一種mems麥克風(fēng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種MEMS麥克風(fēng)，包括：基底；貫穿所述基底的聲腔；設(shè)置在所述基底正面，位于所述聲腔四周的第一絕緣層；設(shè)置在所述第一絕緣層表面，且覆蓋與所述聲腔相對(duì)的區(qū)域的設(shè)定形狀的振膜；設(shè)置在所述正面表面與所述第一絕緣層相對(duì)區(qū)域的第二絕緣層；設(shè)置在所述第二絕緣層表面，且覆蓋所述振膜與所述聲腔相對(duì)區(qū)域的背極，所述背極形狀與所述振膜形狀相匹配；其中，所述振膜的振動(dòng)區(qū)域包括：加強(qiáng)筋區(qū)域以及包圍所述加強(qiáng)筋區(qū)域的紋膜區(qū)域；所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有與所述振動(dòng)區(qū)域徑向平行的加強(qiáng)筋；所述紋膜區(qū)域設(shè)置有紋膜。所述MEMS麥克風(fēng)通過所述加強(qiáng)筋提高了振膜與背極之間聲壓的均勻性，保證了將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的性能。
【專利說明】-種MEMS麥克風(fēng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及麥克風(fēng)【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，涉及一種MEMS麥克風(fēng)。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，利用 MEMS (Micro-Electro-Mechanical-System，簡(jiǎn)稱 MEMS)工藝集成的 MEMS麥克風(fēng)由于具有封裝體積小、可靠性高、成本低等優(yōu)點(diǎn)，本廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、 相機(jī)、助聽器、智能玩具以及監(jiān)聽裝置等電子產(chǎn)品中。
[0003] MEMS麥克風(fēng)在聲腔的一個(gè)開口處設(shè)置有相對(duì)設(shè)置的振膜和背極。所述振膜和背極 之間具有間距，所述振膜與背極形成檢測(cè)電容。不同強(qiáng)度的聲音振動(dòng)導(dǎo)致所述振膜與所述 背極之間的聲壓不同，從而導(dǎo)致所述振膜發(fā)生不同程度的振動(dòng)，進(jìn)而使得所述檢測(cè)電容改 變，通過聲音控制芯片感知所述檢測(cè)電容的變化，從而實(shí)現(xiàn)將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，實(shí)現(xiàn) 對(duì)聲音信號(hào)的探測(cè)。
[0004] 現(xiàn)有的MEMS麥克風(fēng)會(huì)由于振膜四周與中間振動(dòng)幅度不同，會(huì)導(dǎo)致其與背極之間 的聲壓不均勻，從而影響MEMS麥克風(fēng)將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種MEMS麥克風(fēng)，提高了振膜與背極之間聲壓 的均勻性，保證了 MEMS麥克風(fēng)將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的性能。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
[0007] 一種MEMS麥克風(fēng)，該MEMS麥克風(fēng)包括：
[0008] 基底；
[0009] 貫穿所述基底的聲腔；
[0010] 設(shè)置在所述基底正面，位于所述聲腔四周的第一絕緣層；
[0011] 設(shè)置在所述第一絕緣層表面，且覆蓋與所述聲腔相對(duì)的區(qū)域的設(shè)定形狀的振膜；
[0012] 設(shè)置在所述振膜表面與所述第一絕緣層相對(duì)區(qū)域的第二絕緣層；
[0013] 設(shè)置在所述第二絕緣層表面，且覆蓋所述振膜與所述聲腔相對(duì)區(qū)域的背極，所述 背極形狀與所述振膜形狀相匹配；
[0014] 其中，所述振膜的振動(dòng)區(qū)域包括：加強(qiáng)筋區(qū)域以及包圍所述加強(qiáng)筋區(qū)域的紋膜區(qū) 域；所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有與所述振動(dòng)區(qū)域徑向平行的加強(qiáng)筋；所述紋膜區(qū)域設(shè)置有紋 膜。
[0015] 優(yōu)選的，在上述MEMS麥克風(fēng)中，所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有多條加強(qiáng)筋，所述加強(qiáng)筋 通過所述振動(dòng)區(qū)域的中心，所述加強(qiáng)筋相對(duì)于所述中心對(duì)稱，且相鄰兩個(gè)加強(qiáng)筋之間的夾 角相同。
[0016] 優(yōu)選的，在上述MEMS麥克風(fēng)中，所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有多條加強(qiáng)筋，所述加強(qiáng)筋 的一端與所述振動(dòng)區(qū)域的中心重合，任意相鄰兩個(gè)加強(qiáng)筋之間的夾角相同，任意兩條所述 加強(qiáng)筋不在同一直線。
[0017] 優(yōu)選的，在上述MEMS麥克風(fēng)中，所述加強(qiáng)筋區(qū)域包括：中心圓形區(qū)域，所述中心圓 形區(qū)域的圓心為所述振動(dòng)區(qū)域的中心；所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有多條加強(qiáng)筋，所述加強(qiáng)筋的 一端朝向所述中心且位于所述圓形區(qū)域的圓形邊緣，另一端背離所述中心；任意相鄰兩個(gè) 加強(qiáng)筋之間的夾角相同。
[0018] 優(yōu)選的，在上述MEMS麥克風(fēng)中，還包括：
[0019] 設(shè)置在所述中心圓形區(qū)域的同心圓環(huán)結(jié)構(gòu)加強(qiáng)筋。
[0020] 優(yōu)選的，在上述MEMS麥克風(fēng)中，所述加強(qiáng)筋是設(shè)置在所述振膜正面的加強(qiáng)筋凹 槽，所述加強(qiáng)筋凹槽的延伸方向平行于所述振動(dòng)區(qū)域徑向。
[0021] 優(yōu)選的，在上述MEMS麥克風(fēng)中，所述加強(qiáng)筋凹槽的寬度范圍為0.4 μ m-10 μ m，包 括端點(diǎn)值；所述加強(qiáng)筋凹槽的深度范圍為〇. 1 μ m-20 μ m，包括端點(diǎn)值；所述加強(qiáng)筋凹槽之 間的間距為〇· 4 μ m-?ο μ m,包括端點(diǎn)值。
[0022] 優(yōu)選的，在上述MEMS麥克風(fēng)中，所述紋膜為設(shè)置在所述紋膜區(qū)域的紋膜凹槽。
[0023] 優(yōu)選的，在上述MEMS麥克風(fēng)中，所述紋膜凹槽的寬度范圍為0.4 μ m-10 μ m，包括 端點(diǎn)值；所述紋膜凹槽的深度范圍為〇. 1 μ m-20 μ m，包括端點(diǎn)值；所述紋膜凹槽的間距為 0·4μπι-10μπι，包括端點(diǎn)值。
[0024] 從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供的MEMS麥克風(fēng)包括：基底；貫穿所述基 底的聲腔；設(shè)置在所述基底正面，位于所述聲腔四周的第一絕緣層；設(shè)置在所述第一絕緣 層表面，且覆蓋與所述聲腔相對(duì)的區(qū)域的設(shè)定形狀的振膜；設(shè)置在所述振膜表面與所述第 一絕緣層相對(duì)區(qū)域的第二絕緣層；設(shè)置在所述第二絕緣層表面，且覆蓋所述振膜與所述聲 腔相對(duì)區(qū)域的背極，所述背極形狀與所述振膜形狀相匹配；其中，所述振膜的振動(dòng)區(qū)域包 括：加強(qiáng)筋區(qū)域以及包圍所述加強(qiáng)筋區(qū)域的紋膜區(qū)域；所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有與所述振動(dòng) 區(qū)域徑向平行的加強(qiáng)筋；所述紋膜區(qū)域設(shè)置有紋膜。所述技術(shù)方案通過所述加強(qiáng)筋提高了 振膜與背極之間聲壓的均勻性，保證了 MEMS麥克風(fēng)將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù) 提供的附圖獲得其他的附圖。
[0026] 圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種MEMS麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種MEMS麥克風(fēng)的振膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種MEMS麥克風(fēng)的振|旲的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0029] 圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的又一種MEMS麥克風(fēng)的振|旲的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0030] 圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的又一種MEMS麥克風(fēng)的振膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于 本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0032] 正如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有的MEMS麥克風(fēng)會(huì)由于振膜四周與中間振動(dòng)幅度不同，會(huì) 導(dǎo)致其與背極之間的聲壓不均勻，從而影響MEMS麥克風(fēng)將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的性能。
[0033] 發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，可以通過在所述振膜的中間區(qū)域設(shè)置與所述振膜徑向平行的加強(qiáng)筋 結(jié)構(gòu)均衡所述振膜振動(dòng)時(shí)的張力，從而可以使得其在振動(dòng)時(shí)的振動(dòng)幅度均勻性好，從而保 證振膜與背極之間的聲壓均勻性，保證MEMS麥克風(fēng)將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的性能。
[0034] 基于上述研究，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種MEMS麥克風(fēng)，包括：基底；貫穿所述基底 的聲腔；設(shè)置在所述基底正面，位于所述聲腔四周的第一絕緣層；設(shè)置在所述第一絕緣層 表面，且覆蓋與所述聲腔相對(duì)的區(qū)域的設(shè)定形狀的振膜；設(shè)置在所述振膜表面與所述第一 絕緣層相對(duì)區(qū)域的第二絕緣層；設(shè)置在所述第二絕緣層表面，且覆蓋所述振膜與所述聲腔 相對(duì)區(qū)域的背極，所述背極形狀與所述振膜形狀相匹配。
[0035] 其中，所述振膜的振動(dòng)區(qū)域包括：加強(qiáng)筋區(qū)域以及包圍所述加強(qiáng)筋區(qū)域的紋膜區(qū) 域；所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有與所述振動(dòng)區(qū)域徑向平行的加強(qiáng)筋；所述紋膜區(qū)域設(shè)置有紋 膜。
[0036] 通過設(shè)置平行于所述振動(dòng)區(qū)域徑向的加強(qiáng)筋能夠用于均衡振膜振動(dòng)時(shí)的張力，可 以均衡所述振膜與所述聲腔對(duì)應(yīng)的振動(dòng)區(qū)域的四周部分與中間部分的振動(dòng)幅度，使得四周 部分與中間部分的振動(dòng)幅度相同或是相近，進(jìn)而可以使得背極與振膜之間的聲壓均勻，將 聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的性能較好。
[0037] 參考圖1，圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種MEMS麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)不意圖，包括：基底 1、聲腔6、第一絕緣層2、振膜3、第二絕緣層4以及背極5。
[0038] 所述基底1設(shè)置有貫穿所述基底1的聲腔6。所述基底1可以為硅晶圓襯底，可以 通過刻蝕或是激光打孔等方式在所述基底1上形成所述聲腔6。
[0039] 所述第一絕緣層2設(shè)置在所述基底1的正面，且位于所述聲腔6的四周。所述第 一絕緣層可以為二氧化硅層或是氮化硅層。
[0040] 所述振膜3設(shè)置在所述第一絕緣層2表面，且覆蓋與所述聲腔6相對(duì)的區(qū)域。所 述振膜的振動(dòng)區(qū)域包括加強(qiáng)筋區(qū)域以及包圍所述加強(qiáng)筋區(qū)域的紋膜區(qū)域。其中，所述振動(dòng) 區(qū)域?yàn)樗稣衲づc所述聲腔6相對(duì)的區(qū)域，如當(dāng)所述聲腔6為圓柱形通孔時(shí)所述振動(dòng)區(qū)域 為圓形，當(dāng)所述聲腔6為矩形通孔時(shí)，所述振動(dòng)區(qū)域?yàn)榫匦?。所述振?dòng)區(qū)域徑向?yàn)檫^所述振 東區(qū)域中心且在所述振東區(qū)域平面內(nèi)的任意直線的方向。
[0041] 參考圖2,圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種MEMS麥克風(fēng)的振|吳的結(jié)構(gòu)不意圖，所述 振膜3的紋膜區(qū)域設(shè)置紋膜7。本實(shí)施例中所述紋膜7為多個(gè)間隔分布的環(huán)狀紋膜凹槽。 即所述振膜振動(dòng)區(qū)域的正面的四周設(shè)置有多個(gè)間隔分布的圓環(huán)形凹槽。所述振膜3通過振 膜引出電極31與外部電路連接。在圖2實(shí)施方式中，所述振膜3為圓形。在本實(shí)施例中， 設(shè)置所述紋膜凹槽的寬度范圍為0.4 μ m-10 μ m，包括端點(diǎn)值；所述紋膜凹槽的深度范圍為 0· 1 μ m-20 μ m,包括端點(diǎn)值；所述紋膜凹槽的間距為0· 4μ m-10 μ m,包括端點(diǎn)值。
[0042] 由于所述振膜四周區(qū)域固定在所述第一絕緣層上，所述振動(dòng)區(qū)域懸空，導(dǎo)致振動(dòng) 區(qū)域的四周部分與中間部分受到的張力不均勻，這會(huì)導(dǎo)致四周受到的張力較大，當(dāng)其振動(dòng) 時(shí)，中間部分的振動(dòng)幅度大于四周部分，從而使得振膜3與背極5之間的聲壓不均勻。通過 設(shè)置所述環(huán)狀紋膜凹槽，能夠分散所述振膜3靠近所述第一絕緣層2區(qū)域的張力，使得振動(dòng) 區(qū)域四周部分的振動(dòng)幅度靠近其中間部分的振動(dòng)幅度。為了避免所述振膜3在設(shè)置紋膜凹 槽時(shí)破裂，在所述振膜3背面與所述環(huán)狀紋膜凹槽7相對(duì)的設(shè)置有環(huán)狀凸起8。
[0043] 所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有與所述振動(dòng)區(qū)域徑向平行的加強(qiáng)筋9。所述加強(qiáng)筋9用于 進(jìn)一步使得所述振膜3與所述背極5之間的聲壓均勻。
[0044] 通過設(shè)置與所述振動(dòng)區(qū)域徑向平行的加強(qiáng)筋9,當(dāng)所述振膜3振動(dòng)時(shí)，所述加強(qiáng)筋 9能夠分散振動(dòng)方向上的張力，降低振膜3中間部分的振動(dòng)幅度，使得其中間部分與四周部 分的振動(dòng)幅度相同或相近，進(jìn)而使得振膜3與背極5之間具有均勻的電壓，即使得二者之間 的聲壓均勻。
[0045] 所述加強(qiáng)筋9的與所述振動(dòng)區(qū)域的徑向平行，且其延伸方向通過所述振動(dòng)區(qū)域的 圓心，這樣所述加強(qiáng)筋9能夠更好的均衡所述振膜3受到的張力，使得振膜與背極之間的聲 壓更加均勻。
[0046] 在圖2所示實(shí)施方式中，所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有多條加強(qiáng)筋9,所述加強(qiáng)筋9通過 所述振動(dòng)區(qū)域的中心，所述加強(qiáng)筋9相對(duì)于所述中心對(duì)稱，且相鄰兩個(gè)加強(qiáng)筋之間的夾角 相同，以使得振膜平整性好，張力均勻。圖2所示實(shí)施方式優(yōu)選的設(shè)置3條所述加強(qiáng)筋9。
[0047] 參考圖3,圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種MEMS麥克風(fēng)的振|旲的結(jié)構(gòu)不意圖， 在圖3所示實(shí)施方式中，所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有多條加強(qiáng)筋9,所述加強(qiáng)筋9的一端與所述 振動(dòng)區(qū)域的中心重合，任意相鄰兩個(gè)加強(qiáng)筋9之間的夾角相同（以使得振膜平整性好，張力 均勻），任意兩條所述加強(qiáng)筋9不在同一直線。圖3所示實(shí)施方式優(yōu)選的設(shè)置所述加強(qiáng)筋9 條數(shù)為3。
[0048] 參考圖4,圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的又一種MEMS麥克風(fēng)的振|旲的結(jié)構(gòu)不意圖， 在圖4所示實(shí)施方式中，所述加強(qiáng)筋區(qū)域包括：中心圓形區(qū)域A，所述中心圓形區(qū)域A的圓 心為所述振動(dòng)區(qū)域的中心；所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有多條加強(qiáng)筋9,所述加強(qiáng)筋9的一端朝向 所述中心且位于所述圓形區(qū)域A的圓形邊緣，另一端背離所述中心；任意相鄰兩個(gè)加強(qiáng)筋9 之間的夾角相同，以使得振膜平整性好，張力均勻。圖4所示實(shí)施方式優(yōu)選的設(shè)置8條所述 加強(qiáng)筋9。圖4中虛線圓形僅是為了示出所述中心圓形區(qū)域A，在實(shí)際結(jié)構(gòu)中并不存在該虛 線圓形。
[0049] 參考圖5,圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的又一種MEMS麥克風(fēng)的振膜的結(jié)構(gòu)示意圖， 圖5所示實(shí)施方式在圖4的基礎(chǔ)上進(jìn)一步包括：設(shè)置在所述中心圓形區(qū)域的同心圓環(huán)結(jié)構(gòu) 加強(qiáng)筋51。
[0050] 在上述各個(gè)實(shí)施方式中，所述振膜3為圓形，在其他實(shí)施方式中，所述振膜3還可 以為多邊形，如四邊形，八邊形等；所述加強(qiáng)筋9可以是設(shè)置在所述振膜3正面的加強(qiáng)筋凹 槽，所述加強(qiáng)筋凹槽的延伸方向平行于所述聲腔的徑向。為了避免由于設(shè)置所述加強(qiáng)筋凹 槽導(dǎo)致的所述振膜3的均布厚度不均勻，避免其斷裂，所述MEMS麥克風(fēng)還包括：設(shè)置在所 述振膜3的背面與所述加強(qiáng)筋凹槽相對(duì)的振膜凸起12。當(dāng)所述加強(qiáng)筋9為設(shè)置在所述振 膜3正面的加強(qiáng)筋凹槽時(shí)，為了避免由于所述加強(qiáng)筋凹槽導(dǎo)致的振膜3與背極之間的間距 增大，所述MEMS麥克風(fēng)還包括：設(shè)置在所述背極5背面與所述加強(qiáng)筋凹槽相對(duì)的背極凸起 13,為了避免由于設(shè)置所述背極凸起13導(dǎo)致的所述背極5厚度增大，避免背極5的應(yīng)力分 布不均勻，所述MEMS麥克風(fēng)還包括：設(shè)置在所述背極5正面與所述背極凸起13相對(duì)設(shè)置的 背極凹槽14。
[0051] 在本實(shí)施例中，設(shè)置所述加強(qiáng)筋凹槽的寬度范圍為〇.4μπι-1〇μπι，包括端點(diǎn)值； 所述加強(qiáng)筋凹槽的深度范圍為〇. 1 μ m-20 μ m，包括端點(diǎn)值；所述加強(qiáng)筋凹槽之間的間距為 0·4μπι-10μπι，包括端點(diǎn)值。
[0052] 所述第二絕緣層4設(shè)置在所述振膜3與所述第一絕緣層2相對(duì)的區(qū)域表面。所述 第二絕緣層4同樣可以是二氧化硅層或是氮化硅層。
[0053] 所述背極5設(shè)置在所述第二絕緣層4的表面，且覆蓋所述振膜3與所述聲腔6相 對(duì)的區(qū)域，所述背極5與所述振膜3不接觸。所述背極5的形狀與所述振膜3的形狀相匹 配，即二者的外邊緣的形狀結(jié)構(gòu)相同，以便于所述振膜3與所述背極5外邊緣正對(duì)設(shè)置，使 得二者之間的檢測(cè)電容均勻，能夠保證二者之間的聲壓均勻。
[0054] 為了使得所述背極5與所述振膜3在振動(dòng)方向（垂直于振膜的方向）上各處間距 相同或相近，使得二者之間的檢測(cè)電容均勻，保證聲壓的均勻，所述背極5的背面與所述環(huán) 狀紋膜凹槽相對(duì)的區(qū)域設(shè)置有環(huán)狀凸起10。所述背極5正面與所述環(huán)狀凸起10相對(duì)的區(qū) 域設(shè)置有環(huán)狀凹槽11，通過設(shè)置所述環(huán)狀凹槽11，避免由于設(shè)置所述環(huán)狀凸起10導(dǎo)致所述 背極5易斷裂的問題。本申請(qǐng)實(shí)施例所述MEMS麥克風(fēng)還包括：貫穿所述背極5的貫穿孔， 所述貫穿孔用于平衡所述背極5與所述振膜3之間空間的聲壓，便于所述振膜3振動(dòng)。需 要說明的是，本實(shí)施例附圖中并未示出所述貫穿孔，所述貫穿孔在所述背極5上的設(shè)置位 置與個(gè)數(shù)可以根據(jù)需求設(shè)定，在此不做限定。
[0055] 本申請(qǐng)實(shí)施例所述MEMS麥克風(fēng)可以通過設(shè)置與所述振膜徑向平行的加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu) 均衡所述振膜振動(dòng)時(shí)的張力，從而可以使得其在振動(dòng)時(shí)的振動(dòng)幅度均勻性好，從而保證振 膜與背極之間的聲壓均勻性，保證MEMS麥克風(fēng)將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的性能。
[0056] 對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的 一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明 將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一 致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，包括： 基底； 貫穿所述基底的聲腔； 設(shè)置在所述基底正面，位于所述聲腔四周的第一絕緣層； 設(shè)置在所述第一絕緣層表面，且覆蓋與所述聲腔相對(duì)的區(qū)域的設(shè)定形狀的振膜； 設(shè)置在所述振膜表面與所述第一絕緣層相對(duì)區(qū)域的第二絕緣層； 設(shè)置在所述第二絕緣層表面，且覆蓋所述振膜與所述聲腔相對(duì)區(qū)域的背極，所述背極 形狀與所述振膜形狀相匹配； 其中，所述振膜的振動(dòng)區(qū)域包括：加強(qiáng)筋區(qū)域以及包圍所述加強(qiáng)筋區(qū)域的紋膜區(qū)域； 所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有與所述振動(dòng)區(qū)域徑向平行的加強(qiáng)筋；所述紋膜區(qū)域設(shè)置有紋膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有多條加強(qiáng) 筋，所述加強(qiáng)筋通過所述振動(dòng)區(qū)域的中心，所述加強(qiáng)筋相對(duì)于所述中心對(duì)稱，且相鄰兩個(gè)加 強(qiáng)筋之間的夾角相同。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有多條加強(qiáng) 筋，所述加強(qiáng)筋的一端與所述振動(dòng)區(qū)域的中心重合，任意相鄰兩個(gè)加強(qiáng)筋之間的夾角相同， 任意兩條所述加強(qiáng)筋不在同一直線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述加強(qiáng)筋區(qū)域包括：中心圓形 區(qū)域，所述中心圓形區(qū)域的圓心為所述振動(dòng)區(qū)域的中心；所述加強(qiáng)筋區(qū)域設(shè)置有多條加強(qiáng) 筋，所述加強(qiáng)筋的一端朝向所述中心且位于所述圓形區(qū)域的圓形邊緣，另一端背離所述中 心；任意相鄰兩個(gè)加強(qiáng)筋之間的夾角相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，還包括： 設(shè)置在所述中心圓形區(qū)域的同心圓環(huán)結(jié)構(gòu)加強(qiáng)筋。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述加強(qiáng)筋是設(shè)置在所述振膜正 面的加強(qiáng)筋凹槽，所述加強(qiáng)筋凹槽的延伸方向平行于所述振動(dòng)區(qū)域徑向。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述加強(qiáng)筋凹槽的寬度范圍為 0.411111-1(^111，包括端點(diǎn)值；所述加強(qiáng)筋凹槽的深度范圍為0.111111-2(^111，包括端點(diǎn)值 ；所 述加強(qiáng)筋凹槽之間的間距為0. 4 μ m-10 μ m，包括端點(diǎn)值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述紋膜為設(shè)置在所述紋膜區(qū)域 的紋膜凹槽。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述紋膜凹槽的寬度范圍為 0· 4 μ m-10 μ m,包括端點(diǎn)值；所述紋膜凹槽的深度范圍為0· 1 μ m-20 μ m,包括端點(diǎn)值；所述 紋膜凹槽的間距為〇· 4 μ m-10 μ m，包括端點(diǎn)值。
【文檔編號(hào)】H04R19/04GK104105040SQ201410374244
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2014年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月31日
【發(fā)明者】蔡孟錦, 宋青林, 潘昕 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司