提高射頻sim卡在不同手機中性能一致性的裝置及方法
【專利摘要】一種提高射頻SIM卡在不同手機中性能一致性的裝置，包括天線，非接觸前端芯片，簡稱為CLF芯片和安全模塊芯片，其特點在于所述的CLF芯片包括射頻發(fā)射電路，增設阻抗匹配網(wǎng)絡和電壓幅值檢測及判決電路，所述的電壓幅值檢測及判決電路對所述的射頻發(fā)射電路的輸出信號幅值進行檢測，所述的阻抗匹配網(wǎng)絡由等值的電容構(gòu)成。本發(fā)明在CLF芯片中增加以電容陣列形式構(gòu)成的阻抗匹配網(wǎng)絡，增加自動檢測電路，通過上電后的發(fā)射信號幅度檢測，以幅度最大值對應的網(wǎng)絡參數(shù)作為最終參數(shù)，將不同手機中射頻發(fā)射電路的發(fā)射功率調(diào)整到最大，從而降低手機環(huán)境改變對射頻SIM卡無線通信性能的影響。
【專利說明】提高射頻SIM卡在不同手機中性能一致性的裝置及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及射頻SIM卡，特別是一種提高射頻SIM卡在不同手機中性能一致性的方法。
技術(shù)背景
[0002]手機射頻SIM卡是一種能夠進行移動支付的SIM卡，它既有SIM卡的功能，又可實現(xiàn)近距離無線通信。它可以集成公交卡、銀行卡和門禁卡等功能，支付部分日常生活服務，方便市民出行購物。近年來，手機射頻SM卡在國內(nèi)發(fā)展非常迅速，繼中移動推出的2.4G支付卡后，現(xiàn)在運營商及銀聯(lián)又推出了一系列的13.56MHz的射頻SIM卡。
[0003]如圖1所示，手機射頻SM卡一般包括三個部分:天線101，非接觸前端(Contactless Frontend,簡稱為 CLF)芯片 102,安全模塊(Security Element,簡稱為 SE)芯片103。SE芯片103和CLF芯片102處理通過天線101收到的指令，把處理結(jié)果通過天線101再返回去。
[0004]手機SIM卡的面積有限，在一個小的面積上制作一個能適應很多手機環(huán)境的天線101是一個很大的挑戰(zhàn)，而在實際應用中，手機的特性千變?nèi)f化，手機上SM卡卡槽的樣式，手機背蓋的材料，手機電池和SIM卡的相對位置等因素都會嚴重影響天線101的性能。
[0005]天線101性能變化的最大特征參數(shù)，是天線101感值的變化。同一個射頻SM卡安放在不同的手機中時，其天線101感值的變化程度最大可以達到2倍以上。
[0006]當天線101感值的變化時，由
【權(quán)利要求】
1.一種提高射頻SM卡在不同手機中性能一致性的裝置，包括天線(101 )，非接觸前端芯片，簡稱為CLF芯片(102)和安全模塊芯片(103)，其特征在于所述的CLF芯片(102)包括射頻發(fā)射電路(104)，增設阻抗匹配網(wǎng)絡(106)和電壓幅值檢測及判決電路(105)，所述的電壓幅值檢測及判決電路(105)對所述的射頻發(fā)射電路(104)的輸出信號幅值進行檢測，所述的阻抗匹配網(wǎng)絡(106)由等值的電容構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高射頻SIM卡在不同手機中性能一致性的方法，其特征在于所述的阻抗匹配網(wǎng)絡(106)為電容組成的串聯(lián)網(wǎng)絡、并聯(lián)網(wǎng)絡或串并聯(lián)網(wǎng)絡。
3.利用權(quán)利要求1或2所述的提高射頻SIM卡在不同手機中性能一致性的裝置進行性能一致性的調(diào)整方法，其特征在于上電后所述的電壓幅值檢測及判決電路(105)對所述的射頻發(fā)射電路(104)的輸出的發(fā)射信號幅度進行檢測，判斷天線感值的變化，并根據(jù)天線的實際感值選擇合適的網(wǎng)絡參數(shù)，自適應地以幅度最大值對應的阻抗匹配網(wǎng)絡(106)參數(shù)作為最終參數(shù)，使射頻發(fā)射電路發(fā)射的功率最大化。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述的電壓幅值檢測及判決電路(105)根據(jù)天線的實際感值選擇合適的網(wǎng)絡參數(shù)是采用二分法自動搜索最佳匹配電容，具體方法如下: 第一步，搜索范圍P2 e [-0.5,0.7]，02取搜索范圍中的最小值-0.5，記錄此時的電壓幅值為V1 ; 第二步，@2取搜索范 圍中的最大值0.7，記錄此時的電壓幅值V2 ； 第三步，電壓幅值檢測及判決電路(105)比較V1和V2，如果V1大于V2，那么圖5所示的電壓電容曲線111的峰值處在偏左的位置，此時縮窄搜索范圍為P2 e [-0.5,0.1]，同時令最大幅值Vmax=V1 ;如果Vmax等于V2，此時縮窄搜索范圍為P2 G [0.1]，同時令最大幅值Vmax=V1 ;如果V1小于V2，此時縮窄搜索范圍為P2G [0.1, 0.7]，同時令最大幅值Vmax=V2 ； 第四步，根據(jù)第一步到第三步中確定的新的搜索范圍，取其中的最小值，記錄此時的電壓幅值為\; 第五步，根據(jù)第一步到第三步中確定的新的P2搜索范圍，@2取其中的中間值，記錄此時的電壓幅值為Vb ； 第六步，根據(jù)第一步到第三步中確定的新的搜索范圍，0 2取其中的最大值，記錄此時的電壓幅值為Vc ； 第七步，令本次搜索的最大幅值Vmax=Hiax (VA，VB，V。)，并將新的P2縮窄范圍更改為為 e [Vb所對應的P 2取值，max (VA, Vc)所對應的P 2取值]; 重復第四步到第七步，直到P2的取值范圍只剩下唯一一個值為止，此時獲得的P2，final稱為二分法搜索后的最優(yōu)系數(shù)，其對應的電容值C = Ctl(^hfinal),其中Ctl為電容的基準值，即為匹配網(wǎng)絡調(diào)整結(jié)束后CLF芯片實際工作時使用的電容網(wǎng)絡參數(shù)。
【文檔編號】H04B1/38GK103595433SQ201310595048
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年11月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月22日
【發(fā)明者】任文亮, 車文毅 申請人:上海坤銳電子科技有限公司