1.一種RF無線接收信號(hào)放大器芯片，包括封裝殼和設(shè)置在所述封裝殼內(nèi)的主控模塊，其特征在于，所述主控模塊分為接收部分和發(fā)射部分，所述接收部分包括高頻信號(hào)輸入口、低噪聲放大器、射頻輸出接口、電源輸入端和控制端，所述高頻信號(hào)輸入口連接外置輸入電感，所述高頻信號(hào)輸入口通過輸入電路連接所述低噪聲放大器，所述射頻輸出接口與所述低噪聲放大器的低噪聲放大電路連接，所述電源輸入端與所述低噪聲放大電路連接，所述控制端連接所述低噪聲放大器控制無線信號(hào)的接收和發(fā)射，所述發(fā)射部分包括射頻接收端和發(fā)射開關(guān)，所述射頻輸出接口通過輸出電路連接所述射頻接收端，所述發(fā)射開關(guān)設(shè)置在所述輸出電路上，所述射頻接收端通過外置電路與所述外置輸入電感連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF無線接收信號(hào)放大器芯片，其特征在于：所述接收部分還包括接地端，所述接地端與所述低噪聲放大器連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RF無線接收信號(hào)放大器芯片，其特征在于：所述封裝殼的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)有連接所述主控模塊內(nèi)部電路的六個(gè)管腳，所述第一管腳連接所述電源輸入端，所述第二管腳連接所述接地端，所述第三管腳連接所述射頻接收端，所述第四管腳連接所述高頻信號(hào)輸入口，所述第五管腳連接所述控制端，所述第六管腳連接所述射頻輸出接口。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的RF無線接收信號(hào)放大器芯片，其特征在于：所述第一管腳至第三管腳設(shè)置所述封裝殼的左側(cè)且按順序依次自上向下排列，所述第四管腳至第六管腳設(shè)置在所述封裝殼的右側(cè)且按順序依次自下向上排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF無線接收信號(hào)放大器芯片，其特征在于：所述主控模塊采用1.1mm*0.7mm*0.5mm DFN-6L的封裝殼。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF無線接收信號(hào)放大器芯片，其特征在于：所述主控模塊的工作溫度穩(wěn)定在-40℃～+85℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF無線接收信號(hào)放大器芯片，其特征在于：所述電源輸入端的供電電壓為1.8V。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的RF無線接收信號(hào)放大器芯片，其特征在于：所述RF無線接收信號(hào)放大器芯片采用RSTCP001芯片。