統(tǒng)加載到所述移位寄存器中，并且將所述第二暗像素區(qū)行好壞標(biāo)志寄存器中的位值加載到所述暫存寄存器中；
[0026]步驟04:所述行地址發(fā)生器檢測(cè)所述移位寄存器中的第O位值來(lái)判斷所述第一暗像素區(qū)的當(dāng)前行是好行還是壞行；
[0027]步驟05:當(dāng)前行為好行時(shí)，所述行地址發(fā)生器將所述當(dāng)前行的行地址發(fā)送到所述讀操作控制器，所述讀操作控制器對(duì)所述當(dāng)前行的行地址進(jìn)行讀操作；
[0028]當(dāng)前行為壞行時(shí)，所述行地址發(fā)生器檢測(cè)暫存寄存器中的位置，從第O位到第K-1位，當(dāng)檢測(cè)到第一個(gè)好行時(shí)，根據(jù)該好行所對(duì)應(yīng)的位地址計(jì)算出該好行在所述第二暗像素區(qū)中的行地址，并且將該好行的行地址替換所述當(dāng)前行為壞行的行地址，同時(shí)將該好行的行地址發(fā)送到所述讀操作控制器，所述讀操作控制器對(duì)該好行進(jìn)行讀操作；替換完成后，所述行地址發(fā)生器將所述暫存寄存器中對(duì)應(yīng)的用于替換的該好行的位值取反；
[0029]步驟06:開始進(jìn)行下一行的操作，所述暗像素行計(jì)數(shù)器的值加I ;
[0030]步驟07:重復(fù)所述步驟04-06，直至所述暗像素行計(jì)數(shù)器的值等于所述第一暗像素區(qū)中的所有暗像素行的行數(shù)值，所述暗像素行計(jì)數(shù)器向所述行地址發(fā)生器發(fā)送停止檢測(cè)信號(hào);
[0031]步驟08:所述行地址發(fā)生器接收到所述暗像素行計(jì)數(shù)器發(fā)送的所述停止檢測(cè)信號(hào)后，停止檢測(cè)。
[0032]優(yōu)選地，所述暗像素陣列還包括外圍暗像素區(qū)，所述外圍暗像素區(qū)包圍在所述第一暗像素區(qū)和所述第二暗像素區(qū)的外面；所述外圍暗像素區(qū)包括有J行和P列，其不用于暗電流水平的計(jì)算，而用于在制備所述第一暗像素區(qū)和所述第二暗像素區(qū)時(shí)的犧牲暗像素區(qū)，避免所述第一暗像素區(qū)和所述第二暗像素區(qū)中漏光；其中，J<K^L<M,P<No
[0033]優(yōu)選地，所述第一暗像素區(qū)行好壞標(biāo)志寄存器中的所述位值中，用O表示好行，用I表示壞行；或者用I表示好行，用O表示壞行。
[0034]優(yōu)選地，所述第二暗像素區(qū)行好壞標(biāo)志寄存器中的所述位值中，用O表示好行，用I表示壞行；或者用I表示好行，用O表示壞行。
[0035]本發(fā)明的暗像素陣列、替換控制電路系統(tǒng)及方法，當(dāng)?shù)谝话迪袼貐^(qū)存在壞行時(shí)，不需要將整顆芯片廢棄，只需要根據(jù)測(cè)試結(jié)果把相關(guān)的行的信息寫入寄存器，系統(tǒng)自動(dòng)用第二暗像素區(qū)中的好行來(lái)替換壞行；替換后的暗電流水平可以正常進(jìn)行計(jì)算操作。這種方法可以大大提高芯片的良率；進(jìn)一步的，當(dāng)芯片工作正常而暗像素在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)新的損壞時(shí)，如果第二暗像素區(qū)中還有可替換的好行，也可以用于芯片的修復(fù)；因此，本發(fā)明不僅確保了暗電流水平計(jì)算的正確性，并且操作方法簡(jiǎn)單易于實(shí)施，提高了工藝效率。
【附圖說(shuō)明】
[0036]圖1為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的暗像素陣列的結(jié)構(gòu)示意圖
[0037]圖2為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的暗像素行讀取替換操作的控制電路系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖
[0038]圖3為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的暗像素行替換方法的流程示意圖
【具體實(shí)施方式】
[0039]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說(shuō)明書附圖，對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說(shuō)明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0040]以下結(jié)合附圖1-3和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的暗像素陣列、暗像素行讀取替換操作的控制電路系統(tǒng)、以及暗像素行替換方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說(shuō)明本實(shí)施例的目的。
[0041]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)施例的用于暗像素電流水平計(jì)算的暗像素陣列，為M行XN列的暗像素陣列；其包括:
[0042]第一暗像素區(qū)101，為L(zhǎng)行XP列的暗像素陣列；在沒(méi)有壞行的情況下，第一暗像素區(qū)101中的所有像素都用于暗電流水平的計(jì)算；
[0043]第二暗像素區(qū)102，為K行XP列的暗像素陣列，作為第一暗像素區(qū)101的備份像素區(qū)；當(dāng)?shù)谝话迪袼貐^(qū)101出現(xiàn)壞行時(shí)，用第二暗像素區(qū)102中相對(duì)應(yīng)的好行替代；第二暗像素區(qū)102與第一暗像素區(qū)101相鄰設(shè)置；其中，K<L<M，P<N ;第二暗像素區(qū)102的暗像素行數(shù)小于第一暗像素區(qū)101的暗像素行數(shù)時(shí)，要求第二暗像素區(qū)102的好行數(shù)大于或等于第一暗像素區(qū)101中的壞行數(shù)，因此，K要大于第一暗像素區(qū)101中可能出現(xiàn)的壞行數(shù)，如果定義第一暗像素區(qū)101中預(yù)計(jì)出現(xiàn)的壞行數(shù)為Q行，則要求K大于或等于Q，但是無(wú)論壞行數(shù)Q是否為0，K的值至少為I，從而當(dāng)Q的值大于等于I時(shí)，此時(shí)有KSL <M;當(dāng)Q值等于O時(shí)，則有I彡K彡L < Mo需要說(shuō)明的是，通常，暗像素區(qū)可能出現(xiàn)的壞行數(shù)通常跟工藝相關(guān)，由制造工藝決定，是一個(gè)統(tǒng)計(jì)經(jīng)驗(yàn)值。
[0044]本實(shí)施例中，暗像素陣列還可以包括外圍暗像素區(qū)103，外圍暗像素區(qū)103包圍在第一暗像素區(qū)101和第二暗像素區(qū)102的外面；外圍暗像素區(qū)103包括有J行和P列，其不用于暗電流水平的計(jì)算，而用于在制備第一暗像素區(qū)101和第二暗像素區(qū)102時(shí)的犧牲暗像素區(qū)，避免第一暗像素區(qū)101和第二暗像素區(qū)102中漏光；其中，J < L < M，P < N ;這是因?yàn)?，通常在制備暗像素陣列時(shí)，由于制造或漏光原因，會(huì)導(dǎo)致位于暗像素陣列邊緣的區(qū)域的暗像素失效或變壞而不能用于計(jì)算暗電流水平，因此，為了避免第一暗像素區(qū)101和第二暗像素區(qū)102的邊緣出現(xiàn)壞行以及盡可能提高第一暗像素區(qū)101和第二暗像素區(qū)102的好行比例，在第一暗像素區(qū)101和第二暗像素區(qū)102外圍設(shè)置有外圍暗像素區(qū)103，因而其可以成為“犧牲暗像素區(qū)”。
[0045]請(qǐng)參閱圖2，本實(shí)施例中，采用上述的暗像素陣列進(jìn)行暗像素行讀取替換操作的控制電路系統(tǒng)，由以下部分組成:
[0046]存儲(chǔ)器201，用于保存暗像素區(qū)陣列的第一暗像素區(qū)的暗像素行的好壞標(biāo)志數(shù)據(jù)、以及暗像素區(qū)陣列區(qū)的第二暗像素的暗像素行的好壞標(biāo)志數(shù)據(jù)；存儲(chǔ)器在不通電時(shí)也能保存數(shù)據(jù)，在通電時(shí)，存儲(chǔ)器上的好壞標(biāo)志數(shù)據(jù)由系統(tǒng)加載到對(duì)應(yīng)的寄存器中；
[0047]暗像素行計(jì)數(shù)器204 ;每一幀圖像采集開始時(shí)，暗像素行計(jì)數(shù)器204的值被復(fù)位為
O;圖像采集時(shí)，當(dāng)讀操作控制器208完成每行的讀操作后，暗像素行計(jì)數(shù)器204的值加1，暗像素行計(jì)數(shù)器204的最大值為第一暗像素區(qū)的所有暗像素行的行數(shù)值；當(dāng)暗像素行計(jì)數(shù)器204的值達(dá)到最大值時(shí)，暗像素行計(jì)數(shù)器204向行地址發(fā)生器207發(fā)送停止檢測(cè)信號(hào)；
[0048]第一暗像素區(qū)行好壞標(biāo)志寄存器202，一共有L位值，從第O位值到第L_1位值分別表示對(duì)應(yīng)的第一暗像素區(qū)101中的各個(gè)暗像素行的好壞標(biāo)志數(shù)據(jù)，例如，第一暗像素區(qū)行好壞標(biāo)志寄存器中的位值中，用O表示好行，用I表示壞行；或者用I表示好行，用O表示壞行，等等；系統(tǒng)通電時(shí)，存儲(chǔ)器201中存儲(chǔ)的第一暗像素區(qū)101的暗像素行的好壞標(biāo)志數(shù)據(jù)由系統(tǒng)加載到第一暗像素區(qū)行好壞標(biāo)志寄存器202中；
[0049]移位寄存器205，在每一次暗電流水平計(jì)算開始時(shí)，將第一暗像素區(qū)行好壞標(biāo)志寄存器202中的各個(gè)位值由系統(tǒng)加載到移位寄存器205中；當(dāng)暗像素行計(jì)數(shù)器204每完成