本發(fā)明涉及路由器，具體涉及能有效散熱的路由器。

背景技術(shù)：

路由器是一種連接多個邏輯上分開的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。如今網(wǎng)絡(luò)通訊技術(shù)蓬勃發(fā)展，人們對互聯(lián)網(wǎng)的關(guān)注和普及。路由器也在不知不覺中被人們所熟知。無論家庭，公司，企業(yè)，等等都已經(jīng)離不開網(wǎng)絡(luò)，離不開網(wǎng)絡(luò)的地方就是路由器出沒的地方。

但是目前，各式各樣的路由器的散熱效果不好，尤其是炎熱天氣時，經(jīng)常會導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)掉線，不僅影響電腦的正常使用，也有可能燒壞其內(nèi)部電路，影響使用壽命。因此，我們需要一種散熱效果好的路由器。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有路由器散熱效果不好，目的在于提供能有效散熱的路由器，提高路由器的散熱效果，避免燒壞其內(nèi)部電路，影響網(wǎng)絡(luò)的正常使用。

本發(fā)明通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)：

能有效散熱的路由器，包括微處理器、電機(jī)、散熱風(fēng)扇、無線收發(fā)器、帶通濾波器、功率放大器、低通濾波器、收發(fā)切換器、低噪聲放大器和天線，所述微處理器、電機(jī)、散熱風(fēng)扇依次連接，所述微處理器、無線收發(fā)器、帶通濾波器、功率放大器、低通濾波器、收發(fā)切換器、天線依次連接，所述收發(fā)切換器、低噪聲放大器、無線收發(fā)器依次連接，所述無線收發(fā)器與功率放大器連接。使用散熱風(fēng)扇，可以提高路由器的散熱效果，避免燒壞其內(nèi)部電路，影響網(wǎng)絡(luò)的正常使用。

進(jìn)一步地，功率放大器包括輸入端RF-in、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7、電感L1、電感L2、電感L3、電感L4、電感L5、電感L6、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、輸出端RF-out，所述輸入端RF-in與帶通濾波器連接，所述輸入端RF-in、電容C1、電容C2、MOS管M1的柵極依次連接，電阻R1一端連接在電容C2與MOS管M1連接的線路上，其另一端與電阻R3連接，電阻R3與電阻R1連接端的另一端接正電源VDD；電阻R2一端連接在電阻R1和電阻R3連接的線路上，其另一端接地；電感L1一端連接在電容C1和電容C2連接的線路上，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；電感L2的一端與MOS管M1的源極連接，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；MOS管M1的漏極與MOS管M2的源極連接；電感L3一端與MOS管M2的漏極連接，其另一端連接正電源VDD；電阻R7連接在MOS管M2的漏極和柵極之間，電容C3一端連接在電阻R7與MOS管M2連接的線路上，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；電容C4一端連接在電感L3與MOS管M2連接的線路上，其另一端與電容C5連接，電容C5連接電容C4端的另一端與MOS管M3的柵極連接；電阻R4一端連接在電容C5與MOS管M3連接的線路上，其另一端與電阻R6連接，電阻R6與電阻R4連接端的另一端接正電源VDD；電阻R5一端連接在電阻R4和電阻R6連接的線路上，其另一端接地；電感L4一端連接在電容C4和電容C5連接的線路上，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；電感L5的一端與MOS管M3的源極連接，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；MOS管M3的漏極與MOS管M4的源極連接；電感L6一端與MOS管M4的漏極連接，其另一端連接正電源VDD；電阻R8連接在MOS管M4的漏極和柵極之間，電容C6一端連接在電阻R8與MOS管M4連接的線路上，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；電容C7一端連接在電感L6與MOS管M4連接的線路上，其另一端連接輸出端RF-out，輸出端RF-out連接低通濾波器。功率放大電路采用兩級共源共柵電路結(jié)構(gòu)，兩級之間使用了T型匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行匹配，輸入端共軛匹配，輸出端為最大功率輸出。

進(jìn)一步地，微處理器采用MT762A。

進(jìn)一步地，散熱風(fēng)扇采用渦輪風(fēng)扇。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下的優(yōu)點和有益效果：本發(fā)明應(yīng)用微處理器、電機(jī)、散熱風(fēng)扇、無線收發(fā)器、帶通濾波器、功率放大器、低通濾波器、收發(fā)切換器和低噪聲放大器，不僅提高了路由器的功率輸出，同時提高路由器的散熱效果，避免燒壞其內(nèi)部電路，影響網(wǎng)絡(luò)的正常使用。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明實施例的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明實施例的限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明功率放大器電路圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合實施例和附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，本發(fā)明的示意性實施方式及其說明僅用于解釋本發(fā)明，并不作為對本發(fā)明的限定。

實施例

如圖1所示，能有效散熱的路由器，包括微處理器、電機(jī)、散熱風(fēng)扇、無線收發(fā)器、帶通濾波器、功率放大器、低通濾波器、收發(fā)切換器、低噪聲放大器和天線，所述微處理器、電機(jī)、散熱風(fēng)扇依次連接，所述微處理器、無線收發(fā)器、帶通濾波器、功率放大器、低通濾波器、收發(fā)切換器、天線依次連接，所述收發(fā)切換器、低噪聲放大器、無線收發(fā)器依次連接，所述無線收發(fā)器與功率放大器連接。微處理器采用MT762A。散熱風(fēng)扇采用渦輪風(fēng)扇。

微處理器發(fā)出信號內(nèi)容及命令，無線收發(fā)器發(fā)送信號時，無線收發(fā)器本身會直接輸出小功率的微弱的射頻信號，送至功率放大器進(jìn)行功率放大，然后通過收發(fā)切換器經(jīng)由天線輻射至空間。接收信號時，天線會感應(yīng)到空間中的電磁信號，通過收發(fā)切換器之后送至低噪聲放大器進(jìn)行放大，這樣，放大后的信號就可以直接送給收發(fā)器進(jìn)行處理，進(jìn)行解調(diào)，發(fā)送至微處理器。在整個工作過程中，系統(tǒng)會產(chǎn)生熱量，微處理器則控制電機(jī)驅(qū)動散熱風(fēng)扇轉(zhuǎn)動，對路由器進(jìn)行降溫。

如圖2所示，功率放大器包括輸入端RF-in、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7、電感L1、電感L2、電感L3、電感L4、電感L5、電感L6、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、輸出端RF-out，所述輸入端RF-in與帶通濾波器連接，所述輸入端RF-in、電容C1、電容C2、MOS管M1的柵極依次連接，電阻R1一端連接在電容C2與MOS管M1連接的線路上，其另一端與電阻R3連接，電阻R3與電阻R1連接端的另一端接正電源VDD；電阻R2一端連接在電阻R1和電阻R3連接的線路上，其另一端接地；電感L1一端連接在電容C1和電容C2連接的線路上，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；電感L2的一端與MOS管M1的源極連接，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；MOS管M1的漏極與MOS管M2的源極連接；電感L3一端與MOS管M2的漏極連接，其另一端連接正電源VDD；電阻R7連接在MOS管M2的漏極和柵極之間，電容C3一端連接在電阻R7與MOS管M2連接的線路上，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；電容C4一端連接在電感L3與MOS管M2連接的線路上，其另一端與電容C5連接，電容C5連接電容C4端的另一端與MOS管M3的柵極連接；電阻R4一端連接在電容C5與MOS管M3連接的線路上，其另一端與電阻R6連接，電阻R6與電阻R4連接端的另一端接正電源VDD；電阻R5一端連接在電阻R4和電阻R6連接的線路上，其另一端接地；電感L4一端連接在電容C4和電容C5連接的線路上，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；電感L5的一端與MOS管M3的源極連接，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；MOS管M3的漏極與MOS管M4的源極連接；電感L6一端與MOS管M4的漏極連接，其另一端連接正電源VDD；電阻R8連接在MOS管M4的漏極和柵極之間，電容C6一端連接在電阻R8與MOS管M4連接的線路上，其另一端與電阻R2的接地端共同接地；電容C7一端連接在電感L6與MOS管M4連接的線路上，其另一端連接輸出端RF-out，輸出端RF-out連接低通濾波器。

本實施例中的功率放大器采用了SMIC0.18umCMOS工藝進(jìn)行設(shè)計，采用了兩級共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在5V(VDD使用5V電壓)電壓下小信號增益22dB左右，1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加效率PAE大于15％，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20％。MOS管均使用0.35um的厚柵RF-NMOS晶體管，并采用共源共柵結(jié)構(gòu)，共柵管偏置采用了自適應(yīng)偏置，這樣能更好的保護(hù)晶體管安全工作不被擊穿。

以上所述的具體實施方式，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施方式而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。