專利名稱：一種接收信號強(qiáng)度檢測電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種接收信號強(qiáng)度檢測電路(Receive Signal Strength Indicator，簡稱 RSSI)。
背景技術(shù)：
在無線收發(fā)機(jī)結(jié)構(gòu)中，接收信號強(qiáng)度檢測電路的作用在于檢測鏈路中信號的強(qiáng) 度，將檢測結(jié)果輸出到模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器(A/D)、基帶處理電路，進(jìn)而產(chǎn)生控制信號，調(diào)整鏈 路中相關(guān)模塊(如低噪聲放大器、功率放大器、PGA等)的工作狀態(tài)，確保系統(tǒng)能夠正常的 工作。接收信號強(qiáng)度檢測電路的主要指標(biāo)包括監(jiān)測信號的動態(tài)范圍、對鏈路的影響、線 性、穩(wěn)定性。監(jiān)測信號動態(tài)范圍應(yīng)該盡可能的大，覆蓋鏈路中信號的整個變化范圍。對鏈路 影響應(yīng)該小，不影響鏈路的正常工作。具有優(yōu)良的線性，避免產(chǎn)生檢測誤差。具有好的穩(wěn)定 性，避免電路工作狀態(tài)受外界環(huán)境的影響，如溫度。一般的接收信號強(qiáng)度檢測電路可以根據(jù)信號檢測模式分類，包括峰值檢測、RMS檢 測和功率檢測。峰值檢測是指對接收信號的峰值進(jìn)行檢測。RMS檢測是指對信號的均方根 值進(jìn)行檢測。功率檢測是指對信號的功率(即cffim值)進(jìn)行檢測?；趯?shù)放大器的接收信號強(qiáng)度檢測電路是針對信號的功率檢測，主要是根據(jù) dBm值計算公式
權(quán)利要求1. 一種接收信號強(qiáng)度檢測電路，其特征在于所述接收信號強(qiáng)度檢測電路包括非平衡 源級交叉耦合對電路、局部正反饋負(fù)載電路和輸出端鉗位電路所述非平衡源級交叉耦合對電路包括第一 PMOS晶體管(Ml)、第二 PMOS晶體管(M2)、 第三PMOS晶體管(M3)、第四PMOS晶體管(M4)、第五PMOS晶體管(M5)、第六PMOS晶體管 (M6)、第七PMOS晶體管(M7)；所述局部正反饋負(fù)載電路包括第八NMOS晶體管(M8)、第九NMOS晶體管(M9)、第十 NMOS晶體管(MlO)、第i^一NMOS晶體管(Mil)、第十二NMOS晶體管(M12)、第十三NMOS晶體 管(M13)、第十四NMOS晶體管(M14)、第十五NMOS晶體管(M15)、第十六NMOS晶體管(M16)、 第十七NMOS晶體管(M17)、第十八NMOS晶體管(M18)、第十九NMOS晶體管(M19)、第二十 PMOS晶體管(M20)、第二i^一 PMOS晶體管(M21)、第二十二 NMOS晶體管(M22)、第二十三 NMOS 晶體管(M23)；所述輸出端鉗位電路包括負(fù)載電阻(Rl)、第二十四PMOS晶體管(MM)、運(yùn)算放大器 (OP)和實(shí)現(xiàn)對非平衡源級交叉耦合對電路以及局部正反饋負(fù)載電路的復(fù)制的輸出偏置電 位提供電路R印Ii ca;在非平衡源級交叉耦合對電路中，第一 PMOS晶體管(Ml)和第二 PMOS晶體管(M2)的 柵極接射頻輸入信號的正級，第三PMOS晶體管(M3)和第四PMOS晶體管(M4)的柵極接射 頻輸入信號的負(fù)級；第一 PMOS晶體管(Ml)和第二 PMOS晶體管(IC)的源級接第五PMOS晶 體管(M5)的漏極，第三PMOS晶體管(M3)和第四PMOS晶體管(M4)的源級接第六PMOS晶 體管(M6)的漏極 ’第五PMOS晶體管(M5)、第六PMOS晶體管(M6)、第七PMOS晶體管(M7) 組成電流鏡結(jié)構(gòu)，構(gòu)成提供偏置電流的偏置電路；在局部正反饋負(fù)載電路中，第八NMOS晶體管(M8)和第九NMOS晶體管(M9)的柵極接第 九NMOS晶體管(M9)的漏極，第八NMOS晶體管(M8)的漏極接第二i^一 NMOS晶體管(M21) 的漏極，第九NMOS晶體管(M9)和第十NMOS晶體管(MlO)的漏極接第一 PMOS晶體管(Ml) 的漏極，第十NMOS晶體管(MlO)的柵極接第十二NMOS晶體管(MU)的漏極，第十一NMOS晶 體管(Mil)的柵極接第十NMOS晶體管(MlO)的漏極，第十二 NMOS晶體管(MU)和第十三 NMOS晶體管(M13)的柵極都接第十二 NMOS晶體管(M12)漏極，第十三NMOS晶體管(M13)的 漏極接第二十一 NMOS晶體管(M21)的漏極，第十二 NMOS晶體管(M12)的漏極接第三PMOS 晶體管(M3)的漏極；第十四NMOS晶體管(M14)和第十五NMOS晶體管(M15)的柵極接第十五NMOS晶體管 (M15)漏極，第十四NMOS晶體管(M14)的漏極接第二十NMOS晶體管(M20)的漏極，第十五 NMOS晶體管(MK)和第十六NMOS晶體管(M16)的漏極接第二 PMOS晶體管(IC)的漏極， 第十六NMOS晶體管(M16)的柵極接第十八NMOS晶體管(M18)的漏極，第十七NMOS晶體管 (M17)的柵極接第十五NMOS晶體管(MK)的漏極，第十八NMOS晶體管(M18)和第十九NMOS 晶體管(M19)的柵極都接第十八NMOS晶體管(M18)漏極，第十九NMOS晶體管(M19)的漏 極接第二十NMOS晶體管(M20)的漏極，第十八NMOS晶體管(M12)的漏極接第四PMOS晶體 管(M4)的漏極；第八NMOS晶體管(M8)、第九NMOS晶體管(M9)、第十NMOS晶體管(MlO)、第i^一 NMOS 晶體管(Mil)、第十二 NMOS晶體管(M12)、第十三NMOS晶體管(M13)、第十四NMOS晶體管 (M14)、第十五匪OS晶體管(M15)、第十六匪OS晶體管(M16)第十七匪OS晶體管(M17)和第十八NMOS晶體管(M18)的源極接地；第二十PMOS晶體管(M20)和第二i^一 PMOS晶體管(M21)的柵極都接到第二十PMOS 晶體管(M20)的漏極，第二十PMOS晶體管(M20)和第二i^一 PMOS晶體管(M21)的源極接 電源，第二十PMOS晶體管(M20)的漏極接第十四NMOS晶體管(M14)和第十九NMOS晶體 管(M19)的漏極，第二i^一 PMOS晶體管(M21)的漏極接到第八NMOS晶體管(M8)、第十三 NMOS晶體管(MU)和第二十二 NMOS晶體管(M22)的漏極、第二十二 NMOS晶體管(M22)和 第二十三NMOS晶體管(M23)的柵極都接到第二十二 NMOS晶體管(M22)的漏極，第二十二 NMOS晶體管(M2》和第二十三NMOS晶體管(M23)的源極都接地，第二十三NMOS晶體管 (M23)的漏極接負(fù)載電阻(Rl)和第二十四PMOS晶體管(M24)的漏極；在輸出端鉗位電路中，負(fù)載電阻(Rl) —端接電源，另一端接第二十三NMOS晶體管 (M23)和第二十四PMOS晶體管(MM)的漏極，第二十四PMOS晶體管(MM)的源極接電源， 第二十四PMOS晶體管(M24)的柵極接運(yùn)算放大器(OP)的輸出；運(yùn)算放大器(OP)的正極接 輸出偏置電位提供電路R印Iica的輸出端，運(yùn)算放大器(OP)的負(fù)極接參考電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接收信號強(qiáng)度檢測電路，其特征在于所述運(yùn)算放大器(OP) 包括第二十五PMOS晶體管(M25)、第二十六PMOS晶體管(IC6)、第二十七NMOS晶體管 (M27)、第二十八NMOS晶體管(M27)、第二十九NMOS晶體管(IC9)；第二十五PMOS晶體管 (M25)和第二十六PMOS晶體管(IC6)的源級接電源，第二十五PMOS晶體管(M2Q和第 二十六PMOS晶體管(IC6)的柵極接第二十五PMOS晶體管(M2Q的漏極，第二十五PMOS晶 體管(M25)的漏極接第二十七PMOS晶體管(M27)的漏極，第二十六PMOS晶體管(IC6)的 漏極和第二十八NMOS晶體管(IC8)的漏極接運(yùn)算放大器(OP)的輸出端，第二十七NMOS晶 體管(M27)和第二十八NMOS晶體管(IC8)的源極接第二十九NMOS晶體管(IC9)的漏極， 第二十九NMOS晶體管(M29)的柵極接偏置BIAS，第二十九NMOS晶體管(M29)的源極接地。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種接收信號強(qiáng)度檢測電路，包括非平衡源級交叉耦合對、局部正反饋負(fù)載和輸出端鉗位電路三部分，在檢測范圍內(nèi)，輸入信號強(qiáng)度和輸出直流電平之間呈線性關(guān)系；通過非平衡源級耦合對電路實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)的對數(shù)放大器功能。并且采用局部正反饋負(fù)載和輸出端鉗位電路與非平衡源級耦合對電路級聯(lián)，優(yōu)化接收信號強(qiáng)度檢測電路的性能。本實(shí)用新型提供的接收信號強(qiáng)度檢測電路，相對于傳統(tǒng)的基于對數(shù)放大器的接收信號強(qiáng)度檢測電路，具有更寬的檢測范圍、更優(yōu)良的線性度、更好的穩(wěn)定性。
文檔編號H04B17/00GK201854285SQ201020539629
公開日2011年6月1日 申請日期2010年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月20日
發(fā)明者吳建輝, 徐毅, 徐震, 竺磊, 陳超 申請人:東南大學(xué)