本發(fā)明涉及電子設(shè)備領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，是涉及一種信息處理方法和電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，一種具有可形變、柔韌性佳的柔性屏幕應(yīng)運(yùn)而生。應(yīng)用該柔性屏幕的電子設(shè)備相應(yīng)的也具有柔韌性佳的特點(diǎn)。

現(xiàn)有技術(shù)中，電子設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸一般采用數(shù)據(jù)線傳輸，電子設(shè)備中設(shè)置專用的數(shù)據(jù)接口，通過(guò)連接該接口的一條數(shù)據(jù)線，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)電子設(shè)備之間的數(shù)據(jù)通信。

由于應(yīng)用該柔性屏幕的電子設(shè)備設(shè)置該數(shù)據(jù)接口時(shí)，會(huì)導(dǎo)致該電子設(shè)備硬件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，不利于電子設(shè)備纖薄化發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種信息處理方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中電子設(shè)備設(shè)置專用的數(shù)據(jù)接口，導(dǎo)致電子設(shè)備硬件結(jié)構(gòu)復(fù)雜的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種信息處理方法，應(yīng)用于第一設(shè)備，所述方法包括：

檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)表征了所述第一設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)；

基于所述第一參數(shù)分析得到所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸；

依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

上述的方法，優(yōu)選的，所述基于所述第一參數(shù)分析得到所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸，包括：

分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)，靜電粒子在第一分布狀態(tài)與靜電粒子在第二分布狀態(tài)不同；

基于所述第一設(shè)備表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)，確定所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸。

上述的方法，優(yōu)選的，所述基于所述第一設(shè)備表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)，確定所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸，包括：

分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備的第一區(qū)域的表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)；

將所述第一區(qū)域確定為與所述第二設(shè)備接觸的區(qū)域。

上述的方法，優(yōu)選的，所述依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道，包括：

基于所述第一設(shè)備的第一區(qū)域中的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

上述的方法，優(yōu)選的，還包括：

獲取待傳輸數(shù)據(jù)；

基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道傳輸至第二設(shè)備。

上述的方法，優(yōu)選的，所述獲取待傳輸數(shù)據(jù)，包括：

依據(jù)所述第一區(qū)域的坐標(biāo)范圍，獲取所述第一區(qū)域顯示內(nèi)容的數(shù)據(jù)信息，并將所述數(shù)據(jù)信息作為待傳輸數(shù)據(jù)。

上述的方法，優(yōu)選的，所述基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道，將所述待傳輸數(shù)據(jù)傳輸至第二設(shè)備，包括：

依據(jù)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)編譯方式編碼所述待傳輸數(shù)據(jù)，得到第一數(shù)據(jù)，所述第一數(shù)據(jù)的格式與所述數(shù)據(jù)傳輸通道的格式匹配；

基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道將所述第一數(shù)據(jù)發(fā)送至第二設(shè)備，以使得所述第二設(shè)備依據(jù)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)解碼方式解碼所述第一數(shù)據(jù)，得到所述待傳輸數(shù)據(jù)。

一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備作為第一設(shè)備應(yīng)用，包括：

檢測(cè)器，用于檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)表征了所述第一設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)；

處理器，用于基于所述第一參數(shù)分析得到所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸；依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

上述的電子設(shè)備，優(yōu)選的，所述處理器用于：

分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)，靜電粒子在第一分布狀態(tài)與靜電粒子在第二分布狀態(tài)不同；

基于所述第一設(shè)備表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)，確定所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸。

上述的電子設(shè)備，優(yōu)選的，所述處理器用于：

分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備的第一區(qū)域的表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)；

將所述第一區(qū)域確定為與所述第二設(shè)備接觸的區(qū)域。

上述的電子設(shè)備，優(yōu)選的，所述處理器用于：

基于所述第一設(shè)備的第一區(qū)域中的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

上述的電子設(shè)備，優(yōu)選的，所述處理器還用于：

獲取待傳輸數(shù)據(jù)；

基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道傳輸至第二設(shè)備。

上述的電子設(shè)備，優(yōu)選的，所述處理器用于：

依據(jù)所述第一區(qū)域的坐標(biāo)范圍，獲取所述第一區(qū)域顯示內(nèi)容的數(shù)據(jù)信息，并將所述數(shù)據(jù)信息作為待傳輸數(shù)據(jù)。

上述的電子設(shè)備，優(yōu)選的，所述處理器用于：

依據(jù)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)編譯方式編碼所述待傳輸數(shù)據(jù)，得到第一數(shù)據(jù)，所述第一數(shù)據(jù)的格式與所述數(shù)據(jù)傳輸通道的格式匹配；

基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道將所述第一數(shù)據(jù)發(fā)送至第二設(shè)備，以使得所述第二設(shè)備依據(jù)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)解碼方式解碼所述第一數(shù)據(jù)，得到所述待傳輸數(shù)據(jù)。

一種電子設(shè)備，包括：

檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)表征了所述第一設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)；

分析單元，用于基于所述第一參數(shù)分析得到所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸；

處理單元，用于依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種信息處理方法，包括：檢測(cè)第一設(shè)備的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)表征了所述第一設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)；基于所述第一參數(shù)分析得到所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸；依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。采用該方法，根據(jù)電子設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)，即可確定該電子設(shè)備是否與其他電子設(shè)備接觸，并在該電子設(shè)備與其他電子設(shè)備接觸時(shí)，基于該靜電粒子建立該電子設(shè)備與其他電子設(shè)備之間的信息傳輸通道，無(wú)需設(shè)置專用的數(shù)據(jù)接口，簡(jiǎn)化了電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，利于電子設(shè)備纖薄化發(fā)展。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例1的流程圖；

圖2為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例2的流程圖；

圖3為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例3的流程圖；

圖4為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例4的流程圖；

圖5為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例5的流程圖；

圖6為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例6的流程圖；

圖7為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例6中第一區(qū)域示意圖；

圖8為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例7的流程圖；

圖9為本發(fā)明提供的一種電子設(shè)備實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明提供的一種電子設(shè)備實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱附圖1，為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例1的流程圖，該方法應(yīng)用于一電子設(shè)備，該電子設(shè)備在本申請(qǐng)中作為第一設(shè)備應(yīng)用，該電子設(shè)備具體可以為臺(tái)式機(jī)、筆記本、平板電腦、手機(jī)、智能電視、智能手表、穿戴式設(shè)備等形式的電子設(shè)備。

其中，該方法包括以下步驟：

步驟S101：檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)；

其中，所述第一參數(shù)表征了所述第一設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)；

需要說(shuō)明的是，電子設(shè)備的表面分布有大量的靜電粒子，該靜電粒子能夠在外部環(huán)境的影響下發(fā)生移動(dòng)，以使得其分布狀態(tài)發(fā)生變化。例如，兩個(gè)不同設(shè)備靠近，會(huì)導(dǎo)致二者靠近區(qū)域的表面靜電粒子發(fā)生移動(dòng)。

具體實(shí)施中，對(duì)該第一設(shè)備的第一參數(shù)進(jìn)行檢測(cè)，以得到其表面靜電粒子的分布狀態(tài)。

具體實(shí)施中，可以在該第一設(shè)備中設(shè)置靜電檢測(cè)裝置，以實(shí)現(xiàn)對(duì)該第一設(shè)備的第一參數(shù)進(jìn)行檢測(cè)。

步驟S102：基于所述第一參數(shù)分析得到所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸；

其中，由于該第一設(shè)備表面的靜電粒子的分布狀態(tài)表征了其與其他設(shè)備之間的相對(duì)位置關(guān)系。

具體的，當(dāng)該第一參數(shù)滿足接觸條件時(shí)，則可以基于該第一參數(shù)分析得到該第一設(shè)備與其他設(shè)備(第二設(shè)備)發(fā)生接觸。

需要說(shuō)明的是，后續(xù)實(shí)施例中會(huì)針對(duì)該步驟作詳細(xì)解釋，本實(shí)施例中不做詳述。

步驟S103：依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

其中，該第一設(shè)備與第二設(shè)備發(fā)生接觸，二者之間的靜電粒子使得該第一設(shè)備與第二設(shè)備之間發(fā)生電連接，基于靜電粒子能夠?qū)崿F(xiàn)該第一設(shè)備與第二設(shè)備之間的電信號(hào)傳輸。

則，依據(jù)該第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立該第一設(shè)備與該第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道，以實(shí)現(xiàn)該第一設(shè)備與第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸。

需要說(shuō)明的是，后續(xù)實(shí)施例中會(huì)針對(duì)該步驟作詳細(xì)解釋，本實(shí)施例中不做詳述。

綜上，本實(shí)施例提供的一種信息處理方法，包括：檢測(cè)第一設(shè)備的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)表征了所述第一設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)；基于所述第一參數(shù)分析得到所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸；依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。采用該方法，根據(jù)電子設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)，即可確定該電子設(shè)備是否與其他電子設(shè)備接觸，并在該電子設(shè)備與其他電子設(shè)備接觸時(shí)，基于該靜電粒子建立該電子設(shè)備與其他電子設(shè)備之間的信息傳輸通道，無(wú)需設(shè)置專用的數(shù)據(jù)接口，簡(jiǎn)化了電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，利于電子設(shè)備纖薄化發(fā)展。

請(qǐng)參閱附圖2，為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例2的流程圖，該方法包括以下步驟：

步驟S201：檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)；

其中，步驟S201與實(shí)施例1中的步驟S101一致，本實(shí)施例中不做贅述。

步驟S202：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)；

其中，靜電粒子在第一分布狀態(tài)與靜電粒子在第二分布狀態(tài)不同；

步驟S203：基于所述第一設(shè)備表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)，確定所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸；

其中，該第一參數(shù)表征該第一設(shè)備表面的靜電粒子的分布狀態(tài)，當(dāng)該第一設(shè)備未與其他設(shè)備靠近接觸時(shí)，其表面的靜電粒子分布為第一分布狀態(tài)；當(dāng)該第一設(shè)備與其他設(shè)備靠近接觸時(shí)，其表面的靜電粒子分布為第二分布狀態(tài)。

則，基于該對(duì)第一設(shè)備的第一參數(shù)的分析，即可得到該第一設(shè)備表面的靜電粒子的狀態(tài)是否發(fā)生變化，是否從第一分部狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)。

具體實(shí)施中，當(dāng)該第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)，則確定該第一設(shè)備與第二設(shè)備發(fā)生接觸，導(dǎo)致該第一設(shè)備表面的靜電粒子的狀態(tài)發(fā)生變化。

具體實(shí)施中，該第二分布狀態(tài)相對(duì)于第一分布狀態(tài)，該靜電粒子的分布趨勢(shì)越靠近電子設(shè)備表面分布的更加密集；或者，該第二分布狀態(tài)對(duì)應(yīng)的分布區(qū)域小于該第一分布狀態(tài)的分布區(qū)域。

步驟S204：依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

其中，步驟S204與實(shí)施例1中的步驟S103一致，本實(shí)施例中不做贅述。

綜上，本實(shí)施例提供的一種信息處理方法中，該基于所述第一參數(shù)分析得到所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸，包括：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)，靜電粒子在第一分布狀態(tài)與靜電粒子在第二分布狀態(tài)不同；基于所述第一設(shè)備表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)，確定所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸。采用該方法，基于該第一設(shè)備表面的靜電粒子的分布狀態(tài)，即可分析到該第一設(shè)備是否與第二設(shè)備發(fā)生接觸，分析過(guò)程簡(jiǎn)單。

請(qǐng)參閱附圖3，為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例3的流程圖，該方法包括以下步驟：

步驟S301：檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)；

步驟S302：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)；

其中，步驟S301-302與實(shí)施例2中的步驟S201-202一致，本實(shí)施例中不做贅述。

步驟S303：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備的第一區(qū)域的表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)；

步驟S304：將所述第一區(qū)域確定為與所述第二設(shè)備接觸的區(qū)域；

其中，該第一設(shè)備的表面分布有靜電粒子，而該第一設(shè)備與第二設(shè)備相接觸時(shí)，只是該第一設(shè)備的某一區(qū)域與該第二設(shè)備相接觸，相應(yīng)的，該第一設(shè)備的表面中某一區(qū)域的靜電粒子分布狀態(tài)發(fā)生變化。

具體實(shí)施中，該靜電檢測(cè)裝置實(shí)時(shí)檢測(cè)該第一設(shè)備表面的靜電粒子對(duì)應(yīng)的第一參數(shù)，并反饋發(fā)生變化的第一參數(shù)，以減小靜電檢測(cè)裝置與該第一設(shè)備處理器之間的數(shù)據(jù)交互，減小該處理器的數(shù)據(jù)處理量。

其中，該靜電檢測(cè)裝置檢測(cè)得到該第一參數(shù)后，反饋該第一參數(shù)時(shí)，將該采集的位置信息同步反饋。

具體的，對(duì)該第一設(shè)備的第一參數(shù)進(jìn)行分析，即可得到發(fā)生分布狀態(tài)的具體位置為第一區(qū)域，則，可確定該第一區(qū)域表面的靜電粒子從第一分布狀態(tài)變?yōu)榈诙植紶顟B(tài)。

則，將該靜電粒子從第一分布狀態(tài)變?yōu)榈诙植紶顟B(tài)的第一區(qū)域，記為該第一設(shè)備與第二設(shè)備發(fā)生接觸的區(qū)域。

步驟S305：依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

其中，步驟S305與實(shí)施例2中的步驟S204一致，本實(shí)施例中不做贅述。

綜上，本實(shí)施例提供的一種信息處理方法中，該基于所述第一設(shè)備表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)，確定所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸，包括：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備的第一區(qū)域的表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)；將所述第一區(qū)域確定為與所述第二設(shè)備接觸的區(qū)域。采用該方法，基于該第一參數(shù)即可分析得到該第一設(shè)備表面的第一區(qū)域分布的靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)，直接定位了靜電粒子發(fā)生分布狀態(tài)變化的第一區(qū)域，確定了該第一設(shè)備與第二設(shè)備發(fā)生接觸的區(qū)域。

請(qǐng)參閱附圖4，為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例4的流程圖，該方法包括以下步驟：

步驟S401：檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)；

步驟S402：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)；

步驟S403：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備的第一區(qū)域的表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)；

步驟S404：將所述第一區(qū)域確定為與所述第二設(shè)備接觸的區(qū)域；

其中，步驟S401-404與實(shí)施例3中的步驟S301-304一致，本實(shí)施例中不做贅述。

步驟S405：基于所述第一設(shè)備的第一區(qū)域中的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

需要說(shuō)明的是，該靜電粒子分布緊密時(shí)，其能夠?qū)崿F(xiàn)電流傳輸，則當(dāng)該第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸時(shí)，二者之間的靜電粒子分布緊密。

因此，基于該第一設(shè)備的第一區(qū)域與第二設(shè)備之間的靜電粒子，實(shí)現(xiàn)在第一設(shè)備與第二設(shè)備之間建立一數(shù)據(jù)傳輸通道，以實(shí)現(xiàn)該第一設(shè)備與該第二設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。

綜上，本實(shí)施例提供的一種信息處理方法中，該依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道，包括：基于所述第一設(shè)備的第一區(qū)域中的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。采用該方法，基于該第一設(shè)備的第一區(qū)域與第二設(shè)備之間的靜電粒子，建立該第一設(shè)備與第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道，以實(shí)現(xiàn)該第一設(shè)備與該第二設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，無(wú)需在該第一設(shè)備與第二設(shè)備之間設(shè)置專用傳輸?shù)耐ㄐ沤涌?，?jiǎn)化了第一設(shè)備和第二設(shè)備的結(jié)構(gòu)。

請(qǐng)參閱附圖5，為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例5的流程圖，該方法包括以下步驟：

步驟S501：檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)；

步驟S502：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)；

步驟S503：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備的第一區(qū)域的表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)；

步驟S504：將所述第一區(qū)域確定為與所述第二設(shè)備接觸的區(qū)域；

步驟S505：依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道；

其中，步驟S501-505與實(shí)施例3中的步驟S301-305一致，本實(shí)施例中不做贅述。

步驟S506：獲取待傳輸數(shù)據(jù)；

其中，該第一設(shè)備中具有待傳輸至第二設(shè)備的待傳輸數(shù)據(jù)，獲取該待傳輸數(shù)據(jù)，以實(shí)現(xiàn)后續(xù)將其傳輸至第二設(shè)備中。

具體實(shí)施中，該待傳輸數(shù)據(jù)可以為存儲(chǔ)在第一設(shè)備的存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)，也可為緩存在該第一設(shè)備的緩存中的數(shù)據(jù)。

具體實(shí)施中，該待傳輸數(shù)據(jù)的獲取方式可以有多種，如用戶可以采用外接的輸入裝置輸入選擇操作，并基于該選擇操作選擇相應(yīng)的待傳輸數(shù)據(jù)；或者用戶可以基于該電子設(shè)備的柔性特性，對(duì)該電子設(shè)備進(jìn)行折疊彎曲等操作，以實(shí)現(xiàn)輸入選擇操作，并基于該選擇操作選擇相應(yīng)的待傳輸數(shù)據(jù)。

需要說(shuō)明的是，獲取的待傳輸數(shù)據(jù)可以為該第一設(shè)備顯示區(qū)域中的內(nèi)容，后續(xù)實(shí)施例中會(huì)針對(duì)該顯示內(nèi)容進(jìn)行獲取的具體方式做解釋，本實(shí)施例中不做詳述。

步驟S507：基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道，將所述待傳輸數(shù)據(jù)傳輸至第二設(shè)備。

其中，該第一設(shè)備和第二設(shè)備之間已經(jīng)基于該靜電粒子建立了數(shù)據(jù)傳輸通道，則將該第一設(shè)備中的待傳輸數(shù)據(jù)通過(guò)該數(shù)據(jù)傳輸通道傳輸給第二設(shè)備。具體實(shí)施中，該第一設(shè)備可以通過(guò)電磁、聲波、光線等媒介方式來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。即該數(shù)據(jù)傳輸通道的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)則可以為電磁、聲波、光線等相關(guān)的傳輸規(guī)則。

其中，該數(shù)據(jù)傳輸通道是基于該第一設(shè)備與第二設(shè)備之間的靜電粒子的分布情況得到，具體實(shí)施中，可以將該待傳輸數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為與該數(shù)據(jù)傳輸通道通信規(guī)則對(duì)應(yīng)的格式進(jìn)行傳輸。

需要說(shuō)明的是，后續(xù)實(shí)施例中會(huì)針對(duì)該傳輸?shù)木唧w方式做解釋，本實(shí)施例中不做詳述。

綜上，本實(shí)施例提供的一種信息處理方法中，還包括：獲取待傳輸數(shù)據(jù)；基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道，將所述待傳輸數(shù)據(jù)傳輸至第二設(shè)備。采用該方法，能夠基于該第一設(shè)備與第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道，將第一設(shè)備中的待傳輸數(shù)據(jù)傳輸至第二設(shè)備，無(wú)需在該第一設(shè)備與第二設(shè)備之間設(shè)置專用傳輸?shù)耐ㄐ沤涌?，?jiǎn)化了第一設(shè)備和第二設(shè)備的結(jié)構(gòu)。

請(qǐng)參閱附圖6，為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例6的流程圖，該方法包括以下步驟：

步驟S601：檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)；

步驟S602：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)；

步驟S603：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備的第一區(qū)域的表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)；

步驟S604：將所述第一區(qū)域確定為與所述第二設(shè)備接觸的區(qū)域；

步驟S605：依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道；

其中，步驟S601-605與實(shí)施例5中的步驟S501-505一致，本實(shí)施例中不做贅述。

步驟S606：依據(jù)所述第一區(qū)域的坐標(biāo)范圍，獲取所述第一區(qū)域顯示內(nèi)容的數(shù)據(jù)信息，并將所述數(shù)據(jù)信息作為待傳輸數(shù)據(jù)；

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，該第一區(qū)域?yàn)榈谝辉O(shè)備的顯示屏幕中的一部分，該顯示屏幕中顯示內(nèi)容。

其中，步驟S604中已經(jīng)分析得到該第一設(shè)備的第一區(qū)域?yàn)榕c第二設(shè)備接觸的區(qū)域，而該第一區(qū)域?yàn)樵摰谝辉O(shè)備的顯示屏幕中的一部分，則基于該顯示屏幕中坐標(biāo)系，即可得到該第一區(qū)域在該顯示屏幕中的坐標(biāo)范圍。

進(jìn)一步的，基于該第一區(qū)域的坐標(biāo)范圍以及該顯示屏幕中顯示內(nèi)容，即可分析得到該第一區(qū)域?qū)?yīng)的顯示內(nèi)容，進(jìn)而獲取該顯示內(nèi)容對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信息，將該數(shù)據(jù)信息作為待傳輸數(shù)據(jù)。

如圖7所示的，為該第一區(qū)域示意圖，其中該第一設(shè)備701中設(shè)置顯示屏幕702，該顯示屏幕702中顯示內(nèi)容，該第一區(qū)域703為用戶選擇的區(qū)域，則該第一區(qū)域703中顯示的內(nèi)容則為待傳輸數(shù)據(jù)。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，該圖7中顯示屏幕中顯示內(nèi)容為文字，具體實(shí)施中不限制與此，還可以為圖畫(huà)、圖表、甚至圖標(biāo)等顯示內(nèi)容。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，僅是將該用戶選擇的區(qū)域采用虛線框出，具體實(shí)施中，當(dāng)該電子設(shè)備為柔性屏幕時(shí)，用戶可以通過(guò)折疊彎曲該電子設(shè)備的屏幕以使得其部分區(qū)域凸出，進(jìn)而使得該凸出部分與其他設(shè)備相接觸，實(shí)現(xiàn)選擇該凸出部分的顯示內(nèi)容為待傳輸數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的內(nèi)容。

步驟S607：基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道，將所述待傳輸數(shù)據(jù)傳輸至第二設(shè)備。

其中，步驟S607與實(shí)施例5中的步驟S507一致，本實(shí)施例中不做贅述。

綜上，本實(shí)施例提供的一種信息處理方法中，該獲取待傳輸數(shù)據(jù)，包括：依據(jù)所述第一區(qū)域的坐標(biāo)范圍，獲取所述第一區(qū)域顯示內(nèi)容的數(shù)據(jù)信息，并將所述數(shù)據(jù)信息作為待傳輸數(shù)據(jù)。采用該方法，當(dāng)該第一區(qū)域?yàn)轱@示屏幕中的組成部分時(shí)，則通過(guò)對(duì)該第一區(qū)域的坐標(biāo)范圍確定實(shí)現(xiàn)確定該第一顯示內(nèi)容對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信息，進(jìn)而將該數(shù)據(jù)新作為待傳輸數(shù)據(jù)，能夠靈活選擇顯示屏幕中的內(nèi)容進(jìn)行傳輸。

請(qǐng)參閱附圖8，為本發(fā)明提供的一種信息處理方法實(shí)施例7的流程圖，該方法包括以下步驟：

步驟S801：檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)；

步驟S802：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)；

步驟S803：分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備的第一區(qū)域的表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)；

步驟S804：將所述第一區(qū)域確定為與所述第二設(shè)備接觸的區(qū)域；

步驟S805：依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道；

步驟S806：獲取待傳輸數(shù)據(jù)；

其中，步驟S801-806與實(shí)施例5中的步驟S501-506一致，本實(shí)施例中不做贅述。

步驟S807：依據(jù)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)編譯方式編碼所述待傳輸數(shù)據(jù)，得到第一數(shù)據(jù)；

其中，所述第一數(shù)據(jù)的格式與所述數(shù)據(jù)傳輸通道的格式匹配。

其中，該第一設(shè)備中的待傳輸數(shù)據(jù)可能與該數(shù)據(jù)傳輸通道的格式不匹配，則將該待傳輸數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，以使得得到與該數(shù)據(jù)傳輸通道的格式匹配的第一數(shù)據(jù)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)將該待傳輸數(shù)據(jù)傳輸給第二設(shè)備。

其中，該數(shù)據(jù)傳輸通道采用的為電磁、聲波、光線等方式時(shí)，則該預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)編譯方式與該方式對(duì)應(yīng)。

步驟S808：基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道將所述第一數(shù)據(jù)發(fā)送至第二設(shè)備，以使得所述第二設(shè)備依據(jù)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)解碼方式解碼所述第一數(shù)據(jù)，得到所述待傳輸數(shù)據(jù)。

其中，基于該數(shù)據(jù)傳輸通道，該第一設(shè)備將該完成編譯的第一數(shù)據(jù)傳輸給第二設(shè)備.

其中，該第二設(shè)備中相應(yīng)的設(shè)置有解碼規(guī)則，則該第二設(shè)備接收到該第一數(shù)據(jù)后，基于該解碼規(guī)則，解碼該第一數(shù)據(jù)，得到該待傳輸數(shù)據(jù)，完成該待傳輸數(shù)據(jù)從第一設(shè)備傳輸至第二設(shè)備的過(guò)程。

綜上，本實(shí)施例提供的一種信息處理方法中，該基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道，將所述待傳輸數(shù)據(jù)傳輸至第二設(shè)備，包括：依據(jù)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)編譯方式編碼所述待傳輸數(shù)據(jù)，得到第一數(shù)據(jù)，所述第一數(shù)據(jù)的格式與所述數(shù)據(jù)傳輸通道的格式匹配；基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道將所述第一數(shù)據(jù)發(fā)送至第二設(shè)備，以使得所述第二設(shè)備依據(jù)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)解碼方式解碼所述第一數(shù)據(jù)，得到所述待傳輸數(shù)據(jù)。采用該方法，通過(guò)將第一設(shè)備中的數(shù)據(jù)進(jìn)行格式轉(zhuǎn)換，以使得其與數(shù)據(jù)傳輸通道的格式匹配，提高了傳輸?shù)臏?zhǔn)確度，傳輸過(guò)程簡(jiǎn)單易行。

上述本發(fā)明提供的實(shí)施例中詳細(xì)描述了一種信息處理方法，對(duì)于本發(fā)明的信息處理方法可采用多種形式的裝置實(shí)現(xiàn)，因此本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用該信息處理方法的電子設(shè)備，下面給出具體的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

請(qǐng)參閱附圖9，為本發(fā)明提供的一種電子設(shè)備實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖，該電子設(shè)備在本申請(qǐng)中作為第一設(shè)備應(yīng)用，該電子設(shè)備具體可以為臺(tái)式機(jī)、筆記本、平板電腦、手機(jī)、智能電視、智能手表、穿戴式設(shè)備等形式的電子設(shè)備。

其中，該電子設(shè)備包括：檢測(cè)器901和處理器902；

其中，該檢測(cè)器901，用于檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)表征了所述第一設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)；

其中，該處理器902，用于基于所述第一參數(shù)分析得到所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸；依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

具體實(shí)施中，該處理器可以為電子設(shè)備中具有信息處理能力的結(jié)構(gòu)，如CPU(central processing unit，中央處理器)等。

優(yōu)選的，所述處理器用于：

分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備表面靜電粒子從第一分布狀態(tài)變化為第二分布狀態(tài)，靜電粒子在第一分布狀態(tài)與靜電粒子在第二分布狀態(tài)不同；

基于所述第一設(shè)備表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)，確定所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸。

優(yōu)選的，所述處理器用于：

分析所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，得到所述第一設(shè)備的第一區(qū)域的表面靜電粒子為第二分布狀態(tài)；

將所述第一區(qū)域確定為與所述第二設(shè)備接觸的區(qū)域。

優(yōu)選的，所述處理器用于：

基于所述第一設(shè)備的第一區(qū)域中的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

優(yōu)選的，所述處理器還用于：

獲取待傳輸數(shù)據(jù)；

基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道傳輸至第二設(shè)備。

優(yōu)選的，所述處理器用于：

依據(jù)所述第一區(qū)域的坐標(biāo)范圍，獲取所述第一區(qū)域顯示內(nèi)容的數(shù)據(jù)信息，并將所述數(shù)據(jù)信息作為待傳輸數(shù)據(jù)。

優(yōu)選的，所述處理器用于：

依據(jù)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)編譯方式編碼所述待傳輸數(shù)據(jù)，得到第一數(shù)據(jù)，所述第一數(shù)據(jù)的格式與所述數(shù)據(jù)傳輸通道的格式匹配；

基于所述數(shù)據(jù)傳輸通道將所述第一數(shù)據(jù)發(fā)送至第二設(shè)備，以使得所述第二設(shè)備依據(jù)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)解碼方式解碼所述第一數(shù)據(jù)，得到所述待傳輸數(shù)據(jù)。

綜上，本實(shí)施例提供的一種電子設(shè)備，根據(jù)電子設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)，即可確定該電子設(shè)備是否與其他電子設(shè)備接觸，并在該電子設(shè)備與其他電子設(shè)備接觸時(shí)，基于該靜電粒子建立該電子設(shè)備與其他電子設(shè)備之間的信息傳輸通道，無(wú)需設(shè)置專用的數(shù)據(jù)接口，簡(jiǎn)化了電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，利于電子設(shè)備纖薄化發(fā)展。

請(qǐng)參閱附圖10，為本發(fā)明提供的一種電子設(shè)備實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖，該電子設(shè)備在本申請(qǐng)中作為第一設(shè)備應(yīng)用，該電子設(shè)備具體可以為臺(tái)式機(jī)、筆記本、平板電腦、手機(jī)、智能電視、智能手表、穿戴式設(shè)備等形式的電子設(shè)備。

其中，該電子設(shè)備包括：檢測(cè)單元1001、分析單元1002和處理單元1003；

其中，該檢測(cè)單元1001，用于檢測(cè)所述第一設(shè)備的第一參數(shù)，所述第一參數(shù)表征了所述第一設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)；

其中，該分析單元1002，用于基于所述第一參數(shù)分析得到所述第一設(shè)備與第二設(shè)備接觸；

其中，該處理單元1003，用于依據(jù)所述第一設(shè)備表面的靜電粒子，建立所述第一設(shè)備與所述第二設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸通道。

綜上，本實(shí)施例提供的一種電子設(shè)備，根據(jù)電子設(shè)備表面靜電粒子的分布狀態(tài)，即可確定該電子設(shè)備是否與其他電子設(shè)備接觸，并在該電子設(shè)備與其他電子設(shè)備接觸時(shí)，基于該靜電粒子建立該電子設(shè)備與其他電子設(shè)備之間的信息傳輸通道，無(wú)需設(shè)置專用的數(shù)據(jù)接口，簡(jiǎn)化了電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，利于電子設(shè)備纖薄化發(fā)展。

本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)于實(shí)施例提供的裝置而言，由于其與實(shí)施例提供的方法相對(duì)應(yīng)，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法部分說(shuō)明即可。

對(duì)所提供的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所提供的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。