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用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路的制作方法

文檔序號(hào):7536978閱讀:235來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于開關(guān)電路技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō),是涉及一種可以對(duì)功率開關(guān)通斷
過(guò)程中產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行有效抑制的控制電路。
背景技術(shù)
對(duì)于目前的開關(guān)電路,特別是采用功率開關(guān)元件組建的開關(guān)電路來(lái)說(shuō),當(dāng)功率開 關(guān)在關(guān)斷與導(dǎo)通之間迅速切換時(shí),經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生電磁干擾。 一般來(lái)講,功率開關(guān)通斷得越快 速,電磁干擾問(wèn)題就越嚴(yán)重。如果不對(duì)功率開關(guān)產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行有效地抑制,將會(huì)對(duì)系 統(tǒng)電路產(chǎn)生不利的影響,甚至?xí)l(fā)電路的誤動(dòng)作,從而降低了系統(tǒng)電路運(yùn)行的可靠性。 為了解決這一問(wèn)題,目前的電子線路通常采用具有高容量的電容元件或者具有高 電感量的電感器件等組成濾波電路,來(lái)對(duì)功率開關(guān)產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行濾除,進(jìn)而起到保 護(hù)系統(tǒng)電路的設(shè)計(jì)目的。但是,采用這種設(shè)計(jì)方式所需使用的電容或者電感元件的價(jià)格都 相對(duì)昂貴,因此,不適合在成本較低的電子產(chǎn)品或者價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)激烈的電器產(chǎn)品中推廣 應(yīng)用。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型為了解決現(xiàn)有電磁干擾抑制電路成本高、適用領(lǐng)域受限的問(wèn)題,提供 了一種用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路,以達(dá)到抑制干擾強(qiáng)度、降低硬件電路成本的設(shè) 計(jì)目的。 為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn) —種用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路,包括功率開關(guān)和控制所述功率開關(guān)通斷
的控制電路;所述控制電路的控制信號(hào)輸出端連接功率開關(guān)的控制端,在所述功率開關(guān)的
開關(guān)通路與控制端之間還連接有一電容。 進(jìn)一步的,為了對(duì)電磁干擾的抑制等級(jí)實(shí)現(xiàn)方便調(diào)節(jié),優(yōu)選在所述電磁干擾抑制
電路中的適當(dāng)位置設(shè)計(jì)電阻,以配合電容對(duì)控制電路輸出的控制信號(hào)波形進(jìn)行修正。作為
其中一種設(shè)計(jì)方式,可以將所述電容的一端連接在功率開關(guān)的開關(guān)通路上,另一端連接所
述控制電路的控制信號(hào)輸出端,并通過(guò)電阻連接所述功率開關(guān)的控制端。 作為另外一種設(shè)計(jì)方式,可以將所述電容直接連接在功率開關(guān)的開關(guān)通路與控制
端之間,將所述控制電路的控制信號(hào)輸出端通過(guò)電阻連接功率開關(guān)的控制端。 作為第三種設(shè)計(jì)方式,可以將所述電容的一端連接在功率開關(guān)的開關(guān)通路上,另
一端一方面通過(guò)一個(gè)電阻連接所述控制電路的控制信號(hào)輸出端,另一方面通過(guò)另一個(gè)電阻
連接所述功率開關(guān)的控制端。 再進(jìn)一步的,對(duì)于低輸入阻抗的功率開關(guān)來(lái)說(shuō),在所述功率開關(guān)的控制端連接有
驅(qū)動(dòng)電路,對(duì)開關(guān)控制信號(hào)的幅值進(jìn)行放大處理后,輸出至功率開關(guān)的控制端。 更進(jìn)一步的,所述功率開關(guān)為晶體管或者場(chǎng)效應(yīng)管。 與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是本實(shí)用新型的電磁干擾抑制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低,可以根據(jù)不同開關(guān)電路的實(shí)際情況調(diào)節(jié)功率開關(guān)的開關(guān)速度以及 電磁干擾的抑制等級(jí),可以廣泛應(yīng)用于DC-DC直流轉(zhuǎn)換器中的MOSFET開關(guān)電路以及逆變器 或者太陽(yáng)能充電調(diào)整器等電子設(shè)備中。 結(jié)合附圖閱讀本實(shí)用新型實(shí)施方式的詳細(xì)描述后,本實(shí)用新型的其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn) 將變得更加清楚。

圖1是本實(shí)用新型所提出的電磁干擾抑制電路的一種實(shí)施例的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)地描述。 本實(shí)用新型的電磁干擾抑制電路通過(guò)在功率開關(guān)的開關(guān)通路與控制端之間連接 一個(gè)成本低廉的普通電容,進(jìn)而在對(duì)功率開關(guān)的通斷狀態(tài)進(jìn)行切換時(shí),利用電容上的電壓 不能突變的特性,來(lái)阻止控制電路輸出的控制信號(hào)迅速變化,從而使得施加到功率開關(guān)控 制端上的開關(guān)控制信號(hào)平滑變化,以此來(lái)避免功率開關(guān)迅速切換,以有效抑制功率開關(guān)上 電磁干擾的產(chǎn)生。 下面通過(guò)一個(gè)具體的實(shí)施例來(lái)詳細(xì)闡述所述電磁干擾抑制電路的具體組建結(jié)構(gòu) 及其工作過(guò)程。 實(shí)施例一,參見圖1所示,在本實(shí)施例中,所述功率開關(guān)以N溝道場(chǎng)效應(yīng)管1為例 進(jìn)行說(shuō)明。 在常規(guī)的開關(guān)電路設(shè)計(jì)中,功率開關(guān)的控制端,比如N溝道場(chǎng)效應(yīng)管1的柵極,通 常直接與控制電路3的控制信號(hào)輸出端相連接,通過(guò)控制電路3輸出的高低電平方波信號(hào) 來(lái)控制功率開關(guān)導(dǎo)通或者截止。在功率開關(guān)通斷的過(guò)程中,由于開關(guān)通路上的電壓迅速變 化,從而容易產(chǎn)生電磁干擾。 為了解決這一問(wèn)題,本實(shí)施例在功率開關(guān)的開關(guān)通路與控制端之間增設(shè)了一路電 容4,如圖1所示,電容4可以連接在N溝道場(chǎng)效應(yīng)管1的源極與柵極之間,通過(guò)調(diào)節(jié)電容4 的容量可以對(duì)控制電路3輸出的方波控制信號(hào)的上升沿和下降沿的坡度進(jìn)行調(diào)整,使其平 滑過(guò)渡,以此來(lái)控制開關(guān)通路上的電壓平滑變化,以達(dá)到有效抑制電磁干擾的設(shè)計(jì)目的。 通過(guò)調(diào)節(jié)電容4的容量,可以改變電磁干擾的抑制等級(jí)。 為了進(jìn)一步方便調(diào)節(jié),本實(shí)施例優(yōu)選在所述的電磁干擾抑制電路中增設(shè)電阻5或 者電阻6,或者同時(shí)增設(shè)電阻5和電阻6,如圖l所示。其中,電阻5連接在電容4與功率開 關(guān)的控制端(比如N溝道場(chǎng)效應(yīng)管1的柵極)之間;電阻6連接在電容4與控制電路3的 控制信號(hào)輸出端之間;電容4的另一端連接在功率開關(guān)的開關(guān)通路(比如N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 l的源極)上。所述電阻5和電阻6與電容4配合,共同對(duì)控制電路3輸出的控制信號(hào)波形 進(jìn)行調(diào)節(jié),使其呈平滑坡度過(guò)渡的漸變過(guò)程。通過(guò)調(diào)節(jié)電阻5或者電阻6的阻值,可以對(duì)控 制信號(hào)跳變過(guò)程中的坡度大小進(jìn)行調(diào)整,并由此來(lái)調(diào)節(jié)功率開關(guān)的開關(guān)速度和電磁干擾的 抑制等級(jí),以滿足系統(tǒng)電路的實(shí)際需要。 上述電磁干擾抑制電路可以應(yīng)用于采用高輸入阻抗的功率開關(guān)所設(shè)計(jì)的開關(guān)電 路中。對(duì)于低輸入阻抗的功率開關(guān)來(lái)說(shuō),可以在所述功率開關(guān)的控制端(比如N溝道場(chǎng)效應(yīng)管1的柵極)與電磁干擾抑制電路之間再增設(shè)一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路2,如圖1所示。通過(guò)驅(qū)動(dòng)電 路2來(lái)對(duì)調(diào)整后的開關(guān)控制信號(hào)的幅值進(jìn)行放大處理,以滿足功率開關(guān)的驅(qū)動(dòng)要求。 當(dāng)然,本實(shí)施例的電磁干擾抑制電路同樣適用于除N溝道場(chǎng)效應(yīng)管1以外的其他 類型的場(chǎng)效應(yīng)管或者晶體管等功率開關(guān)元件所設(shè)計(jì)的開關(guān)電路中,本實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行具 體限制。 應(yīng)當(dāng)指出的是,以上所述僅是本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施方式,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域 的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這 些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路,包括功率開關(guān)和控制所述功率開關(guān)通斷的控制電路;其特征在于所述控制電路的控制信號(hào)輸出端連接功率開關(guān)的控制端,在所述功率開關(guān)的開關(guān)通路與控制端之間還連接有一電容。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路,其特征在于所述電容 的一端連接功率開關(guān)的開關(guān)通路,另一端連接所述控制電路的控制信號(hào)輸出端,并通過(guò)電 阻連接所述功率開關(guān)的控制端。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路,其特征在于所述控制 電路的控制信號(hào)輸出端通過(guò)電阻連接功率開關(guān)的控制端。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路,其特征在于所述電容 的一端連接功率開關(guān)的開關(guān)通路,另一端一方面通過(guò)一個(gè)電阻連接所述控制電路的控制信 號(hào)輸出端,另一方面通過(guò)另一電阻連接所述功率開關(guān)的控制端。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路,其特征在 于在所述功率開關(guān)的控制端連接有驅(qū)動(dòng)電路,對(duì)開關(guān)控制信號(hào)的幅值進(jìn)行放大處理后,輸 出至功率開關(guān)的控制端。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路,其特征在 于所述功率開關(guān)為晶體管或者場(chǎng)效應(yīng)管。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于功率開關(guān)的電磁干擾抑制電路,包括功率開關(guān)和控制所述功率開關(guān)通斷的控制電路;所述控制電路的控制信號(hào)輸出端連接功率開關(guān)的控制端,在所述功率開關(guān)的開關(guān)通路與控制端之間還連接有一電容,利用電容上的電壓不能突變的特性,來(lái)阻止控制電路輸出的控制信號(hào)迅速變化,從而使得施加到功率開關(guān)控制端上的開關(guān)控制信號(hào)平滑變化,以此來(lái)避免功率開關(guān)迅速切換,以有效抑制功率開關(guān)上電磁干擾的產(chǎn)生。該電磁干擾抑制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低,能夠根據(jù)不同開關(guān)電路的實(shí)際情況調(diào)節(jié)功率開關(guān)的開關(guān)速度以及電磁干擾的抑制等級(jí),可廣泛應(yīng)用于DC-DC直流轉(zhuǎn)換器中的MOSFET開關(guān)電路以及逆變器或者太陽(yáng)能充電調(diào)整器等電子設(shè)備中。
文檔編號(hào)H03H11/04GK201479093SQ200920225029
公開日2010年5月19日 申請(qǐng)日期2009年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月20日
發(fā)明者安東·齊默曼 申請(qǐng)人:青島伏科太陽(yáng)能有限公司
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