1.一種半導(dǎo)體器件，在半導(dǎo)體襯底上多個(gè)像素區(qū)域呈矩陣狀排列，所述半導(dǎo)體器件的特征在于，
所述多個(gè)像素區(qū)域分別具有：
活性區(qū)域，其形成于所述半導(dǎo)體襯底；
兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件，其在所述活性區(qū)域內(nèi)彼此隔開間隔地配置；
兩個(gè)浮動(dòng)電容區(qū)域，其能夠與所述兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件分別構(gòu)成用于傳輸通過光電轉(zhuǎn)換所得到的電子的傳輸晶體管，將從所述光電轉(zhuǎn)換元件輸出的電信號(hào)取出并進(jìn)行積累；以及
第一晶體管，其接收從所述傳輸晶體管輸出的電信號(hào)，
所述多個(gè)像素區(qū)域中分別包括兩個(gè)所述傳輸晶體管，兩個(gè)所述傳輸晶體管分別具有所述兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的每一個(gè)和所述兩個(gè)浮動(dòng)電容區(qū)域的每一個(gè)，
所述第一晶體管在所述像素區(qū)域內(nèi)，在兩個(gè)所述浮動(dòng)電容區(qū)域中的一個(gè)所述浮動(dòng)電容區(qū)域與另一個(gè)所述浮動(dòng)電容區(qū)域排列的方向上，配置在一個(gè)所述浮動(dòng)電容區(qū)域與另一個(gè)所述浮動(dòng)電容區(qū)域之間。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述兩個(gè)浮動(dòng)電容區(qū)域的每一個(gè)和所述第一晶體管在俯視時(shí)排列在一條直線上。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管配置在第一像素區(qū)域的所述活性區(qū)域與第二像素區(qū)域的所述活性區(qū)域之間，所述第一像素區(qū)域?yàn)樗龆鄠€(gè)像素區(qū)域中配置有所述第一晶體管的像素區(qū)域，所述第二像素區(qū)域?yàn)閺乃龅谝幌袼貐^(qū)域的所述活性區(qū)域來看與所述第一像素區(qū)域的一個(gè)所述浮動(dòng)電容區(qū)域及另一個(gè)所述浮動(dòng)電容區(qū)域側(cè)相鄰的像素區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
一個(gè)所述浮動(dòng)電容區(qū)域及另一個(gè)所述浮動(dòng)電容區(qū)域被所述第一像素區(qū)域和所述第二像素區(qū)域共用。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管為將來自兩個(gè)所述傳輸晶體管的電信號(hào)放大的放大晶體管，
單個(gè)所述放大晶體管被兩個(gè)所述傳輸晶體管共用。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述多個(gè)像素區(qū)域還分別具有第二晶體管，該第二晶體管接收從所述第一晶體管輸出的電信號(hào)，
所述兩個(gè)浮動(dòng)電容區(qū)域的每一個(gè)和所述第二晶體管在俯視時(shí)排列在一條直線上。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第二晶體管包括源極/漏極區(qū)域，
所述源極/漏極區(qū)域的某一個(gè)的至少一部分與所述兩個(gè)浮動(dòng)電容區(qū)域的某一個(gè)重疊。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管包括第一柵電極，
所述第二晶體管包括第二柵電極，
所述第一柵電極與所述第二柵電極在俯視時(shí)沿彼此交叉的方向延伸。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管為將所述傳輸晶體管所積累的電信號(hào)復(fù)位的復(fù)位晶體管，
兩個(gè)所述復(fù)位晶體管配置成與兩個(gè)所述傳輸晶體管分別連接。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管包括將來自兩個(gè)所述傳輸晶體管的電信號(hào)放大的放大晶體管、和將所述傳輸晶體管所積累的電信號(hào)復(fù)位的復(fù)位晶體管雙方。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
兩個(gè)所述傳輸晶體管分別具有傳輸柵電極，
所述第一晶體管在所述像素區(qū)域內(nèi)，在兩個(gè)所述傳輸柵電極中的一個(gè)所述傳輸柵電極與另一個(gè)所述傳輸柵電極排列的方向上，配置在一個(gè)所述傳輸柵電極與另一個(gè)所述傳輸柵電極之間。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管為將來自兩個(gè)所述傳輸晶體管的電信號(hào)放大的放大晶體管，
單個(gè)所述放大晶體管被兩個(gè)所述傳輸晶體管共用。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述多個(gè)像素區(qū)域還分別具有第二晶體管，該第二晶體管接收從所述第一晶體管輸出的電信號(hào)，
所述兩個(gè)浮動(dòng)電容區(qū)域的每一個(gè)和所述第二晶體管在俯視時(shí)排列在一條直線上。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管為將所述傳輸晶體管所積累的電信號(hào)復(fù)位的復(fù)位晶體管，
兩個(gè)所述復(fù)位晶體管配置成與兩個(gè)所述傳輸晶體管分別連接。
15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管包括將來自兩個(gè)所述傳輸晶體管的電信號(hào)放大的放大晶體管、和將所述傳輸晶體管所積累的電信號(hào)復(fù)位的復(fù)位晶體管雙方。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管在所述像素區(qū)域內(nèi)，在兩個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換元件中的一個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換元件與另一個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換元件排列的方向上，配置在一個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換元件與另一個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換元件之間。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管為將來自兩個(gè)所述傳輸晶體管的電信號(hào)放大的放大晶體管，
單個(gè)所述放大晶體管被兩個(gè)所述傳輸晶體管共用。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述多個(gè)像素區(qū)域還分別具有第二晶體管，該第二晶體管接收從所述第一晶體管輸出的電信號(hào)，
所述兩個(gè)浮動(dòng)電容區(qū)域的每一個(gè)和所述第二晶體管在俯視時(shí)排列在一條直線上。
19.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管為將所述傳輸晶體管所積累的電信號(hào)復(fù)位的復(fù)位晶體管，
兩個(gè)所述復(fù)位晶體管配置成與兩個(gè)所述傳輸晶體管分別連接。
20.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第一晶體管包括將來自兩個(gè)所述傳輸晶體管的電信號(hào)放大的放大晶體管、和將所述傳輸晶體管所積累的電信號(hào)復(fù)位的復(fù)位晶體管雙方。