專利名稱：陰極射線管的偏置裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于陰極射線管的電子束偏置系統(tǒng)，更具體地說，涉及一種用于調(diào)節(jié)水平掃描速率以避免在接通顯像管時(shí)產(chǎn)生電弧的裝置。
背景技術(shù)：
通常，陰極射線管的電子束偏置系統(tǒng)由一對垂直偏置線圈和一對水平偏置線圈組成，這兩對線圈被一通常是塑料制成的隔板電絕緣，而且，該隔板還能夠提高該偏置裝置的機(jī)械剛性，使線圈相互固定，并能夠在顯像管的管頸調(diào)節(jié)該組件。該隔板由主體和背面部分組成，主體的一個(gè)或多個(gè)部分大致呈漏斗狀，背面部分緊靠顯像管的管頸，該隔板用于固定偏置定位的位置，這種固定通常通過設(shè)置在上述柔性背面部分上的夾緊套環(huán)進(jìn)行定位。
為了提高在陰極射線管熒光屏掃描過程中在熒光屏上形成的圖像暗部和明部之間的躍遷，眾所周知，使用了一對稱之為水平掃描速率調(diào)制線圈的輔助線圈，也稱之為SVM；這些線圈將輔助場疊加在由主線圈產(chǎn)生的水平偏置場上，以期望亮度信號產(chǎn)生重要的變化，結(jié)果改變了水平掃描速率。還有更為人知的是將這些輔助線圈設(shè)置在顯像管的管頸上，該偏置系統(tǒng)的水平偏置線圈有時(shí)部分覆蓋它們或者全部覆蓋它們。還有為人公知的是通過蝕刻在剛性或柔性環(huán)形狀的支架上形成這些輔助線圈。這些結(jié)構(gòu)的布置在歐洲專利申請EP484606中作了描述。
在偏置系統(tǒng)固定在顯像管的管頸上時(shí)，該偏置系統(tǒng)由調(diào)制電子束的掃描速率的輔助線圈組成，所述的輔助線圈的位置必須相對于水平偏置線圈和相對于位于顯像管管頸上的電子槍進(jìn)行調(diào)節(jié)以能對電子束產(chǎn)生最佳效果。為此，SVM可被安裝在隔板的背面或獨(dú)立的支架上，使之能夠?qū)⑵湮恢门c偏置器的位置相隔離。
但是，應(yīng)該要說明的是，這種SVM的引入將會增強(qiáng)在顯像管管頸產(chǎn)生的電弧，特別是在接通顯像管時(shí)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在顯像管接通時(shí)能夠降低其管頸產(chǎn)生的電弧。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的陰極射線管的電子束偏置系統(tǒng)包括一對水平偏置線圈；一對垂直偏置線圈；和至少一對環(huán)繞顯像管管頸設(shè)置的輔助線圈，其目的是改變至少由兩對偏置線圈中的一對線圈產(chǎn)生的磁場，所述的輔助線圈位于圓柱形支架上，其特征在于位于一對輔助線圈下面的上述至少部分支架包括介電常數(shù)相對較低的區(qū)域。


通過附圖將會更好地理解本發(fā)明，其中圖1表示根據(jù)本發(fā)明的偏置裝置，圖2表示根據(jù)本發(fā)明的輔助線圈支架的透試圖，圖3表示在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)圖示的實(shí)施例的輔助線圈的水平面上通過顯像管管頸的截面圖，圖4表示在根據(jù)本發(fā)明圖示的實(shí)施例的輔助線圈的水平面上通過顯像管管頸的截面圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，陰極射線管1的電子束偏置系統(tǒng)包括一對圖中虛線所示的水平偏置線圈2，和一對垂直偏置線圈3。這兩對線圈置于隔板4的任一側(cè)，并且通常由塑料制成，該隔板的功能是將一對線圈相對于另一對線圈固定在適當(dāng)位置，并在兩對線圈之間形成電絕緣的同時(shí)提供整個(gè)組件的機(jī)械剛性；為了將偏置線圈的場集中在想使其偏置的電子束上，由鐵磁性材料制成的環(huán)5至少部分地環(huán)繞偏置線圈。正如圖1所示，該偏置裝置還包括在其前部，固定器6位于管頸上，同時(shí)柔性環(huán)12通過夾緊套環(huán)7能使其后部固定在顯像管的管頸上。
在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)，該偏置裝置還包括掃描速率調(diào)制裝置(SVM)，該SVM包括用于支撐輔助線圈10的圓柱形環(huán)9，輔助線圈10的作用是至少產(chǎn)生一個(gè)徑向磁場。支架9通過設(shè)置于該支架柔性部分上的夾緊環(huán)11固定在顯像管管頸的適當(dāng)位置。
圖3表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的掃描速率調(diào)制系統(tǒng)的實(shí)施例。該系統(tǒng)在電子槍8的水平面上環(huán)繞顯像管19管頸設(shè)置，該電子槍8由來自陰極26的電子束穿越的一系列電極20至25組成。在此情況下，輔助線圈10蝕刻到包繞支架9的柔性片13上，支架9是圓柱形環(huán)，由絕緣材料，如塑料制成。
要說明的是，在接通顯示屏?xí)r，電弧會在位于電子槍水平面上的區(qū)域中的顯像管管頸中產(chǎn)生，而且SVM輔助線圈的使用將會顯著地增強(qiáng)電弧的發(fā)生。
由于在接通顯像管時(shí)SVM線圈會升高到零電位，因此可以斷定SVM線圈的存在依靠電容效應(yīng)將會改變電子槍電極和顯像管管頸之間區(qū)域中的等電位，結(jié)果也會改變沿管頸分布的電荷，這樣將會促進(jìn)電弧在所述管頸中的形成。
為了降低電容效應(yīng)，本發(fā)明提議修改用作SVM支架材料的相對介電常數(shù)。
但是，這種修改必須要絕對考慮所使用材料的成本，和通過增強(qiáng)材料厚度，電子束對輔助線圈產(chǎn)生場的敏感度就會下降的事實(shí)，這樣就必須增大供給所述線圈的電流。
本發(fā)明適用于任何類型的支架材料，特別是塑料，它具有這些優(yōu)點(diǎn)材料便宜，在作為電絕緣體提供良好的性能時(shí)具有足夠的機(jī)械剛性。
如圖3和4所示，塑料支架9具有圓柱形環(huán)狀，它包括包繞柔性膜13的部分31，同時(shí)輔助線圈10蝕刻在柔性膜13上；該支架9還包括環(huán)繞夾緊環(huán)11設(shè)置的徑向柔性件31，該徑向柔性件31是為了將組件固定在顯像管管頸的適當(dāng)位置上；部分31的徑向柔性度通過在環(huán)9的一端上形成的縱向凹槽實(shí)現(xiàn)的。
支架9產(chǎn)生的電容具有下列電容量C＝εrε0S/e，這里εr表示形成支架9的材料的相對電容率或介電常數(shù)。
相對較低電容率的區(qū)域是通過在支架環(huán)9的主體中設(shè)置窗口32而形成的。由于空氣的相對電容率小于絕大多數(shù)塑料的相對電容率的5至10倍，因此這些窗口有力地降低了是造成顯像管管頸產(chǎn)生電弧原因的電容效應(yīng)。
由于圓柱形支架9的機(jī)械剛性問題，因此不希望在其上面設(shè)置窗口32，但是僅僅為了在其部分30的某些區(qū)域減小該支架的厚度。
還要說明的是，如果窗口32直接位于輔助線圈位置的下面，同時(shí)盡可能延伸在該位置下面，以使它們的襯面基本相同，就能獲得較低的電弧發(fā)生概率。
下面的表格表示接通顯像管時(shí)窗口對產(chǎn)生電弧的影響

因此，窗口32的存在顯著地降低了顯像管管頸中電弧發(fā)生的概率，并使發(fā)生的概率值比較接近于沒有SVM時(shí)發(fā)生的概率值。
輔助線圈還可以是由螺旋銅線制成的剛性線圈，線圈與顯像管管頸的形狀緊密一致，并通過夾扣或粘附劑粘合固定在支架9上。
本發(fā)明同樣適用于與主偏置線圈的隔板一體形成的支架和適用于與所述隔板獨(dú)立的支架。
權(quán)利要求
1.陰極射線管的電子束偏置系統(tǒng)，包括一對水平偏置線圈(2)和一對垂直偏置線圈(3)，這兩對線圈通過隔板(4)相互形成電絕緣；和至少一對環(huán)繞顯像管管頸設(shè)置的輔助線圈(10)，其目的是改變由至少兩對偏置線圈中的一對線圈產(chǎn)生的磁場，所述的輔助線圈位于圓柱形支架(9)上，其特征在于位于該對輔助線圈上的上述支架的部分(30)包括介電常數(shù)相對較低的區(qū)域(33)。
2.如權(quán)利要求1所述的電子束偏置系統(tǒng)，其特征在于該輔助線圈由柔性支架(13)形成。
3.如權(quán)利要求1所述的電子束偏置系統(tǒng)，其特征在于輔助線圈的支架(9)與隔板分離。
4.如權(quán)利要求1所述的電子束偏置系統(tǒng)，其特征在于輔助線圈的支架(9)由塑料制成。
5.如前面的權(quán)利要求所述的電子束偏置系統(tǒng)，其特征在于具有相對較低介電常數(shù)的區(qū)域(33)通過減小支架的厚度而形成。
6.電子束偏置系統(tǒng)的陰極射線管符合任一上述權(quán)利要求。
全文摘要
陰極射線管的電子束偏置系統(tǒng)包括一對水平偏置線圈和一對垂直偏置線圈，這兩對線圈通過隔板而相互形成電絕緣。該系統(tǒng)還包括調(diào)制水平掃描速率的輔助線圈。由塑料制成的輔助線圈支架包括位于所述輔助線圈位置下面的開口以能減小這些線圈和顯像管管頸之間空間的相對介電常數(shù)，其目的是在顯像管接通時(shí)降低了顯像管管頸中電弧發(fā)生的概率。
文檔編號H04N3/10GK1639827SQ03805150
公開日2005年7月13日 申請日期2003年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月8日
發(fā)明者吉爾多·迪多梅尼克, 保羅·羅馬尼, 安杰洛·菲亞斯凱蒂 申請人:湯姆森許可貿(mào)易公司