專(zhuān)利名稱(chēng)：一種射頻收發(fā)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及衛(wèi)星通信和定位技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于目標(biāo)定位、通信的射頻收發(fā)裝置。
背景技術(shù)：
目前比較常見(jiàn)的定位技術(shù)是利用GPS定位，但是GPS定位信息的使用存在安全因素。為擁有自己的衛(wèi)星定位通信技術(shù)，我國(guó)研發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)北斗一號(hào)系統(tǒng)，該系統(tǒng)是第一代衛(wèi)星通信導(dǎo)航定位系統(tǒng)?！氨倍芬惶?hào)”衛(wèi)星定位系統(tǒng)包括三顆衛(wèi)星(兩顆地球靜止衛(wèi)星800e、140()e，一顆在軌備份衛(wèi)星110. 50e)、中心控制子系統(tǒng)、標(biāo)校子系統(tǒng)、轉(zhuǎn)發(fā)器等部分。具有定位需求的用戶(hù)通過(guò)定位終端與“北斗一號(hào)”衛(wèi)星定位系統(tǒng)之間的信息交互實(shí)現(xiàn)目標(biāo)定位。 現(xiàn)實(shí)應(yīng)用過(guò)程中，通過(guò)“北斗一號(hào)”衛(wèi)星定位系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)定位的過(guò)程包括用戶(hù)終端通過(guò)其射頻收發(fā)裝置向衛(wèi)星定位系統(tǒng)發(fā)送射頻信號(hào)，衛(wèi)星定位系統(tǒng)接收到該射頻信號(hào)后，通過(guò)轉(zhuǎn)發(fā)器將信號(hào)轉(zhuǎn)發(fā)到中心控制子系統(tǒng)，由中心控制子系統(tǒng)進(jìn)行相關(guān)處理后，將結(jié)果返回到衛(wèi)星定位系統(tǒng)，再由衛(wèi)星定位系統(tǒng)的轉(zhuǎn)發(fā)器向用戶(hù)終端發(fā)送處理結(jié)果實(shí)現(xiàn)定位。由此可見(jiàn)，定位效果的好壞以及方便與否等指標(biāo)與射頻收發(fā)裝置的性能具有緊密聯(lián)系?，F(xiàn)有的射頻收發(fā)裝置通常利用ASIC技術(shù)將射頻功能集成到射頻芯片，或者采用分離器件方案將一部分電路進(jìn)行集成。但是，這兩種方案的集成度不高，甚至需要使用多個(gè)設(shè)備共同完成定位通信任務(wù)，使射頻收發(fā)裝置的體積龐大、質(zhì)量重。此外，上述方案還存在諸多缺點(diǎn)，比如受限于目前的工藝水平，射頻芯片性能在寬溫度變化范圍內(nèi)一致性不好，采用ASIC技術(shù)制造射頻芯片的成本較高；不合理的電路架構(gòu)也不能滿(mǎn)足高質(zhì)量衛(wèi)星通信的要求等。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種射頻收發(fā)裝置，以減少現(xiàn)有技術(shù)的射頻收發(fā)裝置的體積龐大的問(wèn)題，從而方便用戶(hù)使用。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻收發(fā)裝置包括低噪聲放大器、功率放大器、上變頻電路、下變頻電路、時(shí)鐘處理變頻本振電路、數(shù)字處理電路、SIM卡電路、對(duì)外接口和電源電路，其中所述低噪聲放大器與下變頻電路連接，功率放大器與上變頻電路連接，上變頻電路、下變頻電路分別與時(shí)鐘處理與變頻本振電路連接，數(shù)字處理電路分別連接上變頻電路、下變頻電路、時(shí)鐘處理變頻本振電路、SIM卡電路和對(duì)外接口。優(yōu)選地，所述低噪聲放大器、功率放大器、上變頻電路、時(shí)鐘處理變頻本振電路和/或電源電路分別通過(guò)金屬腔隔離。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述下變頻電路、數(shù)字處理電路、SM卡電路和對(duì)外接口作為整體通過(guò)金屬腔隔離。[0010]進(jìn)一步優(yōu)選地，通過(guò)鋁質(zhì)金屬腔隔離包括隔離低噪聲放大器的金屬腔和隔離上變頻電路的金屬腔分別位于隔離時(shí)鐘處理變頻本振電路的金屬腔的兩側(cè)，隔離電源電路的金屬腔位于以上三個(gè)金屬腔下部，隔離功率放大器的金屬腔位于隔離下變頻電路、數(shù)字處理電路、SIM卡電路和對(duì)外接口的金屬腔的左上側(cè)。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述金屬腔為鋁質(zhì)金屬腔。優(yōu)選地，所述時(shí)鐘處理變頻本振電路采用溫補(bǔ)壓控晶體振蕩器為基準(zhǔn)頻率，通過(guò)鎖相環(huán)技術(shù)和倍頻技術(shù)產(chǎn)生上變頻電路、下變頻電路和/或數(shù)字處理電路需要的頻率。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述數(shù)字處理電路為數(shù)字基帶芯片。優(yōu)選地，所述低噪聲放大器的噪聲系數(shù)在I. O至I. 2范圍內(nèi)。優(yōu)選地，所述下變頻電路包括兩極混頻器、一級(jí)聲表面濾波器、兩級(jí)中頻放大器、 一級(jí)自動(dòng)增益控制放大器和一級(jí)LC濾波器。優(yōu)選地，所述對(duì)外接口包括TTL電平串行接口和/或RS232標(biāo)準(zhǔn)接口。本申請(qǐng)實(shí)施例將放大器、上變頻電路、下變頻電路、時(shí)鐘處理和變頻本振電路、數(shù)字處理電路、SIM卡電路、對(duì)外接口和電源電路等集成一體。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案電路結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化，集成了射頻收發(fā)裝置的全部功能器件，減少了射頻收發(fā)裝置的體積和重量。此外，本申請(qǐng)實(shí)施例還降低了電源接口與數(shù)據(jù)接口的復(fù)雜度，解決了射頻芯片性能在寬溫度變化下的一致性問(wèn)題，降低了射頻收發(fā)裝置的設(shè)計(jì)難度和成本。

為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本申請(qǐng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)組成圖；圖2為圖I實(shí)施例的信號(hào)流向圖；圖3(a)、(b)為本申請(qǐng)實(shí)施例各組成部分的金屬腔布局圖。
具體實(shí)施方式
為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請(qǐng)中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。為使本申請(qǐng)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。參見(jiàn)圖1，該圖示出了本申請(qǐng)實(shí)施例的射頻收發(fā)裝置的組成結(jié)構(gòu)圖。該射頻收發(fā)裝置包括低噪聲放大器11、功率放大器12、上變頻電路13、下變頻電路14、時(shí)鐘處理變頻本振電路15、數(shù)字處理電路16、SIM卡電路17、對(duì)外接口 18和電源電路19，其中低噪聲放大器11與下變頻電路14連接，功率放大器12與上變頻電路13連接，上變頻電路13、下變頻電路14分別與時(shí)鐘處理變頻本振電路15連接，數(shù)字處理電路16分別連接上變頻電路13、下變頻電路14、時(shí)鐘處理變頻本振電路15、SM卡電路17和對(duì)外接口 18，電源電路19向上述各個(gè)電路供電(注為簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，在圖I中未示出電源電路與其他各電路之間的連接關(guān)系)。上述實(shí)施例中的低噪聲放大器可將通過(guò)天線(xiàn)接收的信號(hào)(比如，2491. 75MHz的北斗衛(wèi)星的廣播信號(hào))進(jìn)行放大處理，產(chǎn)生新的信號(hào)輸入到下變頻電路。低噪聲放大器的電路可采用常規(guī)的放大器電路，但本申請(qǐng)實(shí)施例優(yōu)選采用雙面電路板、表貼器件工藝生產(chǎn)該電路，這樣可更好地控制電路參數(shù)，使放大器的噪聲系數(shù)指標(biāo)控制在I. O到I. 2之間，增益為40dB以上，功耗在60mW以下，從而滿(mǎn)足低噪聲、低功耗的設(shè)計(jì)要求。 上述實(shí)施例中的功率放大器可將上變頻電路輸出的信號(hào)進(jìn)行功率放大,將放大后的信號(hào)通過(guò)天線(xiàn)輻射出去。該功率放大器的參數(shù)控制應(yīng)當(dāng)使放大增益在40dB以上，絕對(duì)輸出功率在40dBm左右。上述實(shí)施例中的下變頻電路可采用常見(jiàn)的變頻電路結(jié)構(gòu)，但本申請(qǐng)實(shí)施例優(yōu)選該下變頻電路由兩極混頻器、一級(jí)聲表面波濾波器、兩級(jí)中頻放大器、一級(jí)自動(dòng)增益控制放大器(AGC)和一級(jí)LC濾波器等組成。下變頻電路還優(yōu)選采用雙面電路板、表貼器件工藝，以便更好地控制各個(gè)器件之間的匹配，最低限度的產(chǎn)生雜散信號(hào)，避免影響接收性能。在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，為滿(mǎn)足相應(yīng)的要求，可采用兩次下變頻處理，接收的信號(hào)經(jīng)過(guò)兩極混頻器、一級(jí)聲表面波濾波器、兩級(jí)中頻放大器、一級(jí)自動(dòng)增益控制放大器(AGC)和一級(jí)LC濾波器，將2491. 75MHz的信號(hào)下變頻至12. 24MHz，最終使12. 24MHz信號(hào)的電壓幅度滿(mǎn)足數(shù)字處理部分的要求(1VP_P)。上述實(shí)施例中的時(shí)鐘處理變頻本振電路可采用常規(guī)的電路，但本申請(qǐng)實(shí)施例優(yōu)選該電路采用溫補(bǔ)壓控晶體振蕩器為基準(zhǔn)頻率，利用鎖相環(huán)技術(shù)和倍頻技術(shù)產(chǎn)生變頻器部分和數(shù)字處理所需要的頻率。溫補(bǔ)壓控晶體振蕩器的頻率基準(zhǔn)可為16. 32MHz。上述電路中還可包括對(duì)溫補(bǔ)壓控晶體振蕩器的電壓進(jìn)行控制的控制部分，采用人工調(diào)節(jié)和數(shù)字部分自動(dòng)調(diào)節(jié)相結(jié)合的調(diào)整方式，使其振蕩頻率始終保持高準(zhǔn)確率。上述實(shí)施例中的上變頻電路可將數(shù)字處理電路輸出的基帶信號(hào)經(jīng)過(guò)門(mén)電路和濾波電路整形，變換為單端雙極性信號(hào)，再經(jīng)過(guò)差分放大器和正交調(diào)制電路將該信號(hào)調(diào)制到需要的發(fā)射頻率，作為功率放大器的輸入。上述實(shí)施例中的數(shù)字處理電路可采用純數(shù)字電路，該數(shù)字電路可使用相對(duì)容易的ASIC技術(shù)實(shí)現(xiàn)集成化。但本申請(qǐng)實(shí)施例優(yōu)選采用國(guó)內(nèi)自主研發(fā)生產(chǎn)的北斗一號(hào)數(shù)字基帶芯片，配合外圍簡(jiǎn)單的輔助器件完成北斗一代數(shù)字信號(hào)的調(diào)制解調(diào)。這種芯片相對(duì)傳統(tǒng)的FPGA加DSP或ARM的方案，功耗和成本可大大降低，且由于使用更少的器件，使整個(gè)裝置更加小型化。上述實(shí)施例中的SIM卡電路可采用三層保密措施，進(jìn)行定位及通信操作時(shí)是一戶(hù)一密、一信一密。本申請(qǐng)實(shí)施例優(yōu)選將SM卡置于通信模塊之中形成SM卡電路，從而便于與數(shù)字處理電路進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，更好地屏蔽其工作期間產(chǎn)生的低頻數(shù)字信號(hào)的輻射。這樣設(shè)計(jì)為手持用戶(hù)終端的設(shè)計(jì)提供了方便，降低了設(shè)計(jì)難度。上述實(shí)施例中的對(duì)外接口部分的電路設(shè)計(jì)，本申請(qǐng)實(shí)施例優(yōu)選采用兩種形式的接口 一是TTL(transistor transistor logic,晶體管-晶體管邏輯)電平串行接口，一般情況下TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯“1”，0V等價(jià)于邏輯“O”，TTL電平串行接口即是利用這種信號(hào)邏輯實(shí)現(xiàn)的電子接口器件；一是RS232的標(biāo)準(zhǔn)接口，這兩種接口可單獨(dú)使用，也可同時(shí)使用，本部分電路與數(shù)字處理電路緊密連接，給手持用戶(hù)終端的設(shè)計(jì)提供了方便。上述實(shí)施例中的電源部分是保證整個(gè)裝置低功耗工作的重要部分，也使整機(jī)對(duì)外電源接口簡(jiǎn)單化。盡管電源可采用常規(guī)的電源，但本申請(qǐng)實(shí)施例優(yōu)選電源采用低紋波開(kāi)關(guān)電源技術(shù)，外部只需一組電源輸入，從而高效率地產(chǎn)生整機(jī)內(nèi)部各個(gè)電路部分所需要的電源，且電源質(zhì)量滿(mǎn)足高靈敏度接收電路的要求。參見(jiàn)附圖2，該圖示出了上述裝置實(shí)施例信號(hào)的流向。下面結(jié)合該圖對(duì)上述裝置的工作過(guò)程進(jìn)行介紹。本申請(qǐng)實(shí)施例的裝置既可應(yīng)用于目標(biāo)定位，也可應(yīng)用于目標(biāo)通信。當(dāng)應(yīng)用于目標(biāo)定位時(shí)，其工作過(guò)程為用戶(hù)將需要進(jìn)行定位操作的命令信息通過(guò)
對(duì)外接口輸入給上述射頻收發(fā)裝置，經(jīng)射頻收發(fā)裝置的數(shù)字處理電路處理后輸入到上變頻電路，再經(jīng)功率放大器放大后經(jīng)由天線(xiàn)輻射到空中。北斗衛(wèi)星定位系統(tǒng)接收到該射頻收發(fā)裝置發(fā)送的信號(hào)后，將其轉(zhuǎn)發(fā)到衛(wèi)星地面總站。衛(wèi)星地面總站解析定位命令信息，并根據(jù)相應(yīng)公式進(jìn)行測(cè)算確定目標(biāo)位置，然后，將測(cè)算結(jié)果及收信方SIM卡號(hào)等信息整合后發(fā)往北斗衛(wèi)星定位系統(tǒng)，北斗衛(wèi)星定位系統(tǒng)進(jìn)行信息廣播。該廣播消息中的SIM卡號(hào)對(duì)應(yīng)的主機(jī)經(jīng)天線(xiàn)接收該廣播信息，該廣播信號(hào)經(jīng)低噪聲放大器放大后，經(jīng)過(guò)下變頻處理，將信號(hào)輸入到數(shù)字處理電路進(jìn)行信息解析，最后將實(shí)際的信息通過(guò)對(duì)外接口輸出給用戶(hù)，從而完成目標(biāo)定位操作。當(dāng)應(yīng)用于短報(bào)文通信時(shí)，其工作過(guò)程為用戶(hù)將通信內(nèi)容及收信方SIM卡號(hào)信息通過(guò)對(duì)外接口輸入給上述射頻收發(fā)裝置，經(jīng)射頻收發(fā)裝置的數(shù)字處理處理電路處理后輸入到上變頻電路，經(jīng)功率放大器放大后，通過(guò)天線(xiàn)輻射到空中。北斗衛(wèi)星通信系統(tǒng)接收到該射頻收發(fā)裝置發(fā)送的信號(hào)后，將其轉(zhuǎn)發(fā)到衛(wèi)星地面總站。衛(wèi)星地面總站解析該通信信息，將通信內(nèi)容及收信方SIM卡號(hào)信息再發(fā)往北斗衛(wèi)星通信系統(tǒng)，由北斗衛(wèi)星通信系統(tǒng)進(jìn)行信息廣播。該廣播消息中的SIM卡號(hào)對(duì)應(yīng)的主機(jī)經(jīng)天線(xiàn)接收該廣播信息，該廣播信號(hào)經(jīng)低噪聲放大器放大，再經(jīng)過(guò)下變頻處理，將信號(hào)輸入到數(shù)字處理處理電路進(jìn)行信息解析，最后將實(shí)際的信息通過(guò)對(duì)外接口輸出給用戶(hù)，從而完成通信操作。本申請(qǐng)上述實(shí)施例通過(guò)將放大器、上變頻電路、下變頻電路、時(shí)鐘處理和變頻本振電路、數(shù)字處理電路、SIM卡電路、對(duì)外接口和電源等集成一體，至少可取得如下技術(shù)效果(I)元器件集成度高將低噪聲放大器、下變頻電路、上變頻電路、功率放大器、時(shí)鐘變頻本振處理電路、數(shù)字處理電路(包括SM卡電路)、電源、對(duì)外接口(TTL串口和/或RS232接口)合理的集成到一起。高度集成化給使用者提供了極大的方便。(2)射頻信號(hào)高隔離度用一次成型的鋁制屏蔽結(jié)構(gòu)將以上各部分合理地集成到一起，不僅可保證各個(gè)部分內(nèi)部達(dá)到最好的射頻信號(hào)屏蔽效果，也使整個(gè)射頻收發(fā)裝置對(duì)外產(chǎn)生最少的電磁干擾。(3)接口簡(jiǎn)單(單一電源供電，兩種對(duì)外接口)本申請(qǐng)的射頻收發(fā)裝置對(duì)外僅一組電源，一組RS232接口(或TTL串口、或兩種接口均使用)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。(4)整體功耗低本射頻收發(fā)裝置內(nèi)部電路均可采用極低功耗芯片和優(yōu)化的電路架構(gòu)設(shè)計(jì)，且對(duì)外僅一組電源，內(nèi)部集中電源管理降低了整機(jī)的功耗。[0042]上述裝置實(shí)施例由于集成度高，集成了多個(gè)電路，電路之間存在電磁干擾，為了排除這種電磁干擾對(duì)手持用戶(hù)終端定位、通信等效果的影響，本申請(qǐng)實(shí)施例優(yōu)選對(duì)上述各電路模塊進(jìn)行隔離。參見(jiàn)圖3，該圖示出了本申請(qǐng)實(shí)施例各組成部分的金屬腔布局，其中圖3(a)、3(b)分別不意一個(gè)面板上的金屬腔分布情況。低噪聲放大器、上變頻電路、時(shí)鐘處理變頻本振電路和電源分別通過(guò)金屬腔隔離，隔離低噪聲放大器的金屬腔I和隔離上變頻電路的金屬腔3分別位于隔離時(shí)鐘處理變頻本振電路的金屬腔2的兩側(cè)，隔離電源的金屬腔4位于上述三個(gè)金屬腔(1、2、3)下部；下變頻電路、數(shù)字處理電路、SM卡電路和對(duì)外接口作為整體通過(guò)鋁質(zhì)金屬腔6單獨(dú)隔離，隔離功率放大器的金屬腔5位于隔離下變頻電路、數(shù)字處理電路、SIM卡電路和對(duì)外接口的金屬腔6的左上側(cè)。功率放大器的電磁屏蔽效果和散熱效果對(duì)整個(gè)裝置的正常工作至關(guān)重要，因此，本申請(qǐng)還優(yōu)選將功率放大器不僅置于鋁制金屬腔5內(nèi)，并將產(chǎn)生熱量最大的功放器件直接與金屬外殼緊密接觸，以達(dá)到最好的散熱效果。通過(guò)采取上述措施，本申請(qǐng)實(shí)施例用一次成型的鋁制屏蔽結(jié)構(gòu)將各組成電路合理地集成到一起，不僅保證了各個(gè)電路內(nèi)部達(dá)到最好的射頻信號(hào)屏蔽效果，也使整個(gè)射頻收發(fā) 裝置對(duì)外產(chǎn)生最少的電磁干擾。以上所述僅是本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式
，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本申請(qǐng)?jiān)淼那疤嵯?，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種射頻收發(fā)裝置，其特征在于，該裝置包括低噪聲放大器、功率放大器、上變頻電路、下變頻電路、時(shí)鐘處理變頻本振電路、數(shù)字處理電路、SIM卡電路、對(duì)外接口和電源電路，其中所述低噪聲放大器與下變頻電路連接，功率放大器與上變頻電路連接，上變頻電路、下變頻電路分別與時(shí)鐘處理變頻本振電路連接，數(shù)字處理電路分別連接上變頻電路、下變頻電路、時(shí)鐘處理變頻本振電路、SM卡電路和對(duì)外接口。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述低噪聲放大器、功率放大器、上變頻電路、時(shí)鐘處理變頻本振電路和/或電源電路分別通過(guò)金屬腔隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述下變頻電路、數(shù)字處理電路、SIM卡電路和對(duì)外接口作為整體通過(guò)金屬腔隔離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，通過(guò)金屬腔隔離包括隔離低噪聲放大器的金屬腔和隔離上變頻電路的金屬腔分別位于隔離時(shí)鐘處理變頻本振電路的金屬腔的兩偵牝隔離電源電路的金屬腔位于以上三個(gè)金屬腔下部，隔離功率放大器的金屬腔位于隔離下變頻電路、數(shù)字處理電路、SM卡電路和對(duì)外接口的金屬腔的左上側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任何一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述金屬腔為鋁質(zhì)金屬腔。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述時(shí)鐘處理變頻本振電路采用溫補(bǔ)壓控晶體振蕩器為基準(zhǔn)頻率，通過(guò)鎖相環(huán)技術(shù)和倍頻技術(shù)產(chǎn)生上變頻電路、下變頻電路和/或數(shù)字處理電路需要的頻率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述數(shù)字處理電路為數(shù)字基帶芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述低噪聲放大器的噪聲系數(shù)在I.O至I.2范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述下變頻電路包括兩極混頻器、一級(jí)聲表面濾波器、兩級(jí)中頻放大器、一級(jí)自動(dòng)增益控制放大器和一級(jí)LC濾波器。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述對(duì)外接口包括TTL電平串行接口和/或RS232標(biāo)準(zhǔn)接口。
專(zhuān)利摘要本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種射頻收發(fā)裝置。該裝置包括低噪聲放大器、功率放大器、上變頻電路、下變頻電路、時(shí)鐘處理變頻本振電路、數(shù)字處理電路、SIM卡電路、對(duì)外接口和電源，其中所述低噪聲放大器與下變頻電路連接，功率放大器與上變頻電路連接，上變頻電路、下變頻電路分別與時(shí)鐘處理變頻本振電路連接，數(shù)字處理電路分別連接上變頻電路、下變頻電路、時(shí)鐘處理與變頻本振電路、SIM卡電路和對(duì)外接口連接。本申請(qǐng)實(shí)施例集成度高，減少了射頻收發(fā)裝置的體積、重量，降低了手持用戶(hù)終端的設(shè)計(jì)難度。
文檔編號(hào)H04B1/40GK202634421SQ20122026848
公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月7日
發(fā)明者王錦, 閆立偉, 呂貴濤, 陳實(shí), 董衛(wèi)列 申請(qǐng)人:北京星遠(yuǎn)隆興電子科技有限責(zé)任公司