1.一種數(shù)據(jù)處理方法,其特征在于,包括:
監(jiān)測所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù);
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí),對(duì)所述接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整,以降低所述接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述接入設(shè)備的CGN單板包括主CGN單板和備CGN單板;
所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)可以包括以下參數(shù)中的一個(gè)或多個(gè):
主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的中央處理單元CPU的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的CPU利用率、備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率、備CGN單板的CPU利用率;
所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件,包括:
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率時(shí),主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率高于第一閾值;
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率時(shí),主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率高于第二閾值;
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU利用率時(shí),主CGN單板的CPU利用率高于第三閾值;
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率時(shí),備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率高于第四閾值;
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括備CGN單板的CPU利用率時(shí),備CGN單板的CPU利用率高于第五閾值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述對(duì)所述接入設(shè)備的寬帶遠(yuǎn)程接入服務(wù)器BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整,包括:
降低所述接入設(shè)備的BRAS單板的引流速率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述對(duì)所述接入設(shè)備的寬帶遠(yuǎn)程接入服務(wù)器BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整,還包括:
增加所述接入設(shè)備的BRAS單板的緩存。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述對(duì)所述接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整之后,還包括:
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)低負(fù)荷條件時(shí),將所述接入設(shè)備的BRAS單板的運(yùn)行參數(shù)的值恢復(fù)為調(diào)整前的值。
6.一種數(shù)據(jù)處理裝置,其特征在于,所述裝置包括:
監(jiān)測單元,用于監(jiān)測所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù);
處理單元,用于當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí),對(duì)所述接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整,以降低所述接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其特征在于,所述接入設(shè)備的CGN單板包括主CGN單板和備CGN單板;
所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)可以包括以下參數(shù)中的一個(gè)或多個(gè):
主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的中央處理單元CPU的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的CPU利用率、備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率、備CGN單板的CPU利用率;
所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件,包括:
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率時(shí),主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率高于第一閾值;
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率時(shí),主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率高于第二閾值;
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU利用率時(shí),主CGN單板的CPU利用率高于第三閾值;
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率時(shí),備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率高于第四閾值;
當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括備CGN單板的CPU利用率時(shí),備CGN單板的CPU利用率高于第五閾值。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其特征在于,
所述處理單元,具體用于降低所述接入設(shè)備的BRAS單板的引流速率。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其特征在于,
所述處理單元,還用于增加所述接入設(shè)備的BRAS單板的緩存。
10.根據(jù)權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述的裝置,其特征在于,
所述處理單元,還用于當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)低負(fù)荷條件時(shí),將所述接入設(shè)備的BRAS單板的運(yùn)行參數(shù)的值恢復(fù)為調(diào)整前的值。