本說(shuō)明書(shū)涉及聲學(xué)領(lǐng)域，特別涉及一種聲學(xué)輸出裝置。

背景技術(shù)：

1、為了解決聲學(xué)輸出裝置的漏音問(wèn)題，通常利用兩個(gè)或多個(gè)聲源，發(fā)出兩個(gè)相位相反的聲信號(hào)。在遠(yuǎn)場(chǎng)條件下兩個(gè)相位反相的聲源到達(dá)遠(yuǎn)場(chǎng)中某點(diǎn)的聲程差基本可忽略，因此兩個(gè)聲信號(hào)可以相互抵消，以降低遠(yuǎn)場(chǎng)漏音。該方法雖然能夠在一定程度上達(dá)到降低漏音的效果，但是仍然存在一定的局限性。例如，由于高頻漏音的波長(zhǎng)更短，在遠(yuǎn)場(chǎng)條件下兩個(gè)聲源之間的距離相較于波長(zhǎng)不可忽略，導(dǎo)致兩個(gè)聲源發(fā)出的聲音信號(hào)無(wú)法抵消。又例如，當(dāng)聲學(xué)輸出裝置的聲學(xué)傳輸結(jié)構(gòu)發(fā)生諧振時(shí)，聲學(xué)輸出裝置的出聲口實(shí)際輻射的聲信號(hào)的相位與聲波產(chǎn)生位置的原始相位存在一定相位差，并且在傳輸?shù)穆暡ㄖ性黾宇~外的諧振峰，導(dǎo)致聲場(chǎng)分布混亂且難以保證高頻下遠(yuǎn)場(chǎng)的降漏音效果，甚至可能增大漏音。

2、因此，希望提供一種具有較好的指向性聲場(chǎng)的聲學(xué)輸出裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N聲學(xué)輸出裝置，聲學(xué)輸出裝置包括殼體、第一揚(yáng)聲器和第二揚(yáng)聲器，第一揚(yáng)聲器和第二揚(yáng)聲器設(shè)置在殼體內(nèi)，第一揚(yáng)聲器包括第一振膜，第一振膜的前側(cè)和后側(cè)分別設(shè)有第一前腔和第一后腔，第一前腔和第一后腔分別與殼體上的第一孔部和第二孔部聲學(xué)耦合，第一揚(yáng)聲器在第一電信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下，分別通過(guò)第一孔部和第二孔部輸出具有相位差的第一聲波與第二聲波，第二揚(yáng)聲器包括第二振膜，第二振膜的前側(cè)和后側(cè)分別設(shè)有第二前腔和第二后腔，第二前腔與殼體上的第二孔部聲學(xué)耦合，第二揚(yáng)聲器在第二電信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下，通過(guò)第二孔部輸出第三聲波，其中前側(cè)是指相應(yīng)振膜背離磁路組件的一側(cè)，后側(cè)是指相應(yīng)振膜朝向磁路組件的一側(cè)。第一揚(yáng)聲器形成雙聲源，第二揚(yáng)聲器形成單聲源，通過(guò)單聲源與雙聲源的結(jié)合，調(diào)整聲學(xué)輸出裝置的聲場(chǎng)，使聲學(xué)輸出裝置獲得良好的指向性聲場(chǎng)，進(jìn)而改善聲學(xué)輸出裝置的遠(yuǎn)場(chǎng)漏音問(wèn)題。

2、在一些實(shí)施例中，第一振膜與第二振膜的振動(dòng)方向相同，且第一振膜與第二振膜沿振動(dòng)方向間隔排布。

3、在一些實(shí)施例中，第一后腔與第二前腔構(gòu)成同一腔體，同一腔體的諧振頻率不低于3.8khz。

4、在一些實(shí)施例中，同一腔體的體積不大于0.38cm3，第二孔部的面積不小于17mm2。

5、在一些實(shí)施例中，第二后腔為封閉腔體。

6、在一些實(shí)施例中，封閉腔體的諧振頻率不高于1khz。

7、在一些實(shí)施例中，封閉腔體的體積不小于0.8cm3。

8、在一些實(shí)施例中，在100hz-800hz的范圍內(nèi)，第一揚(yáng)聲器在第二孔部處輸出的第二聲波的聲壓級(jí)與第二揚(yáng)聲器在第二孔部處輸出的第三聲波的聲壓級(jí)的差值不小于6db。

9、在一些實(shí)施例中，第二揚(yáng)聲器具有第一諧振頻率，第一后腔與第二前腔構(gòu)成同一腔體，同一腔體具有第二諧振頻率，第一諧振頻率與第二諧振頻率之間的頻段包括1khz-4khz的范圍。

10、在一些實(shí)施例中，第一電信號(hào)與第二電信號(hào)在目標(biāo)頻率范圍內(nèi)存在幅度和/或相位的差異。

技術(shù)特征：

1.一種聲學(xué)輸出裝置，其特征在于，所述聲學(xué)輸出裝置包括殼體、第一揚(yáng)聲器和第二揚(yáng)聲器，所述第一揚(yáng)聲器和所述第二揚(yáng)聲器設(shè)置在所述殼體內(nèi)，所述第一揚(yáng)聲器包括第一振膜，所述第一振膜的前側(cè)和后側(cè)分別設(shè)有第一前腔和第一后腔，所述第一前腔和所述第一后腔分別與所述殼體上的第一孔部和第二孔部聲學(xué)耦合，所述第一揚(yáng)聲器在第一電信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下，分別通過(guò)所述第一孔部和所述第二孔部輸出具有相位差的第一聲波與第二聲波，所述第二揚(yáng)聲器包括第二振膜，所述第二振膜的前側(cè)和后側(cè)分別設(shè)有第二前腔和第二后腔，所述第二前腔與所述殼體上的所述第二孔部聲學(xué)耦合，所述第二揚(yáng)聲器在第二電信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下，通過(guò)所述第二孔部輸出第三聲波，其中所述前側(cè)是指相應(yīng)振膜背離磁路組件的一側(cè)，所述后側(cè)是指相應(yīng)振膜朝向磁路組件的一側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)輸出裝置，其特征在于，所述第一振膜與所述第二振膜的振動(dòng)方向相同，且所述第一振膜與所述第二振膜沿所述振動(dòng)方向間隔排布。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)輸出裝置，其特征在于，所述第一后腔與所述第二前腔構(gòu)成同一腔體，所述同一腔體的諧振頻率不低于3.8khz。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聲學(xué)輸出裝置，其特征在于，所述同一腔體的體積不大于0.38cm3，所述第二孔部的面積不小于17mm2。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲學(xué)輸出裝置，其特征在于，所述第二后腔為封閉腔體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲學(xué)輸出裝置，其特征在于，所述封閉腔體的諧振頻率不高于1khz。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲學(xué)輸出裝置，其特征在于，所述封閉腔體的體積不小于0.8cm3。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲學(xué)輸出裝置，其特征在于，在100hz-800hz的范圍內(nèi)，所述第一揚(yáng)聲器在所述第二孔部處輸出的所述第二聲波的聲壓級(jí)與所述第二揚(yáng)聲器在所述第二孔部處輸出的所述第三聲波的聲壓級(jí)的差值不小于6db。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)輸出裝置，其特征在于，所述第二揚(yáng)聲器具有第一諧振頻率，所述第一后腔與所述第二前腔構(gòu)成同一腔體，所述同一腔體具有第二諧振頻率，所述第一諧振頻率與所述第二諧振頻率之間的頻段包括1khz-4khz的范圍。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)輸出裝置，其特征在于，所述第一電信號(hào)與所述第二電信號(hào)在目標(biāo)頻率范圍內(nèi)存在幅度和/或相位的差異。

技術(shù)總結(jié)
本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例提供一種聲學(xué)輸出裝置，其包括：殼體；第一揚(yáng)聲器，設(shè)置于殼體內(nèi)，第一揚(yáng)聲器與殼體上的第一孔部、第二孔部分別聲學(xué)耦合，第一揚(yáng)聲器在第一電信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下，分別通過(guò)第一孔部和第二孔部輸出具有相位差的第一聲波和第二聲波；以及第二揚(yáng)聲器，設(shè)置于殼體內(nèi)，第二揚(yáng)聲器在第二電信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下輸出第三聲波，其中，在目標(biāo)頻率范圍內(nèi)，第一聲波、第二聲波和第三聲波相互疊加，使得聲學(xué)輸出裝置的遠(yuǎn)場(chǎng)輻射呈指向性。

技術(shù)研發(fā)人員：王真,梁家寧,張磊,齊心
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市韶音科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20230824
技術(shù)公布日：2024/12/26