專利名稱：一種phs手機(jī)及其發(fā)射功率控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及PHS (Personal Handyphone System,個(gè)人手持電話系統(tǒng))系統(tǒng)的 功率控制技術(shù)，特別是一種PHS手機(jī)及其發(fā)射功率控制方法，該P(yáng)HS手機(jī)能夠根據(jù) 接收信號(hào)強(qiáng)度自動(dòng)調(diào)整發(fā)射功率。
背景技術(shù)：
PHS系統(tǒng)采用微蜂窩通信技術(shù)，在發(fā)展初期，大多采用發(fā)射功率為10mW、 20mW 的小功率基站，由于基站覆蓋范圍小，PHS手機(jī)容易出現(xiàn)不同基站間頻繁切換現(xiàn)象， 在越區(qū)切換時(shí)，更易出現(xiàn)切換時(shí)間較長(zhǎng)和掉話現(xiàn)象，嚴(yán)重影響到通話質(zhì)量。為了克 服上述缺陷，后來(lái)開(kāi)始采用發(fā)射功率為200mW和500mW的大功率基站，擴(kuò)大了基站 的覆蓋范圍，改善了通話質(zhì)量。但與此同時(shí)也出現(xiàn)了上下行鏈路不平衡的問(wèn)題。提 高基站的發(fā)射功率大大增強(qiáng)了下行鏈路的性能，與此同時(shí)隨著新技術(shù)、新工藝的應(yīng) 用，PHS手機(jī)的接收靈敏度也有了較大的提高，進(jìn)一步增強(qiáng)了下行鏈路的能力。但 是上行鏈路的性能并沒(méi)有大的改善，PHS手機(jī)的發(fā)射功率還是只有l(wèi)Omw，雖然基站 的接收靈敏度也有所提高，但是相對(duì)于下行鏈路來(lái)說(shuō)，上行鏈路的性能還是略顯不 足。因此在一些小區(qū)的邊緣往往會(huì)出現(xiàn)由于上行鏈路不足而引起的單通、通話斷續(xù)、 掉話、通話音質(zhì)差等問(wèn)題，甚至?xí)霈F(xiàn)有信號(hào)而打不通電話的尷尬局面。
另一方面，由于目前的PHS手機(jī)的發(fā)射功率一般是10mW，在整個(gè)通話過(guò)程中是 固定不變的。當(dāng)PHS手機(jī)距離基站很近，信號(hào)很強(qiáng)的時(shí)候，lOmW的發(fā)射功率顯然是 偏大了，不僅容易對(duì)其他用戶產(chǎn)生千擾，而且增加了 PHS手機(jī)不必要的功耗，白白 浪費(fèi)了電池電量。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述已有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種PHS手機(jī)及
其發(fā)射功率控制方法，該P(yáng)HS手機(jī)能夠根據(jù)接收信號(hào)的強(qiáng)度范圍，時(shí)時(shí)調(diào)整ras手
機(jī)的發(fā)射功率。在弱信號(hào)區(qū)域增加PHS手機(jī)的發(fā)射功率，在較強(qiáng)信號(hào)區(qū)域減少PHS 手機(jī)的發(fā)射功率。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是
一種PHS手機(jī)，包括天線、前端濾波器、天線開(kāi)關(guān)、射頻功率放大器、射頻收 發(fā)芯片、基帶芯片、存儲(chǔ)器和外圍設(shè)備。
所述的天線、前端濾波器、天線開(kāi)關(guān)、射頻功率放大器、射頻收發(fā)芯片、基帶 芯片順次相連，所述的基帶芯片還與所述的存儲(chǔ)器、外圍設(shè)備分別相連，
來(lái)自天線的接收信號(hào)經(jīng)過(guò)所述的前端濾波器和天線開(kāi)關(guān)進(jìn)入到射頻收發(fā)芯片， 經(jīng)過(guò)射頻收發(fā)芯片的下變頻、濾波、放大處理后輸出給基帶芯片；來(lái)自基帶芯片的 發(fā)射信號(hào)經(jīng)過(guò)所述的射頻收發(fā)芯片的濾波、上變頻、放大處理后輸出給射頻功率放 大器，最后經(jīng)過(guò)天線開(kāi)關(guān)和前端濾波器從天線發(fā)射出去。
所述的基帶芯片可以采用Marvell公司的88MC860。
所述的射頻收發(fā)芯片可以采用RDA公司的RM5206A。
所述的射頻功率放大器和天線開(kāi)關(guān)可以采用RDA公司的RDA5215，其增益是
35dB，線性輸出功率達(dá)到23dBm。
一種如上述PHS手機(jī)的發(fā)射功率控制方法，包括以下步驟
步驟30，當(dāng)PHS手機(jī)開(kāi)始通話后，射頻收發(fā)芯片每隔一個(gè)時(shí)間段產(chǎn)生一個(gè)表示
接收信號(hào)強(qiáng)弱的RSSI模擬電壓值給基帶芯片進(jìn)行進(jìn)一步的AD采樣和平滑處理，進(jìn)
入步驟31;
步驟31，基帶芯片判斷RSSI值是否小于門限范圍的下限值L，如果小于下限值 L，則表示當(dāng)前正處于弱信號(hào)區(qū)域，進(jìn)入步驟32，否則進(jìn)入步驟34;
步驟32，基帶芯片判斷當(dāng)前手機(jī)狀態(tài)是否處于小功率發(fā)射狀態(tài)，如果當(dāng)前狀態(tài) 正處于小功率發(fā)射狀態(tài)，則進(jìn)入步驟33;否則，進(jìn)入步驟37;
步驟33，基帶芯片將大功率等級(jí)對(duì)應(yīng)的AGC2值通過(guò)三線串行控制信號(hào)寫入到 射頻收發(fā)芯片內(nèi)，射頻收發(fā)芯片根據(jù)AGC2值相應(yīng)地增加輸出功率，補(bǔ)償上行鏈路的 不足，返回到步驟30;
步驟34，基帶芯片進(jìn)一步對(duì)RSSI值進(jìn)行判斷，如果RSSI值大于門限范圍的上 限值H，則表示當(dāng)前正處于較強(qiáng)信號(hào)區(qū)域，進(jìn)入步驟35;否則，進(jìn)入步驟37;
步驟35，基帶芯片判斷當(dāng)前手機(jī)狀態(tài)是否處于大功率發(fā)射狀態(tài)，如果當(dāng)前狀態(tài) 正處于大功率發(fā)射狀態(tài)，則進(jìn)入步驟36;否則，進(jìn)入步驟37;
步驟36，基帶芯片將小功率等級(jí)對(duì)應(yīng)的AGC1值通過(guò)三線串行控制信號(hào)寫入到 射頻收發(fā)芯片內(nèi)，射頻收發(fā)芯片根據(jù)AGC1值相應(yīng)地減小輸出功率，返回到步驟30;步驟37，保持發(fā)射狀態(tài)不變，返回到步驟30。
所述的PHS手機(jī)具備發(fā)射小功率等級(jí)和大功率等級(jí)兩個(gè)功率等級(jí)的能力，小功 率等級(jí)的發(fā)射功率小于10mW，大功率等級(jí)的發(fā)射功率大于10mW。
所述的兩個(gè)AGC值分別對(duì)應(yīng)兩個(gè)發(fā)射功率等級(jí)，小功率等級(jí)采用AGC1，其對(duì)應(yīng) 的發(fā)射功率為8mW;大功率等級(jí)采用AGC2，其對(duì)應(yīng)的發(fā)射功率為12mW。
所述的下限值L和上限值H相差5dB。
下限值L設(shè)為36dBuV,上限值H設(shè)為41dBuV。
步驟30中所述時(shí)間段是5毫秒。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是
針對(duì)PHS通信系統(tǒng)目前存在的上下行鏈路不平衡的問(wèn)題，以及PHS手機(jī)無(wú)法根 據(jù)接收信號(hào)強(qiáng)弱時(shí)時(shí)調(diào)整發(fā)射功率的問(wèn)題，本發(fā)明從PHS通信系統(tǒng)中的移動(dòng)終端入 手，提出了一種能夠根據(jù)檢測(cè)到的接收信號(hào)強(qiáng)度RSSI值，時(shí)時(shí)調(diào)整發(fā)射功率的PHS 手機(jī)及其發(fā)射功率控制方法。
本發(fā)明所用的PHS手機(jī)不同于目前普通的PHS手機(jī)，在硬件電路上具備發(fā)射小 功率等級(jí)和大功率等級(jí)兩個(gè)功率等級(jí)的能力。本發(fā)明是一種開(kāi)環(huán)功率控制方法，在 PHS手機(jī)通話過(guò)程中，根據(jù)PHS手機(jī)的RSSI(Received Signal Strength Indication: 接收信號(hào)強(qiáng)度指示)值，時(shí)時(shí)調(diào)整PHS手機(jī)的發(fā)射功率，當(dāng)PHS手機(jī)進(jìn)入弱信號(hào)區(qū) 域時(shí)增加發(fā)射功率，當(dāng)ras手機(jī)進(jìn)入較強(qiáng)信號(hào)區(qū)域時(shí)減小發(fā)射功率。
(1) PHS手機(jī)在通話過(guò)程中，會(huì)根據(jù)檢測(cè)到的接收信號(hào)強(qiáng)度RSSI值，時(shí)時(shí)調(diào)
整ras手機(jī)的發(fā)射功率。而普通的ras手機(jī)在通話過(guò)程中發(fā)射功率是固定不變的。
(2) 本發(fā)明采用兩個(gè)發(fā)射功率等級(jí)，控制起來(lái)簡(jiǎn)單有效。小功率等級(jí)的發(fā)射 功率小于10raW，在較強(qiáng)信號(hào)區(qū)域采用小功率等級(jí)，可以有效降低功耗，減小對(duì)其他 用戶的干擾，而不影響通話質(zhì)量。大功率等級(jí)的發(fā)射功率大于10mW，在弱信號(hào)區(qū)域 采用大功率等級(jí)，以彌補(bǔ)上行鏈路的不足，在一定程度上解決了現(xiàn)有PHS通信系統(tǒng) 上下行鏈路不平衡的問(wèn)題。


圖1是本發(fā)明PHS手機(jī)的硬件電路原理框圖； 圖2是本發(fā)明PHS手機(jī)的五個(gè)功能模塊示意圖； 圖3是本發(fā)明方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，但不應(yīng) 以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
如圖i所示，本發(fā)明ras手機(jī)，包括天線、前端濾波器、天線開(kāi)關(guān)、射頻功率 放大器、射頻收發(fā)芯片、基帶芯片、存儲(chǔ)器和外圍設(shè)備。所述的天線、前端濾波器、 天線開(kāi)關(guān)、射頻功率放大器、射頻收發(fā)芯片、基帶芯片順次相連，所述的基帶芯片 還與所述的存儲(chǔ)器、外圍設(shè)備分別相連。
來(lái)自天線的接收信號(hào)經(jīng)過(guò)前端濾波器和天線開(kāi)關(guān)進(jìn)入到射頻收發(fā)芯片，經(jīng)過(guò)射 頻收發(fā)芯片的下變頻、濾波、放大等處理后輸出給基帶芯片進(jìn)一步處理，其中包括 接收信號(hào)強(qiáng)度RSSI值。來(lái)自基帶的發(fā)射信號(hào)經(jīng)過(guò)射頻收發(fā)芯片的濾波、上變頻、放 大等處理后輸出給射頻功率放大器進(jìn)一步放大，最后經(jīng)過(guò)天線開(kāi)關(guān)和前端濾波器從 天線發(fā)射出去。由于該射頻功率放大器具有較大的增益和較大的線性輸出功率，使
得該P(yáng)HS手機(jī)能夠以大于10mW的功率發(fā)射，加上該射頻收發(fā)芯片的輸出功率是 -60dBm -5dBm，該可調(diào)范圍較大，使得該P(yáng)HS手機(jī)具備以小功率等級(jí)和大功率等級(jí) 發(fā)射的能力，而射頻收發(fā)芯片的輸出功率可以由基帶芯片通過(guò)三線串行控制信號(hào)進(jìn) 行時(shí)時(shí)的調(diào)整,從而實(shí)現(xiàn)根據(jù)接收信號(hào)強(qiáng)度RSSI值時(shí)時(shí)調(diào)整PHS手機(jī)的發(fā)射功率。
基帶芯片采用Marvell公司的88MC860，射頻收發(fā)芯片采用RDA公司的RDA5206A， 射頻功率放大器和天線開(kāi)關(guān)采用RDA公司的RDA5215，它是兩個(gè)功能電路集成在一 起的放大模塊，其增益是35dB，線性輸出功率可以達(dá)到23dBm。
圖1中的射頻收發(fā)芯片根據(jù)接收到的來(lái)自天線的信號(hào)經(jīng)過(guò)處理后給出接收信號(hào) 強(qiáng)度RSSI值，這是一個(gè)模擬電壓，RSSI值大表示接收信號(hào)強(qiáng)度較強(qiáng)，RSSI值小表 示接收信號(hào)強(qiáng)度較弱。PHS系統(tǒng)是以時(shí)分多址/時(shí)分雙工(Time Division Multiple Access/Time Division Duplex,簡(jiǎn)稱TDMA/TDD)的方式工作的，每5毫秒為一幀， 每幀分成8個(gè)時(shí)隙， 一般每個(gè)用戶占用其中的一個(gè)發(fā)射時(shí)隙和一個(gè)接收時(shí)隙。這樣， 在通話過(guò)程中，射頻收發(fā)芯片是每隔5毫秒接收一個(gè)時(shí)隙，每個(gè)時(shí)隙為5/8毫秒， 在每個(gè)接收時(shí)隙產(chǎn)生一個(gè)連續(xù)的RSSI模擬電壓值給基帶芯片。目前的PHS射頻收發(fā) 芯片一般都會(huì)提供這樣的RSSI值。
圖1中的基帶芯片對(duì)來(lái)自射頻收發(fā)芯片的RSSI模擬電壓進(jìn)行AD采樣和平滑處 理，然后與存儲(chǔ)器中的RSSI門限范圍值進(jìn)行比較，決定是大功率發(fā)射還是小功率發(fā)射。基帶芯片根據(jù)RSSI門限判決結(jié)果，調(diào)用存儲(chǔ)器中相應(yīng)的AGC (Automatic Gain Control:自動(dòng)增益控制)值，并通過(guò)三線串行控制信號(hào)將AGC值寫到射頻收發(fā)芯片 的發(fā)射增益控制寄存器中，射頻收發(fā)芯片根據(jù)AGC值調(diào)整其內(nèi)部的可變?cè)鲆娣糯笃?br> 和混頻器的增益，輸出相應(yīng)的發(fā)射功率并輸入到后面級(jí)聯(lián)的射頻功率放大器內(nèi)，經(jīng) 射頻功率放大器放大后從天線發(fā)射出去。
圖1中射頻功率放大器必須具備輸出大功率的能力，并且在大功率發(fā)射時(shí)各項(xiàng) 發(fā)射指標(biāo)仍滿足規(guī)范要求。本發(fā)明采用的RDA5215射頻功率放大集成模塊，其增益 是35dB，在其線性工作范圍內(nèi)增益是固定不變的，是通過(guò)改變其輸入功率來(lái)改變其 輸出功率的。RDA5215線性輸出功率可以達(dá)到23dBm，前端濾波器的損耗約ldB，這 樣到達(dá)天線的峰值發(fā)射功率可以達(dá)到22dBm (約160mW)。按照PHS的TDMA/TDD的工 作方式，最大平均發(fā)射功率可以達(dá)到20mW C160mW/8)，而目前一般的PHS手機(jī)平均 發(fā)射功率為10mW。
圖1中的存儲(chǔ)器存放著與功率控制相關(guān)的四個(gè)參數(shù)，其中兩個(gè)是RSSI門限范圍 值，另外兩個(gè)是控制發(fā)射功率的AGC值。
上述這些硬件電路可分為五個(gè)功能模塊，如圖2所示，分別是接收信號(hào)強(qiáng)度
RSSI值檢測(cè)模塊；接收信號(hào)強(qiáng)度RSSI值處理判決模塊；發(fā)射通道增益控制模塊；
射頻功率放大模塊；存儲(chǔ)模塊。本發(fā)明就是將這五個(gè)功能模塊有機(jī)的結(jié)合起來(lái)，在
PHS手機(jī)通話過(guò)程中，根據(jù)PHS手機(jī)接收信號(hào)的強(qiáng)度范圍，時(shí)時(shí)調(diào)整PHS手機(jī)的發(fā) 射功率，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)開(kāi)環(huán)功率控制。其中，接收信號(hào)強(qiáng)度RSSI值檢測(cè)模塊包括射頻收 發(fā)芯片；接收信號(hào)強(qiáng)度RSSI值處理判決模塊包括基帶芯片；發(fā)射通道增益控制模塊 包括基帶芯片、射頻收發(fā)芯片；射頻功率放大模塊包括射頻功率放大器。
PHS手機(jī)要準(zhǔn)確得知接收信號(hào)的強(qiáng)度范圍，并實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的功率控制，射頻參數(shù) 的校準(zhǔn)是必不可少。首先，要準(zhǔn)確得知接收信號(hào)的強(qiáng)度范圍必須對(duì)RSSI值進(jìn)行校準(zhǔn)， 其校準(zhǔn)過(guò)程與普通的PHS手機(jī)并沒(méi)有什么區(qū)別，通過(guò)校準(zhǔn)可以將接收信號(hào)強(qiáng)度和 RSSI值建立一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，這樣在使用過(guò)程中，就可以根據(jù)RSSI值準(zhǔn)確判斷接收 信號(hào)的強(qiáng)度。其次，要準(zhǔn)確發(fā)射所需的功率必須對(duì)AGC值進(jìn)行校準(zhǔn)。普通的PHS手 機(jī)只有一個(gè)AGC值，其對(duì)應(yīng)的發(fā)射功率一般為10mW。本發(fā)明采用兩個(gè)AGC值分別對(duì) 應(yīng)兩個(gè)發(fā)射功率等級(jí)，小功率等級(jí)采用AGC1,其對(duì)應(yīng)的發(fā)射功率為8mW。大功率等 級(jí)采用AGC2，其對(duì)應(yīng)的發(fā)射功率為12mW。校準(zhǔn)的時(shí)候兩個(gè)AGC值必須分別校準(zhǔn)，分 別保存在兩個(gè)寄存器中。每個(gè)PHS手機(jī)在生產(chǎn)時(shí)都會(huì)對(duì)兩個(gè)發(fā)射功率等級(jí)進(jìn)行校準(zhǔn)。RSSI門限范圍的設(shè)定也是很關(guān)鍵的。RSSI門限范圍包括下限值L和上限值H兩 個(gè)值。當(dāng)檢測(cè)到的RSSI值小于下限值L時(shí)，PHS手機(jī)就切換到大功率發(fā)射狀態(tài)；當(dāng) RSSI值大于上限值H時(shí)，PHS手機(jī)就切換到小功率發(fā)射狀態(tài)。RSSI門限范圍的下限 值L不能取的太小，如果下限值L太小，PHS手機(jī)還沒(méi)有切換到大功率發(fā)射狀態(tài)， 通話質(zhì)量已經(jīng)由于上行鏈路的不足而嚴(yán)重惡化，甚至掉話。RSSI門限范圍的上限值 H不能取的太大，如果上限值H太大，PHS手機(jī)在大部分時(shí)間都會(huì)處于大功率發(fā)射狀 態(tài)，甚至在強(qiáng)信號(hào)區(qū)域還處于大功率發(fā)射狀態(tài)，這樣不僅增加PHS手機(jī)的功耗，而 且會(huì)增加對(duì)其他用戶的干擾，而自身的通話質(zhì)量沒(méi)有任何改善。另外，RSSI門限的 下限值L和上限值H的差值，即門限的范圍也很重要。由于空中的PHS信號(hào)往往變 化很快，變化很大，這樣PHS手機(jī)的接收信號(hào)強(qiáng)度RSSI值有可能在門限范圍附近來(lái) 回頻繁變化，如果RSSI的門限范圍取值不當(dāng)，會(huì)造成PHS手機(jī)在大功率發(fā)射狀態(tài)和 小功率發(fā)射狀態(tài)之間頻繁地切換。為避免這種乒乓效應(yīng)，下限值L和上限值H—般 相差5dB。下限值L一般設(shè)為36dBuV，上限值H—般設(shè)為41dBuV。
有了以上幾個(gè)關(guān)鍵的參數(shù)，就可以在通話過(guò)程中對(duì)PHS手機(jī)進(jìn)行自動(dòng)的、準(zhǔn)確 的、時(shí)時(shí)的功率控制了。
如圖3所示，本發(fā)明PHS手機(jī)的發(fā)射功率控制方法，包括以下步驟
步驟30， PHS手機(jī)開(kāi)始通話后，射頻收發(fā)芯片會(huì)在每個(gè)接收時(shí)隙時(shí)時(shí)檢測(cè)PHS手 機(jī)的接收信號(hào)強(qiáng)度RSSI值，即每隔5毫秒產(chǎn)生一個(gè)表示接收信號(hào)強(qiáng)弱的RSSI模擬電壓 值給基帶芯片進(jìn)行進(jìn)一步的AD采樣和平滑處理，進(jìn)入步驟31;
步驟31，基帶芯片判斷RSSI值是否小于門限范圍的下限值L，如果小于下限值 L，則表示當(dāng)前正處于弱信號(hào)區(qū)域，進(jìn)入步驟32，否則進(jìn)入步驟34;
步驟32,基帶芯片判斷當(dāng)前手機(jī)狀態(tài)是否處于小功率發(fā)射狀態(tài)，如果當(dāng)前狀態(tài) 正處于小功率發(fā)射狀態(tài)，則進(jìn)入步驟33;否則，進(jìn)入步驟37;
步驟33，基帶芯片將大功率等級(jí)對(duì)應(yīng)的AGC2值通過(guò)三線串行控制信號(hào)寫入到 射頻收發(fā)芯片內(nèi)的發(fā)射增益控制寄存器中，射頻收發(fā)芯片根據(jù)AGC2值相應(yīng)地提高其 內(nèi)部的可變?cè)鲆娣糯笃骱突祛l器的增益從而增加輸出功率，后面級(jí)聯(lián)的射頻功率放 大器增益不變，輸出功率相應(yīng)增加，最后從天線發(fā)射出去的功率也得到相應(yīng)的增加， 從而可以補(bǔ)償上行鏈路的不足，返回到步驟30;
這里的AGC1和AGC2每個(gè)主板都是不一樣的，是生產(chǎn)線校準(zhǔn)后得到的。比如， 小功率等級(jí)采用8mW，大功率等級(jí)采用12mW，對(duì)應(yīng)的AGC1可能是10200， AGC2可能是10400，不同的主板相同的AGC值對(duì)應(yīng)的發(fā)射功率差別很大的。關(guān)鍵不是AGC的 值，而是校準(zhǔn)時(shí)設(shè)定的兩個(gè)功率等級(jí)8mW和12mW。所以要增加輸出功率時(shí)，就調(diào)用 AGC2，功率就從8mW增加到12mW，減小時(shí)就調(diào)用AGC1，功率就從12mW減小到8mW。
只要將AGC值寫入到射頻收發(fā)芯片內(nèi)，輸出功率自動(dòng)就改變，不用做什么操作。 想發(fā)大功率就寫AGC2，想發(fā)小功率就寫AGC1，其正確性由校準(zhǔn)保證。
步驟34，基帶芯片進(jìn)一步對(duì)RSSI值進(jìn)行判斷，如果RSSI值大于門限范圍的上
限值H，則表示當(dāng)前正處于較強(qiáng)信號(hào)區(qū)域，進(jìn)入步驟35;否則，進(jìn)入步驟37;
步驟35，基帶芯片判斷當(dāng)前手機(jī)狀態(tài)是否處于大功率發(fā)射^t態(tài)，如果當(dāng)前狀態(tài) 正處于大功率發(fā)射狀態(tài)，則進(jìn)入步驟36;否則，進(jìn)入步驟37;
步驟36，基帶芯片將小功率等級(jí)對(duì)應(yīng)的AGC1值通過(guò)三線串行控制信號(hào)寫入到 射頻收發(fā)芯片內(nèi)的發(fā)射增益控制寄存器中，射頻收發(fā)芯片根據(jù)AGC1值相應(yīng)地減小其 內(nèi)部的可變?cè)鲆娣糯笃骱突祛l器的增益從而減小輸出功率，后面級(jí)聯(lián)的射頻功率放 大器增益不變，輸出功率相應(yīng)減小，最后從天線發(fā)射出去的功率也相應(yīng)地減小了， 從而可以降低功耗，減小干擾，返回到步驟30;
步驟37，保持發(fā)射狀態(tài)不變，返回到步驟30。
本發(fā)明PHS手機(jī)具備發(fā)射小功率等級(jí)和大功率等級(jí)兩個(gè)功率等級(jí)的能力，小功 率等級(jí)的發(fā)射功率小于10mW，大功率等級(jí)的發(fā)射功率大于10mW。
本發(fā)明方法采用的RSSI門限范圍，既能保證在上行鏈路性能明顯下降前增加 PHS手機(jī)的發(fā)射功率，以彌補(bǔ)上行鏈路的不足，又能在較強(qiáng)信號(hào)區(qū)域以小功率等級(jí) 發(fā)射，以減少功耗和干擾。而且RSSI門限范圍的上限值和下限值的取值必須能夠防 止PHS手機(jī)在大功率等級(jí)和小功率等級(jí)之間頻繁切換。
本發(fā)明是一種開(kāi)環(huán)功率控制方法，在PHS手機(jī)通話過(guò)程中，根據(jù)PHS手機(jī)的接 收信號(hào)強(qiáng)度RSSI值，時(shí)時(shí)調(diào)整PHS手機(jī)的發(fā)射功率，當(dāng)PHS手機(jī)進(jìn)入弱信號(hào)區(qū)域時(shí) 增加PHS手機(jī)的發(fā)射功率，以補(bǔ)償上行鏈路的不足;當(dāng)PHS手機(jī)進(jìn)入較強(qiáng)信號(hào)區(qū)時(shí) 減小PHS手機(jī)的發(fā)射功率，以減低功耗，減少干擾。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。即凡依 本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍的內(nèi)容所作的等效變化與修飾，都應(yīng)為本發(fā)明的技術(shù)范疇。
權(quán)利要求
1、一種PHS手機(jī)，包括天線、前端濾波器、天線開(kāi)關(guān)、射頻功率放大器、射頻收發(fā)芯片、基帶芯片、存儲(chǔ)器和外圍設(shè)備，其特征在于所述的天線、前端濾波器、天線開(kāi)關(guān)、射頻功率放大器、射頻收發(fā)芯片、基帶芯片順次相連，所述的基帶芯片還與所述的存儲(chǔ)器、外圍設(shè)備分別相連，來(lái)自天線的接收信號(hào)經(jīng)過(guò)所述的前端濾波器和天線開(kāi)關(guān)進(jìn)入到射頻收發(fā)芯片，經(jīng)過(guò)射頻收發(fā)芯片的下變頻、濾波、放大處理后輸出給基帶芯片；來(lái)自基帶芯片的發(fā)射信號(hào)經(jīng)過(guò)所述的射頻收發(fā)芯片的濾波、上變頻、放大處理后輸出給射頻功率放大器，最后經(jīng)過(guò)天線開(kāi)關(guān)和前端濾波器從天線發(fā)射出去。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PHS手機(jī)，其特征在于所述的基帶芯片采用Marvell公司 的88MC860。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PHS手機(jī)，其特征在于所述的射頻收發(fā)芯片采用RDA公司 的RDA5206A。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PHS手機(jī)，其特征在于所述的射頻功率放大器和天線開(kāi)關(guān) 采用RDA公司的RDA5215，其增益是35dB，線性輸出功率達(dá)到23dBm。
5、 一種如權(quán)利要求1 4所述的PHS手機(jī)的發(fā)射功率控制方法，其特征在于包括以 下步驟步驟30，當(dāng)PHS手機(jī)開(kāi)始通話后，射頻收發(fā)芯片每隔一個(gè)時(shí)間段產(chǎn)生一個(gè)表示 接收信號(hào)強(qiáng)弱的RSSI模擬電壓值給基帶芯片進(jìn)行進(jìn)一步的AD采樣和平滑處理，進(jìn) 入步驟31;步驟31，基帶芯片判斷RSSI值是否小于門限范圍的下限值L，如果小于下限值 L，則表示當(dāng)前正處于弱信號(hào)區(qū)域，進(jìn)入步驟32,否則進(jìn)入步驟34;步驟32，基帶芯片判斷當(dāng)前手機(jī)狀態(tài)是否處于小功率發(fā)射狀態(tài)，如果當(dāng)前狀態(tài) 正處于小功率發(fā)射狀態(tài)，則進(jìn)入步驟33;否則，進(jìn)入步驟37;步驟33，基帶芯片將大功率等級(jí)對(duì)應(yīng)的AGC2值通過(guò)三線串行控制信號(hào)寫入到 射頻收發(fā)芯片內(nèi)，射頻收發(fā)芯片根據(jù)AGC2值相應(yīng)地增加輸出功率，補(bǔ)償上行鏈路的 不足，返回到步驟30;步驟34，基帶芯片進(jìn)一步對(duì)RSSI值進(jìn)行判斷，如果RSSI值大于門限范圍的上 限值H，則表示當(dāng)前正處于較強(qiáng)信號(hào)區(qū)域，進(jìn)入步驟35;否則，進(jìn)入步驟37;步驟35,基帶芯片判斷當(dāng)前手機(jī)狀態(tài)是否處于大功率發(fā)射狀態(tài)，如果當(dāng)前狀態(tài)正處于大功率發(fā)射狀態(tài)，則進(jìn)入步驟36;否則，進(jìn)入步驟37;步驟36，基帶芯片將小功率等級(jí)對(duì)應(yīng)的AGC1值通過(guò)三線串行控制信號(hào)寫入到 射頻收發(fā)芯片內(nèi)，射頻收發(fā)芯片根據(jù)AGC1值相應(yīng)地減小輸出功率，返回到步驟30; 步驟37，保持發(fā)射狀態(tài)不變，返回到步驟30。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)射功率控制方法，其特征在于所述的PHS手機(jī)具備發(fā)射 小功率等級(jí)和大功率等級(jí)兩個(gè)功率等級(jí)的能力，小功率等級(jí)的發(fā)射功率小于10mW， 大功率等級(jí)的發(fā)射功率大于10mW。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)射功率控制方法，其特征在于所述的兩個(gè)AGC值分別對(duì) 應(yīng)兩個(gè)發(fā)射功率等級(jí)，小功率等級(jí)采用AGC1，其對(duì)應(yīng)的發(fā)射功率為8mW;大功率等 級(jí)采用AGC2，其對(duì)應(yīng)的發(fā)射功率為12mW。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)射功率控制方法，其特征在于所述的下限值L和上限值 H相差5dB。
9、 根據(jù)權(quán)利要求5或8所述的發(fā)射功率控制方法，其特征在于下限值L設(shè)為36dBuV, 上限值H設(shè)為41dBuV。
10、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)射功率控制方法，其特征在于步驟30中所述時(shí)間段是 5毫秒。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種PHS手機(jī)，包括天線、前端濾波器、天線開(kāi)關(guān)、射頻功率放大器、射頻收發(fā)芯片、基帶芯片、存儲(chǔ)器和外圍設(shè)備。所述的天線、前端濾波器、天線開(kāi)關(guān)、射頻功率放大器、射頻收發(fā)芯片、基帶芯片順次相連，所述的基帶芯片還與所述的存儲(chǔ)器、外圍設(shè)備分別相連。本發(fā)明還公開(kāi)了一種PHS手機(jī)的發(fā)射功率控制方法。該P(yáng)HS手機(jī)能夠根據(jù)接收信號(hào)的強(qiáng)度范圍，時(shí)時(shí)調(diào)整PHS手機(jī)的發(fā)射功率。在弱信號(hào)區(qū)域增加PHS手機(jī)的發(fā)射功率，在較強(qiáng)信號(hào)區(qū)域減少PHS手機(jī)的發(fā)射功率。
文檔編號(hào)H04W52/00GK101409911SQ20081020313
公開(kāi)日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2008年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月21日
發(fā)明者葛良波 申請(qǐng)人:聞泰集團(tuán)有限公司