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改進(jìn)的靜電式換能器的制作方法

文檔序號(hào):11852860閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種靜電式換能器,包括:

具有通孔陣列的導(dǎo)電背板構(gòu)件;

設(shè)置在所述背板構(gòu)件上的間隔構(gòu)件,所述間隔構(gòu)件具有通過(guò)其的孔陣列,各孔的最大橫向尺寸小于最小橫向尺寸的兩倍;以及

設(shè)置在所述間隔構(gòu)件上的柔性導(dǎo)電膜;

其中,所述換能器布置成在使用中施加電勢(shì),所述電勢(shì)產(chǎn)生所述背板構(gòu)件和所述膜之間的靜電吸引力,從而使所述膜橫跨所述間隔構(gòu)件中的孔的部分朝著所述背板構(gòu)件移動(dòng)。

2.一種靜電式換能器,包括:

具有通孔陣列的導(dǎo)電背板構(gòu)件;

設(shè)置在所述背板構(gòu)件上的間隔構(gòu)件,所述間隔構(gòu)件具有通過(guò)其的孔陣列;以及

設(shè)置在所述間隔構(gòu)件上的柔性導(dǎo)電膜;

其中,所述換能器布置成在使用中施加電勢(shì),所述電勢(shì)僅產(chǎn)生所述背板構(gòu)件和所述膜之間的靜電吸引力,從而使所述膜橫跨所述間隔構(gòu)件中的孔的部分朝著所述背板構(gòu)件移動(dòng)。

3.如權(quán)利要求2所述的靜電式換能器,其中各所述孔的最大橫向尺寸小于最小橫向尺寸的兩倍。

4.如權(quán)利要求1或3所述的靜電式換能器,其中所述最大和最小橫向尺寸的比率小于1.5,優(yōu)選小于1.2。

5.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述膜布置成施加零電勢(shì)時(shí)不與所述間隔構(gòu)件接觸。

6.如權(quán)利要求1到4所述的靜電式換能器,其中保持所述膜與所述間隔構(gòu)件接觸。

7.如權(quán)利要求6所述的靜電式換能器,其中通過(guò)機(jī)械預(yù)張力、通過(guò)結(jié)合和/或通過(guò)電勢(shì)保持所述膜與所述間隔構(gòu)件接觸。

8.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述換能器布置成在使用中施加電勢(shì),所述電勢(shì)僅產(chǎn)生所述背板構(gòu)件和所述膜之間的靜電吸引力。

9.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述孔的形狀選自圓形、六邊形、正方形和橢圓形。

10.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述孔的最大橫向尺寸在1mm和50mm之間,優(yōu)選在10mm和40mm之間,更加優(yōu)選在20mm和30mm之間。

11.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述孔的最大橫向尺寸比所述背板構(gòu)件中的所述通孔的所述最大橫向尺寸大2到50倍,優(yōu)選大10到40倍,更加優(yōu)選大20到30倍。

12.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述間隔構(gòu)件中所述孔之間的所述間距在1和5mm之間,優(yōu)選在2和4mm之間,更加優(yōu)選大約3mm。

13.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述間隔構(gòu)件中的每個(gè)孔具有相同的尺寸和形狀。

14.如權(quán)利要求1到12中任一所述的靜電式換能器,其中所述孔陣列中的一些孔具有與所述孔陣列中的其他孔不同的尺寸和/或不同的形狀。

15.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述孔的所述尺寸、間距、形狀和/或圖案在所述間隔構(gòu)件的整個(gè)表面上變化。

16.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述孔以六方密堆陣列布置。

17.如權(quán)利要求1到15中任一所述的靜電式換能器,其中所述孔以正方形的晶格排列布置。

18.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述孔具有大致網(wǎng)格形狀。

19.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述背板構(gòu)件、間隔構(gòu)件和膜結(jié)合在一起,以便引入所述膜的預(yù)張力。

20.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述膜具有預(yù)張力,使得所述靜電勢(shì)達(dá)到其動(dòng)態(tài)范圍的最大值時(shí),所述膜的所述部分的移位小于或大致等于所述間隔構(gòu)件的所述厚度。

21.如權(quán)利要求1到19中任一所述的靜電式換能器,其中所述膜具有預(yù)張力,以在施加電勢(shì)的一些或者全部時(shí)間里允許所述膜和所述背板構(gòu)件相接觸。

22.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述間隔構(gòu)件的所述厚度在15μm和3mm之間,優(yōu)選在0.1mm和1mm之間。

23.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中在所述背板構(gòu)件和間隔構(gòu)件之間;在所述間隔構(gòu)件和所述膜之間;或者在所述背板構(gòu)件和間隔構(gòu)件之間以及所述間隔構(gòu)件和所述膜之間都設(shè)置結(jié)合。

24.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述背板構(gòu)件、間隔構(gòu)件和膜中的每一個(gè)包括大致平面的片材。

25.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述背板構(gòu)件為復(fù)合層,所述復(fù)合層包括通過(guò)金屬化在上面涂敷導(dǎo)電層的聚合物板。

26.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述背板構(gòu)件的厚度在0.2mm和5mm之間。

27.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述通孔的最大橫向尺寸在0.2mm和5mm之間。

28.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述通孔之間的所述間距在0.5mm和5mm之間。

29.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述間隔構(gòu)件由聚合物制成。

30.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述間隔構(gòu)件包括覆蓋在絕緣基板上的導(dǎo)電層。

31.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述柔性導(dǎo)電膜包括覆蓋到電絕緣層上的導(dǎo)電層。

32.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,其中所述膜的厚度在4μm和0.5mm之間,優(yōu)選在6μm和0.1mm之間。

33.如前述任一權(quán)利要求所述的靜電式換能器,每個(gè)所述構(gòu)件的厚度在整個(gè)所述換能器上變化。

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