專利名稱：集成光電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電子器件的晶片級封裝，更具體地涉及光電子器件的晶片級底座。
背景技術(shù)：
光電子(OE)器件一般封裝為單個管芯(die)。這種組裝方式通常費時而且是勞動密集型的，從而導(dǎo)致更高的生產(chǎn)成本。這樣，需要一種改善OE器件的封裝的方法。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個實施例中，光電子器件包括底座(submount)和蓋板(lid)。底座包括位于襯底上的透鏡和激光器。蓋板限定出一個空腔體，其具有涂覆有反射材料以形成45度反射鏡的表面。反射鏡將來自激光器的光反射到透鏡，然后所述光穿過底座而離開光電子器件。


圖1是本發(fā)明一個實施例中的用于制造包括底座、蓋板和對準柱的光電子器件的方法10的流程圖。
圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12和13圖示了由本發(fā)明一個實施例中的方法10而形成的底座的橫截面。
圖14圖示了由本發(fā)明一個實施例中的方法10而形成的底座的俯視圖。
圖15圖示了本發(fā)明一個實施例中的光電子器件的分解視圖。
圖16圖示了本發(fā)明一個實施例中的光電子器件的組裝圖。
圖17和18圖示了傳統(tǒng)的光學(xué)子組件(OSA)和傳統(tǒng)的LC連接器。
圖19圖示了本發(fā)明一個實施例中的光電子芯片封裝(optoelectronicchip enclosure，OECE)與傳統(tǒng)OSA中相應(yīng)元件之間的比較。
圖20A和20B圖示了本發(fā)明一個實施例中利用對準柱的OSA。
圖21圖示了本發(fā)明一個實施例中圖20A和20B的OSA與光纖連接器的對準。
圖22A和22B圖示了本發(fā)明一個實施例中在對準端口上使用對準柱的優(yōu)點。
圖23圖示了本發(fā)明一個實施例中具有插入套管內(nèi)的圓柱型對準柱的OSA的橫截面。
圖24圖示了本發(fā)明一個實施例中具有插入套管內(nèi)的實心對準柱的OSA的橫截面。
圖25圖示了本發(fā)明一個實施例中具有插入套管內(nèi)的實心對準球的OSA的橫截面。
不同圖中使用同一標號表示類似或相同的項。截面圖未按比例繪制，僅起說明的作用。
具體實施例方式
光電子封裝可包括底座晶片、與所述底座晶片連結(jié)的環(huán)狀晶片及與所述環(huán)狀晶片連結(jié)的蓋板晶片。蓋板晶片一般包括集成透鏡。底座晶片一般包括邊緣發(fā)射型激光器及為激光器提供電力的互連(interconnect)。一般利用RIE蝕刻處理環(huán)狀晶片以形成直壁。具有45度表面的附加組件放置在環(huán)內(nèi)的激光器旁邊。這個組件作為反射鏡而將來自激光器的光反射向上穿過蓋板中的透鏡?；蛘?，處理環(huán)狀晶片以形成集成的45度反射鏡，其將來自激光器的光反射向上穿過蓋板中的透鏡。
光電子封裝要求兩種氣密密封一種在環(huán)狀晶片和蓋板晶片之間，而另一種在環(huán)狀晶片和底座晶片之間。在具有附加反射鏡組件的情況下，也必須將組件對準并安裝。光電子封裝還要求處理三種晶片。另外，為保持正確的路徑長度，必須使用兩塊薄晶片(例如275微米)作為環(huán)狀晶片和蓋板/透鏡晶片。這樣，就需要一種裝置來解決這種光電子封裝的這些缺點。
集成光電子器件圖1是本發(fā)明一個實施例中的用于制造包括激光底座80和蓋板130的光電子芯片封裝(OECE)150(圖16)的方法10的流程圖。
在步驟12，如圖2所示的，光學(xué)透鏡52在底座80的襯底54的頂上形成。在一個實施例中，襯底54是標準厚度(例如，675微米)的硅晶片，其可透過1310納米(nm)的光?；蛘?，襯底54可以是石英、硼硅酸鈉鹽玻璃(例如，Pyrex)、藍寶石、砷化鎵、碳化硅、或磷化鎵。在一個實施例中，透鏡52是由相位移動透鏡層的疊層經(jīng)圖案化而形成所需透鏡形狀的衍射光學(xué)元件(DOE)。疊層中相鄰的相位移動層被一層蝕刻終止層隔開。相位移動層可以是無定形硅(α-Si)，而蝕刻終止層可以是二氧化硅(SiO2)。或者，相位移動層的無定形硅可替換為氮化硅(Si3N4)。
為形成疊層，首先在襯底54上形成無定形硅層。無定形硅層可以是通過550℃下的低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)或通過等離子增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)而沉積的。無定形硅層的厚度可由下式確定t=λN(Δni).]]>上式中，t是相位移動透鏡層，λ是目標波長，N是相位移動透鏡層數(shù)，而Δni是相位移動透鏡材料及其周圍材料之間的折射率(ni)差。在λ為1310nm、N為8、無定形硅的ni為3.6以及二氧化硅的ni為1.46的一個實施例中，無定形硅層的典型厚度為765埃。
接著在無定形硅層上形成二氧化硅(SiO2)層。二氧化硅層可以是在550℃下的蒸汽中在無定形硅層上熱生長的?；蛘?，二氧化硅層可以是通過PECVD而沉積的。二氧化硅層的典型厚度為50埃。重復(fù)沉積無定形硅及低溫熱氧化無定形硅的工藝來形成所需數(shù)目的相位移動層。
一旦疊層形成，對每層進行掩蔽(mask)和蝕刻來形成所需的衍射透鏡。首先用稀釋的水/氫氟酸(HF)溶液(通常50∶1)浸漬除去最上面無定形硅層上的二氧化硅層。接著在無定形硅層上旋涂光刻膠，并使其曝光、顯影。然后向下等離子蝕刻無定形硅層，至下面相鄰的二氧化硅層為止，二氧化硅層起蝕刻終止的作用。對余下的相位移動層重復(fù)掩蔽和蝕刻的工藝過程。
在一個實施例中，透鏡52是雙焦點衍射透鏡，其將激光轉(zhuǎn)化為在一個空間內(nèi)均勻傳播的小角度分布。相對于光纖輸入面的大小，所述空間的尺寸較大，所以組件較易對齊。雙焦點衍射透鏡有一帶有隆起的表面，其提供了兩個焦距f1和f2。雙焦點衍射透鏡的設(shè)計工藝可從確定第一相位函數(shù)開始，這個函數(shù)為具有焦距f1的傳統(tǒng)衍射透鏡定義了表面輪廓。任意傳統(tǒng)的衍射透鏡設(shè)計技術(shù)都可使用。尤其是例如應(yīng)用光學(xué)研究公司(AppliedOptics Research，Inc.)的GLAD或MM研究公司(MM Research，Inc.)的DIFFRACT之類的商用軟件可分析衍射元件的相位函數(shù)。類似地生成第二相位函數(shù)，其中第二相位函數(shù)是這樣的如果第二相位函數(shù)與第一相位函數(shù)一起復(fù)合，其組合將提供具有第二焦距f2的衍射透鏡。然后按比例改變第二相位函數(shù)以提供局部有效的衍射透鏡，這種透鏡將某一百分比(例如，50％)的入射光聚焦，而讓其余的(例如，50％)入射光無擾動地穿過。第一相位函數(shù)和按比例改變的第二相位函數(shù)復(fù)合而形成最終的雙焦點透鏡設(shè)計。
在另一個實施例中，透鏡52是衍射/折射混合元件。如上所述，衍射/折射混合元件傳播來自一個空間的光來擴大光纖的容許對準偏差(alignment tolerance)。衍射/折射混合透鏡至少有一個具有弧度的表面來產(chǎn)生一個焦距，例如f2。另外，將局部有效的衍射透鏡的衍射特征添加到衍射/折射混合透鏡的一個或兩個表面上，以使這種組合為入射光的各個部分提供兩個焦距f1和f2。
在步驟14，如圖3中所示的，在襯底54和透鏡52上形成氧化物層56。在一個實施例中，氧化物層56是通過PECVD沉積的二氧化硅，典型厚度為1微米。隨后將氧化物層56平坦化來提供光通過的平面。這一步可在形成金屬層之后的工藝結(jié)束時完成。
在步驟16，如圖4-6中所示的，在氧化物層56上形成金屬層1，然后將其圖案化。在一個實施例中，金屬層1(圖4)是通過濺射而沉積的鈦-鎢(TiW)、鋁-銅(AlCu)和TiW金屬的疊層。TiW合金層通常每層0.1微米厚，而AlCu合金層通常0.8微米厚。將金屬層1圖案化以形成互連。在一個實施例中，旋涂光刻膠，并將其曝光、顯影，以形成蝕刻掩模60(圖5)，其限定出蝕刻窗口62(圖5)。然后將蝕刻窗口62所暴露的金屬層1的部分蝕刻來形成互連1A(圖6)。隨后將掩模60從互連1A上除去。
在步驟20，如圖7和8中所示的，在氧化物層56和互連1A上形成介電層64，然后將其平坦化。介電層64使互連1A與其他導(dǎo)電層絕緣。在一個實施例中，介電層64是通過PECVD由原硅酸四乙酯(TEOS)制得的二氧化硅，并通過化學(xué)機械拋光(CMP)將其平坦化。介電層64的厚度一般為1微米。
在步驟22，如圖9和10中所示的，形成了至互連1A的接觸窗口或通孔70。在一個實施例中，旋涂光刻膠，并將其曝光、顯影，以形成蝕刻掩模66(圖9)，其限定出蝕刻窗口68(圖9)。然后將蝕刻窗口68所暴露出的一部分介電層64蝕刻以形成接觸窗口/通孔70(圖10)。隨后從互連1A上去除掩模66?？稍谕?0中沉積金屬以形成至互連1A的插塞。
在步驟24，如圖11-13中所示，在介電層64上形成金屬層2。在一個實施例中，金屬層2是通過蒸發(fā)而沉積的鈦-鉑-金(TiPtAu)序列。鈦層的厚度一般為0.1微米，鉑層的厚度一般為0.1微米，且金層的厚度一般為0.5微米。形成金屬層2是為形成接觸墊和焊墊。在一個實施例中，旋涂光刻膠，并將其曝光、顯影，以形成掀除(liftoff)掩模72(圖11)，其限定出沉積窗口73(圖11)。金屬層(圖12)然后沉積在抬起掩模72上，并經(jīng)過窗口73沉積到介電層64上。隨后除去掩模72，從而掀除了沉積在掩模72上的金屬層2，留下接觸墊或焊墊2A(圖13)。
可將金屬層1和2圖案化來形成2個互連平面。位于這兩個平面之間的插塞可連接這兩個平面。圖14示出了按一個實施例中方法10的這一點而形成的底座80的俯視圖。底座80包括密封環(huán)106，其形成為圍繞透鏡52和接觸墊82、84、86和88的周邊。密封環(huán)106用來連結(jié)底座80和蓋板，所述蓋板封裝著透鏡52、激光器管芯122(圖15)和監(jiān)控光電二極管管芯124(圖15)。密封環(huán)106是在步驟24中所形成的并被圖案化的金屬層2的一部分。密封環(huán)106與焊墊108和110耦合，這樣提供了接地連接。當隨后將密封環(huán)106與金屬覆蓋板130電耦合時，金屬將起電磁干擾(EMI)屏蔽的作用，以使電磁干擾不可能穿過蓋板130出去。
接觸墊82和84提供了與激光器管芯122的電連接。嵌入式跡線(buried traces)90和92分別將接觸墊82和84連接到位于密封環(huán)106外的各個接觸墊94和96。接觸墊82和84是在步驟24中所形成的并被圖案化的金屬層2的一部分。跡線90和92是在步驟16中所形成的并被圖案化的金屬層1的一部分。
接觸墊86和88提供了與監(jiān)控光電二極管管芯124的電連接。嵌入式跡線98和100分別將接觸墊86和88連接到位于密封環(huán)106外的各個接觸墊102和104。接觸墊86和88是在步驟24中所形成的并被圖案化的金屬層2的一部分。跡線98和100是在步驟16中所形成的并被圖案化的金屬層1的一部分。
在步驟28，如圖15中所示的，將激光器管芯122與接觸墊82對齊并連結(jié)。激光器管芯122也可通過引線連結(jié)(wire bond)與接觸墊84電連接(圖14)。在一個實施例中，激光器管芯122是邊緣發(fā)射型Fabry Perot激光器。類似地，將監(jiān)控光電二極管管芯124與接觸墊86對齊并連結(jié)。監(jiān)控光電二極管管芯124也可通過引線連結(jié)與接觸墊88電連接。連上激光器管芯122和光電二極管管芯124之后，可在透鏡52的表面上涂覆抗反射涂層(未示出)，使得當光離開底座80時，減少其反射。
在步驟30，如圖15中所示的，形成蓋板130。蓋板130限定出了腔體131，其具有被反射材料134所覆蓋的表面132。腔體131提供了用來容納底座80上的各管芯的必要空間。表面132上的反射材料134形成45度反射鏡135，其將來自激光器管芯122的光反射到透鏡52。蓋板130邊緣處的反射材料134也作為密封環(huán)136。當通過密封環(huán)136以及接觸墊108和110將腔體131上的反射材料134接地時，反射材料134還起電磁干擾屏蔽的作用。在一個實施例中，反射材料134是通過蒸發(fā)而沉積的鈦-鉑-金(TiPtAu)序列。鈦層的厚度一般為0.1微米，鉑層的厚度一般為0.1微米，且金層的厚度一般為0.1微米。在一個實施例中，蓋板130是可透過1310nm的光的標準厚度(例如675微米)的硅晶片。
在一個實施例中，蓋板130具有偏離主表面1389.74度的<100>平面。蓋板130是濕法蝕刻的，以使表面132沿著硅襯底的<111>平面而形成。由于蓋板130的<100>平面偏離主表面1389.74度，則<111>平面和反射鏡135定向為偏離主表面13845度處。
在步驟32，如圖16中所示的，將蓋板130與底座80的頂面對齊并連結(jié)以形成OECE 150。在一個實施例中，蓋板130的密封環(huán)136和底座80的密封環(huán)106通過焊料焊接。或者，蓋板130的密封環(huán)136和底座80的密封環(huán)106通過冷焊而連結(jié)。
如所看到的，光152(例如1310nm)由激光器管芯122發(fā)射出。反射鏡135將光152反射向下至透鏡52。透鏡52然后使光152聚焦，所以規(guī)定位置處的光纖可接收到光152。由于絕緣層64、氧化物層56和襯底54都可透過光152，所以光152可通過底座80而離開光電子器件150。
在步驟34，如圖16中所示的，將對準柱140與底座80的背面對齊并連結(jié)。對準柱140使得OECE 150可與插芯(ferrule)中的光纖對齊。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，上述工藝可在晶片級上進行，使得同時形成多個OECE 150。然后分開(singulate)這些OECE 150來形成單個封裝。
OECE 150提供了優(yōu)于傳統(tǒng)的光電子封裝的幾個優(yōu)點。首先，僅需兩個晶片來制造OECE 150，代替了傳統(tǒng)封裝中所需的三個晶片。第二，晶片可以具有標準厚度(例如675微米)，代替了傳統(tǒng)封裝中的兩個薄晶片。第三，蓋板130和底座80之間僅需一個氣密密封，代替了傳統(tǒng)封裝中的兩個氣密密封。
用于光學(xué)子組件的對準柱圖17圖示了傳統(tǒng)的光學(xué)子組件(Optical Subassembly，OSA)212，它是光纖(FO)收發(fā)器制備中常見的構(gòu)建模塊。OSA 212將電信號轉(zhuǎn)換為光信號，并將這些光脈沖送入例如光纖的光波導(dǎo)214內(nèi)(圖18)。一般地，光纖214裝在被包含在連接器體218中的陶瓷插芯216中。連接器體218可以是小型(SFF)FO連接器，例如由Lucent Technologies開發(fā)的通稱為LC連接器的Lucent連接器。其他類型的FO連接器也可使用，例如SC連接器、ST連接器和FC連接器。
圖18圖示了OSA 212的細節(jié)。通常OSA 212包括需要光學(xué)對齊的三個元件(1)光電子(OE)器件220，(2)透鏡222，和(3)接受含有光纖214的插芯216的端口224。一般地，OE器件220安裝在TO(Transistor Outline，晶體管輪廓)頭226上，并封裝在開有窗口的TO容器228內(nèi)。端口224是接收TO容器228和透鏡222的物體的一部分。這三個元件通常在它們理想位置處必須以幾微米以內(nèi)的精度彼此對齊。
OSA 212直到它的元件已對齊并固定在它們合適的位置處才是完整并可檢測的。這種對齊通常是通過給OE器件220提供電力并在X、Y和Z方向上相對于端口224移動TO而實現(xiàn)的。然后一般用聚合物粘合劑或通過激光焊接方法來“固定”這種對齊。
OSA設(shè)計根據(jù)產(chǎn)品的不同而變化很大，但是它們通常包括被封裝器件(例如OE器件220)、透鏡(例如透鏡222)和光纖對準部件(例如端口224)。光纖對準部件通常是由注射成型塑料或陶瓷制成的精密孔以接受陶瓷插芯(例如插芯216)。
制備更小型、更廉價的OSA一直是人們所追求的。對小型OSA的需求存在許多成本、質(zhì)量和性能方面的原因。但是，小型OSA直至它包括對準部件才是完整的。因而，需要這種用于小型OSA的對準部件。
圖19圖示了與傳統(tǒng)OSA 212中的對應(yīng)部分相比較的OECE 302。OECE 302需要一種既廉價、尺寸又適于封裝的對準部件。一種方法是將OECE 302對準并裝到具有精密孔的部件上(例如端口)。但是，由于端口必須遠大于OECE 302，且可檢測的、對準的OSA也遠大于OECE302，所以這種方案有嚴重的缺陷。
圖20A和20B示出了本發(fā)明一個實施例中具有對準柱304的OECE302。對準柱304是對準并裝到OECE 302的前“窗口”的圓柱型管。從而得到完全對準并可檢測的OSA 306。通過將對準柱304裝入OECE 302的前窗口中，在OECE 302的引腳(footprint)內(nèi)可創(chuàng)建完全對準的OSA306。
圖21圖示了本發(fā)明一個實施例中OSA 306和FO連接器307的裝配。FO連接器307可以是LC連接器、SC連接器、ST連接器、FC連接器或其他類似的FO連接器。將完全對準的OSA 306上的對準柱304插入由塑料、金屬或陶瓷制成的套管308的一端內(nèi)。OSA 306和套管308的這種子組件形成了光纖模組的一部分，它將與用戶提供的光纖光纜緊密配合，例如FO連接器307的光纖312。將攜有光纖312的陶瓷插芯310插入套管308的另一端內(nèi)。套管308制成具有適當?shù)膬?nèi)徑以接受對準柱304和插芯310的外徑。OSA 306插入套管308內(nèi)是完全無源的，因此是低成本的操作。
有必要注意到，雖然對準柱304可能看起來類似傳統(tǒng)OSA 212(圖18)上的端口224(圖18)，但由于對準柱304上的對準特征是外徑(OD)，而端口224上的對準特征是內(nèi)徑(ID)，所以這是根本不同的。參照圖17，端口224的內(nèi)徑通常比相配合的插芯216的外徑大幾微米。端口224可具有1.255mm的內(nèi)徑，以與具有1.249mm的外徑的插芯216相配合。參照圖21，對準柱304具有與插芯310相同或相近的外徑(例如1.25mm)。OECE 302的透鏡311與光纖312之間的光學(xué)距離可設(shè)定為對準柱304的長度。對準柱304中間的孔并非用來對準，而僅用來通過光316。因而，孔的大小不是關(guān)鍵的。上述尺寸對于將光射入多模式光纖內(nèi)是典型的。所述概念也適于將光射入單模式光纖內(nèi)的OSA，但單模式光纖所需的容許偏差可能比多模式發(fā)射所要求的更嚴格。
與外徑(即與柱)對準的概念只是略微不同于與內(nèi)徑(即與孔)的對準，但是卻提供了兩個關(guān)鍵的優(yōu)點成本和尺寸。
成本——制備具有精密直徑的柱是很容易且很經(jīng)濟的。這是因為通過磨削外徑可制造出較長的桿，然后簡單地將桿切割成多個部分，可制造許多部件。制造可能具有一微米或兩微米偏差的精密部件的成本對于使OSA306的成本最小化是很重要的?？芍圃斓淖盍畠r的精密部件是球形(例如球型軸承)，第二廉價的精密部件可能就是圓柱型。
尺寸——OECE 302可制成二維陣列的部件。這種制備方法可生產(chǎn)成百上千或甚至成千上萬的僅缺乏對準部件的OSA 306。理想情況是對準部件在OSA 306還是陣列形式時即被裝上，但這僅在對準部件小于OECE 302的引腳時才是可能的。
圖22A圖示了對準柱304可對齊并裝到(單個地或成組地)OECE 302的陣列上。對準柱304足夠小，所以其可裝在OECE 302的前窗口上。另一方面，圖22B圖示了沒有增加間距從而未增加OECE 302的尺寸(以及成本)情況下，端口224不能對齊并裝到OECE 302的陣列上。
圖23圖示了在一個實施例中插入套管308內(nèi)的OSA 306的橫截面。將每個OSA插入套管308或任意更大的物體內(nèi)之前，可能需要分割開OSA 306陣列。但是，此處的分割并非OSA 306制備中的缺點，這是因為對準柱304已對準并裝到陣列形式的OECE 302上了。
小型OSA 306的另一個優(yōu)點在于可將它與另一個OSA 306更靠近地對準在一起以配合新型更小的FO連接器。實際上，雙工連接器(例如雙工LC連接器)具有目前的尺寸的一個歷史原因可追溯到兩個TO容器可對準到端口內(nèi)多近。OSA 306因而適于更小的連接器和更小的收發(fā)器。
圖24圖示了OSA 306A的橫截面，其中圓柱型對準柱304替換為由例如玻璃的透明材料制成的實心對準柱304A。對準柱304B的外徑作為對準特征，而光316通過對準柱304A傳輸。
圖25圖示了本發(fā)明一個實施例中OSA 306B的橫截面。OSA 306B中將圓柱型對準柱304替換為由例如玻璃的透明材料制成的部分球體304B。部分球體304B的周線作為對準特征，同時光316穿過部分球體304B傳輸。
對所公開實施例的特征進行的各種其他調(diào)整和組合都在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，底座80可包括另外的有源電路和無源電路。具體地，底座80可加工形成例如電阻和電容的無源電路，及例如晶體管的有源電路。底座也可加工成包括雙極型CMOS(BiCMOS)集成電路。所附的權(quán)利要求覆蓋了許多實施例。
權(quán)利要求
1.一種激光器底座，包括襯底；所述襯底上的透鏡；及所述襯底上的激光器。
2.如權(quán)利要求1所述的激光器底座，其中所述襯底選自硅、石英、硼硅酸鈉鹽玻璃、藍寶石、砷化鎵、碳化硅和磷化鎵。
3.如權(quán)利要求1所述的激光器底座，還包括覆蓋所述透鏡的平坦化層；及所述平坦化層上的互連層。
4.如權(quán)利要求3所述的激光器底座，其中所述平坦化層是氧化物層。
5.如權(quán)利要求3所述的激光器底座，還包括所述互連層上的介電層；及所述介電層上的接觸墊，其中所述激光器與所述接觸墊電連接。
6.如權(quán)利要求5所述的激光器底座，還包括在所述介電層上并包圍所述接觸墊和所述激光器的密封環(huán)。
7.如權(quán)利要求1所述的激光器底座，還包括無源集成電路和有源集成電路中的至少一個。
8.一種形成激光器底座的方法，包括如下步驟在襯底上形成透鏡；以及將激光器裝到所述襯底上的所述激光器底座上。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述襯底選自硅、石英、硼硅酸鈉鹽玻璃、藍寶石、砷化鎵、碳化硅和磷化鎵。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，在所述安裝激光器的步驟之前、所述形成透鏡的步驟之后，還包括如下步驟形成覆蓋所述透鏡的平坦化層；以及在所述平坦化層上形成互連層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述平坦化層是氧化物層。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，在所述安裝激光器的步驟之前、所述形成互連層的步驟之后，還包括如下步驟形成覆蓋所述互連層的介電層；以及在所述介電層上形成接觸墊，其中所述激光器與所述接觸墊電連接。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，在所述安裝激光器的步驟之前、所述形成介電層的步驟之后，還包括如下步驟在所述介電層上形成包圍所述接觸墊和所述激光器的密封環(huán)。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括在所述襯底上形成無源集成電路和有源集成電路中的至少一個。
全文摘要
本發(fā)明公開了包括底座和蓋板的光電子器件。所述底座包括襯底和位于襯底上的透鏡和激光器。所述蓋板限定出一個腔體，其具有涂有反射材料的表面以形成45度反射鏡。反射鏡將來自激光器的光反射到透鏡，然后所述光穿過底座而離開光電子器件。
文檔編號H04J14/08GK1595741SQ200410045558
公開日2005年3月16日 申請日期2004年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月19日
發(fā)明者肯德拉·J·蓋洛普, 詹姆斯·艾伯特·馬修斯 申請人:安捷倫科技有限公司