專利名稱：：一種功率控制的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及功率控制技術(shù)，尤其是指一種功率控制的方法和裝置。
背景技術(shù)：
：為了適應(yīng)移動網(wǎng)絡(luò)中高速數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的需求，在時分同步的碼分多址(TD-SCDMA)系統(tǒng)中引入了上行增強(qiáng)專用信道(E-DCH)。其中，所引入的關(guān)鍵技術(shù)包括自適應(yīng)調(diào)制編碼(AMC)、混合自動重傳請求(HARQ)以及由基站(NodeB)控制的上行快速調(diào)度等技術(shù)。在上述所引入的技術(shù)中，無線網(wǎng)絡(luò)控制器(RNC)—般將對表征參考E-DCH傳輸格式組合(E-TFC)的參考編碼速率和功率偏移進(jìn)行配置，然后將配置好的參考E-TFC發(fā)送給用戶設(shè)備(UE),UE側(cè)將根據(jù)所接收到的參考E-TFC選擇相應(yīng)的E-TFC，使得UE側(cè)所選擇的E-TFC與上述參考E-TFC具有相似的誤塊率(BLER)，從而保證數(shù)據(jù)通信的質(zhì)量。但是，當(dāng)UE所處的環(huán)境與上述參考E-TFC所處的環(huán)境不完全相同時，則UE側(cè)所選擇的E-TFC的BLER可能得不到保證。此時，需要通過外環(huán)功率控制的方法來解決上述問題。在現(xiàn)有技術(shù)中，功率控制技術(shù)按照功控效果可分為內(nèi)環(huán)功率控制和外環(huán)功率控制兩個大類。所述的外環(huán)功率控制，主要用來根據(jù)特定環(huán)境下的服務(wù)質(zhì)量要求，產(chǎn)生內(nèi)環(huán)功率控制所需的SIRTarget;而所述的內(nèi)環(huán)功率控制則主要用來對抗信道衰落和損耗，使得接收端信號的SIR或功率達(dá)到特定的目標(biāo)值。在現(xiàn)有技術(shù)中，可以基于目前的協(xié)議框架中的HARQ屬性組合(profile)中的HARQ功率偏移(poweroffset)來部分解決上述問題。但是，基于HARQpoweroffset的外環(huán)功控方法具有以下缺點(diǎn)(1)調(diào)整的時延比較長，通常為秒級的時延；(2)調(diào)整的范圍較窄，一般為06dB;(3)調(diào)整的步長精度較差，步長的最小單位為ldB。另外，在現(xiàn)有技術(shù)中的寬帶碼分多址頻分雙工(WCDMAFDD)系統(tǒng)中還引入了一種E-DCH外環(huán)功率控制方法。在該方法中，RNC可通過改變專用物理控制信道(DPCCH)的目標(biāo)信干比(SIRTarget)的方式來使得UE側(cè)所選擇的E-TFC與上迷參考E-TFC具有相似的誤塊率。但是，由于TD-SCDMA系統(tǒng)與上述WCDMAFDD系統(tǒng)在E-DCH上存在較大差異，且在TD-SCDMA系統(tǒng)中不存在DPCCH，而是以發(fā)射功率(Pe-base)的閉環(huán)分量代替DPCCH。因此，上述WCDMAFDD系統(tǒng)中的基于DPCCH的SIRTarget的外環(huán)功率控制方法并不適用于TD-SCDMA系統(tǒng)。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明實施例的主要目的在于提供一種功率控制的方法和裝置，從而提高外環(huán)功率控制的精度。為達(dá)到上迷目的，本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的一種功率控制的方法，該方法包括根據(jù)基站發(fā)送的混合自動重傳請求信息計算殘留誤塊率；根據(jù)所述殘留誤塊率以及預(yù)設(shè)的誤塊率門限值調(diào)整目標(biāo)信干比；將調(diào)整后的目標(biāo)信干比發(fā)送給基站；基站將所接收到的調(diào)整后的目標(biāo)信干比用于對增強(qiáng)的上行物理信道的發(fā)射功率進(jìn)行內(nèi)環(huán)功率控制。本發(fā)明的實施例中還提供了一種功率控制裝置，該裝置包括計算模塊、調(diào)整模塊和發(fā)送模塊；所述計算模塊，用于根據(jù)基站發(fā)送的混合自動重傳請求信息計算殘留誤塊率；將所述殘留誤塊率傳輸給所述調(diào)整模塊；所述調(diào)整模塊，用于根據(jù)所述殘留誤塊率以及預(yù)設(shè)的誤塊率門限值調(diào)整目標(biāo)信干比；將調(diào)整后的目標(biāo)信干比傳輸給所述發(fā)送模塊；所述發(fā)送模塊，用于將所述調(diào)整后的目標(biāo)信干比發(fā)送給基站。綜上可知，本發(fā)明的實施例中提供了一種功率控制的方法和裝置。在上述的方法和裝置中，由于RNC可根據(jù)NodeB上報的HARQ信息計算殘留BLER,并根據(jù)殘留BLER以及BLER門限調(diào)整SIRTarget,并通過將調(diào)整后的SIRTarget發(fā)送給NodeB，由NodeB根據(jù)該調(diào)整后的SIRTarget使得UE側(cè)所選擇的E-TFC的BLER與參考E-TFC的BLER具有相似的誤塊率，從而提高了外環(huán)功率控制的精度，更好地保證了外環(huán)功率控制的收斂性。圖1為本發(fā)明實施例中功率控制的方法的流程圖。圖2為本發(fā)明實施例中功率控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)表達(dá)得更加清楚明白，下面結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明再作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。圖1為本發(fā)明實施例中功率控制的方法的流程圖。如圖l所示，本發(fā)明實施例中功率控制的方法包括如下所述的步驟步驟101，RNC根據(jù)NodeB發(fā)送的HARQ信息計算殘留BLER。在本發(fā)明的實施例中，NodeB將向RNC上報E-DCH數(shù)據(jù)幀中的HARQ信息，該HARQ信息至少包括HARQ失敗指示信息，還可以包括HARQ成功時的重傳次數(shù)等信息。RNC根據(jù)所接收到的上述HARQ信息，可計算出媒體接入控制實體-d流(MAC-dflow)在每次傳輸中的殘留BLER，其中，可用參數(shù)W丄五i(/)來表示進(jìn)行第/次傳輸時的殘留BLER，則進(jìn)行第/次傳輸時的殘留BLER可通過如下所述的公式進(jìn)行計算I,.)=(1)其中，n表示進(jìn)行第/次傳輸時發(fā)生傳輸錯誤的MAC-es實體協(xié)議數(shù)據(jù)單元(MAC-esPDU)的個數(shù)；m表示進(jìn)行第/次傳輸時正確傳輸?shù)腗AC-esPDU的個數(shù)。上述的n和m可從上述NodeB所發(fā)送的HARQ信息中獲得。步驟102,RNC根據(jù)所述殘留BLER以及預(yù)設(shè)的BLER門限值調(diào)整SIRTarget。在本發(fā)明的實施例中，RNC將根據(jù)上述計算的MAC-esPDU的殘留BLER,并利用殘留BLER與預(yù)先設(shè)置BLER門限值的關(guān)系，對SIRTarget的值做相應(yīng)的調(diào)整，具體的調(diào)整方法如下所述1)如果上述MAC-esPDU的殘留BLER大于或等于預(yù)設(shè)的BLER門限值，則增大SIRTarget;2)如果上述MAC-esPDU的殘留BLER小于預(yù)設(shè)的BLER門限值，則減小SIRTarget。步驟103，RNC將調(diào)整后的SIRTarget發(fā)送給NodeB。由于目前的用戶面協(xié)議中，不支持RNC將SIRTarget發(fā)送給NodeB，且在現(xiàn)有的控制面協(xié)議中，NodeB也無法從RNC接收上述SIRTarget。因此，在本發(fā)明的實施例中，將對現(xiàn)有的3GPTS25.331協(xié)議中的外環(huán)功率控制幀的結(jié)構(gòu)進(jìn)行修改，增加相應(yīng)的標(biāo)志位，使得NodeB可根據(jù)該標(biāo)志位獲知該控制幀中所攜帶的SIRTarget。例如，在本發(fā)明的實施例中，RNC可對一種外環(huán)功率控制幀，即幀協(xié)議(FP)幀的結(jié)構(gòu)進(jìn)行修改，增加相應(yīng)的標(biāo)志位，并通過修改后的FP幀(即增加了相應(yīng)標(biāo)志位的FP幀)將調(diào)整后的SIRTarget發(fā)送給NodeB。上述對FP幀的結(jié)構(gòu)進(jìn)行的修改包括1)在3GPTS25.331協(xié)議中的無線資源控制(RRC)信令中攜帶SIRTarget的初始值。例如，可在RRC信令中新增一個增強(qiáng)的上行物理信道(E-PUCH)目標(biāo)信干比信元，并在該信元中攜帶SIRTarget的初始值。該新增的E-PUCH目標(biāo)信干比信元的結(jié)構(gòu)如下表所示表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>2)為了使NodeB能夠識別上述攜帶了SIRTarget初始值的信令，則還需對外環(huán)功控控制幀結(jié)構(gòu)進(jìn)行修改，即在幀結(jié)構(gòu)中加入一個標(biāo)志位。例如，從上述外環(huán)功控控制幀中的32位(bit)空閑位中，選擇一個或多個bit作為標(biāo)志位(Flag)，并通過設(shè)置該標(biāo)志位的值來標(biāo)識該外環(huán)功控控制幀是否應(yīng)用于E-PUCH的外環(huán)功率控制，使得NodeB可根據(jù)該標(biāo)志位的值確認(rèn)是否將該外環(huán)功控控制幀應(yīng)用于E-PUCH的外環(huán)功率控制。例如，可預(yù)先約定，當(dāng)該標(biāo)志位為1個bit時，如果該標(biāo)志位的值為1(即Flag=1)時，則表示該外環(huán)功控控制幀應(yīng)用于E-PUCH;而如果該標(biāo)志位的值為0(即Flag-O)時，則表示該外環(huán)功控控制幀不應(yīng)用于E-PUCH。此外，在本發(fā)明的實施例中，該標(biāo)志位可以是32位(bit)空閑bit中的任意一個或多個bit。通過上述的步驟101~103，RNC可將根據(jù)NodeB所發(fā)送的HARQ信息對SIRTarget進(jìn)行調(diào)整，并將調(diào)整后的SIRTarget發(fā)送給NodeB，從而提高了外環(huán)功率控制的精度。步驟104,NodeB將所接收到的SIRTarget用于對增強(qiáng)的上行物理信道(E-PUCH)的發(fā)射功率(Pe—Base)進(jìn)行內(nèi)環(huán)功率控制。在本發(fā)明的實施例中，可通過上述的步驟101-103所描述的方法產(chǎn)生內(nèi)環(huán)功率控制所需的SIRTarget,并將該SIRTarget發(fā)送給NodeB，從而使得NodeB可根據(jù)該SIRTarget對E-PUCH的發(fā)射功率進(jìn)行內(nèi)環(huán)功率控制。例如，在本發(fā)明的實施例中，NodeB可先檢測來自用戶設(shè)備(UE)的信干比(SIR)，并將所測得的SIR測量值與所接收到的SIRTarget進(jìn)行比較，并根據(jù)比較的結(jié)果形成發(fā)射功率控制(TPC,TranamitPowerControl)比特，然后在下行信道將TPC比特發(fā)送給UE，通知UE調(diào)整其發(fā)射功率，使得UE的SIR逼近SIRTarget,從而使得UE側(cè)所選擇的E-TFC與RNC所配置的參考E-TFC具有相似的誤塊率，達(dá)到功率控制的目的。通過使用上述的功率控制的方法，可使得調(diào)整時延比較短，一般為10毫秒級的時延；調(diào)整的范圍較寬，一般為-8.3dB~17.2dB;調(diào)整的步長精度較高，步長的最小單位為O.ldB。圖2為本發(fā)明實施例中功率控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本發(fā)明實施例中的功率控制裝置包括計算模塊、調(diào)整模塊和發(fā)送模塊。計算模塊，用于根據(jù)基站發(fā)送的混合自動重傳請求信息計算殘留誤塊率；將所述殘留誤塊率傳輸給所述調(diào)整模塊；調(diào)整模塊，用于根據(jù)所述殘留誤塊率以及預(yù)設(shè)的誤塊率門限值調(diào)整目標(biāo)信干比；將調(diào)整后的目標(biāo)信干比傳輸給所述發(fā)送模塊；發(fā)送模塊，用于將所述調(diào)整后的目標(biāo)信干比發(fā)送給基站。其中，所述調(diào)整模塊還包括判斷單元和調(diào)整單元。判斷單元，用于當(dāng)所述殘留誤塊率大于或等于所述誤塊率門限值時，向所述調(diào)整單元發(fā)送增大指令；當(dāng)所述殘留誤塊率小于所述誤塊率門限值時，向所述調(diào)整單元發(fā)送減小指令；調(diào)整單元，用于根據(jù)所接收到的增大指令，增大目標(biāo)信干比，將增大后的目標(biāo)信干比傳輸給所述發(fā)送模塊；根據(jù)所接收到的減小指令，減小目標(biāo)信干比，將減小后的目標(biāo)信干比傳輸給所述發(fā)送模塊。通過使用本發(fā)明實施例中所提供的上述方法和裝置，RNC可根據(jù)NodeB上報的HARQ信息計算殘留BLER，并根據(jù)殘留BLER以及BLER門限調(diào)整SIRTarget,并通過將調(diào)整后的SIRTarget發(fā)送給NodeB，由NodeB根據(jù)該調(diào)整后的SIRTarget使得UE側(cè)所選擇的E-TFC的BLER與參考E-TFC的BLER具有相似的誤塊率，從而提高了外環(huán)功率控制的精度，更好地保證了外環(huán)功率控制的收斂性。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1、一種功率控制的方法，其特征在于，該方法包括根據(jù)基站發(fā)送的混合自動重傳請求信息計算殘留誤塊率；根據(jù)所述殘留誤塊率以及預(yù)設(shè)的誤塊率門限值調(diào)整目標(biāo)信干比；將調(diào)整后的目標(biāo)信干比發(fā)送給基站；基站將所接收到的調(diào)整后的目標(biāo)信干比用于對增強(qiáng)的上行物理信道的發(fā)射功率進(jìn)行內(nèi)環(huán)功率控制。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述殘留誤塊率按照以下的公式進(jìn)行計算+附其中，r5丄五i(/)為進(jìn)行第/次傳輸時的殘留BLER;n為進(jìn)行第/次傳輸時發(fā)生傳輸錯誤的MAC-es實體協(xié)議數(shù)據(jù)單元的個數(shù)；m為進(jìn)行第/次傳輸時正確傳輸?shù)腗AC-es實體協(xié)議數(shù)據(jù)單元的個數(shù)；所述n和m從所述HARQ信息中獲得。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述殘留誤塊率以及預(yù)設(shè)的誤塊率門限值調(diào)整目標(biāo)信干比包括當(dāng)所述殘留誤塊率大于或等于所述誤塊率門限值時，增大目標(biāo)信干比；當(dāng)所述殘留誤塊率小于所述誤塊率門限值時，減小目標(biāo)信干比。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將調(diào)整后的目標(biāo)信干比發(fā)送給基站包括在外環(huán)功率控制幀中增加標(biāo)志位，通過所述增加標(biāo)志位后的外環(huán)功率控制幀將調(diào)整后的目標(biāo)信干比發(fā)送給基站。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，該方法還包括在無線資源控制信令中增加一個增強(qiáng)的上行物理信道目標(biāo)信干比信元，該信元中攜帶目標(biāo)信干比的初始值。6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述在外環(huán)功率控制幀中增力口標(biāo)志位包4舌從所述外環(huán)功控控制幀中的空閑位中，選擇一個或多個位作為標(biāo)志位。7、根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，該方法還包括通過設(shè)置所述標(biāo)志位的值來標(biāo)識所述外環(huán)功控控制幀是否應(yīng)用于增強(qiáng)的上行物理信道的外環(huán)功率控制。8、一種功率控制裝置，其特征在于，該裝置包括計算模塊、調(diào)整模塊和發(fā)送模塊；所述計算模塊，用于根據(jù)基站發(fā)送的混合自動重傳請求信息計算殘留誤塊率；將所述殘留誤塊率傳輸給所述調(diào)整模塊；所述調(diào)整模塊，用于根據(jù)所述殘留誤塊率以及預(yù)設(shè)的誤塊率門限值調(diào)整目標(biāo)信干比；將調(diào)整后的目標(biāo)信干比傳輸給所述發(fā)送模塊；所述發(fā)送模塊，用于將所述調(diào)整后的目標(biāo)信干比發(fā)送給基站。9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)整模塊包括判斷單元和調(diào)整單元；所述判斷單元，用于當(dāng)所述殘留誤塊率大于或等于所述誤塊率門限值時，向所述調(diào)整單元發(fā)送增大指令；當(dāng)所述殘留誤塊率小于所述誤塊率門限值時，向所述調(diào)整單元發(fā)送減小指令；所述調(diào)整單元，用于根據(jù)所接收到的增大指令，增大目標(biāo)信干比，將增大后的目標(biāo)信干比傳輸給所述發(fā)送模塊；根據(jù)所接收到的減小指令，減小目標(biāo)信干比，將減小后的目標(biāo)信干比傳輸給所述發(fā)送模塊。全文摘要本發(fā)明的實施例中公開了一種功率控制的方法，該方法包括根據(jù)基站發(fā)送的混合自動重傳請求信息計算殘留誤塊率；根據(jù)所述殘留誤塊率以及預(yù)設(shè)的誤塊率門限值調(diào)整目標(biāo)信干比；將調(diào)整后的目標(biāo)信干比發(fā)送給基站；基站將所接收到的調(diào)整后的目標(biāo)信干比用于對增強(qiáng)的上行物理信道的發(fā)射功率進(jìn)行內(nèi)環(huán)功率控制。本發(fā)明的實施例中公開了一種功率控制裝置。通過使用上述的方法和裝置，可使得UE側(cè)所選擇的E-TFC的BLER與參考E-TFC的BLER具有相似的誤塊率，從而提高了外環(huán)功率控制的精度，更好地保證了外環(huán)功率控制的收斂性。文檔編號H04B7/005GK101640556SQ200810117350公開日2010年2月3日申請日期2008年7月29日優(yōu)先權(quán)日2008年7月29日發(fā)明者亮王,王偉華,杰金申請人:鼎橋通信技術(shù)有限公司