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微型發(fā)聲器的制作方法

文檔序號(hào):11994581閱讀:364來(lái)源:國(guó)知局
微型發(fā)聲器的制作方法與工藝

本實(shí)用新型涉及電聲轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,具體涉及一種微型發(fā)聲器。



背景技術(shù):

近年來(lái),隨著科技的發(fā)展,尤其是移動(dòng)通信技術(shù)的飛速進(jìn)展,越來(lái)越多的移動(dòng)電子設(shè)備出現(xiàn)在人們的日常生活中,如智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦及多功能媒體播放器已成為人們不可或缺的生活用品。而在這些移動(dòng)電子設(shè)備中,語(yǔ)音播放裝置是其內(nèi)部必不可少的部件,語(yǔ)音質(zhì)量的高低直接影響用戶使用這些移動(dòng)電子設(shè)備時(shí)的用戶體驗(yàn)。

微型發(fā)聲器作為語(yǔ)音播放裝置,其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)直接影響語(yǔ)音質(zhì)量。相關(guān)技術(shù)的微型發(fā)聲器包括音膜和驅(qū)動(dòng)音膜振動(dòng)發(fā)聲的音圈,由于音圈只和音膜膠合,缺乏有效的支撐,音圈在振動(dòng)過程中容易發(fā)生搖擺,影響音質(zhì)。另外,音圈設(shè)有音圈引線與焊盤焊接實(shí)現(xiàn)與外部電路傳輸電信號(hào),音圈引線通常走線很長(zhǎng),器件內(nèi)部需要提供音圈引線走線的空間,還要避免音圈引線產(chǎn)生的碰撞雜音,給器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)增大了難度。

因此,實(shí)有必要提供一種新的微型發(fā)聲器以解決上述技術(shù)問題。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的在于提供一種能夠解決音圈搖擺問題并且優(yōu)化音圈電連接方式的微型發(fā)聲器。

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:

一種微型發(fā)聲器,其包括盆架以及固接于所述盆架的振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng),所述磁路系統(tǒng)包括下夾板、設(shè)置于所述下夾板上的主磁鋼、設(shè)置于所述下夾板上圍繞所述主磁鋼設(shè)置的墊邊以及設(shè)置于所述墊邊上圍繞所述主磁鋼設(shè)置的副磁鋼,所述墊邊設(shè)置于所述副磁鋼和所述下夾板之間,所述振動(dòng)系統(tǒng)包括音膜、位于所述音膜下方驅(qū)動(dòng)所述音膜振動(dòng)發(fā)聲的音圈以 及彈性支撐所述音圈的振膜,所述振膜包括折環(huán)部、自所述折環(huán)部外周緣延伸的固定部和自所述折環(huán)部?jī)?nèi)周緣延伸的連接部,所述固定部夾設(shè)于所述副磁鋼和所述墊邊之間,所述連接部與所述音圈連接,所述振膜設(shè)有電連接所述音圈與外部電路的導(dǎo)電路徑,所述音圈通過所述導(dǎo)電路徑與外部電路傳輸電信號(hào)。

優(yōu)選的,所述振膜包括非導(dǎo)電的基材層和形成所述導(dǎo)電路徑的導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層設(shè)置于所述基材層的表面上。

優(yōu)選的,所述振膜包括非導(dǎo)電的基材層和形成所述導(dǎo)電路徑的導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層設(shè)置于兩層基材層之間。

優(yōu)選的,所述基材層為高分子薄膜層。

優(yōu)選的,所述導(dǎo)電層為金屬材料層或?qū)щ姼叻肿硬牧蠈印?/p>

優(yōu)選的,所述墊邊采用導(dǎo)磁材料制成。

優(yōu)選的,所述墊邊是自所述下夾板延伸形成,與所述下夾板為一體成型結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的,所述折環(huán)部為凹向所述下夾板一側(cè)形成的下凹結(jié)構(gòu),所述副磁鋼至少部分延伸至所述折環(huán)部的上方。

優(yōu)選的,所述盆架設(shè)有向所述墊邊延伸的固定塊,所述固定塊配合形成收容所述副磁鋼的收容槽,所述副磁鋼收容于所述收容槽內(nèi)。

本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型提供的微型發(fā)聲器通過振膜對(duì)音圈的彈性支撐,從而解決了微型發(fā)聲器的音圈搖擺問題,改善了音質(zhì),提高微型發(fā)聲器最大低頻輸出聲壓,并且優(yōu)化了音圈的電連接方式。

【附圖說明】

圖1為本實(shí)用新型提供的微型發(fā)聲器的立體分解圖;

圖2為本實(shí)用新型提供的微型發(fā)聲器的立體圖;

圖3為沿圖2中A-A線的剖視圖;

圖4為本實(shí)用新型提供的微型發(fā)聲器的振膜的立體分解圖。

【具體實(shí)施方式】

下面結(jié)合附圖,對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)說明。

如圖1至圖4所示,為本實(shí)用新型提供的微型發(fā)聲器1,其包括盆架10、與所述盆架10蓋接的前蓋20以及固接于所述盆架10的磁路系統(tǒng)30和振動(dòng)系統(tǒng)40。

所述磁路系統(tǒng)30包括下夾板31、設(shè)置于所述下夾板31上的主磁鋼32、設(shè)置于所述下夾板31上圍繞所述主磁鋼32設(shè)置的墊邊33以及設(shè)置于所述墊邊33上圍繞所述主磁鋼32設(shè)置的副磁鋼34,所述墊邊33設(shè)置于所述副磁鋼34和所述下夾板31之間。

所述振動(dòng)系統(tǒng)40包括音膜41、位于所述音膜41下方驅(qū)動(dòng)所述音膜41振動(dòng)發(fā)聲的音圈42以及彈性支撐所述音圈42的振膜43。

所述振膜43包括折環(huán)部431、自所述折環(huán)部431外周緣延伸的固定部432和自所述折環(huán)部431內(nèi)周緣延伸的連接部433,所述固定部432夾設(shè)于所述副磁鋼34和所述墊邊33之間,所述連接部433與所述音圈42連接,在本實(shí)施方式中,所述連接部433固定于所述音圈42的下端部42b,所述音圈42的上端部42a與所述音膜41連接。

所述振膜43設(shè)有電連接所述音圈42與外部電路的導(dǎo)電路徑,所述音圈42通過所述導(dǎo)電路徑與外部電路傳輸電信號(hào)。

所述振膜43包括非導(dǎo)電的基材層44和形成所述導(dǎo)電路徑的導(dǎo)電層45。所述振膜43可以是兩層結(jié)構(gòu),此時(shí)所述導(dǎo)電層45設(shè)置于所述基材層44的表面上;當(dāng)然,所述振膜43還可以是兩層以上的層結(jié)構(gòu),譬如所述振膜43還可以是如圖4所示的三層結(jié)構(gòu),此時(shí)所述導(dǎo)電層45設(shè)置于兩層基材層44之間。所述基材層44為高分子薄膜層,所述導(dǎo)電層45為金屬材料層或?qū)щ姼叻肿硬牧蠈?,所述?dǎo)電層45設(shè)有與音圈42電連接的第一連接端451以及與外部電路電連接的第二連接端452。

所述墊邊33可以采用導(dǎo)磁材料制成用于傳導(dǎo)磁場(chǎng),當(dāng)然也可以選擇普通的非導(dǎo)磁材料只要可以墊高振膜43實(shí)現(xiàn)給振膜43提供振動(dòng)空間的目的即可。在本實(shí)施方式中,墊邊33和下夾板31是分體設(shè)置的,當(dāng)然所述墊邊33也可以是自所述下夾板31延伸形成與所述下夾板31為一體成型結(jié)構(gòu)。所述折環(huán)部431為凹向所述下夾板31一側(cè)形成的下凹結(jié)構(gòu),所述副磁 鋼34至少部分延伸至所述折環(huán)部431的上方,合理利用折環(huán)部431上方的空間做大副磁鋼34可以增強(qiáng)磁路系統(tǒng)30的磁性能,但需以不影響所述振膜43的振動(dòng)為宜。所述盆架10設(shè)有向所述墊邊33延伸的固定塊101,所述固定塊101配合形成收容所述副磁鋼34的收容槽102,所述副磁鋼34收容于所述收容槽102內(nèi)。

本實(shí)用新型提供的微型發(fā)聲器通過振膜對(duì)音圈的彈性支撐,從而解決了微型發(fā)聲器的音圈搖擺問題,改善了音質(zhì),提高微型發(fā)聲器最大低頻輸出聲壓,并且優(yōu)化了音圈的電連接方式。

以上所述的僅是本實(shí)用新型的實(shí)施方式,在此應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說,在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出改進(jìn),但這些均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

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