專利名稱：一種手機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及手機(jī)近距離無線通訊技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種手機(jī)。
背景技術(shù)：
NFC (Near Field Communication，近距離無線通訊技術(shù))越來越普及于人們?nèi)粘Ｉ町?dāng)中，用戶利用NFC能夠方便快捷地進(jìn)行近距離的無線通訊，通常用于小額的電子支付，例如公交卡。手機(jī)作為人們?nèi)粘ｋS身攜帶的通訊工具，將NFC功能集成在手機(jī)上，能夠大大地提升用戶體驗(yàn)使用NFC的功能?，F(xiàn)有技術(shù)的具有NFC功能的手機(jī)均設(shè)置有SIM卡卡槽，NFC智能卡可插入至SIM 卡卡槽中，使得手機(jī)可擴(kuò)展NFC功能，但，在現(xiàn)有技術(shù)中，僅采用電源管理芯片對(duì)SIM卡卡槽進(jìn)行供電，因此，在手機(jī)正常工作時(shí)，能保證插入至SIM卡卡槽中的NFC智能卡能正常工作， 但，在手機(jī)處于關(guān)機(jī)狀態(tài)下，由于電源管理芯片停止工作，因此，插入至SIM卡卡槽中的NFC 智能卡不能獲取有效供電，從而不能實(shí)現(xiàn)卡模擬功能。因此，亟需提供一種手機(jī)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中具有NFC功能的手機(jī)不能在手機(jī)關(guān)機(jī)時(shí)實(shí)現(xiàn)卡模擬功能的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種手機(jī)，以解決上述技術(shù)問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種手機(jī)，包括SIM 卡卡槽，包括電源輸入端，SIM卡卡槽在NFC智能卡插入時(shí)通過電源輸入端向NFC智能卡供電；電源管理芯片，包括電源輸出端，電源輸出端與電源輸入端連接，以在手機(jī)正常工作時(shí)向SIM卡卡槽提供第一供電電壓，并在手機(jī)關(guān)機(jī)時(shí)停止向SIM卡卡槽提供第一供電電壓； 控制電壓輸出端，在手機(jī)正常工作時(shí)輸出控制電壓，在手機(jī)關(guān)機(jī)時(shí)停止輸出控制電壓；NFC 控制芯片，在手機(jī)靠近讀卡器時(shí)，產(chǎn)生使能電壓；低壓差線性穩(wěn)壓器，在使能電壓的控制下輸出第二供電電壓；受控開關(guān)，包括第一端、第二端以及第三端，第一端與低壓差線性穩(wěn)壓器連接，以獲取第二供電電壓，第三端與電源輸入端連接，第二端與控制電壓輸出端連接， 第二端在獲取到控制電壓時(shí)，斷開第一端與第三端，在沒有獲取到控制電壓時(shí)，連接第一端
!=;笛二總勺床^■順。其中，SIM卡卡槽包括第一 SIM卡卡槽以及第二 SIM卡卡槽，第一 SIM卡卡槽設(shè)置有第一電源輸入端，第二 SIM卡卡槽設(shè)置有第二電源輸入端，電源管理芯片包括第一電源輸出端和第二電源輸出端，第一電源輸出端連接第一電源輸入端，第二電源輸出端連接第二電源輸入端，受控開關(guān)包括第一受控開關(guān)以及第二受控開關(guān)，第一受控開關(guān)的第一端和第二受控開關(guān)的第一端與低壓差線性穩(wěn)壓器連接，以獲取第二供電電壓，第一受控開關(guān)的第二端和第二受控開關(guān)的第二端與控制電壓輸出端連接，第一受控開關(guān)的第三端連與第一電源輸入端連接，第二受控開關(guān)的第三端與第二電源輸入端連接。其中，第一受控開關(guān)包括第一 P型MOS管和第二 P型MOS管，第一 P型MOS管的柵極連接第二 P型MOS管的柵極，第一 P型MOS管的源極連接第二 P型MOS管的源極，第一 P 型MOS管的漏極為第一受控開關(guān)的第一端，第一 P型MOS管的柵極與第二 P型MOS管的柵極的連接點(diǎn)作為第一受控開關(guān)的第二端，第二 P型MOS管的漏極為第一受控開關(guān)的第三端。其中，第二受控開關(guān)包括第三P型MOS管和第四P型MOS管，第三P型MOS管的柵極連接第四P型MOS管的柵極，第三P型MOS管的源極連接第四P型MOS管的源極，第三P 型MOS管的漏極為第二受控開關(guān)的第一端，第三P型MOS管的柵極與第四P型MOS管的柵極的連接點(diǎn)作為第二受控開關(guān)的第二端，第四P型MOS管的漏極為第二受控開關(guān)的第三端。其中，手機(jī)進(jìn)一步包括第一電阻，第一電阻的第一端與控制電壓輸出端連接，第一電阻的第二端與受控開關(guān)的第二端連接。其中，手機(jī)進(jìn)一步包括第二電阻，第二電阻的第一端與控制電壓輸出端連接，第二電阻的第二端接地。其中，近手機(jī)進(jìn)一步包括電池，電池分別與電源管理芯片以及低壓差線性穩(wěn)壓器連接，以同時(shí)向電源管理芯片以及低壓差線性穩(wěn)壓器供電。本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的手機(jī)在處于正常工作狀態(tài)下向利用電源管理芯片向SIM卡卡槽提供電源，并且在處于關(guān)機(jī)狀態(tài)下利用低壓差線性穩(wěn)壓器為SIM卡卡槽提供電源，從而使得NFC智能卡無論在手機(jī)處于正常工作狀態(tài)下，抑或處于關(guān)機(jī)狀態(tài)下均能正常工作，實(shí)現(xiàn)卡模擬功能。


圖1是本發(fā)明手機(jī)的優(yōu)選實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式首先請(qǐng)參見圖1，圖1是本發(fā)明手機(jī)的優(yōu)選實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的手機(jī)10包括第一 SIM卡卡槽11、第二 SIM卡卡槽12、第一受控開關(guān)13、第二受控開關(guān)14、電源管理芯片15、低壓差線性穩(wěn)壓器16、NFC控制芯片17、電池18、 第一電阻R1、第二電阻R2以及電容Cl。在本實(shí)施例中，第一 SIM卡卡槽11設(shè)置有第一電源輸入端111，以在第一 NFC智能卡(圖未示)插入第一 SIM卡卡槽11時(shí)通過第一電源輸入端111向第一 NFC智能卡供電。 第二 SIM卡卡槽12設(shè)置有第二電源輸入端121，以在第二 NFC智能卡(圖未示)插入第二 SIM卡卡槽12時(shí)通過第二電源輸入端121向第二 NFC智能卡供電。電源管理芯片15包括第一電源輸出端151、第二電源輸出端152、控制電壓輸出端 153以及電源輸入端154。第一電源輸出端151與第一電源輸入端111連接，以在手機(jī)10正常工作時(shí)向第一 SIM卡卡槽11提供第一供電電壓，并在手機(jī)10關(guān)機(jī)時(shí)停止向第一 SIM卡卡槽11提供第一供電電壓。第二電源輸出端152與第二電源輸入端121連接，以在手機(jī)10 正常工作時(shí)向第二 SIM卡卡槽12提供第一供電電壓，并在手機(jī)10關(guān)機(jī)時(shí)停止向第二 SIM 卡卡槽12提供第一供電電壓?？刂齐妷狠敵龆?53在手機(jī)10正常工作時(shí)輸出控制電源， 并在手機(jī)10關(guān)機(jī)時(shí)停止輸出控制電壓。低壓差線性穩(wěn)壓器16 (Low Dropout Regulator, LD0)用于輸出第二供電電壓，其包括IN端口、EN端口、OUT端口以及接地端口，低壓差線性穩(wěn)壓器16的接地端口接地。在本實(shí)施例中，低壓差線性穩(wěn)壓器16的OUT端口輸出的第二供電電壓的最大電壓值為1. 8V。NFC控制芯片17包括SIMMVCC端口以及VDHF端口。其中，NFC控制芯片17的 SIMVCC端口連接低壓差線性穩(wěn)壓器16的EN端口，以在手機(jī)10靠近讀卡器(圖未示)時(shí)產(chǎn)生使能電壓，使得低壓差線性穩(wěn)壓器16在使能電壓的控制下輸出第二供電電壓。NFC控制芯片17的VDHF端口連接電容Cl的一端，電源Cl的另一端接地。在手機(jī)10靠近讀卡器時(shí)，手機(jī)10具有卡模擬功能，讀卡器會(huì)發(fā)出一個(gè)13. 56MHz的磁場，此時(shí)NFC控制芯片17 感應(yīng)到該磁場并且在NFC控制芯片17的VDHF端口會(huì)產(chǎn)生一個(gè)2. 5V的電壓。在本實(shí)施例中，NFC控制芯片17優(yōu)選為PN544芯片，VDHF端口產(chǎn)生的電壓在NFC智能卡作為卡模擬功能時(shí)為NFC控制芯片17供電，在NFC控制芯片17從VDHF端口獲取2. 5V的電壓后，NFC控制芯片17的SIMVCC端口產(chǎn)生使能電壓為1. 8V，并向低壓差線性穩(wěn)壓器16的EN端口提供 5mA的電流。本實(shí)施例的手機(jī)10進(jìn)一步包括電池18，電池18分別與電源管理芯片15的電源輸入端154以及低壓差線性穩(wěn)壓器16的IN端口連接，以同時(shí)向電源管理芯片15以及低壓差線性穩(wěn)壓器16供電。在本實(shí)施例中，電池18為電源管理芯片15提供最低電壓為手機(jī) 10設(shè)定的最小關(guān)機(jī)電壓，為低壓差線性穩(wěn)壓器16供電的最小電壓為2. 6V。因此，在手機(jī)10靠近讀卡器時(shí)，NFC控制芯片17從VDHF端口獲取2. 5V的電壓， 并產(chǎn)生1. 8V的使能電壓至低壓差線性穩(wěn)壓器16的EN端口，使得低壓差線性穩(wěn)壓器16從 OUT端口輸出第二供電電壓。請(qǐng)進(jìn)一步參見圖1，第一受控開關(guān)13包括第一端131、第二端132以及第三端133。 第二受控開關(guān)14包括第一端141、第二端142以及第三端143。其中，第一受控開關(guān)13的第一端131和第二受控開關(guān)14的第一端141與低壓差線性穩(wěn)壓器16的OUT端連接以獲取第二供電電壓。第一受控開關(guān)13的第二端132和第二受控開關(guān)14的第二端142與控制電壓輸出端153連接。第一受控開關(guān)13的第三端133與第一電源輸入端111連接，第二受控開關(guān)14的第三端143與第二電源輸入端121連接。其中，在手機(jī)10正常工作時(shí)，第一受控開關(guān)13的第二端132和第二受控開關(guān)14 的第二端142從控制電壓輸出端153獲取控制電壓，第一受控開關(guān)13的第一端131與第一受控開關(guān)的第三端133斷開連接，第二受控開關(guān)14的第一端141與第二受控開關(guān)的第三端 143斷開連接，此時(shí)，第一 SIM卡卡槽11通過第一電源輸入端111以及第一電源輸出端151 從電源管理芯片15獲取第一供電電壓，第二 SIM卡卡槽12過第二電源輸入端121以及第一電源輸出端152從電源管理芯片15獲取第一供電電壓。而在手機(jī)10處于關(guān)機(jī)狀態(tài)時(shí)，電源管理芯片15停止工作，并停止輸出控制電壓和第一供電電壓，在手機(jī)10靠近讀卡器時(shí)，低壓差線性穩(wěn)壓器16獲取使能信號(hào)，通過OUT端口提供第二供電電壓。第一受控開關(guān)13的第二端132和第二受控開關(guān)14的第二端142停止從控制電壓輸出端153獲取控制電壓，此時(shí)，第一受控開關(guān)13的第一端131與第一受控開關(guān)13的第三端133連接在一起，因此，第一 SIM卡卡槽11通過第一電源輸入端111、第一受控開關(guān)13的第三端133以及第一受控開關(guān)13的第一端131從低壓差線性穩(wěn)壓器16的 OUT端獲取第二供電電壓。同理，第二 SIM卡卡槽12通過第二電源輸入端121、第二受控開關(guān)14的第三端143以及第二受控開關(guān)14的第一端141從低壓差線性穩(wěn)壓器16的OUT端獲取第二供電電壓。因此，無論在手機(jī)10正常工作，抑或是手機(jī)10處于關(guān)機(jī)狀態(tài)，只要手機(jī)10靠近讀卡器，第一 SIM卡卡槽11以及第二 SIM卡卡槽12均可獲得穩(wěn)定的電源輸入，從而保證手機(jī) 10在任何狀態(tài)下均可實(shí)現(xiàn)卡模擬功能。請(qǐng)進(jìn)一步參見圖1，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，手機(jī)10進(jìn)一步設(shè)置有第一電阻Rl 以及第二電阻R2，第一電阻Rl的第一端191與控制電壓輸出端153連接，第一電阻Rl的第二端192與第一受控開關(guān)13的第二端132和第二受控開關(guān)14的第二端142連接，第二電阻R2的第一端193與控制電壓輸出端153連接，第二電阻R2的第二端194接地。第一電阻Rl可起到限流保護(hù)的作用，而第二電阻R2的電阻值設(shè)置為大于IOOkQ，可避免控制電壓輸出端153漏電流過大。值得注意的是第一受控開關(guān)13和第二受控開關(guān)14可由現(xiàn)有技術(shù)中各種受控開關(guān)模塊實(shí)現(xiàn)，如繼電器，模擬開關(guān)等。而在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中第一受控開關(guān)13和第二受控開關(guān)14可均由雙MOS管反接串聯(lián)組成。其中，第一受控開關(guān)13包括第一 P型MOS管Ml和第二 P型MOS管M2。第一 P型 MOS管Ml的柵極連接第二 P型MOS管M2的柵極，第一 P型MOS管Ml的源極連接第二 P型 MOS管M2的源極。第一 P型MOS管Ml的漏極為第一受控開關(guān)13的第一端131，第一 P型 MOS管Ml的柵極與第二 P型MOS管M2的柵極的連接點(diǎn)作為第一受控開關(guān)13的第二端132， 第二 P型MOS管M2的漏極為第一受控開關(guān)13的第三端133。第二受控開關(guān)14包括第三P型MOS管M3和第四P型MOS管M4，第三P型MOS管 M3的柵極連接第四P型MOS管M4的柵極，第三P型MOS管M3的源極連接第四P型MOS管 M4的源極。第三P型MOS管M3的漏極為第二受控開關(guān)14的第一端141，第三P型MOS管 M3的柵極與第四P型MOS管M4的柵極的連接點(diǎn)作為第二受控開關(guān)14的第二端142，第四 P型MOS管M4的漏極為第二受控開關(guān)14的第三端143。其中，第一受控開關(guān)13的工作原理如下第一 P型MOS管Ml的漏極和源極之間可等效為一寄生二極管Dl，因此，在第一 P型MOS管Ml的柵極無論有沒有獲取到控制電壓的情況下，只要低壓差線性穩(wěn)壓器16的OUT端輸出第二工作電壓，該第二工作電壓均可通過第一 P型MOS管Ml的漏極和柵極傳輸至第二 P型MOS管M2的源極。因此，在第二 P型MOS 管M2的源極電壓為第二工作電壓的前提下，只要第二 P型MOS管M2的柵極電壓比第二工作電壓小，即滿足柵級(jí)和源極電壓之差小于OV時(shí)，就可以使得第二 P型MOS管的漏極和源極導(dǎo)通，故在電源管理芯片停止輸出控制電壓，使得第二 P型MOS管M2的柵極電壓不能獲取控制電壓時(shí)，第二 P型MOS管M2的柵極電壓為0V，此時(shí)，第二 P型MOS管的漏極和源極導(dǎo)通，使得第二 P型MOS管M2的漏極可輸出第二工作電壓至第一 SIM卡卡插槽11。同樣地，第二受控開關(guān)14的工作原理與第一受控開關(guān)13 —致，于此不再贅述。由于上述的雙MOS管具有更低的導(dǎo)通電阻，其一般為0. 2歐姆左右，非常適合NFC 智能卡對(duì)電源的要求，因此，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，優(yōu)選采用上述的雙MOS管作為受控開關(guān)。值得注意的是，在本實(shí)施例中，采用了兩個(gè)受控開關(guān)(即第一受控開關(guān)13和第二受控開關(guān)14)以及兩個(gè)SIM卡卡槽(即第一 SIM卡卡槽11和第二 SIM卡卡槽12)的技術(shù)方案作出闡述，但，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可只采用單個(gè)受控開關(guān)以及單個(gè)SIM卡卡槽，使得單個(gè)SIM卡卡槽能夠在手機(jī)10正常工作或處于關(guān)機(jī)狀態(tài)下均能獲取對(duì)應(yīng)的工作電壓。另外，只要低壓差線性穩(wěn)壓器16以及電源管理芯片15的性能允許，也可設(shè)置兩個(gè)以上的受控開關(guān)和SIM卡卡槽，本發(fā)明對(duì)其數(shù)量不不作具體限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員在領(lǐng)會(huì)本發(fā)明思想后均可作出相應(yīng)擴(kuò)展。因此，本發(fā)明的手機(jī)在處于正常工作狀態(tài)下向利用電源管理芯片向SIM卡卡槽提供電源，并且在處于關(guān)機(jī)狀態(tài)下利用低壓差線性穩(wěn)壓器為SIM卡卡槽提供電源，從而使得 NFC智能卡無論在手機(jī)處于正常工作狀態(tài)下，抑或處于關(guān)機(jī)狀態(tài)下均能正常工作，實(shí)現(xiàn)卡模擬功能。以上僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種手機(jī)，其特征在于，包括SIM卡卡槽，包括電源輸入端，所述SIM卡卡槽在NFC智能卡插入時(shí)通過所述電源輸入端向所述NFC智能卡供電；電源管理芯片，包括電源輸出端，所述電源輸出端與所述電源輸入端連接，以在所述手機(jī)正常工作時(shí)向所述SIM卡卡槽提供第一供電電壓，并在所述手機(jī)關(guān)機(jī)時(shí)停止向所述SIM卡卡槽提供所述第一供電電壓；控制電壓輸出端，在所述手機(jī)正常工作時(shí)輸出控制電壓，在所述手機(jī)關(guān)機(jī)時(shí)停止輸出所述控制電壓；NFC控制芯片，在所述手機(jī)靠近讀卡器時(shí)，產(chǎn)生使能電壓；低壓差線性穩(wěn)壓器，在所述使能電壓的控制下輸出第二供電電壓；受控開關(guān)，包括第一端、第二端以及第三端，所述第一端與所述低壓差線性穩(wěn)壓器連接，以獲取所述第二供電電壓，所述第三端與所述電源輸入端連接，所述第二端與所述控制電壓輸出端連接，所述第二端在獲取到所述控制電壓時(shí)，斷開所述第一端與所述第三端，在沒有獲取到所述控制電壓時(shí)，連接所述第一端與所述第三端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手機(jī)，其特征在于，所述SIM卡卡槽包括第一SIM卡卡槽以及第二 SIM卡卡槽，所述第一 SIM卡卡槽設(shè)置有第一電源輸入端，所述第二 SIM卡卡槽設(shè)置有第二電源輸入端，所述電源管理芯片包括第一電源輸出端和第二電源輸出端，所述第一電源輸出端連接所述第一電源輸入端，所述第二電源輸出端連接所述第二電源輸入端，所述受控開關(guān)包括第一受控開關(guān)以及第二受控開關(guān)，所述第一受控開關(guān)的第一端和所述第二受控開關(guān)的第一端與所述低壓差線性穩(wěn)壓器連接，以獲取所述第二供電電壓，所述第一受控開關(guān)的第二端和所述第二受控開關(guān)的第二端與所述控制電壓輸出端連接，所述第一受控開關(guān)的第三端與所述第一電源輸入端連接，所述第二受控開關(guān)的第三端與所述第二電源輸入端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的手機(jī)，其特征在于，所述第一受控開關(guān)包括第一P型MOS管和第二 P型MOS管，所述第一 P型MOS管的柵極連接所述第二 P型MOS管的柵極，所述第一 P 型MOS管的源極連接所述第二 P型MOS管的源極，所述第一 P型MOS管的漏極為所述第一受控開關(guān)的第一端，所述第一 P型MOS管的柵極與所述第二 P型MOS管的柵極的連接點(diǎn)作為所述第一受控開關(guān)的第二端，所述第二 P型MOS管的漏極為所述第一受控開關(guān)的第三端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的手機(jī)，其特征在于，所述第二受控開關(guān)包括第三P型MOS管和第四P型MOS管，所述第三P型MOS管的柵極連接所述第四P型MOS管的柵極，所述第三P 型MOS管的源極連接所述第四P型MOS管的源極，所述第三P型MOS管的漏極為所述第二受控開關(guān)的第一端，所述第三P型MOS管的柵極與所述第四P型MOS管的柵極的連接點(diǎn)作為所述第二受控開關(guān)的第二端，所述第四P型MOS管的漏極為所述第二受控開關(guān)的第三端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手機(jī)，其特征在于，所述手機(jī)進(jìn)一步包括第一電阻，所述第一電阻的第一端與所述控制電壓輸出端連接，所述第一電阻的第二端與所述受控開關(guān)的第二端連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的手機(jī)，其特征在于，所述手機(jī)進(jìn)一步包括第二電阻，所述第二電阻的第一端與所述控制電壓輸出端連接，所述第二電阻的第二端接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手機(jī)，其特征在于，所述手機(jī)進(jìn)一步包括電池，所述電池分別與所述電源管理芯片以及所述低壓差線性穩(wěn)壓器連接，以同時(shí)向所述電源管理芯片以及所述低壓差線性穩(wěn)壓器供電。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種手機(jī)，包括SIM卡卡槽，包括電源輸入端；電源管理芯片，包括電源輸出端，其與電源輸入端連接；控制電壓輸出端，在手機(jī)正常工作時(shí)輸出控制電壓，在手機(jī)關(guān)機(jī)時(shí)停止輸出控制電壓；NFC控制芯片，在手機(jī)靠近讀卡器時(shí)，產(chǎn)生使能電壓；低壓差線性穩(wěn)壓器，在使能電壓的控制下輸出第二供電電壓；受控開關(guān)，其第一端與低壓差線性穩(wěn)壓器連接，第三端與電源輸入端連接，第二端與控制電壓輸出端連接，第二端在獲取到控制電壓時(shí)，斷開第一端與第三端，在沒有獲取到控制電壓時(shí)，連接第一端與第三端。通過以上方式，本發(fā)明的技術(shù)方案可使得NFC智能卡無論在手機(jī)處于正常工作狀態(tài)下，抑或處于關(guān)機(jī)狀態(tài)下均能正常工作，以實(shí)現(xiàn)卡模擬功能。
文檔編號(hào)H04M1/02GK102209129SQ20111014295
公開日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月30日
發(fā)明者楊金華 申請(qǐng)人:惠州Tcl移動(dòng)通信有限公司