專利名稱：增強(qiáng)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)錯(cuò)誤校驗(yàn)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種增強(qiáng)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)錯(cuò)誤校驗(yàn)的方法。特別涉及增強(qiáng)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)錯(cuò)誤校驗(yàn)的方法。主要應(yīng)用于各種含有電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的電視系統(tǒng)，并可擴(kuò)展到所有使用EEPROM的電子系統(tǒng)中。
背景技術(shù)：
ESD就是“靜電釋放”的簡(jiǎn)稱，即ElectroStatic Discharge。當(dāng)今芯片多采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)制造而成，其電路對(duì)靜電高壓相當(dāng)敏感。當(dāng)帶靜電的人或物觸及這些器件后，就會(huì)產(chǎn)生靜電釋放(ESD)。目前已經(jīng)有很多解決消除ESD的方法，例如正確接地、芯片運(yùn)輸?shù)谋Ｗo(hù)、操作人員以及操作環(huán)境的靜電處理，器件本身的質(zhì)量提高等。當(dāng)靜電高壓沖擊CMOS電路后，其內(nèi)部的氧化膜便會(huì)被擊穿或被破壞，這時(shí)電器件會(huì)當(dāng)場(chǎng)損壞或者工作不正常。由于靜電釋放還會(huì)誘發(fā)CMOS電路內(nèi)部發(fā)生鎖定效應(yīng)或叫寄生可控硅效應(yīng)，其結(jié)果是CMOS內(nèi)部電流大增，內(nèi)部邏輯功能失靈，造成所謂的鎖定效應(yīng)。一旦CMOS電路處于鎖定狀態(tài)，只要電源不切斷，電路會(huì)一直死鎖下去，時(shí)間一長(zhǎng)就有可能燒壞電路或使電路性能下降。
EEPROM是電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的英文縮寫。在平常情況下，電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器一樣是只讀的，需要寫入時(shí)，在指定的引腳加上一個(gè)高電壓即可寫入或擦除，而且其擦除的速度極快。在電視系統(tǒng)中，大多使用電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器作為可調(diào)整參數(shù)的存儲(chǔ)器。由于靜電釋放造成的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)發(fā)生邏輯錯(cuò)誤，會(huì)造成電視畫面幾何扭曲、圖像異常。目前我們的解決方法是在電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中人為設(shè)置一個(gè)地址存放一個(gè)常數(shù)，該常數(shù)范圍是0～255的整數(shù)。在主程序的開(kāi)頭添加檢測(cè)這個(gè)數(shù)據(jù)的程序，并在程序中設(shè)置同樣數(shù)值的固定常數(shù)，若檢測(cè)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中該常數(shù)與主程序中的常數(shù)相等，則認(rèn)為電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)正常，未發(fā)生數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。但是這種方法在數(shù)據(jù)大量發(fā)生錯(cuò)誤的時(shí)候適用，若僅有一小部分?jǐn)?shù)據(jù)變化，那么該常數(shù)不一定會(huì)發(fā)生變化，這樣就檢測(cè)不到錯(cuò)誤信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足之處，提供一種增強(qiáng)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)錯(cuò)誤校驗(yàn)的方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是一種增強(qiáng)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)錯(cuò)誤校驗(yàn)的方法，一種增強(qiáng)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)錯(cuò)誤校驗(yàn)的方法，由電視系統(tǒng)中的主處理芯片(MICOM)和電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)組成，主處理芯片通過(guò)IIC總線與電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器通信；MICOM中包括中央處理器(CPU)、隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)，所有的程序代碼都存儲(chǔ)在只讀存儲(chǔ)器中，而這些程序中需要調(diào)用的工廠參數(shù)都存儲(chǔ)在電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中；電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元按位置分為8個(gè)模塊(BANK)，每個(gè)模塊都是由眾多8位地址單元組成；在每次開(kāi)機(jī)時(shí)，程序都會(huì)在主電源開(kāi)啟以后，進(jìn)行對(duì)CHECKSUM常數(shù)檢查的校驗(yàn)動(dòng)作；即檢查第一個(gè)模塊(BANK)中的CHECKSUM常數(shù)是否損壞，從而判斷電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是否正常；其特征是在8個(gè)模塊中的每個(gè)模塊中都添加了CHECKSUM常數(shù)設(shè)置，每次開(kāi)機(jī)自檢的時(shí)候就會(huì)依次對(duì)這8個(gè)CHECKSUM常數(shù)進(jìn)行比較；即在每個(gè)模塊中都添加了CHECKSUM常數(shù)檢查，將原來(lái)的整體分成八個(gè)獨(dú)立的個(gè)體進(jìn)行檢查；并同時(shí)添加對(duì)CHECKSUM 2-8的初值設(shè)定。
所述具體算法是在電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中增加EEP-Checksum地址的數(shù)量，在每個(gè)模塊中都設(shè)有一個(gè)CHECKSUM常數(shù)作為校驗(yàn)數(shù)據(jù)；程序在主電源開(kāi)啟后，在主程序運(yùn)行中從EEP-Checksum1到EEP-Checksum8逐一進(jìn)行校驗(yàn)，一旦出現(xiàn)錯(cuò)誤，便對(duì)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器進(jìn)行初始化的動(dòng)作，這樣便可以有效地對(duì)僅只有一個(gè)模塊的數(shù)據(jù)遭到破壞的情況進(jìn)行有效的對(duì)應(yīng)。
本發(fā)明的有益效果是通過(guò)比較EEPROM中預(yù)先設(shè)定的CHECKSUM數(shù)據(jù)值與主程序中的設(shè)定的CHECKSUM常量，判斷EEPROM中數(shù)據(jù)是否有被ESD損壞。通過(guò)在EEPROM中每個(gè)BANK里都加入一個(gè)CHECKSUM數(shù)據(jù)，從而擴(kuò)大對(duì)數(shù)據(jù)損壞的感知力，增強(qiáng)錯(cuò)誤校驗(yàn)?zāi)芰?。完善開(kāi)機(jī)檢測(cè)EEPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的機(jī)制。該方法有效的解決了因靜電釋放造成存儲(chǔ)器中INITIAL DATA損壞而引起的電視圖像幾何扭曲，圖像異常等問(wèn)題。


圖1是本發(fā)明電視系統(tǒng)主流程圖；圖2是現(xiàn)有解決方法示意圖；圖3是現(xiàn)有使用的checksum檢驗(yàn)算法流程圖；圖4是本發(fā)明解決方法示意圖；圖5是本發(fā)明checksum檢驗(yàn)算法流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖和較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提供的具體實(shí)施方式
詳述如下參見(jiàn)圖1，示出了本發(fā)明涉及的電視系統(tǒng)主流程圖，說(shuō)明了電視機(jī)上電開(kāi)機(jī)后的動(dòng)作首先是初始化，然后是自檢，即為本發(fā)明的關(guān)鍵步驟，然后進(jìn)入系統(tǒng)主循環(huán)。在自檢過(guò)程中如果發(fā)現(xiàn)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，則從主程序中調(diào)入備用的數(shù)據(jù)，繼續(xù)系統(tǒng)初始化。
參見(jiàn)圖2，示意了電視系統(tǒng)中的主處理芯片(MICOM)和電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)之間的關(guān)系。主處理芯片通過(guò)IIC總線(菲利普公司開(kāi)發(fā)的I2C數(shù)據(jù)總線結(jié)構(gòu))與電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器通信。MICOM中包括了中央處理器(CPU)，隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)，只讀存儲(chǔ)器(ROM)，所有的程序代碼都存儲(chǔ)在只讀存儲(chǔ)器中，而這些程序中需要調(diào)用的工廠參數(shù)都存儲(chǔ)在電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中。電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元從地理位置上分為8個(gè)模塊(BANK)，每個(gè)模塊都是由眾多8位地址單元組成。在每次開(kāi)機(jī)時(shí)，程序都會(huì)在主電源開(kāi)啟以后，進(jìn)行對(duì)CHECKSUM常數(shù)檢查的校驗(yàn)動(dòng)作。這一動(dòng)作的作用是檢查第一個(gè)BANK中的CHECKSUM常數(shù)是否損壞，從而判斷電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是否正常。
參見(jiàn)圖3，示意了驗(yàn)證動(dòng)作的算法流程。程序從電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的EEP-Checksum(主程序中定義的地址常量，表示CHECKSUM常數(shù)在電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中的地址)地址中讀出數(shù)據(jù)，然后與主程序中定義的常量CHECKSUM-VALUE進(jìn)行比較(正常情況下預(yù)置在EEP-Checksum地址中的數(shù)據(jù)常量與程序中的CHECKSUM-VALUE一致，這個(gè)常量是一個(gè)0～255的整數(shù))，如果二者相等，程序?qū)碾娍刹脸删幊讨蛔x存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)，完成系統(tǒng)初始化工作；如果二者不相等，主程序則認(rèn)為電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)已經(jīng)遭到破壞，從而在程序代碼中將初始化數(shù)據(jù)再次寫入電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，然后再?gòu)碾娍刹脸删幊讨蛔x存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)。在出現(xiàn)第二種情況的時(shí)候，電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)雖然與經(jīng)過(guò)工廠調(diào)整的數(shù)據(jù)不一致了，但是可以維持電視機(jī)基本的正常動(dòng)作的狀態(tài)。
這種方法在電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中所有的數(shù)據(jù)都遭到破壞的情況下適用，但是如果僅出現(xiàn)小規(guī)模的數(shù)據(jù)破壞(例如，僅模塊2中的數(shù)據(jù)破壞)，這種方法就不能很好的對(duì)應(yīng)了，所以我們希望在主程序中增加Checksum常數(shù)的數(shù)量，以提高錯(cuò)誤的檢出概率。
參見(jiàn)圖4，是改進(jìn)后的CHECKSUM常數(shù)設(shè)置，在8個(gè)模塊中的每個(gè)模塊中都添加了CHECKSUM常數(shù)，每次開(kāi)機(jī)自檢的時(shí)候就會(huì)依次對(duì)這8個(gè)CHECKSUM常數(shù)進(jìn)行比較，這樣就能大大提高系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的感知能力。就是說(shuō)以前是用一個(gè)CHECKSUM常數(shù)代表電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中的所有存儲(chǔ)單元作為自檢的目標(biāo)，現(xiàn)在在每個(gè)模塊中都添加了CHECKSUM常數(shù)檢查，將原來(lái)的整體分成八個(gè)獨(dú)立的個(gè)體進(jìn)行檢查。當(dāng)然，這樣做的同時(shí)在程序中也同時(shí)要添加對(duì)CHECKSUM2-8的初值設(shè)定。
參見(jiàn)圖5，示出了本發(fā)明的算法流程。在電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中增加了EEP-Checksum地址的數(shù)量，在每個(gè)模塊中都放入一個(gè)CHECKSUM常數(shù)作為校驗(yàn)數(shù)據(jù)。程序在主電源開(kāi)啟后，在主程序運(yùn)行中從EEP-Checksum1到EEP-Checksum8逐一進(jìn)行校驗(yàn)，一旦出現(xiàn)錯(cuò)誤，便對(duì)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器進(jìn)行初始化的動(dòng)作，這樣便可以有效地對(duì)僅只有一個(gè)模塊的數(shù)據(jù)遭到破壞的情況進(jìn)行有效的對(duì)應(yīng)。
本發(fā)明是一種改進(jìn)的自檢方法，增強(qiáng)了自檢的可靠性，提高了數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的檢出率。
上述參照實(shí)施例對(duì)本發(fā)明增強(qiáng)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)錯(cuò)誤校驗(yàn)的方法的詳細(xì)描述，是說(shuō)明性的而不是限定性的；因此在不脫離本發(fā)明總體構(gòu)思下的變化和修改，應(yīng)屬本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種增強(qiáng)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)錯(cuò)誤校驗(yàn)的方法，由電視系統(tǒng)中的主處理芯片(MICOM)和電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)組成，主處理芯片通過(guò)IIC總線與電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器通信；MICOM中包括中央處理器(CPU)、隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)，所有的程序代碼都存儲(chǔ)在只讀存儲(chǔ)器中，而這些程序中需要調(diào)用的工廠參數(shù)都存儲(chǔ)在電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中；電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元按位置分為8個(gè)模塊(BANK)，每個(gè)模塊都是由眾多8位地址單元組成；在每次開(kāi)機(jī)時(shí)，程序都會(huì)在主電源開(kāi)啟以后，進(jìn)行對(duì)CHECKSUM常數(shù)檢查的校驗(yàn)動(dòng)作；即檢查第一個(gè)模塊(BANK)中的CHECKSUM常數(shù)是否損壞，從而判斷電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是否正常；其特征是在8個(gè)模塊中的每個(gè)模塊中都添加了CHECKSUM常數(shù)設(shè)置，每次開(kāi)機(jī)自檢的時(shí)候就會(huì)依次對(duì)這8個(gè)CHECKSUM常數(shù)進(jìn)行比較；即在每個(gè)模塊中都添加了CHECKSUM常數(shù)檢查，將原來(lái)的整體分成八個(gè)獨(dú)立的個(gè)體進(jìn)行檢查；并同時(shí)添加對(duì)CHECKSUM 2-8的初值設(shè)定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)錯(cuò)誤校驗(yàn)的方法，其特征是所述具體算法是在電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中增加EEP-Checksum地址的數(shù)量，在每個(gè)模塊中都設(shè)有一個(gè)CHECKSUM常數(shù)作為校驗(yàn)數(shù)據(jù)；程序在主電源開(kāi)啟后，在主程序運(yùn)行中從EEP-Checksuml到EEP-Checksum8逐一進(jìn)行校驗(yàn)，一旦出現(xiàn)錯(cuò)誤，便對(duì)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器進(jìn)行初始化的動(dòng)作，這樣便可以有效地對(duì)僅只有一個(gè)模塊的數(shù)據(jù)遭到破壞的情況進(jìn)行有效的對(duì)應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種增強(qiáng)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)錯(cuò)誤校驗(yàn)的方法，模擬電視信號(hào)接收機(jī)中，通常使用電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器來(lái)作為主要的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)工具，存儲(chǔ)著各種工廠參數(shù)以及頻道信息。本發(fā)明通過(guò)比較EEPROM中預(yù)先設(shè)定的CHECKSUM數(shù)據(jù)值與主程序中的設(shè)定的CHECKSUM常量，判斷EEPROM中數(shù)據(jù)是否有被ESD損壞。特別是通過(guò)在EEPROM中每個(gè)BANK里都加入一個(gè)CHECKSUM數(shù)據(jù)，從而擴(kuò)大對(duì)數(shù)據(jù)損壞的感知力，增強(qiáng)錯(cuò)誤校驗(yàn)?zāi)芰?。完善開(kāi)機(jī)檢測(cè)EEPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的機(jī)制。通過(guò)該方法解決因靜電釋放造成存儲(chǔ)器中INITIAL DATA損壞而引起的電視圖像幾何扭曲，圖像異常等問(wèn)題。
文檔編號(hào)H04N17/04GK1815631SQ20051001648
公開(kāi)日2006年8月9日 申請(qǐng)日期2005年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月29日
發(fā)明者董博彥 申請(qǐng)人:天津三星電子顯示器有限公司