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射頻前端模組及通信設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):40401432發(fā)布日期:2024-12-20 12:25閱讀:5來源:國知局
射頻前端模組及通信設(shè)備的制作方法

本申請涉及通信,尤其涉及一種射頻前端模組及通信設(shè)備。


背景技術(shù):

1、在無線通信、雷達(dá)等射頻微波系統(tǒng)中,低噪聲放大器(low?noise?amplifier,lna)被廣泛應(yīng)用于各種接收鏈路中,用于對微弱信號(hào)進(jìn)行放大。通常lna的輸入端設(shè)置有輸入匹配電路,以匹配lna的輸入阻抗與前級電路的輸出阻抗。當(dāng)lna的輸入端對應(yīng)的輸入信號(hào)的頻段不同時(shí),需要的輸入匹配電感值不同。

2、對于寬頻lna,為了處理至少兩個(gè)頻段的輸入信號(hào),通常設(shè)有多個(gè)輸入端,其中,每個(gè)輸入端可以傳輸一個(gè)頻段的輸入信號(hào)。相關(guān)技術(shù)中,在輸入匹配電路的每個(gè)輸入端后面各設(shè)置一組和該輸入端的信號(hào)頻段相匹配的輸入匹配電感,n個(gè)輸入端就需要對應(yīng)設(shè)置n個(gè)輸入匹配電感,且每個(gè)輸入匹配電感的電感值都比較大,使得lna整體占用的面積較多。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此,本申請實(shí)施例提供了一種射頻前端模組及通信設(shè)備。

2、第一方面,本申請實(shí)施例提供了一種射頻前端模組,包括:基板、設(shè)置于所述基板的芯片及低噪聲放大器,所述低噪聲放大器包括至少兩個(gè)信號(hào)輸入端口、多路選擇開關(guān)、匹配電感、放大電路;

3、所述多路選擇開關(guān)包括公共輸出端和至少兩個(gè)輸入端,每一所述輸入端對應(yīng)一個(gè)所述信號(hào)輸入端口設(shè)置并用于接收一路射頻輸入信號(hào),所述公共輸出端與所述匹配電感的第一端連接,所述匹配電感的第二端與所述放大電路的輸入端連接,且所述放大電路用于對所述射頻輸入信號(hào)進(jìn)行放大,獲得并輸出射頻輸出信號(hào);

4、其中,所述匹配電感設(shè)置于所述基板,所述多路選擇開關(guān)和所述放大電路集成于所述芯片。

5、在一些實(shí)施方式中,所述匹配電感通過貼裝于所述基板表面的smd元件實(shí)現(xiàn),或者通過設(shè)置于所述基板表面的傳輸線實(shí)現(xiàn)。

6、在一些實(shí)施方式中,所述匹配電感的電感值大于或等于5nh。

7、在一些實(shí)施方式中,所述低噪聲放大器還包括至少一個(gè)支路電感,所述支路電感的第一端與一個(gè)所述信號(hào)輸入端口對應(yīng)連接,所述支路電感的第二端與所述多路選擇開關(guān)的一個(gè)輸入端對應(yīng)連接。

8、在一些實(shí)施方式中,所述支路電感通過貼裝于所述基板表面的smd元件實(shí)現(xiàn),或者通過設(shè)置于所述基板表面的傳輸線實(shí)現(xiàn);或者,所述支路電感集成于所述芯片。

9、在一些實(shí)施方式中,所述支路電感的電感值小于或等于7nh。

10、在一些實(shí)施方式中,所述匹配電感的電感值大于或等于5nh,并通過設(shè)置于所述基板表面的傳輸線實(shí)現(xiàn);

11、所述至少一個(gè)支路電感包括第一支路電感和第二支路電感;

12、所述第一支路電感連接的信號(hào)輸入端口對應(yīng)的射頻輸入信號(hào)的頻率高于2.4ghz,所述第一支路電感為設(shè)置于所述基板表面的傳輸線;

13、所述第二支路電感連接的信號(hào)輸入端口對應(yīng)的射頻輸入信號(hào)的頻率低于2.4ghz,所述第二支路電感為貼裝于所述基板表面的smd元件。

14、在一些實(shí)施方式中,所述匹配電感的電感值大于或等于5nh,并通過設(shè)置于所述基板表面的傳輸線實(shí)現(xiàn);

15、所述至少一個(gè)支路電感包括第一支路電感和第二支路電感;

16、所述第一支路電感連接的信號(hào)輸入端口對應(yīng)的射頻輸入信號(hào)的頻率高于2.4ghz,且所述第一支路電感為設(shè)置于所述基板表面的傳輸線;

17、所述第二支路電感連接的信號(hào)輸入端口對應(yīng)的射頻輸入信號(hào)的頻率低于2.4ghz,且所述第二支路電感集成于所述芯片。

18、在一些實(shí)施方式中,所述基板的表面設(shè)置有焊盤,所述芯片通過引線鍵合至所述焊盤;或者,所述芯片通過倒扣封裝設(shè)置于所述基板的第一表面。

19、在一些實(shí)施方式中,所述芯片通過倒扣封裝設(shè)置于所述基板的第一表面,所述匹配電感設(shè)置于所述基板的第一表面或第二表面,其中所述第一表面和所述第二表面為相背的兩個(gè)表面。

20、第二方面,本申請實(shí)施例提供了一種通信設(shè)備,所述通信設(shè)備包括:主板及射頻前端模組,其中,所述射頻前端模組設(shè)置于所述主板,所述射頻前端模組包括基板、設(shè)置于所述基板的芯片及低噪聲放大器,所述低噪聲放大器包括至少兩個(gè)信號(hào)輸入端口、多路選擇開關(guān)、匹配電感、放大電路;

21、所述多路選擇開關(guān)包括公共輸出端和至少兩個(gè)輸入端,每一所述輸入端對應(yīng)一個(gè)所述信號(hào)輸入端口設(shè)置并用于接收一路射頻輸入信號(hào),所述公共輸出端與所述匹配電感的第一端連接,所述匹配電感的第二端與所述放大電路的輸入端連接,且所述放大電路用于對所述射頻輸入信號(hào)進(jìn)行放大,獲得并輸出射頻輸出信號(hào);

22、至少兩個(gè)所述信號(hào)輸入端口設(shè)置于所述主板,所述匹配電感設(shè)置于所述基板,所述多路選擇開關(guān)和所述放大電路集成于所述芯片。

23、在一些實(shí)施方式中,所述射頻前端模組還包括至少一個(gè)支路電感,所述支路電感的第一端與一個(gè)所述信號(hào)輸入端口對應(yīng)連接,所述支路電感的第二端與所述多路選擇開關(guān)的一個(gè)輸入端對應(yīng)連接。

24、在一些實(shí)施方式中,至少一個(gè)所述支路電感設(shè)置于所述主板,并且所述支路電感通過貼裝于所述主板表面的smd元件實(shí)現(xiàn),或者通過設(shè)置于所述主板表面的傳輸線實(shí)現(xiàn)。

25、從上述技術(shù)方案可以看出,本申請所提供的射頻前端模組通過為至少兩個(gè)信號(hào)輸入端口設(shè)置共用的匹配電感,從而無需為每個(gè)信號(hào)輸入端口對應(yīng)設(shè)置一個(gè)獨(dú)立的匹配電感,從而有效節(jié)省了射頻前端模組的基板占用面積,同時(shí),射頻前端模組的通過將多路選擇開關(guān)和放大電路集成于芯片,從而無需將多路選擇開關(guān)和放大電路設(shè)置于基板,進(jìn)一步減小基板占用面積,實(shí)現(xiàn)射頻前端模組的小型化。

26、應(yīng)當(dāng)理解的是,以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本申請。



技術(shù)特征:

1.一種射頻前端模組,其特征在于,包括:基板、設(shè)置于所述基板的芯片及低噪聲放大器,所述低噪聲放大器包括至少兩個(gè)信號(hào)輸入端口、多路選擇開關(guān)、匹配電感、放大電路;

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻前端模組,其特征在于,所述匹配電感通過貼裝于所述基板表面的smd元件實(shí)現(xiàn),或者通過設(shè)置于所述基板表面的傳輸線實(shí)現(xiàn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻前端模組,其特征在于,所述匹配電感的電感值大于或等于5nh。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻前端模組,其特征在于,所述低噪聲放大器還包括至少一個(gè)支路電感,所述支路電感的第一端與一個(gè)所述信號(hào)輸入端口對應(yīng)連接,所述支路電感的第二端與所述多路選擇開關(guān)的一個(gè)輸入端對應(yīng)連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻前端模組,其特征在于,所述支路電感通過貼裝于所述基板表面的smd元件實(shí)現(xiàn),或者通過設(shè)置于所述基板表面的傳輸線實(shí)現(xiàn);或者,所述支路電感集成于所述芯片。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻前端模組,其特征在于,所述支路電感的電感值小于或等于7nh。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻前端模組,其特征在于,所述匹配電感的電感值大于或等于5nh,并通過設(shè)置于所述基板表面的傳輸線實(shí)現(xiàn);

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻前端模組,其特征在于,所述匹配電感的電感值大于或等于5nh,并通過設(shè)置于所述基板表面的傳輸線實(shí)現(xiàn);

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻前端模組,其特征在于,所述基板的表面設(shè)置有焊盤,所述芯片通過引線鍵合至所述焊盤;

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的射頻前端模組,其特征在于,所述芯片通過倒扣封裝設(shè)置于所述基板的第一表面,所述匹配電感設(shè)置于所述基板的第一表面或第二表面,其中所述第一表面和所述第二表面為相背的兩個(gè)表面。

11.一種通信設(shè)備,其特征在于,所述通信設(shè)備包括:主板及射頻前端模組,其中,所述射頻前端模組設(shè)置于所述主板,所述射頻前端模組包括基板、設(shè)置于所述基板的芯片及低噪聲放大器,所述低噪聲放大器包括至少兩個(gè)信號(hào)輸入端口、多路選擇開關(guān)、匹配電感、放大電路;

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的通信設(shè)備,其特征在于,所述射頻前端模組還包括至少一個(gè)支路電感,所述支路電感的第一端與一個(gè)所述信號(hào)輸入端口對應(yīng)連接,所述支路電感的第二端與所述多路選擇開關(guān)的一個(gè)輸入端對應(yīng)連接。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的通信設(shè)備,其特征在于,至少一個(gè)所述支路電感設(shè)置于所述主板,并且所述支路電感通過貼裝于所述主板表面的smd元件實(shí)現(xiàn),或者通過設(shè)置于所述主板表面的傳輸線實(shí)現(xiàn)。


技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種射頻前端模組及通信設(shè)備,射頻前端模組包括:基板、設(shè)置于所述基板的芯片及低噪聲放大器,所述低噪聲放大器包括至少兩個(gè)信號(hào)輸入端口、多路選擇開關(guān)、匹配電感、放大電路;所述多路選擇開關(guān)包括公共輸出端和至少兩個(gè)輸入端,每一所述輸入端對應(yīng)一個(gè)所述信號(hào)輸入端口設(shè)置并用于接收一路射頻輸入信號(hào),所述公共輸出端與所述匹配電感的第一端連接,所述匹配電感的第二端與所述放大電路的輸入端連接,且所述放大電路用于對所述射頻輸入信號(hào)進(jìn)行放大,獲得并輸出射頻輸出信號(hào);其中,所述匹配電感設(shè)置于所述基板,所述多路選擇開關(guān)和所述放大電路集成于所述芯片,本申請所提供的技術(shù)方案可以實(shí)現(xiàn)射頻前端模組的小型化。

技術(shù)研發(fā)人員:歐陽靜云,李鎂鈺,倪建興
受保護(hù)的技術(shù)使用者:銳石創(chuàng)芯(深圳)科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20231229
技術(shù)公布日:2024/12/19
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