1.一種抗低頻噪音的麥克風(fēng)單體，其特征在于：包括MEMS換能器，所述MEMS換能器具有，
一聲學(xué)振膜，與所述振膜的中心設(shè)置一第一通孔，以及于所述聲學(xué)振膜遠(yuǎn)離所述第一通孔的位置設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)用以釋放應(yīng)力的第二通孔；
一與所述聲學(xué)振膜之間形成一固定間隙的背部電極；
其中，所述聲學(xué)振膜與所述背部電極形成一平板電容器，于所述聲學(xué)振膜振動(dòng)的狀態(tài)下，所述平板電容器根據(jù)所述聲學(xué)振膜的振膜幅度形成與所述振動(dòng)幅度相匹配的電容信號(hào)輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗低頻噪音的麥克風(fēng)單體，其特征在于：還包括，
一具有收音通孔的基板，所述收音通孔正對(duì)所述聲學(xué)振膜；所述聲學(xué)振膜與所述基板之間形成一聲學(xué)前腔，所述聲學(xué)前腔用以偵測(cè)高頻信號(hào)；
一蓋板，固定連接所述基板并完全覆蓋所述MEMS換能器，所述蓋板與所述背部電極形成一聲學(xué)背腔，且所述聲學(xué)背腔的體積大于所述聲學(xué)腔體的體積，所述聲學(xué)背腔用以偵測(cè)低頻信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗低頻噪音的麥克風(fēng)單體，其特征在于：所述第一通孔的體積不大于所述聲學(xué)振膜體積的10％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗低頻噪聲的麥克風(fēng)單體，其特征在于：復(fù)數(shù)個(gè)所述第二通孔均勻分布于所述聲學(xué)振膜上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗低頻噪聲的麥克風(fēng)單體，其特征在于：還包括一ASIC芯片，連接所述MEMS換能器，用以接受所述MEMS換能器輸出的所述電容信號(hào)，并對(duì)所述電容信號(hào)做分析處理，形成一處理信號(hào)輸出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗低頻噪聲的麥克風(fēng)單體，其特征在于：所述第二通孔的數(shù)量為八個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗低頻噪聲的麥克風(fēng)單體，其特征在于：所述第 二通孔的數(shù)量為六個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗低頻噪聲的麥克風(fēng)單體，其特征在于：所述聲學(xué)振膜為薄且有彈性的聲學(xué)膜片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗低頻噪聲的麥克風(fēng)單體，其特征在于：所述聲學(xué)振膜的厚度為500nm。