示振膜正常情況下的剖視圖；
[0018] 圖3是圖1中所示振膜受沖擊情況下的剖視圖；
[0019] 圖4是圖1中所示泄氣結(jié)構(gòu)的橫截面放大示意圖；
[0020] 圖5是本實(shí)用新型中一種MEMS電容傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021] 為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新 型實(shí)施方式作還地詳細(xì)描述。
[0022] 為達(dá)到上述目的本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：
[0023] 圖1是本實(shí)用新型中一種振膜的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1所示振膜正常情況下的 剖視圖。圖3是圖1中所示振膜受沖擊情況下的剖視圖。參見圖1所示，振膜10上設(shè)有在 外氣壓超過預(yù)設(shè)值后開啟的泄氣結(jié)構(gòu)101。
[0024] 在本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，所述泄氣結(jié)構(gòu)為設(shè)置在振膜10上的貫穿振膜10 的縫隙。參見圖2和圖3所示，在正常使用的情況下，泄氣結(jié)構(gòu)101兩側(cè)的振膜10相對平 滑，并不發(fā)生形變；在受到?jīng)_擊，如外氣壓超過預(yù)設(shè)值時，泄氣結(jié)構(gòu)101兩側(cè)的振膜10發(fā)生 形變，使得泄氣結(jié)構(gòu)101的縫隙變大，使得更加快速地泄壓，從而保護(hù)振膜10不被氣壓沖擊 而損壞。
[0025] 在本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，為了在外氣壓超過預(yù)設(shè)值后，能夠更好地保護(hù)振 膜10,可以在振膜10上設(shè)置N個泄氣結(jié)構(gòu)101。其中N為小于等于50的自然數(shù)。
[0026] 在本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，為了能夠更好地保證振膜的工作性能，可以將N 個泄氣結(jié)構(gòu)101均勻地分布在振膜10的邊緣上。即在本實(shí)施例中，可以保證振膜10中間 部分的完整性，在不影響振膜10的正常使用的情況下，能夠外氣壓增大時，泄氣結(jié)構(gòu)101能 夠通快速的泄氣，減少外氣壓對振膜10的沖擊，從而能夠更好地保護(hù)振膜10。
[0027] 在本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，泄氣結(jié)構(gòu)101的橫截面為平滑曲線。在本實(shí)用新 型的上述實(shí)施例中，橫截面為平滑曲線的優(yōu)點(diǎn)在于，能夠保證在泄氣結(jié)構(gòu)101打開的狀態(tài) 下，不會影響振膜10的正常使用。
[0028] 圖4是圖1中所示泄氣結(jié)構(gòu)的橫截面放大示意圖。
[0029] 在本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，泄氣結(jié)構(gòu)101包括V型、C型、S型、田型或者X型。
[0030] 在本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，泄氣結(jié)構(gòu)101為 型，或者所述泄氣結(jié)構(gòu)為 型。
[0031] 在本實(shí)用新型的上述實(shí)施例中，在保證振膜10能夠正常使用的情況下，還可以將 泄氣結(jié)構(gòu)101設(shè)置成其他形狀，如雪花型，牛角型等。
[0032] 在本實(shí)用新型的一種具體實(shí)施例中，在保證振膜10能夠正常使用的情況下，泄氣 結(jié)構(gòu)101的橫截面的寬度范圍為〇?lum~10um。在本實(shí)施例中，泄氣結(jié)構(gòu)101的橫截面的 寬度是指對應(yīng)的振膜10上的縫隙的寬度。其中，泄氣結(jié)構(gòu)101寬度設(shè)置為〇?lum~10um， 使得泄氣結(jié)構(gòu)101在受到氣壓沖擊時能夠及時發(fā)生形變，打開泄氣結(jié)構(gòu)101實(shí)現(xiàn)排氣。并 且在未受到氣壓沖擊的情況下，保證振膜10的正常使用。
[0033] 在本實(shí)用新型的一種具體實(shí)施例中，在保證振膜10能夠正常使用的情況下，泄氣 結(jié)構(gòu)101的橫截面的長度范圍為lum~200um。在本實(shí)施例中，泄氣結(jié)構(gòu)101的橫截面的長 度是指對應(yīng)的振膜10上的縫隙的總長度。其中，泄氣結(jié)構(gòu)101長度設(shè)置為lum~200um，使 得在單位面積內(nèi)，泄氣結(jié)構(gòu)101所占的面積更大，從而能夠更好地實(shí)現(xiàn)泄氣的功能。
[0034] 本實(shí)用新型還提供了一種MEMS電容傳感器，圖5是本實(shí)用新型中一種MEMS電容 傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；參見圖5所示，該MEMS電容傳感器包括：背極板301、支撐層302、振 膜301、絕緣層304和基層305。其中，所述振膜301采用如圖1~圖4中任意一個實(shí)施例 中的振膜。
[0035] 本實(shí)用新型還提供了一種MEMS麥克風(fēng)，該麥克風(fēng)包括上述實(shí)施例中的MESM傳感 器。具體為：在本實(shí)用新型的上述實(shí)施例中，所提供的MEMS麥克風(fēng)中振膜上設(shè)有在外氣壓 超過預(yù)設(shè)值后開啟的泄氣結(jié)構(gòu)。
[0036] 綜上，本實(shí)用新型所提供的技術(shù)方案中，通過在MEMS麥克風(fēng)的振膜上設(shè)置泄氣結(jié) 構(gòu)。該泄氣結(jié)構(gòu)為均勻設(shè)置在振膜邊緣上的縫隙。在受到?jīng)_擊的情況下，如外氣壓超過預(yù) 設(shè)值時，泄氣結(jié)構(gòu)兩側(cè)的振膜發(fā)生形變，使得泄氣結(jié)構(gòu)的縫隙變大，實(shí)現(xiàn)快速地泄壓，從而 保護(hù)振膜不被氣壓沖擊而損壞。
[0037] 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范 圍。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本實(shí) 用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種振膜，其特征在于，所述振膜上設(shè)有在外氣壓超過預(yù)設(shè)值后開啟的泄氣結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜，其特征在于，所述泄氣結(jié)構(gòu)的個數(shù)為N個；其中N為小 于等于50的自然數(shù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的振膜，其特征在于，所述N個泄氣結(jié)構(gòu)均勻地分布在所述振膜 的邊緣上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述振膜，其特征在于，所述泄氣結(jié)構(gòu)的橫截面為平滑曲線。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的振膜，其特征在于，所述泄氣結(jié)構(gòu)包括V型、C型、S 型、田型或者X型。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜，其特征在于，所泄氣結(jié)構(gòu)的橫截面的寬度范圍為 0? Ium ~IOum0
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜，其特征在于，所泄氣結(jié)構(gòu)的橫截面的長度范圍為Ium~ 200um〇
8. -種MEMS電容傳感器，其特征在于，所述MEMS電容傳感器的振膜采用權(quán)利要求1-8 任一項(xiàng)所述的振膜。
9. 一種MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述MEMS麥克風(fēng)包括權(quán)利要求9所述的MEMS電容 傳感器。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)、MEMS電容傳感器和一種振膜。本實(shí)用新型提供的振膜上設(shè)有在外氣壓超過預(yù)設(shè)值后開啟的泄氣結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案能解決現(xiàn)有的MEMS振膜在突然受到大的氣壓沖擊時如吹氣，容易造成破損的問題。
【IPC分類】H04R9-02, H04R9-06
【公開號】CN204425633
【申請?zhí)枴緾N201420741105
【發(fā)明人】蔡孟錦, 邱冠勛, 周宗燐, 宋青林
【申請人】歌爾聲學(xué)股份有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2014年11月28日