本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種揚(yáng)聲器及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的動(dòng)圈式揚(yáng)聲器一般由線圈(即音圈)、膜片、中心磁體、周邊磁體和支架等裝配形成。現(xiàn)有動(dòng)圈式揚(yáng)聲器的線圈需要設(shè)置于中心磁體和周邊磁體所夾的空間內(nèi)，該結(jié)構(gòu)對(duì)于線圈與中心磁體的同心度要求較高。若線圈與中心磁體的同心度不良，則線圈在振動(dòng)過程中容易與中心磁體或周邊磁體觸碰，從而導(dǎo)致?lián)P聲器容易出現(xiàn)干擾性雜音。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種揚(yáng)聲器及電子設(shè)備，以解決現(xiàn)有揚(yáng)聲器因線圈與磁體觸碰而導(dǎo)致?lián)P聲器產(chǎn)生雜音的問題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種揚(yáng)聲器，包括：外殼，固定設(shè)置于所述外殼內(nèi)的至少一個(gè)第一磁體單元，以及與每個(gè)所述第一磁體單元相對(duì)設(shè)置的第二磁體單元；其中，相對(duì)設(shè)置的所述第一磁體單元和所述第二磁體單元靠近的兩個(gè)磁極相互排斥；

所述揚(yáng)聲器還包括振膜，所述振膜固定設(shè)置于所述外殼內(nèi)，且位于所述第一磁體單元和所述第二磁體單元之間；

所述揚(yáng)聲器還包括線圈，所述線圈固定設(shè)置于所述振膜上，所述線圈包括至少一個(gè)受力段，所述線圈在通電時(shí)，磁場(chǎng)對(duì)所有所述受力段的作用力方向相同；

所述外殼開設(shè)有至少一個(gè)出聲孔。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備，包括電子設(shè)備本體、電路板和上述揚(yáng)聲器，所述揚(yáng)聲器固定設(shè)置于所述電子設(shè)備本體上，所述揚(yáng)聲器的所述線圈與所述電路板電性連接。

這樣，本發(fā)明實(shí)施例的揚(yáng)聲器通過采用相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)磁體單元，形成與振膜基本平行的磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)可以產(chǎn)生使振膜上下振動(dòng)的安培力，從而實(shí)現(xiàn)揚(yáng)聲器的發(fā)聲。由于將振膜設(shè)置于兩個(gè)相對(duì)的磁體單元之間，振膜振動(dòng)時(shí)線圈很難觸碰到磁體?？梢?，本發(fā)明實(shí)施例能夠降低線圈與磁體觸碰的可能性，減少揚(yáng)聲器產(chǎn)生干擾性雜音。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲取其他的附圖。

圖1是現(xiàn)有揚(yáng)聲器的結(jié)構(gòu)和工作原理示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器磁體單元的設(shè)置方式之一；

圖3-2是本發(fā)明實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器磁體單元的設(shè)置方式之二；

圖3-3是本發(fā)明實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器磁體單元的設(shè)置方式之三；

圖3-4是本發(fā)明實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器磁體單元的設(shè)置方式之四；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器兩磁體單元截面處的磁路仿真示意圖；

圖5-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器線圈在振膜上的設(shè)置方式之一；

圖5-2是本發(fā)明實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器線圈在振膜上的設(shè)置方式之二；

圖5-3是本發(fā)明實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器線圈在振膜上的設(shè)置方式之三；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器線圈在振膜上的設(shè)置方式之四；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲取的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所示，圖1是現(xiàn)有動(dòng)圈式揚(yáng)聲器的結(jié)構(gòu)和工作原理示意圖，現(xiàn)有動(dòng)圈式揚(yáng)聲器的線圈11設(shè)置于中心磁體12與周邊磁體13之間的空間內(nèi)，線圈11在中心磁體12和周邊磁體13產(chǎn)生的磁場(chǎng)作用下上下振動(dòng)，從而帶動(dòng)位于線圈11上方的振膜振動(dòng)發(fā)聲。

為了使線圈11各處受到的安培力一致或平衡，線圈11需要與中心磁體12保持良好的同心度。若線圈11與中心磁體12的同心度不一致，線圈11在振動(dòng)時(shí)容易偏離中心軸，可能導(dǎo)致線圈11與中心磁體12或周邊磁體13觸碰，從而使揚(yáng)聲器發(fā)出干擾性雜音。

此外，現(xiàn)有動(dòng)圈式揚(yáng)聲器的線圈11粘接于振膜上，由于線圈11的卷線一般很薄，所以線圈11與振膜的粘接面積很小，線圈11帶動(dòng)振膜振動(dòng)時(shí)，由于振膜的受力面積小，在高頻部分容易出現(xiàn)比較明顯的非線性失真。

為解決上述問題，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種揚(yáng)聲器，包括：外殼21，固定設(shè)置于外殼21內(nèi)的至少一個(gè)第一磁體單元22，以及與每個(gè)第一磁體單元22相對(duì)設(shè)置的第二磁體單元23；其中，相對(duì)設(shè)置的第一磁體單元22和第二磁體單元23靠近的兩個(gè)磁極相互排斥；揚(yáng)聲器還包括振膜24，振膜24固定設(shè)置于外殼21內(nèi)，且位于第一磁體單元22和第二磁體單元23之間；揚(yáng)聲器還包括線圈25，線圈25固定設(shè)置于振膜24上，線圈25包括至少一個(gè)受力段251，線圈25在通電時(shí)，磁場(chǎng)對(duì)所有受力段251的作用力方向相同；外殼21開設(shè)有至少一個(gè)出聲孔211。

其中，第一磁體單元22可以包括至少一個(gè)單磁體，該單磁體可以包括但不限于條形磁體、環(huán)形磁體或u形磁體。第二磁體單元23可以包括至少一個(gè)單磁體，該單磁體可以包括但不限于條形磁體、環(huán)形磁體或u形磁體。

第一磁體單元22和第二磁體單元23相對(duì)且一一對(duì)應(yīng)設(shè)置，其對(duì)應(yīng)設(shè)置的方式需要滿足，相對(duì)設(shè)置的第一磁體單元22和第二磁體單元23靠近的兩個(gè)磁極相互排斥的條件。其設(shè)置方式無法窮舉，下面結(jié)合圖3-1至圖3-4進(jìn)行舉例說明。

如圖3-1所示，第一磁體單元22包括一個(gè)u形磁體，第二磁體單元23包括兩個(gè)條形磁體，其中一個(gè)條形磁體的n極與u形磁體的n極相對(duì)，另一個(gè)條形磁體的s極與u形磁體的s極相對(duì)。

如圖3-2所示，第一磁體單元22包括兩個(gè)小條形磁體(或環(huán)形磁體)，第二磁體單元23包括一個(gè)大條形磁體(或環(huán)形磁體)，第一磁體單元22的兩個(gè)小條形磁體(或環(huán)形磁體)的n極均與第二磁體單元23的一個(gè)大條形磁體(或環(huán)形磁體)的n極相對(duì)。

如圖3-3所示，第一磁體單元22包括一個(gè)u形磁體，第二磁體單元23包括一個(gè)u形磁體，其中第一磁體單元22的u形磁體的n極與第二磁體單元23的u形磁體的n極相對(duì)，第一磁體單元22的u形磁體的s極與第二磁體單元23的u形磁體的s極相對(duì)。

如圖3-4所示，第一磁體單元22包括兩個(gè)條形磁體(或環(huán)形磁體)，第二磁體單元23包括兩個(gè)條形磁體(或環(huán)形磁體)，第一磁體單元22的第一個(gè)條形磁體(或環(huán)形磁體)的n極與第二磁體單元23的第一個(gè)條形磁體(或環(huán)形磁體)的n極相對(duì)，第一磁體單元22的第二個(gè)條形磁體(或環(huán)形磁體)的s極與第二磁體單元23的第二個(gè)條形磁體(或環(huán)形磁體)的s極相對(duì)。

圖2中示出了揚(yáng)聲器包括兩個(gè)第一磁體單元22和兩個(gè)第二磁體單元23，第一磁體單元22和第二磁體單元23均包括一個(gè)條形磁體，且條形磁體的n極相對(duì)的形式。

眾所周知，磁體外部的磁感線從n極出來進(jìn)入s極，磁體內(nèi)部的磁感線從s極到n極，同極性磁極相對(duì)時(shí)，相對(duì)磁極之間的磁感線方向從磁極兩側(cè)朝向磁極的中心(s極相對(duì)時(shí))，或從磁極的中心朝向磁極兩側(cè)(n極相對(duì)時(shí))。為了更好地理解本發(fā)明實(shí)施例的揚(yáng)聲器工作原理，下面對(duì)圖2中的磁體單元產(chǎn)生的磁場(chǎng)進(jìn)行磁路仿真。

如圖4所示，圖4為兩磁體單元截面處的磁路仿真示意圖，由于第一磁體單元22的n極與第二磁體單元23的n極相對(duì)設(shè)置，因此，第一磁體單元22與第二磁體單元23之間的磁場(chǎng)大致可以分為從左至右的四個(gè)磁感線密集區(qū)域，第一個(gè)區(qū)域的磁感線方向朝左，第二個(gè)區(qū)域的磁感線方向朝右，第三個(gè)區(qū)域的磁感線方向朝左，第四個(gè)區(qū)域的磁感線方向朝右。

根據(jù)左手定則，在線圈25通電時(shí)，磁場(chǎng)對(duì)通電線圈25的安培力方向與磁場(chǎng)和電流的方向均垂直，為了使線圈25所受的安培力最大，線圈25可以包括至少一個(gè)與磁感線方向垂直的受力段251。圖2中示出了線圈25包括四個(gè)與磁感線方向垂直的受力段251，這四個(gè)受力段251分別位于圖4中所示的四個(gè)磁感線密集區(qū)域。

另外，四個(gè)受力段251的線圈25在振膜24上設(shè)置的方式也多種多樣，由于設(shè)置方式無法窮舉，下面結(jié)合圖5-1至圖5-3，對(duì)第一磁體單元22和第二磁體單元23均為條形磁體的情況進(jìn)行舉例說明。

如圖5-1所示，線圈25的四個(gè)受力段251均為相互獨(dú)立的單股導(dǎo)線，每個(gè)受力段251內(nèi)分別通有電流。

如圖5-2所示，線圈25的四個(gè)受力段251均為首尾依次串聯(lián)連接的單股導(dǎo)線，每個(gè)受力段251內(nèi)通有同一電流。

如圖5-3所示，線圈25的四個(gè)受力段251均為首尾依次串聯(lián)連接的三股導(dǎo)線，每個(gè)受力段251內(nèi)通有同一電流。

當(dāng)然，對(duì)于圖4所示的具有四個(gè)磁感線密集區(qū)域的形式而言，線圈25也可以設(shè)置一個(gè)受力段251、兩個(gè)受力段251或三個(gè)受力段。只不過，具有四個(gè)受力段251的線圈25與振膜24的接觸面積更大，在線圈25帶動(dòng)振膜24振動(dòng)時(shí)，整個(gè)振膜24所受到的力更加均衡，有利于降低揚(yáng)聲器在高頻部分出現(xiàn)非線性失真的可能性。

圖2中示出的線圈25在振膜24上的設(shè)置方式可以是如圖5-3所示的設(shè)置方式。

需要說明的是，以上線圈25的受力段251均為直導(dǎo)線，其適應(yīng)于磁體單元為條形磁體的情況。如果磁體單元是環(huán)形磁體，則線圈25的受力段251需要設(shè)置為環(huán)形。如果磁體單元的形狀為其它形狀，則線圈25的受力段251的形狀需要做適應(yīng)性調(diào)整，以使受力段251各處都與磁感線方向垂直。

本發(fā)明實(shí)施例的揚(yáng)聲器通過采用相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)磁體單元，形成與振膜基本平行的磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)可以產(chǎn)生使振膜上下振動(dòng)的安培力，從而實(shí)現(xiàn)揚(yáng)聲器的發(fā)聲。由于將振膜設(shè)置于兩個(gè)相對(duì)的磁體單元之間，振膜振動(dòng)時(shí)線圈很難觸碰到磁體。可見，本發(fā)明實(shí)施例能夠降低線圈與磁體觸碰的可能性，減少揚(yáng)聲器產(chǎn)生干擾性雜音。

可選的，如圖5-2、圖5-3和圖6所示，線圈25包括間隔設(shè)置的至少兩個(gè)受力段251和至少一個(gè)過渡段252，相鄰兩個(gè)受力段251通過一個(gè)過渡段252串聯(lián)。

從上述分析可知，每?jī)蓚€(gè)相對(duì)的磁體單元至少可以產(chǎn)生兩個(gè)磁感線密集區(qū)域，一方面，為了盡可能地提高磁場(chǎng)對(duì)線圈25的安培力，線圈25可以包括間隔設(shè)置的至少兩個(gè)受力段251。另一方面，線圈25包括的受力段251越多，線圈25整體所受的安培力越大，線圈25與振膜24的接觸面積也越大，振膜24所受到的力更加均衡。

在線圈25包括至少兩個(gè)受力段251時(shí)，受力段251既可以以如圖5-1的方式設(shè)置，但該方式下，每個(gè)受力段251需要單獨(dú)接通電流，加大了設(shè)計(jì)復(fù)雜程度?？紤]到上述原因，本發(fā)明實(shí)施方式中，受力段251可以以如圖5-2、圖5-3和圖6所示的方式設(shè)置，該方式下，相鄰兩個(gè)受力段251之間通過一個(gè)過渡段252串聯(lián)，同一電流依次流通每個(gè)受力段251。

可選的，如圖6所示，過渡段252與受力段251垂直設(shè)置。

根據(jù)左右定則，在電流方向與磁場(chǎng)方向平行時(shí)，不受安培力。鑒于此，本發(fā)明實(shí)施方式中，過渡段252可以與受力段251垂直，這樣，過渡段252受到的安培力幾乎為零，過渡段252受到的安培力對(duì)振膜24的影響可以忽略不計(jì)，進(jìn)一步確保振膜24在同一時(shí)刻的振動(dòng)方向一致。

可選的，如圖2、圖5-3和圖6所示，每個(gè)受力段251包括至少兩股導(dǎo)線，至少兩股導(dǎo)線并排設(shè)置和/或堆疊設(shè)置。

為了增加線圈25所受的安培力，每個(gè)受力段251可以包括至少兩股導(dǎo)線，圖2、圖5-3和圖6中示出的是受力段251包括三股導(dǎo)線的情況。在每個(gè)受力段251包括至少兩股導(dǎo)線時(shí)，至少兩股導(dǎo)線可以并排設(shè)置，即圖2、圖5-3和圖6中示出的情況。至少兩股導(dǎo)線還可以堆疊設(shè)置，還可以是既并排設(shè)置又堆疊設(shè)置。

可選的，如圖2所示，受力段251設(shè)置于磁感線密集區(qū)域。

為了增加線圈25所受的安培力，受力段251最好處于磁感線密集區(qū)域(或磁場(chǎng)強(qiáng)度較強(qiáng)的區(qū)域)。從圖4的磁路仿真示意圖可知，磁感線密集區(qū)域不在磁極的正中間，而是在磁極邊緣對(duì)應(yīng)的區(qū)域，即圖2中受力段251所在的區(qū)域。

可選的，如圖2所示，振膜24位于第一磁體單元22和第二磁體單元23的正中間。

考慮到第一磁體單元22和第二磁體單元23之間的正中間位置為磁感線分布最均勻的區(qū)域，因此，振膜24可以設(shè)置在第一磁體單元22和第二磁體單元23的正中間，這樣，振膜24上的線圈25受到的向上的安培力與受到的向下的安培力相差微小，能夠減小線圈25或振膜24長(zhǎng)期受力不均衡而變形的風(fēng)險(xiǎn)。此外，將振膜24設(shè)置于第一磁體單元22和第二磁體單元23的正中間，使得線圈25至兩磁體單元的距離一致，進(jìn)一步降低線圈25與磁體觸碰的可能性。

可選的，第一磁體單元22中相同極性的磁極朝向相同。

第一磁體單元22的相同極性的磁極朝向相同，即第二磁體單元23的相同極性的磁極朝向相同。以圖2所示的條形磁體為例，兩個(gè)第一磁體單元22的n極均與相應(yīng)的第二磁體單元23的n極相對(duì)設(shè)置。將第一磁體單元22中相同極性的磁極朝向相同，使得磁體單元產(chǎn)生的磁場(chǎng)具有更佳的一致性，可以避免相鄰磁體單元之間對(duì)磁感線的走向產(chǎn)生任何干擾。

可選的，振膜24包括至少兩層堆疊的膜片，線圈25固定設(shè)置于任意兩層相鄰的膜片之間。

線圈25可以通過粘接的方式固定設(shè)置于振膜24上，也可以通過嵌設(shè)的方式固定設(shè)置于振膜24上。本發(fā)明實(shí)施方式中，振膜24可以包括至少兩層堆疊的膜片，線圈25可以固定設(shè)置于任意兩層相鄰的膜片之間。該實(shí)施方式中，線圈25不外露，提高了線圈25與振膜24之間的穩(wěn)定性和可靠性。

可選的，如圖2所示，外殼21的內(nèi)壁設(shè)置有磁體容置槽212，第一磁體單元22和/或第二磁體單元23嵌設(shè)于磁體容置槽212內(nèi)。

本發(fā)明實(shí)施方式中，將磁體單元嵌設(shè)于磁體容置槽212內(nèi)，便于磁體單元的裝配，提高磁體單元與外殼21的穩(wěn)定性。

可選的，如圖2所示，揚(yáng)聲器還包括覆蓋出聲孔211的透聲層26。

本發(fā)明實(shí)施方式中，揚(yáng)聲器還可以包括覆蓋出聲孔211的透聲層26，該透聲層26可以起到調(diào)音的作用，可以根據(jù)調(diào)音的需求，選擇具有相同或不同聲阻的材質(zhì)，該透聲層26還可以起到防塵的作用。

可選的，如圖2所示，外殼21包括第一殼體213和第二殼體214，其中，第一磁體單元22可以固定設(shè)置于第一殼體213上，第二磁體單元23可以固定設(shè)置于第二殼體214上。第一殼體213和第二殼體214采用螺釘?shù)冗B接件固定連接，或者還可以采用其它的鉚合結(jié)構(gòu)進(jìn)行固定連接。

此外，本發(fā)明實(shí)施例還涉及一種電子設(shè)備，包括電子設(shè)備本體、電路板和上述揚(yáng)聲器，揚(yáng)聲器固定設(shè)置于電子設(shè)備本體上，揚(yáng)聲器的線圈與電路板電性連接。

上述電子設(shè)備可以包括：手機(jī)、平板電腦、電子書閱讀器、mp3播放器、mp4播放器、喇叭、音箱、數(shù)碼相機(jī)、膝上型便攜計(jì)算機(jī)、車載電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、機(jī)頂盒、智能電視機(jī)、可穿戴設(shè)備中的至少一項(xiàng)。

參見圖7，圖7是本發(fā)明實(shí)施提供的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖。

如圖7所示，電子設(shè)備700包括射頻(radiofrequency，rf)電路710、存儲(chǔ)器720、輸入單元730、顯示單元740、處理器750、音頻電路760、通信模塊770、電源780、揚(yáng)聲器790。

其中，揚(yáng)聲器790包括：外殼，固定設(shè)置于所述外殼內(nèi)的至少一個(gè)第一磁體單元，以及與每個(gè)所述第一磁體單元一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的第二磁體單元；所述第一磁體單元和所述第二磁體單元相對(duì)的磁極相互排斥；

所述揚(yáng)聲器790還包括振膜，所述振膜固定設(shè)置于所述外殼內(nèi)，且位于所述第一磁體單元和所述第二磁體單元之間；

所述揚(yáng)聲器790還包括線圈，所述線圈固定設(shè)置于所述振膜上，所述線圈包括至少一個(gè)受力段，所述線圈在通電時(shí)，磁場(chǎng)對(duì)所有所述受力段的作用力方向相同；

所述外殼開設(shè)有至少一個(gè)出聲孔。

可選的，所述線圈包括間隔設(shè)置的至少兩個(gè)受力段和至少一個(gè)過渡段，任意相鄰兩個(gè)受力段通過一個(gè)過渡段串聯(lián)。

可選的，所述過渡段與所述受力段垂直設(shè)置。

可選的，每個(gè)所述受力段包括至少兩股導(dǎo)線，所述至少兩股導(dǎo)線并排設(shè)置和/或堆疊設(shè)置。

可選的，所述受力段設(shè)置于磁感線密集區(qū)域。

可選的，所述振膜位于所述第一磁體單元和所述第二磁體單元的正中間。

可選的，所述第一磁體單元中相同極性的磁極朝向相同。

可選的，所述振膜包括至少兩層堆疊的膜片，所述線圈固定設(shè)置于任意兩層相鄰的膜片之間。

可選的，所述第一磁體單元包括條形磁體、環(huán)形磁體或u形磁體中的至少一項(xiàng)。

可選的，所述外殼的內(nèi)壁設(shè)置有磁體容置槽，所述第一磁體單元和/或所述第二磁體單元嵌設(shè)于所述磁體容置槽內(nèi)。

可選的，所述揚(yáng)聲器還包括覆蓋所述出聲孔的透聲層。

其中，輸入單元730可用于接收用戶輸入的數(shù)字或字符信息，以及產(chǎn)生與電子設(shè)備700的用戶設(shè)置以及功能控制有關(guān)的信號(hào)輸入。具體地，本發(fā)明實(shí)施例中，該輸入單元730可以包括觸控面板731。觸控面板731，也稱為觸摸屏，可收集用戶在其上或附近的觸摸操作(比如用戶使用手指、觸筆等任何適合的物體或附件在觸控面板731上的操作)，并根據(jù)預(yù)先設(shè)定的程式驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的連接裝置。可選的，觸控面板731可包括觸摸檢測(cè)裝置和觸摸控制器兩個(gè)部分。其中，觸摸檢測(cè)裝置檢測(cè)用戶的觸摸方位，并檢測(cè)觸摸操作帶來的信號(hào)，將信號(hào)傳送給觸摸控制器；觸摸控制器從觸摸檢測(cè)裝置上接收觸摸信息，并將它轉(zhuǎn)換成觸點(diǎn)坐標(biāo)，再送給該處理器750，并能接收處理器750發(fā)來的命令并加以執(zhí)行。此外，可以采用電阻式、電容式、紅外線以及表面聲波等多種類型實(shí)現(xiàn)觸控面板731。除了觸控面板731，輸入單元730還可以包括其他輸入設(shè)備732，其他輸入設(shè)備732可以包括但不限于物理鍵盤、功能鍵(比如音量控制按鍵、開關(guān)按鍵等)、軌跡球、鼠標(biāo)、操作桿等中的一種或多種。

其中，顯示單元740可用于顯示由用戶輸入的信息或提供給用戶的信息以及電子設(shè)備700的各種菜單界面。顯示單元740可包括顯示面板741，可選的，可以采用lcd或有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)等形式來配置顯示面板741。

應(yīng)注意，觸控面板731可以覆蓋顯示面板741，形成觸摸顯示屏，當(dāng)該觸摸顯示屏檢測(cè)到在其上或附近的觸摸操作后，傳送給處理器750以確定觸摸事件的類型，隨后處理器750根據(jù)觸摸事件的類型在觸摸顯示屏上提供相應(yīng)的視覺輸出。

觸摸顯示屏包括應(yīng)用程序界面顯示區(qū)及常用控件顯示區(qū)。該應(yīng)用程序界面顯示區(qū)及該常用控件顯示區(qū)的排列方式并不限定，可以為上下排列、左右排列等可以區(qū)分兩個(gè)顯示區(qū)的排列方式。該應(yīng)用程序界面顯示區(qū)可以用于顯示應(yīng)用程序的界面。每一個(gè)界面可以包含至少一個(gè)應(yīng)用程序的圖標(biāo)和/或widget桌面控件等界面元素。該應(yīng)用程序界面顯示區(qū)也可以為不包含任何內(nèi)容的空界面。該常用控件顯示區(qū)用于顯示使用率較高的控件，例如，設(shè)置按鈕、界面編號(hào)、滾動(dòng)條、電話本圖標(biāo)等應(yīng)用程序圖標(biāo)等。

其中處理器750是電子設(shè)備700的控制中心，利用各種接口和線路連接整個(gè)電子設(shè)備的各個(gè)部分，通過運(yùn)行或執(zhí)行存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)器721內(nèi)的軟件程序和/或模塊，以及調(diào)用存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器722內(nèi)的數(shù)據(jù)，執(zhí)行電子設(shè)備700的各種功能和處理數(shù)據(jù)，從而對(duì)電子設(shè)備700進(jìn)行整體監(jiān)控。可選的，處理器750可包括一個(gè)或多個(gè)處理單元。

以上，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。