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一種多磁隙多音圈揚(yáng)聲器的制作方法

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一種多磁隙多音圈揚(yáng)聲器的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及一種多磁隙多音圈揚(yáng)聲器,屬于電子器件中的聲電器件。



背景技術(shù):

揚(yáng)聲器發(fā)展到今天,種類(lèi)繁多,按工作原理分為電動(dòng)式、電磁式、壓電式、靜電式等;按工作頻帶分為全頻帶(20~800hz)、中音(500~6khz)、高音(4k~20khz),按輻射方式分為直接輻射式、號(hào)筒式、耳機(jī)等,按磁路形式分為內(nèi)磁式、外磁式等;按振膜形狀分為平模形,太陽(yáng)花形、錐形、球頂形等;按振膜材質(zhì)分為聚脂膜、紙盆、鋁膜、鈦膜等。縱觀林林總總的揚(yáng)聲器,動(dòng)圈式的揚(yáng)聲器居多,分析動(dòng)圈式的揚(yáng)聲器,有一個(gè)磁場(chǎng)間隙,在這一個(gè)間隙中安放了一個(gè)音圈。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的任務(wù)是,發(fā)明一種揚(yáng)聲器,在這揚(yáng)聲器的磁場(chǎng)中制造出多個(gè)磁場(chǎng)間隙,安放了多個(gè)音圈,這樣就會(huì)使揚(yáng)聲器的功率提高多倍。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種多磁隙多音圈揚(yáng)聲器,包括有磁鐵、軟鐵、振動(dòng)膜、定心支片、音圈、折環(huán)、支架、引線,所述磁鐵與所述軟鐵構(gòu)成了閉合磁路,所述閉合磁路構(gòu)成是:外部為筒形磁極,所述筒形磁極的極性方向與所述筒形磁極軸線一致,筒形磁極的軸心有磁柱,所述磁柱磁極的極性方向與所述磁柱軸線一致,所述筒形磁極與磁柱的兩端是由若干直徑不同的磁環(huán)與軟鐵環(huán)交替套在一起且在一個(gè)平面內(nèi)所構(gòu)成的圓面封堵,所述磁環(huán)磁極的極性方向與所述磁環(huán)軸線垂直,交替套在一起的所述磁環(huán)與軟鐵環(huán)之間都有間隙,形成間隙環(huán),每個(gè)間隙環(huán)內(nèi)都有直徑大小與間隙環(huán)相匹配的音圈,這些音圈通過(guò)音圈外側(cè)的兩個(gè)音圈平面及最大音圈圓筒面連在一起,所述兩個(gè)音圈平面將所述磁環(huán)、軟鐵環(huán)和磁柱包圍在兩個(gè)音圈平面之間,所述兩個(gè)音圈平面的外緣連接定心支片的內(nèi)緣,所述定心支片的外緣接支架,所述兩個(gè)音圈平面的其中一個(gè)平面接振動(dòng)膜的內(nèi)緣,所述振動(dòng)膜的外緣接折環(huán),所述折環(huán)的外緣接支架的外緣。所述筒形磁極、磁柱、磁環(huán)通過(guò)支架固定連接成一體。所述兩個(gè)音圈平面的所有音圈的接線相位是一致的,所述筒形磁極、磁柱、磁環(huán)的產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向是閉合一致的。所述筒形磁極與磁柱之間的磁環(huán)與軟鐵環(huán)的數(shù)量占比是:可以全部是磁環(huán),也可以全部是軟鐵環(huán),還可以部分磁環(huán)、部分軟鐵環(huán)交替出現(xiàn)。本發(fā)明所述的筒形磁極、磁柱、磁環(huán)的磁通量的是相等的,這樣有利于磁場(chǎng)的利用。本發(fā)明的原理是,將閉合磁路的磁場(chǎng),制造出多個(gè)磁場(chǎng)間隙,每個(gè)磁場(chǎng)間隙構(gòu)成了一個(gè)間隙環(huán),在每個(gè)間隙環(huán)中安放一個(gè)音圈,將所有音圈連接相位相同,即:當(dāng)所有音圈通正電時(shí),所有音圈位移方向一致(肯定通負(fù)電也一致)。本發(fā)明有兩個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn):一是本發(fā)明有n個(gè)音圈,設(shè)每個(gè)音圈所受瞬間磁場(chǎng)力為f,則兩個(gè)音圈面所受的合力為nf,由于功率為fs/t(式中s為位移),所以本發(fā)明的功率比原來(lái)同規(guī)格揚(yáng)聲器的功率大約增加了(n-1)倍(普通設(shè)備挖掘潛力只能增加0.2倍左右——即20%就不錯(cuò)了),這樣的增加是驚人的、顯著的、顯而易見(jiàn)的。二是筒形磁極與磁柱兩端的兩個(gè)音圈平面的兩端都有一個(gè)定心支片約束音圈只能在磁柱軸心方向移動(dòng),不會(huì)產(chǎn)生偏離軸心的情況,也就意味著,音圈工作時(shí)候不會(huì)和磁場(chǎng)間隙邊緣的磁環(huán)(或者軟鐵環(huán)接觸摩擦損壞——損壞后線圈就摩擦斷了),增加了音圈的壽命——即揚(yáng)聲器的壽命。普通的揚(yáng)聲器在音圈的靠近振動(dòng)膜一側(cè)只有一個(gè)定心支片,當(dāng)長(zhǎng)期使用后振動(dòng)膜幾何不對(duì)稱(chēng)時(shí),很容易使音圈走偏,摩擦損壞音圈。三是失真減小,由于本發(fā)明的振動(dòng)膜質(zhì)量幾乎沒(méi)有增加,使振動(dòng)膜運(yùn)動(dòng)的磁場(chǎng)力增加了數(shù)倍,根據(jù)牛頓第二定律可知,振動(dòng)膜更容易受音頻電壓的控制。

本發(fā)明的有益效果是,一是增加了揚(yáng)聲器的壽命,二是減小了失真,三是比原來(lái)同規(guī)格揚(yáng)聲器的功率大約許多倍,這樣的功率增加是驚人的、顯著的、顯而易見(jiàn)的。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是本發(fā)明的剖面圖。

圖2是本發(fā)明的磁體及部分音圈的立體示意圖。

圖中1.磁柱,2.筒形磁極,3.磁環(huán),4.軟鐵環(huán),5.上定心支片,6.下定心支片,7.上音圈,8.下音圈,9.振動(dòng)膜,10.折環(huán),11.膜支架,12.內(nèi)支架,13.外支架,14.引線。

具體實(shí)施方式

圖1是本發(fā)明的剖面圖,其立體形狀是圓、橢圓或者長(zhǎng)的。磁體由筒形磁極2、磁柱1、磁環(huán)3和軟鐵環(huán)4構(gòu)成,磁環(huán)3和軟鐵環(huán)4分布在筒形磁極2與磁柱1的兩端,直徑不同的磁環(huán)3與軟鐵環(huán)4交替套在一起且在一個(gè)平面內(nèi),構(gòu)成了上下兩個(gè)音圈面,磁環(huán)3與軟鐵環(huán)4之間都有間隙,形成間隙環(huán),每個(gè)間隙環(huán)內(nèi)都有直徑大小與間隙環(huán)相匹配的音圈,在筒形磁極2與磁柱1上端的音圈稱(chēng)上音圈7,在筒形磁極2與磁柱1下端的音圈稱(chēng)下音圈8,上音圈7與下音圈8是兩兩對(duì)稱(chēng)的,這些音圈通過(guò)音圈外側(cè)的上下兩個(gè)音圈平面及最大音圈圓筒面連在一起,為了便于理解其結(jié)構(gòu),見(jiàn)圖2所示,圖2的下方圖表示的是磁體立體結(jié)構(gòu)圖,中間有磁柱1,最外層是筒形磁極2,磁柱1與筒形磁極2的兩端有磁環(huán)3和軟鐵環(huán)4,磁環(huán)3和軟鐵環(huán)4的黑線表示的是間隙環(huán),間隙環(huán)與圖2上部圖的音圈相對(duì)應(yīng),為了便于觀察,圖2上部圖的音圈僅僅畫(huà)出了透明音圈的圓環(huán),音圈的圓環(huán)用黑線標(biāo)出的。與音圈相連的有定心支片,見(jiàn)圖1所示,上定心支片5連接在上音圈7所構(gòu)成的平面與膜支架11的適當(dāng)位置,下定心支片6連接在下音圈8所構(gòu)成的平面與支架13內(nèi)壁的適當(dāng)位置,上音圈7所構(gòu)成的平面還與振動(dòng)膜9的內(nèi)緣相連,振動(dòng)膜9的外緣連接折環(huán)10的內(nèi)緣,折環(huán)10的外緣連接膜支架11的的外緣。若干磁環(huán)3與軟鐵環(huán)4通過(guò)內(nèi)支架12、外支架13將筒形磁極2、磁柱1、膜支架11連成一體,所有音圈同相位串聯(lián)、并聯(lián)或者混聯(lián)連接后,統(tǒng)一接到引線14。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
一種多磁隙多音圈揚(yáng)聲器,包括有磁鐵、軟鐵、振動(dòng)膜、定心支片、音圈、折環(huán)、支架、引線,磁鐵與軟鐵構(gòu)成了閉合磁路,所述閉合磁路構(gòu)成是:外部為筒形磁極,筒形磁極的軸心有磁柱,筒形磁極與磁柱的兩端是由若干直徑不同的磁環(huán)與軟鐵環(huán)交替套在一起且在一個(gè)平面內(nèi)所構(gòu)成的圓面封堵,交替套在一起的所述磁環(huán)與軟鐵環(huán)之間都有間隙,形成間隙環(huán),每個(gè)間隙環(huán)內(nèi)都有直徑大小匹配的音圈,所有音圈連接在一起,推動(dòng)振動(dòng)膜發(fā)聲。本發(fā)明的特點(diǎn)一是增加了揚(yáng)聲器的壽命,二是功率比原來(lái)同規(guī)格揚(yáng)聲器的功率大約許多倍。

技術(shù)研發(fā)人員:門(mén)立山
受保護(hù)的技術(shù)使用者:門(mén)立山
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.13
技術(shù)公布日:2017.07.14
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