1.一種受電端設(shè)備PD，其特征在于，所述PD包括：輸入端、PD模塊、負(fù)載模塊、控制模塊及檢測電阻；
所述輸入端包括正相輸入端以及反相輸入端，所述正相輸入端用于接收供電端設(shè)備PSE傳輸?shù)碾妷?，所述反相輸入端用于向所述PSE反饋檢測電流；
所述PD模塊，用于在所述PSE傳輸檢測電壓時(shí)，啟動(dòng)所述控制模塊的工作并通過所述反相輸入端向所述PSE反饋檢測電流；在所述PSE傳輸工作電壓時(shí)，閉合與所述負(fù)載模塊的連接以啟動(dòng)所述負(fù)載模塊；
所述檢測電阻，位于所述PD模塊與所述反相輸入端之間，用于在檢測階段工作以向所述PSE反饋檢測電流，所述檢測電阻包括并聯(lián)的第一電阻和第二電阻；
所述控制模塊，包括與所述第二電阻連接的第一開關(guān)，用于在所述反相輸入端向所述PSE反饋的檢測電流不滿足設(shè)定閾值時(shí)打開所述第一開關(guān)，以調(diào)制所述檢測電阻的阻值。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制模塊包括位于所述正相輸入端與所述反相輸入端之間串聯(lián)的第三電阻、二極管及電容；
所述第一開關(guān)為第一MOS管，所述第一MOS管的柵極與所述電容的陽極連接；
所述電容，用于在電容的充電電壓達(dá)到預(yù)定值后，控制所述第一MOS管打開，致使所述第一電阻斷開連接，從而調(diào)整所述檢測電阻的阻值。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述PD模塊的第一端與所述正相輸入端連接，所述PD模塊的第二端與所述反相輸入端連接；
所述檢測電阻的一端與所述PD模塊的第三端連接，所述檢測電阻的另一端與所述反相輸入端連接，所述PD模塊在接收所述PSE傳輸?shù)臋z測電壓時(shí)，所述PD模塊的第二端與所述PD模塊的第三端閉合，所述PD模塊的第三端與所述PD模塊的第四端斷開；
所述負(fù)載模塊的一端與所述PD模塊的第四端連接，所述負(fù)載模塊的另一端與所述正相輸入端連接，所述PD模塊在接收所述PSE傳輸?shù)墓ぷ麟妷簳r(shí)，所述PD模塊的第二端與所述PD模塊的第三端斷開，所述PD模塊的第三端與所述PD模塊的第四端閉合。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制模塊的一端連接所述PD模塊，另一端連接所述反相輸入端；
所述控制模塊包括串聯(lián)的第三電阻、二極管及電容；
所述第一開關(guān)為第一MOS管，所述第一MOS管的柵極與所述電容的陽極連接；
所述電容，用于在電容的充電電壓達(dá)到預(yù)定值后，控制所述第一MOS管打開，致使所述第一電阻斷開連接，從而調(diào)整所述檢測電阻的阻值。
5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，所述PD模塊的第一端與所述正相輸入端連接，所述PD模塊的第二端與所述反相輸入端連接；
所述檢測電阻的一端與所述PD模塊的第三端連接，所述檢測電阻的另一端與所述反相輸入端連接；
所述負(fù)載模塊的一端與所述PD模塊的第四端連接，所述負(fù)載模塊的另一端與所述正相輸入端連接；
所述控制模塊的一端與所述PD模塊的第三端連接，所述控制模塊的另一端與所述反相輸入端連接；
所述PD模塊在接收所述PSE傳輸?shù)臋z測電壓時(shí)，所述PD模塊的第二端與所述PD模塊的第三端閉合，所述PD模塊的第三端與所述PD模塊的第四端斷開；
所述PD模塊在接收所述PSE傳輸?shù)墓ぷ麟妷簳r(shí)，所述PD模塊的第二端與所述PD模塊的第三端斷開，所述PD模塊的第三端與所述PD模塊的第四端閉合。
6.如權(quán)利要求1或2或4所述的設(shè)備，其特征在于，還包括：放電模塊；
所述放電模塊包括第四電阻；
所述第四電阻連接在所述電容的陽極和陰極之間，用于釋放所述電容的電壓，所述第四電阻的歐姆值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于所述第一電阻的歐姆值。
7.如權(quán)利要求3或5所述的設(shè)備，其特征在于，還包括放電模塊；
所述放電模塊包括：第二MOS管、第三MOS管；
所述第二MOS管的源極與所述正相輸入端連接，所述第二MOS管的漏極與第三MOS管的柵極連接，所述第二MOS管的柵極與所述PD模塊的第四端連接，所述第二MOS管在所述PD的負(fù)載模塊被供電后被導(dǎo)通；
所述第三MOS管的源極與所述反相輸入端連接，所述第三MOS管的漏極與所述電容的陽極連接，所述第三MOS管在所述第二MOS管導(dǎo)通后被導(dǎo)通，使得所述電容的陽極接地放電。
8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于，還包括：
所述第三MOS管的柵極通過第五電阻接地，以使所述第三MOS管的柵極在懸空時(shí)電壓為零。
9.一種受電端設(shè)備PD的功率等級調(diào)整方法，其特征在于，該方法包括：
所述PD的正相輸入端在接收供電端設(shè)備PSE傳輸?shù)牡谝粰z測周期的檢測電壓時(shí)，所述PD的PD模塊為所述PD的檢測電阻提供工作電壓，所述PD的控制模塊控制第一開關(guān)導(dǎo)通，所述檢測電阻的阻值滿足第一標(biāo)準(zhǔn)并通過所述反相輸入端向所述PSE反饋第一檢測電流；
在所述第一檢測電流不滿足設(shè)定閾值時(shí)，所述控制模塊在后續(xù)的檢測周期內(nèi)控制所述第一開關(guān)斷開，所述檢測電阻的阻值滿足第二標(biāo)準(zhǔn)并通過所述反相輸入端向所述PSE反饋第二檢測電流；
在所述第二檢測電流滿足所述設(shè)定閾值時(shí)，所述正相輸入端接收所述PSE傳輸?shù)墓ぷ麟妷盒盘?hào)，所述PD模塊與所述負(fù)載模塊導(dǎo)通以啟動(dòng)所述負(fù)載模塊的工作。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述PD的控制模塊控制第一開關(guān)導(dǎo)通，包括：
所述正相輸入端在接收所述PSE傳輸?shù)牡谝粰z測周期的檢測電壓時(shí)，所述電容處于充電狀態(tài)且所述電容的充電電壓使得所述第一開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)，致使所述檢測電阻的阻值滿足所述第一標(biāo)準(zhǔn)；
所述控制模塊在后續(xù)的檢測周期內(nèi)控制所述第一開關(guān)斷開，包括：
所述正相輸入端接收所述PSE傳輸?shù)牡诙z測周期的檢測電壓，所述電容處于充電狀態(tài)且所述電容的充電電壓使得所述第一開關(guān)管處于斷開狀態(tài)，致使所述檢測電阻的阻值滿足所述第二標(biāo)準(zhǔn)；
在所述第二檢測電流滿足所述設(shè)定閾值，包括：
所述反相輸入端在第三檢測周期向所述PSE反饋的所述第二檢測電流滿足所述設(shè)定閾值。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述檢測電壓包括初檢電壓和分級電壓；所述檢測電阻包括并聯(lián)的第一電阻和第二電阻；所述第一開關(guān)為第一MOS管；所述控制模塊包括串聯(lián)的第三電阻、二極管及電容，所述第一MOS管的柵極與所述電容的陽極連接；
所述控制模塊的輸入端輸入所述PD模塊的分級電壓時(shí)，啟動(dòng)對所述電容充電；
所述檢測電阻滿足所述第一標(biāo)準(zhǔn)時(shí)的阻值為所述第一電阻、所述第二電阻和所述第三電阻并聯(lián)之后的阻值；
所述檢測電阻滿足所述第二標(biāo)準(zhǔn)時(shí)的阻值為所述第二電阻、所述第三電阻并聯(lián)之后的阻值。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述檢測電壓包括初檢電壓和分級電壓；所述檢測電阻包括并聯(lián)的第一電阻和第二電阻；所述第一開關(guān)為第一MOS管；所述控制模塊包括串聯(lián)的第三電阻、二極管及電容，所述第一MOS管的柵極與所述電容的陽極連接；
所述控制模塊的輸入端輸入所述初檢電壓時(shí)，啟動(dòng)對所述電容充電；
所述檢測電阻滿足所述第一標(biāo)準(zhǔn)時(shí)的阻值為所述第一電阻、所述第二電阻并聯(lián)之后的阻值；
所述檢測電阻滿足所述第二標(biāo)準(zhǔn)時(shí)的阻值為所述第二電阻的阻值。
13.如權(quán)利要求9至12任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述PD模塊與所述負(fù)載模塊導(dǎo)通以啟動(dòng)所述負(fù)載模塊的工作之后，還包括：
所述PD的放電模塊釋放所述電容的電壓，恢復(fù)所述PD的檢測電阻的阻值滿足所述第一標(biāo)準(zhǔn)。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述PD的放電模塊釋放所述電容的電壓，包括：
所述正相輸入端接收所述PSE傳輸?shù)墓ぷ麟妷盒盘?hào)之后，所述PD模塊的第二端與第四端導(dǎo)通，致使放電模塊的第二MOS管和第三MOS管導(dǎo)通將所述電容接地放電。