1.一種成像裝置，包括：
像素電路；以及
分光元件，
其中，所述像素電路包括第一電路、第二電路、第三電路及第一電容元件，
所述第一電路包括第一光電轉(zhuǎn)換元件、第一晶體管及第二晶體管，
所述第二電路包括第二光電轉(zhuǎn)換元件、第三晶體管及第四晶體管，
所述第三電路包括第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管及第二電容元件，
所述分光元件設置在所述第一光電轉(zhuǎn)換元件或所述第二光電轉(zhuǎn)換元件上，
所述第一光電轉(zhuǎn)換元件的一個端子與所述第一晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述第二晶體管的源極和漏極中的一個與所述第一晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第一電容元件的一個端子電連接，
所述第二光電轉(zhuǎn)換元件的一個端子與所述第三晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述第四晶體管的源極和漏極中的一個與所述第三晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述第四晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第一電容元件的一個端子電連接，
所述第五晶體管的源極和漏極中的一個與所述第一電容元件的另一個端子電連接，
所述第二電容元件的一個端子與所述第一電容元件的另一個端子電連接，
所述第六晶體管的柵極與所述第一電容元件的另一個端子電連接，
并且，所述第六晶體管的源極和漏極中的一個與所述第七晶體管的源極和漏極中的一個電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，
其中所述第一光電轉(zhuǎn)換元件及所述第二光電轉(zhuǎn)換元件具有相同的結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，
其中所述第一電容元件的電容值大于所述第二電容元件的電容值。
4.根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，
其中所述第一光電轉(zhuǎn)換元件的一個端子、所述第一晶體管的源極和漏極中的一個以及所述第一電容元件的一個端子之間的電容值等于所述第二光電轉(zhuǎn)換元件的一個端子、所述第三晶體管的源極和漏極中的一個以及所述第一電容元件的一個端子之間的電容值。
5.根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，
其中所述分光元件設置在所述第一光電轉(zhuǎn)換元件上，從入射到所述像素電路的光(W)去除了與紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)對應的波長的光成分中的任何一個的W-R、W-G或W-B的光入射到所述第一光電轉(zhuǎn)換元件，合成了入射到所述像素電路的光(W)及所述去除的光的W+R、W+G或W+B入射到所述第二光電轉(zhuǎn)換元件。
6.根據(jù)權利要求5所述的成像裝置，
其中與包括所述像素電路的像素相鄰的像素中的所述去除的光的一部分入射到所述第二光電轉(zhuǎn)換元件。
7.根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，
其中所述分光元件設置在所述第二光電轉(zhuǎn)換元件上，從入射到所述像素電路的光(W)去除了與紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)對應的波長的光成分的1/2中的任何兩個的W-(R/2)-(B/2)、W-(R/2)-(G/2)或W-(B/2)-(G/2)的光入射到所述第二光電轉(zhuǎn)換元件，合成了入射到所述像素電路的光(W)及所述去除的光的W+(R/2)+(B/2)、W+(R/2)+(G/2)或W+(B/2)+(G/2)入射到所述第一光電轉(zhuǎn)換元件。
8.根據(jù)權利要求7所述的成像裝置，
其中相鄰的像素中的所述去除的光的一部分入射到所述第二光電轉(zhuǎn)換元件。
9.根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，
其中所述第一至第七晶體管的一部分或全部在活性層中包含氧化物半導體，所述氧化物半導體包含In、Zn及M(M為Al、Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)。
10.一種成像裝置，包括：
權利要求1所述的成像裝置；以及
顯示裝置、操作鍵或快門按鈕。