本申請(qǐng)涉及網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種數(shù)據(jù)處理方法及裝置。

背景技術(shù)：

與傳統(tǒng)的部署在用戶側(cè)CPE(Customer Premise Equipment客戶終端設(shè)備)上，實(shí)現(xiàn)少量用戶地址的轉(zhuǎn)換的NAT(Network Address Translation，網(wǎng)絡(luò)地址轉(zhuǎn)換)設(shè)備不同，CGN(Carrier Grade NAT，運(yùn)營商級(jí)NAT)部署在運(yùn)營商網(wǎng)絡(luò)中，實(shí)現(xiàn)大量用戶地址的轉(zhuǎn)換。因此，CGN對(duì)容量、性能以及可靠性等要求都遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)NAT。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N數(shù)據(jù)處理方法及裝置，以在不改變CGN單板處理性能的情況下，保證CGN單板的可靠性。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，提供一種數(shù)據(jù)處理方法，包括：

監(jiān)測(cè)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)；

當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，對(duì)所述接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整，以降低所述接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第二方面，提供一種數(shù)據(jù)處理裝置，包括：

監(jiān)測(cè)單元，用于監(jiān)測(cè)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)；

處理單元，用于當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，對(duì)所述接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整，以降低所述接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷。

應(yīng)用本申請(qǐng)實(shí)施例，通過監(jiān)測(cè)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)，并當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，對(duì)接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整，以降低接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷，在不改變CGN單板處理性能的情況下，降低了CGN單板負(fù)荷過高而出現(xiàn)問題的概率，提高了CGN單板的可靠性。

附圖說明

圖1是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)處理方法的流程示意圖；

圖2是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種具體應(yīng)用場(chǎng)景的架構(gòu)示意圖；

圖3是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

目前，CGN需要處理的會(huì)話數(shù)通常都是千萬級(jí)別的，對(duì)于CGN的CPU(Center Process Unit，中央處理單元)和轉(zhuǎn)發(fā)芯片均會(huì)產(chǎn)生巨大的壓力。尤其是當(dāng)大量用戶同時(shí)上線時(shí)，很容易出現(xiàn)超出CGN的CPU處理能力的情況，導(dǎo)致CGN的CPU出現(xiàn)問題。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，并使本申請(qǐng)實(shí)施例的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

請(qǐng)參見圖1，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)處理方法的流程示意圖，其中，該數(shù)據(jù)處理方法可以應(yīng)用于接入設(shè)備的CGN單板以及BRAS(Broadband Remote Access Server，寬帶遠(yuǎn)程接入服務(wù)器)，如圖1所示，該數(shù)據(jù)處理方法可以包括以下步驟：

需要說明的是，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，步驟101～步驟102的執(zhí)行主體可以為接入設(shè)備中部署的數(shù)據(jù)處理裝置，為便于描述，以下以步驟101～步驟102的執(zhí)行主體為接入設(shè)備為例進(jìn)行說明。

步驟101、監(jiān)測(cè)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，為了及時(shí)發(fā)現(xiàn)接入設(shè)備的CGN單板負(fù)荷過大的情況，以便及時(shí)采取措施降低CGN單板的負(fù)荷，接入設(shè)備可以對(duì)CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

其中，接入設(shè)備可以持續(xù)地對(duì)CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)，或者，接入設(shè)備可以周期性(如每隔1分鐘、每隔3分鐘等)對(duì)CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

可選的，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，接入設(shè)備的CGN單板可以包括主CGN單板和備CGN單板；

接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)可以包括但不限于以下參數(shù)之一或多個(gè)：

主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的中央處理單元CPU的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的CPU利用率、備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率、備CGN單板的CPU利用率。

具體地，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，考慮到接入設(shè)備的CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列的利用率、CPU的接收隊(duì)列利用率以及CPU利用率等參數(shù)均能比較直觀地反應(yīng)出接入設(shè)備的CGN單板負(fù)荷狀態(tài)，因此，通過監(jiān)測(cè)上述參數(shù)可以有效地確定接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷狀態(tài)。

應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，上述CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)的列舉僅僅是本申請(qǐng)實(shí)施例中CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)的示例，而并不是對(duì)本申請(qǐng)保護(hù)范圍的限定，也即本申請(qǐng)實(shí)施例中CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)也可以包括其它參數(shù)。

步驟102、當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，對(duì)接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整，以降低接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，為了避免接入設(shè)備的CGN單板負(fù)荷過高，造成CGN單板的CPU等出現(xiàn)問題，可以對(duì)應(yīng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)設(shè)置高負(fù)荷條件，當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，即可認(rèn)為當(dāng)前接入設(shè)備的CGN單板負(fù)荷過高，需要采取相應(yīng)措施來降低CGN單板的負(fù)荷。

相應(yīng)地，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，接入設(shè)備可以監(jiān)測(cè)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)，并當(dāng)CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，對(duì)接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整，以降低接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷。

在本申請(qǐng)其中一個(gè)實(shí)施例中，上述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件，可以包括：

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率時(shí)，主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率高于第一閾值；

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率時(shí)，主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率高于第二閾值；

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU利用率時(shí)，主CGN單板的CPU利用率高于第三閾值；

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率時(shí)，備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率高于第四閾值；

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括備CGN單板的CPU利用率時(shí)，備CGN單板的CPU利用率高于第五閾值。

在該實(shí)施例中，考慮到接入設(shè)備的CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列的利用率、CPU的接收隊(duì)列的利用率或CPU利用率過高，均表明接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷過高，此時(shí)，接入設(shè)備的CGN單板容易出現(xiàn)問題，需要采取降低CGN單板負(fù)荷的措施。

相應(yīng)地，在該實(shí)施例中，可以預(yù)先針對(duì)各CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)設(shè)定對(duì)應(yīng)的閾值，并當(dāng)監(jiān)測(cè)到各CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)高于對(duì)應(yīng)的閾值時(shí)，則確定該CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件。

舉例來說，假設(shè)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU利用率和備CGN單板的CPU利用率，則接入設(shè)備可以監(jiān)測(cè)主CGN單板的CPU利用率和備CGN單板的CPU利用率，并當(dāng)主CGN單板的CPU利用率超過第三閾值，且備CGN單板的CPU利用率超過第五閾值時(shí)，確定接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件。

又舉例來說，假設(shè)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的CPU利用率、備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率、備CGN單板的CPU利用率，則接入設(shè)備可以監(jiān)測(cè)主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的CPU利用率、備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率、備CGN單板的CPU利用率，并當(dāng)主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率高于第一閾值、主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率高于第二閾值、主CGN單板的CPU利用率高于第三閾值、備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率高于第四閾值以及備CGN單板的CPU利用率高于第五閾值時(shí)，確定接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件。

值得說明的是，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，上述第一閾值、第二閾值、第三閾值、第四閾值以及第五閾值在數(shù)值上可以相同，也可以不同，本申請(qǐng)實(shí)施例對(duì)此不做限定。

在本申請(qǐng)其中一個(gè)實(shí)施例中，上述對(duì)接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整，包括：

降低接入設(shè)備的BRAS單板的引流速率。

在該實(shí)施例中，當(dāng)接入設(shè)備確定CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，為了降低CGN單板的負(fù)荷，接入設(shè)備可以降低接入設(shè)備的BRAS單板的引流速率，即降低單位時(shí)間內(nèi)從BRAS單板轉(zhuǎn)發(fā)到CGN單板的數(shù)據(jù)包的數(shù)量，進(jìn)而，降低CGN單板的負(fù)荷。

進(jìn)一步地，考慮到當(dāng)接入設(shè)備的BRAS單板的引流速率降低，且上線用戶數(shù)量較多時(shí)，BRAS單板處容易出現(xiàn)丟包的情況，因此，在BRAS單板引流速率被下調(diào)的情況下，為了減少BRAS單板處的丟包，接入設(shè)備還可以增加接入設(shè)備的BRAS單板的緩存，例如，為BRAS單板設(shè)置臨時(shí)緩存，以提高BRAS單板中能緩存的數(shù)據(jù)包的數(shù)量，減少丟包的發(fā)生。

值得說明的是，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，雖然降低BRAS單板的引流速率可能會(huì)導(dǎo)致BRAS單板處丟包的情況發(fā)生，導(dǎo)致用戶無法正常上線，但是與現(xiàn)有方案中，上線用戶數(shù)量過多導(dǎo)致CGN單板負(fù)荷過大而CPU出現(xiàn)問題的狀況相比，在BRAS單板處出現(xiàn)丟包對(duì)于客戶端而言，反饋更快，客戶端能更快地感知到當(dāng)前無法上線的現(xiàn)狀，進(jìn)而改成延時(shí)再上線，進(jìn)而，進(jìn)一步減少同時(shí)發(fā)起上線請(qǐng)求的客戶端的數(shù)量，相應(yīng)地，可以進(jìn)一步降低CGN單板的負(fù)荷，降低CGN單板出現(xiàn)問題的概率。

應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，上述通過降低BRAS單板的引流速度以及增加BRAS單板的緩存的方式僅僅是本申請(qǐng)實(shí)施例中對(duì)接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整的具體示例，而不是對(duì)本申請(qǐng)保護(hù)范圍的限定，即在本申請(qǐng)實(shí)施例中，也可以通過其它方式調(diào)整BRAS單板的運(yùn)行參數(shù)或其它參數(shù)來降低CGN單板的壓力，其具體實(shí)現(xiàn)在此不再贅述。

進(jìn)一步地，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，考慮到當(dāng)對(duì)接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整之后，接入設(shè)備整體數(shù)據(jù)處理效率會(huì)有一定的降低，因此，當(dāng)上線用戶數(shù)量平緩之后，可以恢復(fù)BRAS單板的運(yùn)行參數(shù)，以提高接入設(shè)備的數(shù)據(jù)處理效率。

相應(yīng)地，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，對(duì)接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整之后，還可以包括：

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)負(fù)荷條件時(shí)，將接入設(shè)備的BRAS單板的運(yùn)行參數(shù)的值恢復(fù)為調(diào)整前的值。

在該實(shí)施例中，當(dāng)接入設(shè)備對(duì)BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整之后，接入設(shè)備可以繼續(xù)監(jiān)測(cè)CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)。當(dāng)CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)低負(fù)荷條件時(shí)，接入設(shè)備可以認(rèn)為當(dāng)前上線用戶數(shù)量已經(jīng)不是很多，此時(shí)，接入設(shè)備可以將BRAS單板的運(yùn)行參數(shù)恢復(fù)為調(diào)整前的值(本文中可以稱為初始值)，以能提高數(shù)據(jù)處理效率。

舉例來說，假設(shè)接入設(shè)備監(jiān)測(cè)到CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，降低了BRAS單板的引流速率，并增加了BRAS單板的緩存，則接入設(shè)備監(jiān)測(cè)到CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)低負(fù)荷條件時(shí)，可以將BRAS單板的引流速度以及BRAS單板的緩存均恢復(fù)至初始值。

例如，假設(shè)BRAS單板的引流速率的初始值為a1，BRAS單板的緩存的初始值為b1，當(dāng)接入設(shè)備在監(jiān)測(cè)到CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，將其分別調(diào)整為a2和b2(a2＞a1，b2＞b1)；則當(dāng)接入設(shè)備監(jiān)測(cè)到CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)低負(fù)荷條件時(shí)，可以將BRAS單板的引流速率和BRAS單板的緩存的值恢復(fù)至調(diào)整前的值(也即初始值)，即恢復(fù)為a1和b1。

又舉例來說，假設(shè)接入設(shè)備監(jiān)測(cè)到CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，僅降低了BRAS單板的引流速率，則接入設(shè)備監(jiān)測(cè)到CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)低負(fù)荷時(shí)，僅需要將BRAS單板的引流速率恢復(fù)至初始值。

其中，接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)低負(fù)荷條件，可以包括：

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率時(shí)，主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率低于第六閾值；

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率時(shí)，主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率低于第七閾值；

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU利用率時(shí)，主CGN單板的CPU利用率低于第八閾值；

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率時(shí)，備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率低于第九閾值；

當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括備CGN單板的CPU利用率時(shí)，備CGN單板的CPU利用率低于第十閾值。

其中，第六閾值小于等于第一閾值，第七閾值小于等于第二閾值，第八閾值小于等于第三閾值，第九閾值小于等于第四閾值，第十閾值小于等于第五閾值，第六閾值、第七閾值、第八閾值、第九閾值以及第十閾值的數(shù)值可以相同，也可以不同。

可見，在圖1所示的方法流程中，通過監(jiān)測(cè)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)，并當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，對(duì)接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整，以降低接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷，在不改變CGN單板處理性能的情況下，降低了CGN單板負(fù)荷過高而出現(xiàn)問題的概率，提高了接入設(shè)備的可靠性。

為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，下面結(jié)合具體應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行描述。

請(qǐng)參見圖2，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種接入設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，接入設(shè)備可以包括BRAS單板、主CGN單板、備CGN單板、交換網(wǎng)以及路由板，其中，該接入設(shè)備中數(shù)據(jù)包(包括首包和后續(xù)包)轉(zhuǎn)發(fā)流程、流表下發(fā)以及流表備份流程可以如圖中各實(shí)線或虛線所示。

基于圖2所示的接入設(shè)備，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)處理流程如下：

1、用戶在通過BRAS用戶的認(rèn)證正常上線，按照現(xiàn)有的流程正常獲取私網(wǎng)地址，然后向?qū)?yīng)的CGN單板，申請(qǐng)端口塊和獲取公網(wǎng)地址，如果最終分配成功后，最終會(huì)建立BRAS用戶表項(xiàng)，其具體實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有技術(shù)中相關(guān)實(shí)現(xiàn)一致；

2、接入設(shè)備監(jiān)測(cè)主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率(以下稱為A1)、CPU的接收隊(duì)列利用率(以下稱為A2)、CPU利用率(以下稱為A3)，以及備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率(以下稱為B1)、CPU利用率(以下稱為B2)；

3、當(dāng)接入設(shè)備監(jiān)測(cè)到A1＞90％，A2＞90％，A3＞90％，B1＞90％，且B2＞90％(即該實(shí)施例中第一閾值＝第二閾值＝第三閾值＝第四閾值＝第五閾值＝90％)時(shí)，接入設(shè)備可以認(rèn)為CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件，此時(shí)，接入設(shè)備可以降低BRAS單板的引流速率，并增加BRAS單板的緩存；

4、當(dāng)接入設(shè)備監(jiān)測(cè)到A1＜60％，A2＜60％，A3＜60％，B1＜60％，且B2＜60％(即該實(shí)施例中第六閾值＝第七閾值＝第八閾值＝第九閾值＝第十閾值＝90％)時(shí)，接入設(shè)備可以認(rèn)為CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)低負(fù)荷條件，此時(shí)，接入設(shè)備可以恢復(fù)BRAS單板的引流速率以及緩存。

通過以上描述可以看出，在本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，通過監(jiān)測(cè)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)，并當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，對(duì)接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整，以降低接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷，在不改變CGN單板處理性能的情況下，降低了CGN單板負(fù)荷過高而出現(xiàn)問題的概率，提高了CGN單板的可靠性。

請(qǐng)參見圖3，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，該數(shù)據(jù)處理裝置可以應(yīng)用于上述方法實(shí)施例中的接入設(shè)備，如圖3所示，該數(shù)據(jù)處理裝置可以包括：

監(jiān)測(cè)單元310，用于監(jiān)測(cè)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)；

處理單元320，用于當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，對(duì)所述接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整，以降低所述接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷。

在可選實(shí)施例中，所述接入設(shè)備的CGN單板包括主CGN單板和備CGN單板；

所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)可以包括以下參數(shù)中的一個(gè)或多個(gè)：

主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的中央處理單元CPU的接收隊(duì)列利用率、主CGN單板的CPU利用率、備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率、備CGN單板的CPU利用率；

所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件，包括：

當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率時(shí)，主CGN單板的轉(zhuǎn)發(fā)芯片的接收隊(duì)列利用率高于第一閾值；

當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率時(shí)，主CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率高于第二閾值；

當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括主CGN單板的CPU利用率時(shí)，主CGN單板的CPU利用率高于第三閾值；

當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率時(shí)，備CGN單板的CPU的接收隊(duì)列利用率高于第四閾值；

當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)包括備CGN單板的CPU利用率時(shí)，備CGN單板的CPU利用率高于第五閾值。

在可選實(shí)施例中，所述處理單元320，具體用于降低所述接入設(shè)備的BRAS單板的引流速率。

在可選實(shí)施例中，所述處理單元320，還用于增加所述接入設(shè)備的BRAS單板的緩存。

在可選實(shí)施例中，所述處理單元320，還用于當(dāng)所述接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)低負(fù)荷條件時(shí)，將所述接入設(shè)備的BRAS單板的運(yùn)行參數(shù)的值恢復(fù)為調(diào)整前的值。

上述裝置中各個(gè)單元的功能和作用的實(shí)現(xiàn)過程具體詳見上述方法中對(duì)應(yīng)步驟的實(shí)現(xiàn)過程，在此不再贅述。

對(duì)于裝置實(shí)施例而言，由于其基本對(duì)應(yīng)于方法實(shí)施例，所以相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，其中所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)方案的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下，即可以理解并實(shí)施。

由上述實(shí)施例可見，通過監(jiān)測(cè)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)，并當(dāng)接入設(shè)備的CGN單板的性能狀態(tài)參數(shù)滿足預(yù)設(shè)高負(fù)荷條件時(shí)，對(duì)接入設(shè)備的BRAS單板進(jìn)行運(yùn)行參數(shù)調(diào)整，以降低接入設(shè)備的CGN單板的負(fù)荷，在不改變CGN單板處理性能的情況下，降低了CGN單板負(fù)荷過高而出現(xiàn)問題的概率，提高了CGN單板的可靠性。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實(shí)踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本申請(qǐng)的其它實(shí)施方案。本申請(qǐng)旨在涵蓋本申請(qǐng)的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本申請(qǐng)的一般性原理并包括本申請(qǐng)未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識(shí)或慣用技術(shù)手段。說明書和實(shí)施例僅被視為示例性的，本申請(qǐng)的真正范圍和精神由下面的權(quán)利要求指出。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本申請(qǐng)并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并且可以在不脫離其范圍進(jìn)行各種修改和改變。本申請(qǐng)的范圍僅由所附的權(quán)利要求來限制。