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Mems芯片的制作方法

文檔序號:7883956閱讀:461來源:國知局
專利名稱:Mems芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及聲電轉(zhuǎn)換器技術(shù)領(lǐng)域,更為具體地,涉及一種麥克風(fēng)用MEMS芯片。
背景技術(shù)
隨著社會的進(jìn)步和技術(shù)的發(fā)展,近年來,隨著手機(jī)、筆記本電腦等電子產(chǎn)品體積不斷減小,人們對這些便攜電子產(chǎn)品的性能要求也越來越高,從而也要求與之配套的電子零件的體積不斷減小、性能和一致性不斷提高。在這種背景下,作為上述便攜電子產(chǎn)品的重要零件之一的麥克風(fēng)產(chǎn)品領(lǐng)域也推出了很多的新型產(chǎn)品,其中以MEMS麥克風(fēng)為代表產(chǎn)品。MEMS麥克風(fēng)中都含有一個MEMS芯片,常規(guī)的MEMS芯片包括基底以及設(shè)置在所述基底上由電極板、隔離墊和一個膜片組成的聲學(xué)傳感元件,所述電極板與所述膜片分別與第一電極和第二電極電連接,這種結(jié)構(gòu)的MEMS芯片,由于膜片常規(guī)設(shè)計是單一結(jié)構(gòu)形式,此種結(jié)構(gòu)在膜片劇烈振動時容易導(dǎo)致膜片破碎或在粘接到電極板上,影響產(chǎn)品的聲學(xué)性能,由此需要設(shè)計一種新型的MEMS芯片。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述問題,本實(shí)用新型的目的是提供一種膜片不易破碎且在振動時不易粘接到電極板上的一種MEMS芯片。本實(shí)用新型的MEMS芯片,包括基底以及設(shè)置在所述基底上以此由電極板、隔離墊和膜片組成的聲學(xué)傳感元件,所述基底上設(shè)有基底孔,所述電極板與所述膜片分別電連接第一電極和第二電極,所述電極板上設(shè)有極板孔,其中,所述膜片上設(shè)有加強(qiáng)固定所述膜片的加強(qiáng)筋,所述基底孔內(nèi)設(shè)有支撐所述電極板的支撐,所述支撐與所述加強(qiáng)筋對應(yīng)設(shè)置。一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述加強(qiáng)筋的數(shù)量為兩條,所述兩條加強(qiáng)筋之間交叉設(shè)置?!N優(yōu)選技術(shù)方案,所述加強(qiáng)筋與所述膜片一體設(shè)置。一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述加強(qiáng)筋端部設(shè)置在所述隔離墊上。一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述基底孔由下向上孔徑逐漸減小,所述基底孔最小尺寸小于所述隔離墊內(nèi)部尺寸。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS芯片,由于MEMS芯片,包括基底以及設(shè)置在所述基底上以此由電極板、隔離墊和膜片組成的聲學(xué)傳感元件,所述電極板與所述膜片分別電連接第一電極和第二電極,其中,所述膜片上設(shè)有加強(qiáng)固定所述膜片的加強(qiáng)筋,所述基底孔內(nèi)設(shè)有支撐所述電極板的支撐,所述支撐與所述加強(qiáng)筋對應(yīng)設(shè)置,由于加強(qiáng)筋的存在增強(qiáng)了膜片的剛性,防止膜片在劇烈振動時導(dǎo)致膜片破碎或粘接到電極板上的現(xiàn)象,確保了膜片的完整性;所述基底孔內(nèi)設(shè)有支撐所述電極板的支撐,通過支撐可以對電極板起到支撐效果,在確保膜片的完整性和對電極板的支撐效果的情況下確保了產(chǎn)品的性能。

[0011]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例MEMS芯片的剖面圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例MEMS芯片的俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例:圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例MEMS芯片的剖面圖;圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例MEMS芯片的俯視圖,如圖1、圖2所示,本實(shí)用新型的MEMS芯片,包括基底I以及設(shè)置在所述基底I上以此由電極板2、隔離墊3和膜片4組成的聲學(xué)傳感元件,所述基底I上設(shè)有基底孔10,所述電極板2與所述膜片4分別電連接第一電極4a和第二電極4b,所述電極板2上設(shè)有極板孔21,其中,所述膜片4上設(shè)有加強(qiáng)固定所述膜片4的加強(qiáng)筋41,增強(qiáng)了膜片的剛性,防止膜片在劇烈振動時導(dǎo)致膜片破碎或粘接到電極板2上的現(xiàn)象;同時在所述基底孔10內(nèi)設(shè)有支撐所述電極板2的支撐11,所述支撐11與所述加強(qiáng)筋41對應(yīng)設(shè)置,對電極板2起到支撐效果。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述加強(qiáng)筋41的數(shù)量為兩條,所述兩條加強(qiáng)筋41之間交叉設(shè)置,具有更強(qiáng)的加強(qiáng)膜片4剛性的效果。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述加強(qiáng)筋41與所述膜片4 一體設(shè)置,一體成型,便于設(shè)計加工。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述加強(qiáng)筋41端部設(shè)置在所述隔離墊3上,具有更好的支撐膜片的效果。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述基底孔10由下向上孔徑逐漸減小,所述基底孔10最小尺寸小于所述隔離墊3內(nèi)部尺寸,便于支撐由電極板2、隔離墊3和膜片4組成的聲學(xué)傳感元件。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS芯片,由于MEMS芯片,包括基底以及設(shè)置在所述基底上以此由電極板、隔離墊和膜片組成的聲學(xué)傳感元件,所述電極板與所述膜片分別電連接第一電極和第二電極,其中,所述膜片上設(shè)有加強(qiáng)固定所述膜片的加強(qiáng)筋,所述基底孔內(nèi)設(shè)有支撐所述電極板的支撐,所述支撐與所述加強(qiáng)筋對應(yīng)設(shè)置,由于加強(qiáng)筋的存在增強(qiáng)了膜片的剛性,防止膜片在劇烈振動時導(dǎo)致膜片破碎或粘接到電極板上的現(xiàn)象,確保了膜片的完整性;所述基底孔內(nèi)設(shè)有支撐所述電極板的支撐,通過支撐可以對電極板起到支撐效果,在確保膜片的完整性和對電極板的支撐效果的情況下確保了產(chǎn)品的性能。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制,在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下,本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種MEMS芯片,包括基底以及設(shè)置在所述基底上以此由電極板、隔離墊和膜片組成的聲學(xué)傳感元件,所述基底上設(shè)有基底孔,所述電極板與所述膜片分別電連接第一電極和第二電極,所述電極板上設(shè)有極板孔,其特征在于:所述膜片上設(shè)有加強(qiáng)固定所述膜片的加強(qiáng)筋,所述基底孔內(nèi)設(shè)有支撐所述電極板的支撐,所述支撐與所述加強(qiáng)筋對應(yīng)設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于:所述加強(qiáng)筋的數(shù)量為兩條,所述兩條加強(qiáng)筋之間交叉設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于:所述加強(qiáng)筋與所述膜片一體設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于:所述加強(qiáng)筋端部設(shè)置在所述隔離墊上。
5.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于:所述基底孔由下向上孔徑逐漸減小,所述基底孔最小尺寸小于所述隔離墊內(nèi)部尺寸。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種MEMS芯片,包括基底以及設(shè)置在所述基底上以此由電極板、隔離墊和膜片組成的聲學(xué)傳感元件,所述電極板與所述膜片分別電連接第一電極和第二電極,所述電極板上設(shè)有極板孔,其中,所述膜片上設(shè)有加強(qiáng)固定所述膜片的加強(qiáng)筋,增強(qiáng)了膜片的剛性,防止膜片在劇烈振動時導(dǎo)致膜片破碎或粘接到電極板上的現(xiàn)象,確保了膜片的完整性;所述基底孔內(nèi)設(shè)有支撐所述電極板的支撐,所述支撐與所述加強(qiáng)筋對應(yīng)設(shè)置,通過支撐可以對電極板起到支撐效果,在確保膜片的完整性和對電極板的支撐效果的前提下確保了產(chǎn)品的性能。
文檔編號H04R19/00GK202957972SQ20122062662
公開日2013年5月29日 申請日期2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月23日
發(fā)明者蔡孟錦 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司
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