專利名稱：Tdma發(fā)射機的電源接口電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及電源接口電路領(lǐng)域，更具體地涉及時分多址(TDMA)發(fā)射機的電源接口電路。
TDMA通信系統(tǒng)已廣泛地用在當今的數(shù)字蜂窩式系統(tǒng)中，在多個便攜式或移動收發(fā)機單元之間傳送話音與數(shù)據(jù)。在這些系統(tǒng)中，將射頻信道細分成收發(fā)機單元在其中互相傳送TDMA消息的時隙的若干TDMA信道。各收發(fā)機單元包含在分配的發(fā)射信道期間發(fā)射消息脈沖串的TDMA發(fā)射機及在分配的接收信道期間接收消息的TDMA接收機。
為了減少便攜式通信單元的關(guān)鍵資源的電池電流消耗，TDMA發(fā)射機與接收機的某些部件可以只在它們的分配的信道期間供電。此外，即使在分配的信道期間，在靜寂時段中可以關(guān)掉發(fā)射機部件以更進一步減少消耗。例如，各發(fā)射機包含一射頻功率放大器(RFPA)，在向它供電時它抽取相對可觀的電池電流。因而，發(fā)射機裝設(shè)有只在分配的發(fā)射信道期間有選擇地將電源電壓耦合到RFPA上的電源接口電路，以減少電池電流消耗。通常，這一電源接口電路包含在開關(guān)控制信號的控制下連通與斷開去往與來自RFPA的電源電壓的開關(guān)。
通常，將P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)用作電源接口電路中的開關(guān)。

圖1示出采用這種P溝道MOSFET12的一種傳統(tǒng)電源接口電路10的示意圖，它是通過電阻器11與13加偏置以便有選擇地連通與斷開在線路14上提供給RFPA16的電源電壓。響應(yīng)線路18上具有兩種雙態(tài)的電源控制信號，在一個雙態(tài)期間將P溝道MOSFET連通而將電源電壓連接到RFPA16上，在另一個雙態(tài)中將其截止而斷開來自RFPA16的電源電壓。
為了導(dǎo)通P溝道MOSFET12，在跨接晶體管的柵到源極結(jié)加上負電壓以提高(或增進)其P溝道的導(dǎo)電性。在圖1的配置中，通過雙極型晶體管20將負的柵電壓(即地)加在P溝道MOSFET上，以導(dǎo)通P溝道MOSFET，而加正的柵電壓(即Vsupply)以截止它。
由于希望減少便攜式通信單元的尺寸與成本及提高它們的傳輸速度，制造商不斷地搜尋減小這些單元中所用的電路尺寸同時提高它們的開關(guān)速度的方法。與P溝道MOSFET相比，n溝道MOSFET占用1/2至1/3的型腔并提供更快的開關(guān)速度。它們也能通過諸如在MOSFET的柵極上耦合齊納二極管等簡單的調(diào)節(jié)電路，來保護RFPA不受電壓峰值。從而，在通信系統(tǒng)開關(guān)應(yīng)用中，n溝道MOSFET是P溝道MOSFET的有吸引力的替代品。
盡管n溝道MOSFET提供這些優(yōu)點，它們在便攜式通信單元中的使用是受限制的，因為使用n溝道MOSFET作為開關(guān)，MOSFET必須加偏置以便在導(dǎo)通狀態(tài)中操作。在導(dǎo)通狀態(tài)中偏置n溝道MOSFET需要加上比電源電壓更正的柵電壓假定電源電壓是通信單元中可獲得的最高電壓，這是不容易達到的任務(wù)。
因而，存在著能對n溝道MOSFET加偏置以提供在電源與TDMA發(fā)射機的RFPA之間的選擇性轉(zhuǎn)換的電源接口電路的需求。本發(fā)明致力于這一需求。
致力于這一需求的本發(fā)明是體現(xiàn)在使用n溝道MOSFET以控制電源所提供的電壓對TDMA功率放大器的接入用的電源接口電路中。響應(yīng)開關(guān)控制信號，開關(guān)控制電路控制n溝道MOSFET連通或斷開到或自TDMA功率放大器的電源，該開關(guān)控制信號具有第一雙態(tài)，在其中開關(guān)控制信號具有第一電壓電平；及它具有第二雙態(tài)，在其中開關(guān)控制信號具有第二電壓電平。在第一雙態(tài)期間開關(guān)控制電路截止n溝道MOSFET以斷開來自功率放大器的電源，而在第二雙態(tài)期間它連通n溝道MOSFET以連接對功率放大器的電源。
在本發(fā)明的示范性特征之一中，n溝道MOSFET具有耦合在電源上的漏極及連接在功率放大器上的源極。電源接口電路利用開關(guān)控制信號的第一與第二電壓電平通過控制柵到源極電壓電平來控制n溝道MOSFET的開關(guān)狀態(tài)。在第一雙態(tài)中，電源接口電路利用第一電壓電平通過生成小于對應(yīng)于MOSFET的夾斷電壓的閾值電壓電平的柵到源極電壓電平，將n溝道MOSFET置于截止狀態(tài)。在第二雙態(tài)期間，電源接口電路利用第二電壓電平，通過生成大于閾值電壓的柵到源極電壓電平，將n溝道MOSFET置于導(dǎo)通狀態(tài)。在這一配置下，N溝道MOSFET保護功率放大器不受電源電壓波動。作為替代，可將齊納二極管耦合在n溝道MOSFET的柵極上以調(diào)節(jié)柵電壓，借此保護功率放大器。
按照本發(fā)明的其它示范性特征，該電源接口電路包含在耦合在n溝道MOSFET的柵極上的控制信號提供截止n溝道MOSFET的第一電壓電平時的第一雙態(tài)期間充電的電容器。隨后，在第二雙態(tài)期間，電容器連接在n溝道MOSFET的柵極上，以提供等于或大于導(dǎo)通MOSFET的閾值電壓的第二電壓電平。電容器所提供的第二電壓電平實質(zhì)上等于第二雙態(tài)期間的控制信號的電壓電平與在第一雙態(tài)期間電容器充電到的電壓電平之和。
按照本發(fā)明的另一示范性特征，電源接口電路包含生成基準電壓電平的基準電壓發(fā)生器及控制電容器連接的電容器開關(guān)電路。在第一雙態(tài)期間，電容器開關(guān)電路將電容器連接在將電容器充電到基準電壓電平的基準電壓發(fā)生器上。在第二雙態(tài)期間，該電容器開關(guān)電路將電容器連接在n溝道MOSFET的柵極上。耦合在電源控制信號上的電容器在第二雙態(tài)期間提供基本上等于基準電壓電平加控制信號的電平的柵極電壓電平。在本發(fā)明的一個示范性實施例中電容器開關(guān)電路包含MOSFET，而在另一示范性實施例中則包含雙極型晶體管。
從下面結(jié)合以示例方式展示本發(fā)明的原理的附圖所作出的最佳實施例的描述，本發(fā)明的其它特征與優(yōu)點將是顯而易見的。
圖1為傳統(tǒng)電源接口電路的示意圖。
圖2為有利地采用按照本發(fā)明的示范性電源接口電路的TDMA通信系統(tǒng)的方框圖。
圖3為圖2的TDMA通信系統(tǒng)所生成的電源控制信號的定時圖。
圖4為按照本發(fā)明的示范性實施例之一的電源接口電路的示意圖。
圖5為按照本發(fā)明的另一示范性實施例的電源接口電路的示意圖。
熟悉本技術(shù)的人員會理解本發(fā)明能應(yīng)用在其它環(huán)境中。例如，用在具有不同接入方法的其它系統(tǒng)中的發(fā)射機(如在頻分多址(FDMA)上的碼分多址(CDMA))也可按照下述技術(shù)控制。
對于圖2，其中示出了包含通過中央控制臺26互相通信的多個便攜式TDMA收發(fā)機單元24的示范性TDMA通信系統(tǒng)22的方框圖。便攜式收發(fā)機單元與中央控制臺在細分成TDMA信道的一或多條頻道上互相通信，這些TDMA信道為在其中傳遞TDMA消息的時隙。中央臺包含配置成按照預(yù)定的RF調(diào)制與解調(diào)技術(shù)與便攜式收發(fā)機單元傳遞消息的中央TDMA收發(fā)機28。中央控制器30執(zhí)行存儲在中央存儲器32中的中央控制程序來控制該TDMA通信系統(tǒng)的整體操作，其中包含分配TDMA信道及在系統(tǒng)內(nèi)選擇各種數(shù)據(jù)與控制信號的路由。
各便攜式收發(fā)機單元24包含本機控制器34，它在存儲在本機存儲器36中的本機控制程序的控制下控制收發(fā)機單元的整體操作，其中包含在指定的TDMA信道期間傳輸與接收TDMA消息。收發(fā)機單元包含通過RX/TX開關(guān)44連接在公共天線42上的TDMA接收機部分38及TDMA發(fā)射機部分40，開關(guān)44在本機控制器的控制下在對應(yīng)的發(fā)射與接收信道期間操作將天線耦合到發(fā)射機部分及接收機部分上。發(fā)射機部分發(fā)射消息脈沖串而接收機部分在指定的TDMA接收信道期間接收消息。此外，接收機部分也能用來在其它信道期間進行控制或業(yè)務(wù)信道測定。諸如電池等電源46在線路48上提供電源電壓，它可以是諸如大約5伏來操作收發(fā)機單元的各部分。
接收機部分38包含解調(diào)在對應(yīng)的接收信道期間通過天線42接收的TDMA消息的本機TDMA接收機50。TDMA解碼器52解碼接收的TDMA消息并將它們作為音頻或文本消息投送給用戶。發(fā)射機部分40包含適當?shù)貙碜杂脩舻囊纛l或文本消息編碼成編碼的TDMA消息并將它們傳送給TDMA調(diào)制器56的TDMA編碼器54。將調(diào)制的TDMA消息作用在RFPA58上，后者在對應(yīng)的TDMA發(fā)射信道期間放大調(diào)制的消息并將它們通過TX/RX開關(guān)44耦合在天線上。按照特定收發(fā)機單元24的TDMA傳輸與接收信道分配，本機控制器34在線路60上生成電源控制信號來控制電源46與RFPA58的切換并在線路62上生成TX/RX開關(guān)控制信號來控制TX/RX開關(guān)44在接收機與發(fā)射機部分38與40之間的切換。TDMA發(fā)射機部分包含按照本發(fā)明配置的電源接口電路64以提供電源壓與RFPA58之間的開關(guān)功能。
參見圖3，示出了本機控制器34在線路60上生成的電源控制信號的圖。在任何給定的時間上，電源控制信號是在兩種雙態(tài)之一上當電源從RFPA 58斷開時的第一雙態(tài)，及電源連接在RFPA58上時的第二雙態(tài)。在第一雙態(tài)期間，電源控制信號具有諸如零伏的第一電壓電平V1，而在隨后的第二雙態(tài)期間，它具有諸如3.75伏的第二電壓電平V2。如上所述，各第一雙態(tài)期間對應(yīng)于截止發(fā)射機部分40發(fā)射的時段，而各第二雙態(tài)期間對應(yīng)于啟動發(fā)射機部分發(fā)射TDMA消息的時段。雖然圖3描繪了其中的電源控制信號在大約50％的負載周期上觸發(fā)RFPA開與關(guān)，熟悉本技術(shù)的人員會理解這一波形是為了討論的目的理想化的，實踐中，負載周期將根據(jù)諸如每一個TDMA幀中收發(fā)機單元正在發(fā)射的時隙數(shù)、是否應(yīng)用不連續(xù)傳輸技術(shù)等而改變。
按照本發(fā)明，電源接口電路64使用n溝道MOSFET，它是在第一雙態(tài)中截止而將電源電壓從RFPA 58上斷開的，并在第二雙態(tài)中連通而將電源電壓連接在RFPA58上的。n溝道MOSFET是通過偏置到截止狀態(tài)而截止的，并且是通過偏置到連通狀態(tài)而連通的。
電源接口電路64通過生成大于或比對應(yīng)于MOSFET的夾斷電壓的閾值電壓VT更正的柵到源極電壓VGS(即跨接n溝道MOSFET的柵極與源極的電壓)而將n溝道MOSFET偏置到連通狀態(tài)中的。結(jié)果，在n型溝道中感生負電荷提高其導(dǎo)電性并允許漏電源ID流動，結(jié)果，連通n溝道MOSFET。在本技術(shù)的當前狀態(tài)中，本發(fā)明所使用的n溝道MOSFET需要大約2.5伏的閾值電壓VT來提供最大信道導(dǎo)電性。
反之，為了偏置n溝道MOSFET到具有最小信道導(dǎo)電性的截止狀態(tài)，電源接口電路生成小于閾值電壓VT的零伏的柵到源極電壓VGS。這一電壓將漏電流ID減少到可忽略的值，從而截止n溝道MOSFET。按照本發(fā)明的示范性特征之一，電源接口電路利用電源控制信號的第一電壓電平(V1)與第二電壓電平(V2)來提供n溝道MOSFET的偏壓。更具體地，在第二-雙態(tài)期間，電源接口電路用第二電壓電平V2提供比閾值電壓VT更正的柵到源極電壓VGS。如下面詳細描述的，第二雙態(tài)期間的柵到源極電壓VGS是通過在n溝道MOSFET的柵極上連接電容器提供的。在第一雙態(tài)期間初始充電的電容器在第二雙態(tài)期間利用電源控制信號的電壓電平提供更正的柵到源極電壓VGS。
圖4示出本發(fā)明的電源接口電路64的一個示范性實施例的示意圖。電源接口電路包含通過電源電壓偏置的n溝道MOSFET、RFPA58及開關(guān)控制電路70。將n溝道MOSFET 66的漏極耦合在電源上，其源極耦合在RFPA58上及其柵極耦合在開關(guān)控制電路70上。
響應(yīng)電源控制信號，開關(guān)控制電路提供控制n溝道MOSFET66的連通與截止狀態(tài)的柵電壓。假定電源提供的電源電壓為5伏，開關(guān)控制電路提供大約7.5伏(即電池電源電壓以上2.5伏的VT)的柵電壓，它連通n溝道MOSFET66。開關(guān)控制電路70提供電源控制信號的雙態(tài)控制n溝道MOSFET66的開關(guān)狀態(tài)。在第一雙態(tài)期間利用第一電壓電平V1，開關(guān)控制電路通過將柵到源極電壓VGS降低到小于閾值電壓VT的零伏提供截止n溝道MOSFET的第一柵電壓。利用第二電壓電平V2，開關(guān)控制電路通過將柵到源極電壓VGS提高到大于閾值電壓VT的電壓電平連通n溝道MOSFET。以這一方式，開關(guān)控制電路70在第一與第二雙態(tài)期間響應(yīng)電源控制信號的電壓電平在連通與截止狀態(tài)中操作n溝道MOSFET。
如圖4中所示，按照本發(fā)明的這一實施例的開關(guān)控制電路70包含具有互相串聯(lián)的P溝道MOSFET 72及n溝道MOSFET 74的互補MOSFET對、及跨接互補MOSFET對耦合的電容器76。P溝道MOSFET 72與n溝道MOSFET74具有在連接在n溝道MOSFE66的柵極上的它們的漏極上的公共結(jié)78以提供柵電壓。在一個示范性實施例中，開關(guān)控制電路70包含在線路82上生成基本上等于在本實例中為大約3.75伏的第二電壓電平V2的基準電壓Vref的基準電壓發(fā)生器80。在另一示范性實施例中，基準電壓是由電源46提供的，如用虛線所示。從而，基準電壓Vref也可等于電源電壓?；鶞孰妷篤ref耦合在P溝道MOSFET72與n溝道MOSFET74的柵極上。基準電壓Vref還通過二極管84耦合在P溝道MPSFET72的源極及電容器的一端上。線路60上的電源控制信號耦合在電容器的另一端上并通過電阻器86耦合在n溝道MOSFET74的源極上。在這一配置下，P溝道與n溝道MOSFET72與74互相以互補方式工作。這便是，當P溝道MOSFET72連通時n溝道MOSFET74截止，反之亦然。
在電源控制信號是在0伏的第一電壓電平V1時的第一雙態(tài)期間，基準電壓截止P溝道MOSFET72及連通n溝道MOSFET74。結(jié)果，將電容器76充電到基準電壓電平Vref。結(jié)果，將零伏的第一電壓電平V1作為柵電壓作用在n溝道MOSFET66上，它將n溝道MOSFET66操作到截止狀態(tài)中并從RFPA58上斷開電源46。
在電源控制信號上升到3.75伏的第二電壓電平V2的第二雙態(tài)期間，截止n溝道MOSFET74。同時，耦合在電容器76上的電源控制信號在P溝道MOSFET 72上生成等于基準電壓電平Vref加上第二電壓電平V2的源電壓。這一源電壓連通P溝道MOSFET72將電容器76連接在n溝道MOSFET66的柵極上。結(jié)果，電容器在n溝道MOSFET66上作用等于基準電壓電平Vref加上第二電壓電平V2的柵電壓。這樣產(chǎn)生的柵電壓保證開發(fā)出大約2.5伏(7.5伏柵電壓減5伏源極上的電源電壓)的正的柵到源極電壓，將n溝道MOSFET操作到連通狀態(tài)中。當在連通狀態(tài)中操作時，n溝道MOSFET將電源電壓連接到RFPA58上，它在第二雙態(tài)中啟動TDMA消息的傳輸。從而，互補MOSFET72與74構(gòu)成響應(yīng)電源控制信號在第一雙態(tài)期間與第二雙態(tài)期間控制電容器的充電的電容器開關(guān)電路。
用虛線示出的齊納二極管73可耦合在n溝道MOSFET76的柵極上以調(diào)節(jié)柵電壓。例如，具有7.5伏擊穿電壓的齊納二極管當將電源電壓用作基準電壓時保證柵到源極電壓大于或等于閾值電壓VT?？梢岳斫庠趫D4中描述的配置下，保護RFPA58不受電源電壓的電壓變化。這主要是因為作用在RFPA58上的電壓是由跟隨與耦合在電源電壓上的漏極上的變化無關(guān)的柵電壓的源電壓設(shè)定的。柵電壓電平是由基準電壓設(shè)定的，后者在一個示范性實施例中是由基準電壓發(fā)生器80從電源電壓獨立地生成的。如在上述另一示范性實施例中，如果基準電壓是由電源提供的，調(diào)節(jié)齊納二極管73使柵電壓與電源電壓的電壓變化無關(guān)。
參見圖5，類似于圖4的配置操作的本發(fā)明的第二示范性實施例采用PNP雙極型晶體管90及NPN雙極型晶體管92來替代MOSFET72與74來實現(xiàn)開關(guān)控制電路70。在第一雙態(tài)期間，PNP晶體管90斷開而NPN晶體管閉合，借此將電容器76充電到基準電壓，同時將第一電壓電平V1作用在n溝道MOSFET66的柵極上。結(jié)果，將n溝道MOSFET66截止，將電源46從RFPA58上斷開。在NPN晶體管斷開時的第二雙態(tài)期間，PNP晶體管90閉合。結(jié)果，n溝道MOSFET上的柵到源極電壓接通n溝道MOSFET66并將電源連接在RFPA上。
從上面的描述中會理解本發(fā)明提供了在TDMA發(fā)射機的電源接口電路中使用n溝道MOSFET的簡單而有效的配置，從而減小了這種電路的尺寸并提高了其開關(guān)速度。本發(fā)明利用電源控制信號所提供的電壓電平將跨接n溝道MOSFET的柵到源極電位升高到比收發(fā)機單元的電源所提供的更正的電平上。以這一方法，n溝道MOSFET有選擇地在接通狀態(tài)或截止狀態(tài)中操作，以控制電源與RFPA之間的開關(guān)功能。
雖然只參照當前最佳的實施例詳細描述了本發(fā)明，但熟悉本技術(shù)的人員會理解在不脫離本發(fā)明的情況下能作出各種修改。因而，本發(fā)明只由旨在包括其所有等效物的下述權(quán)利要求所來定義。
權(quán)利要求
1.一種功率放大器的電源接口電路，包括將電源電壓加在功率放大器上的電源；耦合在電源與功率放大器之間有選擇地將電源電壓連接在功率放大器上的n溝道MOSFET；以及響應(yīng)電源控制信號控制n溝道MOSFET的開關(guān)控制電路，該電源控制信號具有在其中截止n溝道MOSFET的第一雙態(tài)及在其中接通n溝道MOSFET的第二雙態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電源接口電路，其中該電源控制信號在第一雙態(tài)MOSFET期間具有第一電壓電平而在第二雙態(tài)期間具有第二電壓電平，其中該n溝道MOSFET響應(yīng)第一電壓電平截止而響應(yīng)第二電壓電平接通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的電源接口電路，其中該n溝道MOSFET包含柵到源極結(jié)，及其中第一電壓電平產(chǎn)生跨接該n溝道MOSFET的柵到源極結(jié)的第一柵電壓，及第二電壓電平產(chǎn)生跨接該n溝道MOSFET的柵到源極結(jié)的第二柵電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的電源接口電路，其中該開關(guān)控制電路包含加工第二柵電壓的電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的電源接口電路，其中該第一柵電壓小于閾值電平。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的電源接口電路，其中該第二柵電壓大于或等于閾值電平。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的電源接口電路，還包括生成基準電壓的基準電壓發(fā)生器；其中在第一雙態(tài)期間，將電容器充電到基準電壓電平，而在第二雙態(tài)期間，通過電容器將電源控制信號耦合到n溝道MOSFET上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的電源接口電路，還包括響應(yīng)電源控制信號控制在第一雙態(tài)及第二雙態(tài)期間電容器的連接的電容器開關(guān)電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的電源接口電路，其中該電容器開關(guān)電路包含MOSFET。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的電源接口電路，其中該電容器開關(guān)電路包含雙極型晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求7的電源接口電路，其中該基準電壓是由電源提供的，及其中將一齊納二極管耦合在n溝道MOSFET的柵極上以提供大于閾值電平的第二柵電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求7的電源接口電路，其中該n溝道MOSFET具有耦合在電源上的漏極及耦合在功率放大器上的源極。
13.一種功率放大器的電源接口電路，包括供應(yīng)電源電壓給功率放大器的電源；耦合在電源與功率放大器之間在偏置在接通狀態(tài)中時將電源電壓連接到功率放大器上，而在偏置在截止狀態(tài)中時從功率放大器上斷開電源電壓的n溝道MOSFET；以及響應(yīng)在將n溝道MOSFET偏置在截止狀態(tài)中的第一雙態(tài)期間具有第一電壓電平及在將n溝道MOSFET偏置在接通狀態(tài)中的第二雙態(tài)期間具有第二電壓電平的電源控制信號，控制n溝道MOSFET的開關(guān)控制電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的電源接口電路，其中第一電壓電平產(chǎn)生跨接n溝道MOSFET的柵到源極結(jié)的第一柵電壓，而第二電壓電平產(chǎn)生第二柵電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的電源接口電路，其中該開關(guān)控制電路包含加入第二柵電壓的電容器。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的電源接口電路，其中第一柵電壓小于閾值電平。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的電源接口電路，其中第二柵電壓大于或等于閾值電平。
18.根據(jù)權(quán)利要求14的電源接口電路，其中將一齊納二極管耦合在n溝道MOSFET的柵極上以提供大于閾值電平的第二柵電壓。
19.根據(jù)權(quán)利要求13的電源接口電路，其中該n溝道MOSFET具有耦合在電源電壓上的漏極及耦合在功率放大器上的源極。
20.一種時分多址發(fā)射機，包括功率放大器；提供電源電壓給功率放大器的電源；耦合在電源與功率放大器之間在接通時將電源電壓連接在功率放大器上及在截止時從功率放大器上斷開電源電壓的n溝道MOSFET；以及響應(yīng)電源控制信號控制n溝道MOSFET的開關(guān)控制電路，該開關(guān)控制信號具有在其中截止n溝道MOSFET的第一雙態(tài)及在其中接通n溝道MOSFET的第二雙態(tài)。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的時分多址發(fā)射機，其中該電源控制信號具有在截止n溝道MOSFET的第一雙態(tài)期間的第一電源電平及在接通n溝道MOSFET的第二雙態(tài)期間的第二電壓電平。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的時分多址發(fā)射機，其中該第一電壓電平產(chǎn)生跨接n溝道MOSFET的柵到源極結(jié)的第一柵電壓，及第二電壓電平產(chǎn)生第二柵電壓。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的時分多址發(fā)射機，其中該開關(guān)控制電路包含在第二雙態(tài)期間作用第二柵電壓的電容器。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的時分多址發(fā)射機，其中第一柵電壓小于閾值電平。
25.根據(jù)權(quán)利要求22的時分多址發(fā)射機，其中第二柵電壓大于或等于閾值電平。
26.根據(jù)權(quán)利要求23的時分多址發(fā)射機，還包含生成基準電壓的基準電壓發(fā)生器；其中在第一雙態(tài)期間，將電容器充電到基準電壓電平，而在第二雙態(tài)期間通過電容器將電源控制信號耦合在n溝道MOSFET上。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的時分多址發(fā)射機，還包含響應(yīng)電源控制信號，用于在第一雙態(tài)與第二雙態(tài)期間控制電容器的連接的電容器開關(guān)電路。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的時分多址發(fā)射機，其中該電容器開關(guān)電路包含MOSFET。
29.根據(jù)權(quán)利要求27的時分多址發(fā)射機，其中該電容器開關(guān)電路包含雙極型晶體管。
30.根據(jù)權(quán)利要求26的電源接口電路，其中該基準電壓是由電源提供的，及其中將一齊納二極管耦合在n溝道MOSFET的柵極上以提供大于閾值電平的第二柵電壓。
31.根據(jù)權(quán)利要求20時分多址發(fā)射機，其中該n溝道MOSFET具有耦合在電源電壓上的漏極及耦合在功率放大器上的源極。
32.一種用于有選擇地提供電源電壓給功率放大器的方法，包括提供具有第一雙態(tài)及第二雙態(tài)的開關(guān)控制信號；在第一雙態(tài)期間截止n溝道MOSFET，從功率放大器上斷開電源電壓；以及在第二雙態(tài)期間接通n溝道MOSFET，將電源電壓連接在功率放大器上。
33.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其中該開關(guān)控制信號在截止n溝道MOSFET的第一雙態(tài)期間具有第一電壓電平及在接通n溝道MOSFET的第二雙態(tài)期間具有第二電壓電平。
34.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其中第一電壓電平產(chǎn)生小于閾值電平的跨接n溝道MOSFET的柵到源極結(jié)的第一柵電壓，及第二電壓電平產(chǎn)生大于閾值電平的第二柵電壓。
全文摘要
提供了采用n溝道MOSFET(66)來控制電源(46)對TDMA功率放大器(58)的開關(guān)的電源接口電路(64)。接通時,n溝道MOSFET(66)將電源(46)連接在功率放大器(58)上,而在截止時,它將電源從功率放大器上斷開。電源接口電路(64)包含響應(yīng)開關(guān)控制信號控制n溝道MOSFET(66)的開關(guān)狀態(tài)的開關(guān)控制電路(70)。開關(guān)控制信號具有在其中截止n溝道MOSFET(66)的第一雙態(tài)及在其中接通n溝道MOSFET的第二雙態(tài)。
文檔編號H04B1/04GK1257622SQ98805240
公開日2000年6月21日 申請日期1998年3月17日 優(yōu)先權(quán)日1997年3月18日
發(fā)明者P－O·M·勃蘭特 申請人:艾利森電話股份有限公司