專利名稱：光模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光通信用的光模塊，特別涉及適于25Ω驅(qū)動的發(fā)送部的光模塊。
背景技術(shù)：
使用半導(dǎo)體激光的光發(fā)送模塊是光纖傳送用的關(guān)鍵設(shè)備之一。伴隨著近年的寬帶網(wǎng)的普及，期望光發(fā)送模塊能夠?qū)崿F(xiàn)高速化，甚至10Gbits/s的位速率的光模塊得到廣泛應(yīng)用。作為適于上述用途的光發(fā)送模塊，要求能夠?qū)崿F(xiàn)良好的發(fā)送波形品質(zhì)的同時，還要求小型、低成本。
在特開2001-308130號公報中，記載了如下模塊，該模塊通過協(xié)調(diào)連接調(diào)制器集成化光源的調(diào)制器和信號線的第一接合線和連接調(diào)制器和匹配電阻的第二接合線的電感的關(guān)系，來實現(xiàn)確保光調(diào)制其的小信號通過特性(S21)中的3dB頻帶和小信號反射特性(S11)的降低的兩立。
另外，在ASIP公司的小冊子“ASIP 1310nm EML TOSA”中記載了利用驅(qū)動阻抗50Ω搭載在終端電阻100Ω的CAN型封裝上的電場吸收型光調(diào)制器集成激光模塊。
為了進一步推進光發(fā)送模塊的小型化，要求其插件采用CAN型封裝。
在使用CAN型封裝時，為了得到良好的發(fā)送波形，必須使驅(qū)動IC的輸出阻抗和驅(qū)動IC與CAN型封裝之間的傳送線路的電阻為20Ω～30Ω。以下說明其理由。CAN型封裝利用玻璃氣密封閉·固定導(dǎo)引栓，在該部分形成同軸線路。因此，其特性電阻通常為20Ω～30Ω?？梢酝ㄟ^使驅(qū)動信號路徑的電阻與氣密封固部分的電阻一致來避免由于多重反射引起的波形惡化。
在特開2001-308130號公報中，在將驅(qū)動阻抗變更為25Ω時，如果按比例將匹配電阻4的電阻值變更為1/2、將第1及第2接合線5、6的電感分別變更為1/2、將光調(diào)制器10的電容值變更為2倍，在理論上可以實現(xiàn)相同的品質(zhì)。與此相對，當(dāng)前使用的幾乎所有光模塊以驅(qū)動阻抗50Ω設(shè)計的。但是，如果在以驅(qū)動阻抗50Ω設(shè)計的光模塊中，將調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光芯片的光調(diào)制器元件的電容變更為2倍，則得不到充分的頻帶，可能引起由于頻帶降低帶來的波形品質(zhì)惡化。
另外，根據(jù)發(fā)明者的檢討，在不使光調(diào)制器的電容值增加而利用適于現(xiàn)有的50Ω驅(qū)動的調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光芯片將驅(qū)動阻抗變更為25Ω、將終端電阻值變更為25Ω、將接合線5、6的電感變更為1/2的情況下，會在小信號通過特性S21中產(chǎn)生大的脈沖峰化，發(fā)送波形惡化。這樣，在迄今為止的技術(shù)中，不能利用以50Ω設(shè)計的調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光芯片在驅(qū)動阻抗為25Ω時實現(xiàn)良好的波形品質(zhì)。
這意味著需要設(shè)計、制造驅(qū)動阻抗25Ω用的調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光。但是，如果考慮設(shè)計費用、生產(chǎn)管理費用等，這意味著調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光芯片的成本增加。為了實現(xiàn)小型、低價格的CAN型光發(fā)送模塊，需要避免其它品種的調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光的開發(fā)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光模塊，該光模塊利用以50Ω用設(shè)計驅(qū)動阻抗的光調(diào)制器元件，在驅(qū)動阻抗為25Ω時也能夠保持發(fā)送波形品質(zhì)良好。另外，本發(fā)明的其它目的在于提供CAN型封裝的光模塊。
本發(fā)明的主題是由輸入電信號的輸入電極、通過輸入電信號調(diào)制激光的光調(diào)制器元件、阻抗匹配用終端電阻元件、連接輸入電極和光調(diào)制器元件的第1連接線、連接光調(diào)制器元件和終端電阻元件的第2連接線、連接輸入電極和終端電阻元件的第3接合線構(gòu)成的光模塊。


圖1是表示本發(fā)明的實施例1的光發(fā)送模塊的主要部分的平面圖。
圖2是本發(fā)明的實施例1的光發(fā)送模塊的主要電路圖。
圖3是表示說明本發(fā)明的實施例1的光調(diào)制器的電容和7.5GHz下的反射系數(shù)的關(guān)系的圖。
圖4是表示說明本發(fā)明的實施例1的反射系數(shù)的頻率依存性的圖。
圖5是表示說明本發(fā)明的實施例的光調(diào)制器的電容和電氣-光通過特性(S21)的3dB頻帶的關(guān)系的圖。
圖6是表示說明本發(fā)明的實施例的光調(diào)制器的電容和過量增益特性的關(guān)系的圖。
圖7是說明本發(fā)明的實施例的特性電阻Z0為25Ω的史密斯圓圖。
圖8是表示本發(fā)明的實施例1的調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光芯片的芯片帶載體的平面圖。
圖9是表示本發(fā)明的實施例1的調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光芯片的芯片帶載體的平面圖。
圖10是表示本發(fā)明的實施例2的光發(fā)送模塊的主要部分的平面圖。
圖11是本發(fā)明的實施例2的光發(fā)送模塊的主要部分電路圖。
具體實施例方式
以下利用實施例參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。
參照圖1圖9對本發(fā)明的實施例1進行說明。在此，圖1是表示本發(fā)明的實施例1的光發(fā)送模塊的主要部分的平面圖。圖2是本發(fā)明的實施例1的光發(fā)送模塊的主要部分和驅(qū)動部的電路圖。圖3是表示說明本發(fā)明的實施例的光調(diào)制器的電容和7.5GHz下的反射系數(shù)的關(guān)系的圖。圖4是表示說明本發(fā)明的實施例的反射系數(shù)的頻率依存性的圖。圖5是表示說明本發(fā)明的實施例的光調(diào)制器的電容和電氣-光通過特性(S21)的3dB頻帶的關(guān)系的圖。圖6是表示說明本發(fā)明的實施例的光調(diào)制器的電容和過量增益特性的關(guān)系的圖。圖7是說明本發(fā)明的實施例的特性電阻Zo為25Ω的史密斯圓圖(Smith chart)。圖8及圖9是表示本發(fā)明的實施例1的調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光芯片的芯片帶載體的平面圖。
首先，利用圖1說明光發(fā)送模塊的構(gòu)成。光發(fā)送模塊100使用CAN型的封裝框體作為框體，符號30是其金屬軸桿，符號29是主要部分搭載用的金屬臺座。在金屬軸桿30上設(shè)有與圓筒狀的貫通孔40、43相通的圓柱裝導(dǎo)引拴39、42，通過封固玻璃41固定它們。在金屬臺座29上搭載有中繼板37和載體基板23。在中繼基板37上設(shè)有傳送線路38。在載體基板23的表面上設(shè)有電阻元件24、接地金屬25、輸入電極27的各圖形，接地金屬25通過柱孔26與載體基板23的里面電極連接。在載體基板23上搭載由半導(dǎo)體芯片22及旁路電容28。
半導(dǎo)體芯片22是在其表面設(shè)有半導(dǎo)體激光二極管元件20及光調(diào)制器元件21的調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光芯片。從半導(dǎo)體激光二極管元件20輸出的連續(xù)激光在經(jīng)過光調(diào)制器元件21后通過圖中沒有示出的結(jié)合透鏡出射到光纖。調(diào)制器元件21通過來自外部驅(qū)動用IC的10Gbits/s的電氣調(diào)制信號將連續(xù)激光調(diào)制成光調(diào)制信號。從半導(dǎo)體激光二極管元件20到圖中沒有示出的光纖的路徑被成為光軸。輸入電極27和電阻元件24分別配置在光軸的其它側(cè)面。
另外，在金屬軸桿30上設(shè)有監(jiān)視用光點二極管36，該光電二極管固定在能夠接收半導(dǎo)體激光二極管元件20的后方輸出光的位置。第1接合線31連接輸入電極27和光調(diào)制器元件21，第2接合線32連接光調(diào)制器元件21和電阻元件24。第3接合線33連接輸入電極27和電阻元件24。另外，載體基板23上的輸入電極27和中繼基板37上的傳送線路38通過帶狀線等低電感連接。傳送線路38和導(dǎo)引拴29通過AuSn合金接合。通過這些構(gòu)成從導(dǎo)引拴39到光調(diào)制器元件21的電信號輸入路徑。半導(dǎo)體激光二極管元件20通過供電用接合線34、35與導(dǎo)引拴42連接，從在此供給直流電流。
利用例如Φ5.6mm的TO-56型的框體等作為CAN型的封裝框體。使用廉價的鐵作為金屬軸桿30、金屬臺座29的材料可以降低成本。中繼基板37及載體基板23利用氧化鋁、氮化鋁等電介質(zhì)材料構(gòu)成。在采用熱傳導(dǎo)率高的氮化鋁做載體基板23時，可以降低從半導(dǎo)體芯片22到金屬臺座29的熱阻抗，利于抑制元件溫度的上升。另外，也可以利用氮化鋁等電介質(zhì)基板和銅鎢等金屬板的粘合基板構(gòu)成載體基板23，該構(gòu)成有利于進一步降低熱阻抗。電阻元件24利用氮化鉭膜構(gòu)成，利用激光修剪將電阻值調(diào)整為50Ω。半導(dǎo)體芯片22采用利用n型Inp基板在其表面形成為分布反饋型激光二極管(DFB-LDDistributed FeedBack Laser Diode)的半導(dǎo)體激光二極管元件20和為電場吸收型調(diào)制器(EAMElectro Absorption Modulator)的光調(diào)制器元件21的芯片。在芯片的表面設(shè)半導(dǎo)體激光二極管元件20和光調(diào)制器元件21的各陽極電極。在以光調(diào)制器元件21的陽極電極為中繼點，利用一根連續(xù)的電線直線形成第1接合線31和第2接合線32時，可以使光調(diào)制器元件21的陽極電極的面積最小，有利于降低元件電容Cmod。具體地講，球焊輸入電極27，在光調(diào)制器元件21的陽極電極不切斷電線而進行焊接，在電阻元件24焊接后切斷電線即可。另外，也可以用相反的順序進行。
半導(dǎo)體芯片22的里面電極作為半導(dǎo)體激光二極管元件20和光調(diào)制器元件21的共通陰極電極。監(jiān)視用光電二極管36的輸出通過其它導(dǎo)引拴(圖中省略)輸出。旁路電容28如果采用以單層的高電介質(zhì)基板構(gòu)成的平行平板型電容，有利用實現(xiàn)小型化。
接著，參照圖2說明電路構(gòu)成。首先，驅(qū)動用IC61輸出的電氣調(diào)制信號通過外部傳送線路60輸入給載體基板23的輸入電極27。驅(qū)動用IC61的輸出電阻為25Ω。傳送線路60由搭載驅(qū)動用IC61的印制電路板上的傳送線路、連接印制線路板和導(dǎo)引拴39的撓性基板上的傳送線路、由貫通孔40和導(dǎo)引拴39以及封固玻璃41構(gòu)成的同軸線路、中繼基板37上的傳送線路38構(gòu)成，各個特性電阻統(tǒng)一為25Ω。R24是電阻元件24的電阻值，L31、L32、L33分別是第1、第2、第3接合線31、32、33的電感值。電氣調(diào)制信號通過這些電路元件輸入給光調(diào)制器元件21的陽極。光調(diào)制器元件21的陰極接地。另一方面，作為偏置電流從外部向半導(dǎo)體激光二極管元件20供給正方向的直流電流I bias，使其輸出激光。通常，為了向電場吸收型調(diào)制器施加反偏置以使其動作，在本實施例中采用-5.2V等負(fù)電源及用于激光元件的+3.3V等正電源兩方。
在本實施例中，Cmod0.4pF，L310.4nH，L320.8nH，L331.2nH，R2450Ω。
接著參照圖3～圖7對本實施例的光發(fā)送模塊的特性進行說明。
如圖3所示，直到特開2001-308130號公報的2根電線，在25Ω驅(qū)動時產(chǎn)生反射系數(shù)S11特性的惡化，通過附加第3接合線，大幅度地改善了反射系數(shù)特性。即使圖4所示的反射系數(shù)S11的頻率依賴性中，也通過附加第3接合線來在0(DC)～12GHz等寬范圍內(nèi)改善了反射系數(shù)，得到了將反射系數(shù)抑制在-15dB以下的效果。另外，如圖5、圖6所示的，3dB頻帶、過剩利增益特性都示出了充分的特性，附加第3接合線可以得到適于驅(qū)動阻抗25Ω的光發(fā)送模塊的特性。根據(jù)圖3、圖5及圖6，光調(diào)制器的元件電容Cmod在0.35pF～0.60pF的范圍即可。
通過圖7對由于附加第3接合線而帶來的反射系數(shù)S11的抑制效果的原理進行說明。圖7是特性電阻Zo為25Ω的史密斯圓圖，在該史密斯圓圖上分別表示出附加第3接合線前后的反射系數(shù)S11的軌跡。已往(表示2根線)，在驅(qū)動阻抗50Ω時，通過第1接合線形成的串聯(lián)元件、具有電容性的光調(diào)制元件形成的分流元件、第2接合線形成的串聯(lián)元件對電阻匹配用的終端電阻50Ω構(gòu)成T型的匹配電路，在7.5GHz附近決定各元件的參數(shù)以便接近匹配。其結(jié)果，如圖7所示的，S11的軌跡在該頻率附近接近50Ω，在描繪一次環(huán)形后遠(yuǎn)離50Ω。該環(huán)形對于25Ω處于脫離的點，與25Ω驅(qū)動時的反射系數(shù)S11的惡化對應(yīng)。在本實施例中，通過設(shè)第3接合線來打破T型匹配電路，通過第3接合線使其從輸入看終端電阻為50Ω?？梢钥吹桨l(fā)明者通過該方式消滅了圖7所示的S11軌跡中的環(huán)形，可以在頻率7.5GHz附近向接近25Ω方向改變軌跡。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過該方式可以如以上所述的大幅度改善反射系數(shù)特性。
根據(jù)本實施例1的構(gòu)成，通過使光調(diào)制器元件21的元件電容(Cmod)為0.4pF、第1接合線的電感L31為0.4nH、第2接合線的電感L32為0.8nH、終端電阻值R24為50Ω，可以在設(shè)置圖8所示的第3接合線前的芯片帶載體(chip on carrier)狀態(tài)下，得到適于驅(qū)動阻抗50Ω的光發(fā)送模塊的特性。將7.5GHz下的反射系數(shù)(S11)表示在圖3中，將電氣-光通過特性S21中的3dB頻帶(f3dB)表示在圖5中，將S21的頻帶內(nèi)的過量增益(Excess gain)的元件電容依賴性表示在圖6中。在此，作為能夠得到良好的發(fā)送波形的特性，在50Ω驅(qū)動時，分別能夠滿足發(fā)明者等估算的數(shù)字范圍。
另外，在此，所謂芯片帶載體是指在載體基板23上搭載半導(dǎo)體芯片22，能夠進行電氣評價的狀態(tài)。
要高精度地測定調(diào)整為25Ω驅(qū)動用的芯片帶載體的高頻率特性，必須準(zhǔn)備特性電阻為25Ω的特殊評價系統(tǒng)，為了構(gòu)筑該測定系統(tǒng)需要高額的費用和時間。根據(jù)實施例1的構(gòu)成，在圖8所示的50Ω驅(qū)動的芯片帶載體下，通過使高頻探針與輸入電極27和接地電極25接觸，可以通過通常的特性電阻50Ω的評價系統(tǒng)測定高頻特性(S11、S21、線性調(diào)頻脈沖參數(shù)等)。之后，通過附加第3接合線33改造成圖9的25Ω驅(qū)動用芯片帶載體。這是利用通常的50Ω測定系統(tǒng)實施芯片帶載體的特性選擇的優(yōu)勢。
根據(jù)實施例1，可以提供如下光發(fā)送模塊，即，通過在驅(qū)動阻抗設(shè)計成50Ω用的電路中追加1根接合線，在驅(qū)動阻抗為25Ω的情況下，也能夠很好地保證發(fā)送波形品質(zhì)的光模塊。另外，能夠提供CAN型封裝的光發(fā)送模塊。
在上述實施例1種，電阻元件24的電阻值為50Ω，但是，根據(jù)與驅(qū)動用IC的相性等，該值可以在40～60Ω的范圍內(nèi)變化。另外，在圖2中，驅(qū)動用IC61的輸出電阻為25Ω，但是該值可以在20～30Ω的范圍內(nèi)變化。另外，通過貫通孔40、導(dǎo)引拴39和封固玻璃41構(gòu)成的同軸線路的特性電阻為25Ω，但是，根據(jù)其部件形狀及適于封固的玻璃的材質(zhì)的選擇，同軸線路的特性電阻可以在20～30Ω的范圍內(nèi)變化。另外，與此相伴，構(gòu)成傳送線路60的其它傳送線路也分別可以在20～30Ω的范圍內(nèi)變化。
在上述實施例1種，與激光二極管一起集成光調(diào)制器，但是，也可以是單體的光調(diào)制器模塊。光發(fā)送模塊和光調(diào)制器模塊都被稱為光模塊。在上述實施例1的光發(fā)送模塊中附加驅(qū)動用IC等周邊電路的模塊也是光模塊。
參照圖10及圖11對本發(fā)明的實施例2進行說明。在此，圖10是表示本發(fā)明的實施例2的光發(fā)送模塊的主要部分的平面圖。圖11是本發(fā)明的實施例2的光發(fā)送模塊的主要部分和驅(qū)動部的電路圖。
首先，參照圖10對光發(fā)送模塊的構(gòu)成進行說明。與實施例1不同之處在于使用由半絕緣性InP基板構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片52作為調(diào)制器集成型半導(dǎo)體激光芯片。在半導(dǎo)體芯片52的表面，設(shè)有半導(dǎo)體激光二極管元件50和光調(diào)制器元件51。在芯片的表面，設(shè)有半導(dǎo)體激光二極管50的陽極電極和陰極電極以及光調(diào)制器元件51的陽極電極和陰極電極。第1接合線31與輸入電極27和光調(diào)制器元件51的陰極電極連接，第2接合線32與光調(diào)制器元件51的陰極電極和電阻元件24連接。第3接合線33與輸入電極27和電阻元件24連接。而且，通過接合線53以低電感連接光調(diào)制器元件51的陽極電極和接地電極25。半導(dǎo)體激光二極管元件50的陰極電極通過接合線54與接地電極25連接，陽極電極通過供電用接合線34、35與導(dǎo)引拴39連接。
將電路構(gòu)成表示在圖11中，但是，與實施例1的主要不同之處在于將光調(diào)制器元件51的二極管極性倒了過來。通過該方式，即使是正電源也可以向光調(diào)制器元件51施加反偏置。根據(jù)本實施例2，可以實現(xiàn)只使用+5.0V的正電源動作的光發(fā)送模塊。
根據(jù)本實施例2的構(gòu)成，與實施例1時同樣，通過使光調(diào)制器元件21的元件電容(Cmod)為0.4pF、第1接合線的電感L31為0.4nH、第2接合線的電感L32為0.8nH、終端電阻值R24為50Ω，可以得到適于驅(qū)動阻抗50Ω的光發(fā)送模塊的特性。通過進一步附加第3接合線33并使其電感L33為1.2nH，可以得到適于驅(qū)動阻抗25Ω的光發(fā)送模塊的特性。
在本實施例中，具有如下優(yōu)勢，即，在設(shè)置第3接合線之前，以50Ω的評價系統(tǒng)測定高頻特性(S11、S21、線性調(diào)頻脈沖參數(shù)等)。之后，可以通過附加第3接合線33改造成25Ω驅(qū)動的芯片帶載體并利用通常的50Ω測定系統(tǒng)實施芯片帶載體的特性選擇。
根據(jù)本實施例，能夠提供如下光發(fā)送模塊，即，通過在驅(qū)動阻抗設(shè)計成50Ω用的電路中追加1根接合線，在驅(qū)動阻抗為25Ω的情況下，也能夠很好地保證發(fā)送波形品質(zhì)的光模塊。另外，能夠提供單一電源的CAN型封裝的光發(fā)送模塊。
根據(jù)本實施例，能夠提供如下光發(fā)送模塊，即，利用驅(qū)動阻抗設(shè)計成50Ω用的調(diào)制器，在驅(qū)動阻抗為25Ω的情況下，也能夠很好地保證發(fā)送波形品質(zhì)的光模塊。另外，能夠提供發(fā)送波形品質(zhì)良好的CAN型封裝的光發(fā)送模塊。
權(quán)利要求
1.一種光模塊，包括通過輸入電信號來調(diào)制激光的光調(diào)制器元件；上述輸入電信號的輸入電極；阻抗匹配用終端電阻元件；連接上述輸入電極和上述光調(diào)制器元件的第1連接線；以及連接上述光調(diào)制器元件和上述終端電阻元件的第2連接線，其特征在于，還用第3連接線連接著上述輸入電極和上述終端電阻元件。
2.一種光模塊，包括集成了輸出激光的激光二極管元件和通過輸入電信號調(diào)制上述激光的光調(diào)制器元件的半導(dǎo)體芯片；上述輸入電信號的輸入電極；以及阻抗匹配用終端電阻元件，其特征在于，包括連接上述輸入電極和上述光調(diào)制器元件的第1連接線；連接上述光調(diào)制器元件和上述終端電阻元件的第2連接線；和連接上述輸入電極和上述終端電阻元件的第3連接線。
3.一種光模塊，包括集成了輸出激光的激光二極管元件和通過輸入電信號調(diào)制上述激光的光調(diào)制器元件的半導(dǎo)體芯片；配置在上述半導(dǎo)體芯片的光軸的一側(cè)的上述輸入電信號的輸入電極；以及配置在上述光軸的另一側(cè)的電阻元件，其特征在于，上述輸入電極、上述光調(diào)制器元件和上述電阻元件由1條連續(xù)的第1連接線連接著；還用第2連接線連接著上述輸入電極和上述電阻元件。
4.如權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，還包括其同軸線路的阻抗為20Ω至30Ω的封裝；上述終端電阻元件的電阻值在40Ω至60Ω的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求2所述的光模塊，其特征在于，還包括其同軸線路的阻抗為20Ω至30Ω的封裝；上述終端電阻元件的電阻值在40Ω至60Ω的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求3所述的光模塊，其特征在于，還包括其同軸線路的阻抗為20Ω至30Ω的封裝；上述終端電阻元件的電阻值在40Ω至60Ω的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，還包括輸出上述輸入電信號的驅(qū)動IC；上述驅(qū)動IC的輸出阻抗在20Ω至30Ω的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求2所述的光模塊，其特征在于，還包括輸出上述輸入電信號的驅(qū)動IC；上述驅(qū)動IC的輸出阻抗在20Ω至30Ω的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求3所述的光模塊，其特征在于，還包括輸出上述輸入電信號的驅(qū)動IC；上述驅(qū)動IC的輸出阻抗在20Ω至30Ω的范圍內(nèi)。
10.如權(quán)利要求4所述的光模塊，其特征在于，還包括輸出上述輸入電信號的驅(qū)動IC；上述驅(qū)動IC的輸出阻抗在20Ω至‰Ω的范圍內(nèi)。
11.如權(quán)利要求5所述的光模塊，其特征在于，還包括輸出上述電信號的驅(qū)動IC；上述驅(qū)動IC的輸出阻抗在20Ω至30Ω的范圍內(nèi)。
12.如權(quán)利要求6所述的光模塊，其特征在于，還包括輸出上述電信號的驅(qū)動IC；上述驅(qū)動IC的輸出阻抗在20Ω至30Ω的范圍內(nèi)。
13.一種光模塊，把通過輸入電信號來調(diào)制激光的光調(diào)制器元件、上述輸入電信號的輸入電極、以及阻抗匹配用的終端電阻元件收容在CAN型封裝內(nèi)，其特征在于，上述終端電阻元件的電阻值在40Ω至60Ω的范圍內(nèi)；頻率7.5GHz的反射系數(shù)小于或等于-15dB。
全文摘要
一種光模塊(100)包括電信號的輸入電極、通過電信號調(diào)制激光的光調(diào)制器元件、終端電阻元件、與輸入電極和光調(diào)制器元件連接的第1連接線、與光調(diào)制器元件和終端電阻元件連接的第2連接線，與輸入電極和終端電阻元件連接的第3接合線。利用驅(qū)動阻抗設(shè)計成50Ω用的光調(diào)制器元件，在驅(qū)動阻抗為25Ω的情況下，能夠很好地保證發(fā)送波形品質(zhì)。
文檔編號H04B10/04GK1722551SQ20051007290
公開日2006年1月18日 申請日期2005年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月12日
發(fā)明者加賀谷修, 笹田紀(jì)子, 直江和彥 申請人:日本光進株式會社