本發(fā)明涉及一種數(shù)據(jù)通訊接口，尤其涉及一種具有抗電磁干擾的網(wǎng)絡(luò)接口。

背景技術(shù)：

網(wǎng)絡(luò)接口通常指的是網(wǎng)絡(luò)用戶設(shè)備(終端)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備之間的接口，但是廣泛意義上也包括網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(交換機(jī)和，路由器和各種復(fù)用器)之間的接口。通常，網(wǎng)絡(luò)用戶設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備之間采用rj-45接口插座來(lái)實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)通信。一般的以太網(wǎng)接口主要由物理層芯片phy、網(wǎng)絡(luò)變壓器、rj-45接口插座組成。由于傳統(tǒng)的以太網(wǎng)接口抵抗環(huán)境中的設(shè)備所產(chǎn)生的電磁干擾emi的能力很弱，僅通過(guò)性能好的網(wǎng)絡(luò)變壓器的隔離以及屏蔽性能好的網(wǎng)線來(lái)降低電磁干擾，但是又不可避免地提高了生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)目前網(wǎng)絡(luò)接口存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種提高網(wǎng)絡(luò)接口電磁干擾的電路。

本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：

一種提高網(wǎng)絡(luò)接口電磁干擾的電路，包括：

物理層芯片，物理層芯片包括發(fā)送信號(hào)的第一發(fā)送端和接收信號(hào)的第一接收端；其中，第一發(fā)送端包括至少兩條線路，第一接收端包括至少兩條線路；

網(wǎng)絡(luò)變壓器，網(wǎng)絡(luò)變壓器包括第一網(wǎng)絡(luò)變壓器和第二網(wǎng)絡(luò)變壓器；

接口插座，網(wǎng)絡(luò)接口插座包括第二發(fā)送端和第二接收端；

其中，第一發(fā)送端將發(fā)送信號(hào)發(fā)送至第一網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)，經(jīng)第一網(wǎng)絡(luò)變壓器隔離后，傳輸至第二接收端；物理層芯片的接收信號(hào)從第二發(fā)送端經(jīng)第二網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)隔離后，傳輸至第一接收端；

以及

第一發(fā)送端中的每條線路和接地信號(hào)之間連接多個(gè)電容中的一個(gè)電容；

第一接收端中每條線路和接地信號(hào)之間連接多個(gè)電容中的一個(gè)電容。

優(yōu)選的，第一發(fā)送端包括第一正相發(fā)送端以及第一反相發(fā)送端，用以分別發(fā)出正相的發(fā)送信號(hào)和反相的發(fā)送信號(hào)；

第一接收端包括第一正相接收端以及第一反相接收端，用以分別接收正相的接收信號(hào)以及反相的接收信號(hào)。

優(yōu)選的，多個(gè)電容為4個(gè)電容。

優(yōu)選的，所述電容的電容值范圍為1～10pf。

優(yōu)選的，還包括多個(gè)電阻，

多個(gè)電阻中的一個(gè)電阻設(shè)置于第一發(fā)送端連接到第一網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)的每條線路上；

電容的一端連接接地信號(hào)，另一端連接于電阻與第一網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)之間；以及

多個(gè)電阻中的一個(gè)電阻設(shè)置于第一接收端連接到第二網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)的每條線路上；

電容的一端連接接地信號(hào)，另一端連接于電阻與第二網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)之間。

優(yōu)選的，電阻的電阻值為5.1歐姆。

優(yōu)選的，接口插座為rj-45插座。

優(yōu)選的，rj-45插座選用帶金屬屏蔽殼的插座。

優(yōu)選的，rj-45插座選用帶金屬屏蔽殼的插座，且屏蔽外殼與機(jī)殼地短接。

優(yōu)選的，還包括與第一發(fā)送端和第一接收端連接的保護(hù)電路，保護(hù)電路用于防止雷擊。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的提高網(wǎng)絡(luò)接口電磁干擾的電路，通過(guò)在第一發(fā)送端和接地信號(hào)之間以及第一接收端和接地信號(hào)之間設(shè)置有電容，能夠屏蔽發(fā)送信號(hào)和接收信號(hào)中的高頻信號(hào)，從而提高接口插座的相關(guān)干擾emi的頻點(diǎn)，從而抑制周圍設(shè)備的電磁干擾。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的實(shí)施例的總體框圖；

圖2為本發(fā)明的一種實(shí)施例的電路圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，但不作為本發(fā)明的限定。

如圖1所示的一種提高網(wǎng)絡(luò)接口電磁干擾的電路，包括：

物理層芯片1，物理層芯片1包括發(fā)送信號(hào)的第一發(fā)送端tx1和接收信號(hào)的第一接收端rx1；其中，第一發(fā)送端tx1包括至少兩條線路，第一接收端rx1包括至少兩條線路；

網(wǎng)絡(luò)變壓器，網(wǎng)絡(luò)變壓器2包括第一網(wǎng)絡(luò)變壓器21和第二網(wǎng)絡(luò)變壓器22；

接口插座3，網(wǎng)絡(luò)接口插座3包括第二發(fā)送端tx2和第二接收端rx2；

其中，第一發(fā)送端tx1將發(fā)送信號(hào)發(fā)送至第一網(wǎng)絡(luò)變壓器21的初級(jí)，經(jīng)第一網(wǎng)絡(luò)變壓器21隔離后，傳輸至第二接收端rx2；物理層芯片1的接收信號(hào)從第二發(fā)送端tx2經(jīng)第二網(wǎng)絡(luò)變壓器22的初級(jí)隔離后，傳輸至第一接收端rx1；

多個(gè)電容；以及

第一發(fā)送端tx1中的每條線路和接地信號(hào)之間連接多個(gè)電容中的一個(gè)電容；

第一接收端rx1中每條線路和接地信號(hào)之間連接多個(gè)電容中的一個(gè)電容。

本發(fā)明不僅采用傳統(tǒng)的用網(wǎng)絡(luò)變壓器對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行隔離的方式，還在物理層芯片1的發(fā)送端和接收端通過(guò)高頻電容c1～c4來(lái)屏蔽發(fā)送信號(hào)和接收信號(hào)中的高頻信號(hào)，不僅大大提高了emi的能力，而且因?yàn)殡娙莩杀镜停瑥亩梢越档驼麄€(gè)電路的生產(chǎn)成本。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，第一發(fā)送端包括第一正相發(fā)送端以及第一反相發(fā)送端，用以分別發(fā)出正相的發(fā)送信號(hào)和反相的發(fā)送信號(hào)；第一接收端包括第一正相接收端以及第一反相接收端，用以分別接收正相的接收信號(hào)以及反相的接收信號(hào)。

如圖2所示的一種實(shí)施例的電路圖，發(fā)送信號(hào)來(lái)自于第一發(fā)送端tx1，是從物理層芯片1的第一發(fā)送端tx1發(fā)出的，然后經(jīng)網(wǎng)絡(luò)變壓器2隔離后輸出至接口插座3的第二接收端rx2。同樣的，第一接收端rx1的接收信號(hào)是從接口插座3的第二發(fā)送端tx2經(jīng)網(wǎng)絡(luò)變壓器2隔離后傳輸?shù)?。第一發(fā)送端tx1包括第一正相發(fā)送端tx1+以及第一反相發(fā)送端tx1-，用以分別發(fā)出正相的發(fā)送信號(hào)和反相的發(fā)送信號(hào)。第一接收端rx1包括第一正相接收端rx1+以及第一反相接收端rx1-，用以分別接收正相的接收信號(hào)以及反相的接收信號(hào)。對(duì)應(yīng)的，第二接收端rx2包括第二正相接收端rx2+以及第二反相接收端rx2-；第二發(fā)送端tx2包括第二正相發(fā)送端tx2+和第二反相發(fā)送端tx2-。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，多個(gè)電容為4個(gè)電容。

如圖2所示的一種實(shí)施例的電路圖，在第一正相發(fā)送端tx1+和接地之間連接有電容c1，第一反相發(fā)送端tx1-和接地之間連接有電容c2，第一正相接收端rx1+和接地之間連接有電容c3，以及第一反相接收端rx1-和接地之間連接有電容c4，用以屏蔽發(fā)送信號(hào)和接收信號(hào)中的高頻信號(hào)。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，所述電容的電容值范圍為1～10pf。

根據(jù)測(cè)試，傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)接口電磁干擾電路對(duì)電磁干擾emi的能力只能達(dá)到到4db左右。而本發(fā)明經(jīng)測(cè)試后表明，通過(guò)電容c1～c4能夠提高接口插座3相關(guān)干擾emi頻點(diǎn)6db。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，還包括多個(gè)電阻r1～r4，

多個(gè)電阻中的一個(gè)電阻設(shè)置于第一發(fā)送端tx1連接到第一網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)的每條線路上；

電容的一端連接接地信號(hào)，另一端連接于電阻與第一網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)之間；以及

多個(gè)電阻中的一個(gè)電阻設(shè)置于第一接收端rx1連接到第二網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)的每條線路上；

電容的一端連接接地信號(hào)，另一端連接于電阻與第二網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)之間。

如圖2所示的電路的一個(gè)實(shí)施例，在第一網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)和第一正相發(fā)送端tx1+之間設(shè)置有電阻r1，電容c1的一端接地，另一端連接于電阻r1和第一網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)之間。在第一網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)和第一反相發(fā)送端tx1-之間設(shè)置有電阻r2，電容c2的一端接地，另一端連接于電阻r2和第一網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)之間。在第二網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)和第一正相接收端rx1+之間設(shè)置有電阻r3，電容c3的一端接地，另一端連接于電阻r3和第二網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)之間。在第二網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)和第一反相接收端rx1-之間設(shè)置有電阻r4，電容c4的一端接地，另一端連接于電阻r4和第二網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)之間。每個(gè)電阻r1～r4與與其并聯(lián)的電容c1～c4構(gòu)成阻抗匹配電路。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，電阻的電阻值為5.1歐姆。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，接口插座3為rj-45插座。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，rj-45插座選用帶金屬屏蔽殼的插座。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，rj-45插座選用帶金屬屏蔽殼的插座，且屏蔽外殼與機(jī)殼地短接。

上述兩種實(shí)施例的rj-45插座對(duì)防止靜電有很大幫助。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，還包括與第一接收端rx1連接的保護(hù)電路4，用于防止雷擊。

本發(fā)明的物理層芯片1可以選用單獨(dú)的芯片，也可以采用集成的芯片，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例采用內(nèi)置物理層芯片1的gxls905l芯片。網(wǎng)絡(luò)變壓器采用h1601cg芯片實(shí)現(xiàn)，保護(hù)電路4可以采用azc199-04s芯片實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明的提高網(wǎng)絡(luò)接口電磁干擾的電路，通過(guò)在第一發(fā)送端tx1和接地信號(hào)之間以及第一接收端rx1和接地信號(hào)之間分別并聯(lián)設(shè)置兩個(gè)電容，能夠屏蔽發(fā)送信號(hào)和接收信號(hào)中的高頻信號(hào)，從而提高接口插座3的相關(guān)干擾emi的頻點(diǎn)，抑制周圍設(shè)備的電磁干擾。另外，經(jīng)過(guò)測(cè)試，本申請(qǐng)的提高網(wǎng)絡(luò)接口電磁干擾的電路能夠滿足電氣性能的測(cè)試要求，風(fēng)險(xiǎn)可控，而且使得物理層芯片1的第一發(fā)送端tx1和第一接收端rx1的電壓幅度降低了6mv左右，邊沿變緩0.1ns，提高了吞吐量。

以上僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的實(shí)施方式及保護(hù)范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識(shí)到凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書及圖示內(nèi)容所做出的等同替換和顯而易見(jiàn)的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。