將步驟(5)得到的帶有保護(hù)層膜的光刻膠結(jié)構(gòu)剝離，得到所需的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)。
[0049]實(shí)施例三
[0050](I)曝光底層光刻膠:在基底上旋涂一層NR26-25000P光刻膠，厚度為20 μπι，不用掩模進(jìn)行曝光；
[0051](2)結(jié)構(gòu)層光刻膠第一次曝光:在步驟(I)中曝光后的NR26-25000P光刻膠上旋涂一層NR26-25000P光刻膠，厚度為18 μ m，進(jìn)行曝光；曝光時(shí)采用如圖3所示的陣列圖形掩模，其中內(nèi)部圓形直徑為9 μ m，外部環(huán)形直徑為20 μ m，環(huán)形的寬度為I μπι，陣列圖形之間的中心距為42 μ m ;
[0052](3)結(jié)構(gòu)層光刻膠第二次曝光:采用跟步驟(2)相對(duì)應(yīng)的透光圓形陣列的掩模進(jìn)行套刻曝光，使用較小的曝光劑量，使得只有表層2 μπι的光刻膠發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)不會(huì)被顯影掉；其中透光圓形跟步驟(2)所采用的掩模圖形分布一致，直徑跟外部環(huán)形區(qū)域直徑相同，套刻曝光時(shí)掩模圖形跟步驟(2)中已曝光的圖形對(duì)準(zhǔn)；
[0053](4)顯影:將步驟(3)曝光后的樣片進(jìn)行顯影，得到形如圖1 (C)所示的結(jié)構(gòu)陣列；
[0054](5)鍍保護(hù)層膜:采用濺射鍍二氧化硅的方法在步驟(4)得到的結(jié)構(gòu)表面上產(chǎn)生一層保護(hù)層二氧化硅膜；
[0055](6)剝離:將步驟(5)得到的帶有保護(hù)層膜的光刻膠結(jié)構(gòu)剝離，得到所需的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)。
[0056]實(shí)施例四
[0057](I)曝光底層光刻膠:在基底上旋涂一層SU-82000，厚度為40 μ m，不用掩模進(jìn)行曝光；
[0058](2)結(jié)構(gòu)層光刻膠第一次曝光:在步驟(I)中曝光后的SU-82000上旋涂一層SU-82000，厚度為26 μ m，進(jìn)行曝光；曝光時(shí)采用如圖3所示的陣列圖形掩模，其中內(nèi)部圓形直徑為12 μ m，外部環(huán)形直徑為30 μ m，環(huán)形的寬度為1.2 μπι，陣列圖形之間的中心距為65 μ m ；
[0059](3)結(jié)構(gòu)層光刻膠第二次曝光:采用跟步驟(2)相對(duì)應(yīng)的透光圓形陣列的掩模進(jìn)行套刻曝光，使用較小的曝光劑量，使得只有表層2.8 μπι的光刻膠發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)不會(huì)被顯影掉；其中透光圓形跟步驟(2)所采用的掩模圖形分布一致，直徑跟外部環(huán)形區(qū)域直徑相同，套刻曝光時(shí)掩模圖形跟步驟(2)中已曝光的圖形對(duì)準(zhǔn)；
[0060](4)顯影:將步驟(3)曝光后的樣片進(jìn)行顯影，得到形如圖1 (C)所示的結(jié)構(gòu)陣列；
[0061](5)鍍保護(hù)層膜:采用濺射鍍二氧化硅的方法在步驟(4)得到的結(jié)構(gòu)表面上產(chǎn)生一層保護(hù)層二氧化硅膜；
[0062](6)剝離:將步驟(5)得到的帶有保護(hù)層膜的光刻膠結(jié)構(gòu)剝離，得到所需的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)。
[0063]實(shí)施例五
[0064](I)曝光底層光刻膠:在基底上旋涂一層NR26-25000P，厚度為60 μ m，不用掩模進(jìn)行曝光；
[0065](2)結(jié)構(gòu)層光刻膠第一次曝光:在步驟(I)中曝光后的SU-8GM 1070上旋涂一層SU-8GM 1070，厚度為34 μ m，進(jìn)行曝光；曝光時(shí)采用如圖3所示的陣列圖形掩模，其中內(nèi)部圓形直徑為15 μ m，外部環(huán)形直徑為40 μ m，環(huán)形的寬度為1.5 μ m，陣列圖形之間的中心距為 75 μπι ;
[0066](3)結(jié)構(gòu)層光刻膠第二次曝光:采用跟步驟(2)相對(duì)應(yīng)的透光圓形陣列的掩模進(jìn)行套刻曝光，使用較小的曝光劑量，使得只有表層3.2 μπι的光刻膠發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)不會(huì)被顯影掉；其中透光圓形跟步驟(2)所采用的掩模圖形分布一致，直徑跟外部環(huán)形區(qū)域直徑相同，套刻曝光時(shí)掩模圖形跟步驟(2)中已曝光的圖形對(duì)準(zhǔn)；
[0067](4)顯影:將步驟(3)曝光后的樣片進(jìn)行顯影，得到形如圖1 (C)所示的結(jié)構(gòu)陣列；
[0068](5)鍍保護(hù)層膜:采用濺射鍍二氧化硅的方法在步驟(4)得到的結(jié)構(gòu)表面上產(chǎn)生一層保護(hù)層二氧化硅膜；
[0069](6)剝離:將步驟(5)得到的帶有保護(hù)層膜的光刻膠結(jié)構(gòu)剝離，得到所需的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)。
[0070]實(shí)施例六
[0071](I)曝光底層光刻膠:在基底上旋涂一層NR26-25000P光刻膠，厚度為80μπι，不用掩模進(jìn)行曝光；
[0072](2)結(jié)構(gòu)層光刻膠第一次曝光:在步驟(I)中曝光后的NR26-25000P光刻膠上旋涂一層NR26-25000P光刻膠，厚度為40 μ m，進(jìn)行曝光；曝光時(shí)采用如圖3所示的陣列圖形掩模，其中內(nèi)部圓形直徑為18 μ m，外部環(huán)形直徑為50 μ m，環(huán)形的寬度為1.8 μ m，陣列圖形之間的中心距為90 μπι ;
[0073](3)結(jié)構(gòu)層光刻膠第二次曝光:采用跟步驟(2)相對(duì)應(yīng)的透光圓形陣列的掩模進(jìn)行套刻曝光，使用較小的曝光劑量，使得只有表層4.5 μπι的光刻膠發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)不會(huì)被顯影掉；其中透光圓形跟步驟(2)所采用的掩模圖形分布一致，直徑跟外部環(huán)形區(qū)域直徑相同，套刻曝光時(shí)掩模圖形跟步驟(2)中已曝光的圖形對(duì)準(zhǔn)；
[0074](4)顯影:將步驟(3)曝光后的樣片進(jìn)行顯影，得到形如圖1 (C)所示的結(jié)構(gòu)陣列；
[0075](5)鍍保護(hù)層膜:采用濺射鍍二氧化硅的方法在步驟(4)得到的結(jié)構(gòu)表面上產(chǎn)生一層保護(hù)層二氧化硅膜；
[0076](6)剝離:將步驟(5)得到的帶有保護(hù)層膜的光刻膠結(jié)構(gòu)剝離，得到所需的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)。
[0077]實(shí)施例七
[0078](I)曝光底層光刻膠:在基底上旋涂一層NR26-25000P光刻膠，厚度為100 μ m，不用掩模進(jìn)行曝光；
[0079](2)結(jié)構(gòu)層光刻膠第一次曝光:在步驟(I)中曝光后的NR26-25000P光刻膠上旋涂一層NR26-25000P光刻膠，厚度為50μπι，進(jìn)行曝光；曝光時(shí)采用如圖3所示的陣列圖形掩模，其中內(nèi)部圓形直徑為20 μ m，外部環(huán)形直徑為50 μ m，環(huán)形的寬度為2 μ m，陣列圖形之間的中心距為100 μπι ；
[0080](3)結(jié)構(gòu)層光刻膠第二次曝光:采用跟步驟(2)相對(duì)應(yīng)的透光圓形陣列的掩模進(jìn)行套刻曝光，使用較小的曝光劑量，使得只有表層5 μπι的光刻膠發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)不會(huì)被顯影掉；其中透光圓形跟步驟(2)所采用的掩模圖形分布一致，直徑跟外部環(huán)形區(qū)域直徑相同，套刻曝光時(shí)掩模圖形跟步驟(2)中已曝光的圖形對(duì)準(zhǔn)；
[0081](4)顯影:將步驟(3)曝光后的樣片進(jìn)行顯影，得到形如圖1 (C)所示的結(jié)構(gòu)陣列；
[0082](5)鍍保護(hù)層膜:采用濺射鍍二氧化硅的方法在步驟(4)得到的結(jié)構(gòu)表面上產(chǎn)生一層保護(hù)層二氧化硅膜；
[0083](6)剝離:將步驟(5)得到的帶有保護(hù)層膜的光刻膠結(jié)構(gòu)剝離，得到所需的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)。
[0084]按照本實(shí)施例制備出來(lái)的柔性超疏水超疏油的材料，由于其材料和結(jié)構(gòu)上的特殊性，可以貼裝于各種材料的表面從而使這些材料成為超疏水超疏油的材料，這些材料具體可以為玻璃、石英、金屬、陶瓷等光滑表面，也可以為PDMS(聚二甲基硅氧烷)、ΡΜΜΑ(聚甲基丙烯酸甲酯)等柔性有機(jī)聚合物表面。
[0085]本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，該制備方法包括如下步驟: (1)制作柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)底層:在基底上旋涂一層負(fù)性光刻膠，直接曝光使之成為光化學(xué)反應(yīng)區(qū)域保留成為底層； (2)結(jié)構(gòu)層光刻膠第一次曝光:在所述步驟(I)中曝光后的負(fù)性光刻膠上再旋涂一層負(fù)性光刻膠作為結(jié)構(gòu)層光刻膠，利用陣列圖形掩膜進(jìn)行曝光，所述陣列圖形掩膜中的單元圖形中對(duì)應(yīng)的光化學(xué)反應(yīng)的區(qū)域?yàn)?內(nèi)部為透光圓形，外部為透光環(huán)形； (3)結(jié)構(gòu)層光刻膠第二次曝光:采用跟所述步驟(2)中相對(duì)應(yīng)的透光圓形陣列掩模進(jìn)行套刻曝光，即所述掩膜的單元圖形中對(duì)應(yīng)的光化學(xué)反應(yīng)的區(qū)域?yàn)?內(nèi)部圓形與外部環(huán)形之間的區(qū)域，且使用較小曝光劑量使產(chǎn)生的光化學(xué)反應(yīng)的深度低于環(huán)形區(qū)域的光化學(xué)反應(yīng)深度； (4)顯影:將上述步驟中曝光后得到的結(jié)構(gòu)進(jìn)行顯影； (5)鍍保護(hù)層膜:在所述步驟(4)中得到的結(jié)構(gòu)表面形成一層保護(hù)膜； (6)剝離:將經(jīng)過(guò)所述步驟(5)處理后得到的帶有保護(hù)層膜的光刻膠結(jié)構(gòu)從基底上剝離，得到所述柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟(I)中的底層光刻膠的厚度為5?100 μ m。
3.如權(quán)利要求2所述的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中旋涂的光刻膠的厚度為10?50 μπι。
4.如權(quán)利要求3所述的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中的掩膜的陣列圖形之間的中心距為15?100 μπι。
5.如權(quán)利要求4中所述的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中的陣列圖形掩膜的內(nèi)部圓形的直徑為3?20 μπι，外部環(huán)形的最外圈的直徑為10?50 μ m，環(huán)形的寬度為0.5?2 μ m。
6.如權(quán)利要求5所述的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)的曝光劑量使得光化學(xué)反應(yīng)的深度為I?5 μπι。
7.如權(quán)利要求1-6所述的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)和(3)的結(jié)構(gòu)層光刻膠優(yōu)選為SU8光刻膠。
8.一種超疏水超疏油材料的制備方法，其特征在于，將由所述權(quán)利要求1-7中的制備方法所制備出的柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)裝貼于材料表面，由此制成超疏水超疏油材料。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)制備方法，該制備方法包括如下步驟：(1)制作柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)底層：在基底上旋涂一層負(fù)性光刻膠，不用掩膜進(jìn)行曝光；(2)在步驟(1)曝光后的負(fù)性光刻膠上旋涂一層負(fù)性光刻膠，利用陣列圖形掩膜進(jìn)行曝光；(3)結(jié)構(gòu)層光刻膠第二次曝光：采用跟步驟(2)對(duì)應(yīng)的掩模進(jìn)行套刻曝光；(4)顯影：將上述步驟中曝光后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行顯影；(5)鍍保護(hù)層膜：在步驟(4)中得到的結(jié)構(gòu)表面形成一層保護(hù)膜；(6)剝離：將經(jīng)過(guò)步驟(5)處理后得到的結(jié)構(gòu)從基底上剝離，得到所述柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)。按照本發(fā)明的制備方法，工藝簡(jiǎn)單，成本低廉，對(duì)該柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)的普及應(yīng)用具有極大的促進(jìn)作用。
【IPC分類】B81C1-00
【公開(kāi)號(hào)】CN104627952
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510015009
【發(fā)明人】廖廣蘭, 譚先華, 史鐵林, 獨(dú)莉, 劉智勇, 吳悠妮
【申請(qǐng)人】華中科技大學(xué)
【公開(kāi)日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2015年1月13日