專利名稱：用于調(diào)制射頻發(fā)射器電路輸出電壓的方法和射頻發(fā)射器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于調(diào)制發(fā)射器電路輸出電壓的方法和一個(gè)發(fā)射器電路，尤其是針對(duì)藍(lán)牙和Hiperlan應(yīng)用，該電路包括一個(gè)具有一個(gè)儲(chǔ)能電路、一個(gè)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和一個(gè)天線電路的電壓控制振蕩器。
在一些功率放大器的應(yīng)用中，需要一個(gè)恒定的包絡(luò)調(diào)制。這是利用一個(gè)向上混頻器和一臺(tái)功率放大器來實(shí)現(xiàn)的。例如，常規(guī)情況下，用于發(fā)射射頻信號(hào)的發(fā)射器是圍繞向上混頻器(upmixer)和功率放大器的原理來構(gòu)造的。一個(gè)電壓控制振蕩器為向上混頻器的第一端口提供一個(gè)信號(hào)，向上混頻器的第二端口接收IF或基帶信號(hào)。向上混頻器將這兩個(gè)信號(hào)相乘，產(chǎn)生發(fā)送到功率放大器的射頻信號(hào)。在被功率放大器放大以后，該信號(hào)被傳送到天線電路?？梢杂靡粋€(gè)鎖相環(huán)替代向上混頻器，其中由待發(fā)送的信號(hào)調(diào)制一個(gè)N段分割器(fractional Npartitioner)。這樣，也調(diào)制了電壓控制振蕩器，并且把已調(diào)制信號(hào)發(fā)送到天線電路。
發(fā)射器電路的原理同樣可以用于一個(gè)低輸出功率的應(yīng)用，例如0dBm。這樣的應(yīng)用例子是藍(lán)牙和Hyperlan。然而，其缺點(diǎn)是，在這些應(yīng)用中功率放大器的效率低。這是由于為了獲得這樣的低輸出功率，功率放大器使用的功率不夠低的緣故。在藍(lán)牙應(yīng)用中，功率放大器消耗10到15mA的電流。
鑒于上述情況，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種調(diào)制射頻發(fā)射器電路的輸出電壓的方法，和一個(gè)滿足該預(yù)想的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)射頻發(fā)射器電路，并具有一個(gè)的與其它方法和電路相比更低的功耗。
為了達(dá)到上述目的，提供了調(diào)制射頻發(fā)射器電路輸出電壓的方法，特別是針對(duì)藍(lán)牙和Hiperlan應(yīng)用，包括一個(gè)電壓控制振蕩器，一個(gè)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和一個(gè)天線電路，該方法包括從電壓控制振蕩器直接向天線電路發(fā)送一個(gè)輸出信號(hào)并直接調(diào)制電壓控制振蕩器的輸出信號(hào)的頻率。利用這一方法，不需當(dāng)前技術(shù)中使用的向上混頻器或N段分割器和功率放大器。能顯著減少整個(gè)電路的功率消耗。
在本發(fā)明方法的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，使電壓控制振蕩器的一個(gè)儲(chǔ)能電路帶電容性負(fù)載，來直接調(diào)制電壓控制振蕩器。因此，可以以一個(gè)最有效的方式來實(shí)現(xiàn)電壓控制振蕩器的頻率調(diào)制。
在本發(fā)明方法的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，將數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器的一個(gè)輸出直接饋送給電壓控制振蕩器，使電壓控制振蕩器的儲(chǔ)能電路帶容性負(fù)載。當(dāng)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器把數(shù)字基帶信號(hào)轉(zhuǎn)化成一個(gè)容性負(fù)載時(shí)，可以通過增加或消除儲(chǔ)能電路的這一負(fù)載來實(shí)現(xiàn)所需的調(diào)制頻率變化。
在本發(fā)明方法的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，使電壓控制振蕩器的一個(gè)晶體振蕩器回路帶容性負(fù)載，來直接調(diào)制電壓控制振蕩器的頻率。另一種在電壓控制振蕩器中產(chǎn)生期望的調(diào)制的方法是使一個(gè)晶體振蕩器電路帶電容性負(fù)載，通常以該電路作為電壓控制振蕩器的中心頻率的參考源。
在本發(fā)明方法的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，將數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器的一個(gè)輸出直接饋送給電壓控制振蕩器，使電壓控制振蕩器的儲(chǔ)能電路帶容性負(fù)載。在一個(gè)最有利的方式中，通過為數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器施加電容性負(fù)載來調(diào)諧晶體振蕩器回路的頻率，可以對(duì)電壓控制振蕩器進(jìn)行調(diào)制。電壓控制振蕩器通過閉合的鎖相環(huán)來跟隨晶體振蕩器。
在本發(fā)明方法的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，采用了一個(gè)恒定振幅調(diào)制，特別是GFSK(高斯頻移鍵控)或GMSK(Gaussean mediumshift keying高斯介質(zhì)移動(dòng)鍵控)。這些特殊的調(diào)制方法特別適于藍(lán)牙和Hiperlan應(yīng)用中所需的調(diào)制。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，一個(gè)射頻發(fā)射器電路，特別是針對(duì)藍(lán)牙和Hiperlan應(yīng)用，包括一個(gè)電壓控制振蕩器，一個(gè)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和一個(gè)天線電路，其中電壓控制振蕩器適于直接向天線回路發(fā)送一個(gè)輸出信號(hào)，其中數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器被配置用來調(diào)制電壓控制振蕩器的一個(gè)輸出頻率。在這樣一個(gè)發(fā)射器電路中，電壓控制振蕩器提供足夠的功率，直接將其輸出信號(hào)發(fā)送給天線回路，由此可以不必使用象功率放大器一樣耗電的向上混頻器，沒有附加功率放大器，功率消耗也就減少了。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，將一個(gè)容性負(fù)載電路連接到電壓控制振蕩器的儲(chǔ)能電路，來調(diào)制電壓控制振蕩器的頻率。這是實(shí)現(xiàn)電壓控制振蕩器調(diào)制的兩個(gè)有利方法之一。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，將數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器連接到電壓控制振蕩器，使電壓控制振蕩器的儲(chǔ)能電路帶容性負(fù)載。這樣的電路配置是有利的，因?yàn)樵跀?shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和電壓控制振蕩器的儲(chǔ)能電路之間不用提供附加電路段。數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器直接作用于儲(chǔ)能電路。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，將一個(gè)容性負(fù)載電路連接到電壓控制振蕩器的一個(gè)晶體振蕩器回路，來調(diào)制電壓控制振蕩器的頻率。這是調(diào)制電壓控制振蕩器頻率的兩個(gè)有利方法中的第二中方法。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，將數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器連接到電壓控制振蕩器的晶體振蕩器電路，使電壓控制振蕩器的晶體振蕩器回路帶容性負(fù)載。同樣不需附加電路來調(diào)制電壓控制振蕩器的輸出頻率。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，通過一個(gè)鎖相環(huán)，將電壓控制振蕩器的晶體振蕩器電路連接到電壓控制振蕩器。該鎖相環(huán)確保電壓控制振蕩器跟隨晶體振蕩器回路的調(diào)制。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，鎖相環(huán)包括一個(gè)分頻電路，一個(gè)相位檢測(cè)器電路，一個(gè)回路濾波器電路。這是一個(gè)有利的實(shí)現(xiàn)希望的鎖相環(huán)功能的鎖相環(huán)電路，確保電壓控制振蕩器的輸出頻率跟隨晶體振蕩器回路的輸出。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，電壓控制振蕩器包括一個(gè)中心頻率設(shè)置電路，來調(diào)諧電壓控制振蕩器的一個(gè)中心頻率。該中心頻率設(shè)置電路能夠用一個(gè)簡(jiǎn)單而有利的方法在一定的頻率范圍內(nèi)將電壓控制振蕩器的中心頻率調(diào)整為不同的值。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，用來調(diào)諧電壓控制振蕩器的中心頻率設(shè)置電路包括一個(gè)調(diào)諧電壓源和一個(gè)與儲(chǔ)能電路相連的電壓控制電容器電路。這樣的電路配置能夠以一個(gè)有利的方式設(shè)置電壓控制振蕩器的中心頻率，并且還能夠把可以在電壓控制振蕩器的晶體振蕩器回路側(cè)完成的任何調(diào)制耦合到電壓控制振蕩器的儲(chǔ)能電路中。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，連接到儲(chǔ)能電路上的電壓控制電容器電路包括象電容器一樣連接的變?nèi)荻O管，和一個(gè)連接到調(diào)諧電壓源的電容器之間的節(jié)點(diǎn)。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，儲(chǔ)能電路通過一個(gè)第一電阻電路接地，通過一個(gè)第二電阻電路連接到供電電壓源。這樣的電路配置能夠以一個(gè)有利的方式構(gòu)建一個(gè)電壓控制振蕩器，具有足夠的功率將輸出信號(hào)直接輸出到天線，并相應(yīng)地驅(qū)動(dòng)天線電路。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，第一電阻電路包括N型MOSFET器件，而第二電阻性電路包括P型MOSFET器件。通過使用這種類型的有源器件，以一個(gè)最有效的方式，實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)能電路和地之間以及儲(chǔ)能電路和供電電壓之間的負(fù)電阻段。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器包括一個(gè)位電壓源和一個(gè)電容調(diào)制器電路。電容調(diào)制器電路最好包括2n對(duì)實(shí)現(xiàn)可變的電壓控制電容器件的MOSFET器件，和在一對(duì)形成數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器的輸出節(jié)點(diǎn)的MOSFET器件之間的節(jié)點(diǎn)。當(dāng)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器的輸出信號(hào)可用于調(diào)制電壓控制振蕩器的儲(chǔ)能電路或電壓控制振蕩器中所用的晶體振蕩器的輸出時(shí)，數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器的電路配置將以一個(gè)最有效的方式把位輸入轉(zhuǎn)變成模擬輸出。
在本發(fā)明的發(fā)射器電路的一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施方案中，天線電路包括連接在儲(chǔ)能電路的輸出之間的一系列電容器，和連接在天線電路的輸入之間的容量可控的電容器。這樣的電路配置能夠匹配天線電路或通過匹配電路的阻抗來補(bǔ)償天線的偏差。
現(xiàn)在結(jié)合附圖來描述發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，其中

圖1是本發(fā)明的一個(gè)發(fā)射器電路的第二圖；圖2是電壓控制振蕩器的輸出信號(hào)的功率和天線電路的輸出信號(hào)的功率與時(shí)間的關(guān)系曲線；圖3顯示的是由電壓控制振蕩器發(fā)送給天線電路的功率的特性以及頻率隨電壓控制振蕩器中的電壓控制電容器電路的電壓的變化；圖4是分別用來設(shè)置位0、位1和位2的相對(duì)頻率步長(zhǎng)；和圖5是一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的概要框圖，其中數(shù)模轉(zhuǎn)換器調(diào)制電壓控制振蕩器的晶體振蕩器。
依照?qǐng)D1，發(fā)射器電路包括一個(gè)功率電壓控制振蕩器2，一個(gè)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器4和一個(gè)天線電路6。電壓控制振蕩器2包括一個(gè)通過第一電阻電路10連接到地12和通過第二電阻電路14連接到供電電壓源16的儲(chǔ)能電路8，在該優(yōu)選實(shí)施方案中供電電壓源16有一個(gè)1.8V的供電電壓Vs。
電壓控制振蕩器2的儲(chǔ)能電路8包括兩個(gè)連接在儲(chǔ)能電路8的節(jié)點(diǎn)TP和TN之間電容器C1和C2，另一個(gè)連接在儲(chǔ)能電路8的節(jié)點(diǎn)TP和TN之間的電容器C3，以及一個(gè)連接在儲(chǔ)能電路8的節(jié)點(diǎn)TP和TN之間的電感器L1。第一個(gè)電阻電路10包括兩個(gè)MOSFET器件MN1和MN2，在圖1中所示的電路配置中的儲(chǔ)能電路8和地之間形成一個(gè)負(fù)電阻段。這兩個(gè)MOSFET器件MN1和MN2為N型MOSFET。如果相應(yīng)地修改電路，也可以采用雙極型、NPN、PNP、MESFET或類似的器件。在第一電阻電路10和地之間有一個(gè)電感器L2。
第二電阻器電路14包括兩個(gè)MOSFET器件MP1和MP2，在圖1中顯示的第二配置中，在儲(chǔ)能電路8和供電電壓Vs間形成一個(gè)負(fù)電阻段。這兩個(gè)MOSFET器件MP1和MP2為P型MOSFET器件。如果相應(yīng)地修改電路，也可以采用雙極型、NPN、PNP、MESFET或類似的器件。在第二電阻器電路14和供電電壓源16之間是另外一個(gè)電感器L3。
根據(jù)圖1，電壓控制振蕩器2包括一個(gè)中心頻率設(shè)置電路，該電路包括一個(gè)調(diào)諧電壓源18和一個(gè)電壓控制電容器電路20，與儲(chǔ)能電路8相連，來調(diào)整電壓控制振蕩器2的中心頻率。該電壓控制電容器電路20包括兩個(gè)變?nèi)荻O管(電壓控制電容裝置)MN3、MN4，兩個(gè)變?nèi)荻O管MN3、MN4間的一個(gè)節(jié)點(diǎn)22連接到調(diào)諧電壓源18。調(diào)諧電壓源的另一個(gè)端子18B與地12相連。變?nèi)荻O管MN3、MN4的基端分別連接到節(jié)點(diǎn)TN和節(jié)點(diǎn)TP。
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器4包括一個(gè)位電壓源22和一個(gè)電容調(diào)制器電路24。電容調(diào)制器電路24包括兩對(duì)變?nèi)荻O管MN5、MN6和MN7、MN8，在所示的電路配置中，分別實(shí)現(xiàn)可變電壓控制電容。變?nèi)荻O管對(duì)MN5、MN6和MN7、MN8之間的節(jié)點(diǎn)26、28分別連接到電壓控制振蕩器2的節(jié)點(diǎn)TN和TP。節(jié)點(diǎn)26、28連接到變?nèi)荻O管MN5-MN8的基端，變?nèi)荻O管MN5、MN7和變?nèi)荻O管MN6、MN8的其它端子分別連接到位電壓源22和地12。
可以注意到，圖1中的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器4僅顯示了位1的優(yōu)選實(shí)施方案。為了將數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器4擴(kuò)展到多位，存在下列可能性(a)如圖1所示，位1由兩對(duì)MOSFET器件來表示，位2由四對(duì)具有與圖1顯示的器件相同的尺寸的MOSFET器件來表示，位n由2n對(duì)具有與圖1顯示的位1器件相同的尺寸的MOSFET器件來表示。
(b)位n也是一個(gè)兩對(duì)配置。那么，該器件的尺寸比圖1中顯示的器件的尺寸大2n倍。
(c)一個(gè)(a)和(b)的組合。
天線電路6在儲(chǔ)能電路8的節(jié)點(diǎn)TP和TN之間包括如干電容器C4、C5、C6和C7。至少，就其電容值而言，天線電路6的電源節(jié)點(diǎn)30、32間連接的電容器C5和C6是可控的。電容器C4-C7加載儲(chǔ)能電路，由此加載中心頻率。為了能夠調(diào)諧，至少將電容器C5和C7具體化為MOS電容器。這樣，可以改變信號(hào)的幅值，可以以阻抗的自適應(yīng)方式來補(bǔ)償天線負(fù)載的變化。
圖1中的天線電路6進(jìn)一步包括表示該天線電路中的天線的兩個(gè)電阻器R1和R2。電阻器R1通過一個(gè)電感器L5連接到天線電路6的電源節(jié)點(diǎn)30，電阻器R2通過一個(gè)電感器L4連接到天線電路6的電源節(jié)點(diǎn)32。電感器L4和L5代表用于連接天線的接合線的電感。電阻器R1和電感器L5間的節(jié)點(diǎn)34形成天線電路的輸出OP，而電阻器R2和電感器L4間的節(jié)點(diǎn)36形成天線電路的輸出ON。兩個(gè)電阻器R1和R2間的節(jié)點(diǎn)39連接到地12。
圖2用圖形顯示了電壓控制振蕩器2的電壓和天線電路4的電壓輸出相對(duì)于時(shí)間的電壓輸出信號(hào)。電壓控制振蕩器的電壓輸出標(biāo)注為VVCO，天線電路的電壓輸出標(biāo)注為VANT。從圖2中可以看出，天線電路6的電阻器R1、R2(天線)取不同的電阻值為150歐姆，而電壓控制振蕩器的輸出峰值電壓為1.8V，則電壓控制振蕩器的天線電路的輸出峰值電壓為0.8V。對(duì)于所考慮的應(yīng)用而言，這是一個(gè)很令人滿意的結(jié)果。
圖3顯示了功率電壓控制振蕩器發(fā)送給天線電路的功率，以及頻率隨電壓控制振蕩器2的變?nèi)荻O管MN3、MN4上的電壓的變化。功率曲線表示為PO，頻率曲線表示為Ff。圖3僅針對(duì)電壓控制振蕩器的1.2V的電壓差別顯示了4.15dBm和4.4dBm之間的變化，對(duì)應(yīng)于一個(gè)約120MHz的調(diào)諧或2.4GHz和2.52GHz之間的頻率差異。這表明在本發(fā)明的發(fā)射器電路中的調(diào)諧作用下，由天線電路發(fā)送的功率幾乎不變。
圖4用圖形顯示了給定的用于分別調(diào)整位0、位1和位2的相對(duì)頻率步長(zhǎng)。X軸顯示的是位電平，y軸顯示的是相對(duì)的頻率，用kHz表示，絕對(duì)頻率為2.45GHz。在顯示的優(yōu)選實(shí)施方案中，用于調(diào)整位的步長(zhǎng)的精度為18kHz，即對(duì)位1而言，中心頻率增加18kHz，對(duì)位2而言中心頻率增加36kHz，為18kHz的兩倍，對(duì)位3而言中心頻率增加72kHz，為18kHz的四倍。根據(jù)藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)，在6位數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器中需要一個(gè)每位60kHZ的調(diào)制。圖4表明采用一個(gè)利用圖1中所示的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器的一位的優(yōu)選實(shí)施方案的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，能夠進(jìn)行這樣的調(diào)制。這樣的一個(gè)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器適用于藍(lán)牙應(yīng)用中的電壓控制振蕩器的直接調(diào)制，足以使晶體振蕩器的鎖相環(huán)將電壓控制振蕩器調(diào)整到接近其中心頻率。因此，在調(diào)制寬度范圍內(nèi)頻率是很寬松的。
圖5顯示了本發(fā)明的射頻發(fā)射器電路的另一優(yōu)選實(shí)施方案，其中是一個(gè)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)40連接到電壓控制振蕩器44的晶體振蕩器電路42，用于為該電壓控制振蕩器的晶體振蕩器電路施加電容性負(fù)載。該晶體振蕩器電路(CR)42通過一個(gè)鎖相環(huán)連接到電壓控制振蕩器(VCO)，該鎖相環(huán)包括一個(gè)分頻器電路46(D(N))，一個(gè)相位檢測(cè)器電路(PD)48和一個(gè)環(huán)路濾波器電路(LF)50。可以按圖1中所示，來具體化圖5的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器40和電壓控制振蕩器44。
在圖5的優(yōu)選實(shí)施方案中，數(shù)模轉(zhuǎn)換器40調(diào)制晶體振蕩器電；路42的參考頻率，實(shí)質(zhì)上提供了鎖相環(huán)的頻率。構(gòu)建鎖相環(huán)，使得由環(huán)路濾波器電路50的輸出電壓來調(diào)整電壓控制振蕩器44的中心頻率。由于分頻器電路46除以N，所以該頻率為參考頻率的N倍。當(dāng)參考頻率變化時(shí)，環(huán)路濾波器電路50的輸出跟隨這些變化，由此來調(diào)制電壓控制振蕩器44的頻率。
上述針對(duì)4dBm的功率和120MHz調(diào)諧設(shè)計(jì)的足以滿足藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)射器電路的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案顯示了一個(gè)僅有4mA 1.8V的供電電壓耗散。這是對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)射器電路的特性的一個(gè)主要改進(jìn)。
必要的數(shù)據(jù)修正至少是一個(gè)恒定幅值調(diào)制。在藍(lán)牙情況下，該調(diào)制可以是GFSK(高斯頻移鍵控)或GMSK(高斯媒質(zhì)移位鍵控)?？梢杂孟铝蟹绞絹韺?shí)現(xiàn)這一調(diào)制(a)通過將數(shù)字基帶信號(hào)轉(zhuǎn)化為一個(gè)電容負(fù)載的數(shù)模轉(zhuǎn)換器，利用電容調(diào)制來加載儲(chǔ)能電路。通過將這一負(fù)載增加到儲(chǔ)能電路8或從中清除這一負(fù)載，來獲得意味著頻率調(diào)制的頻率變化。
(b)因?yàn)殡妷嚎刂普袷幤魍ǔＭㄟ^一個(gè)鎖相環(huán)連接到一個(gè)晶體振蕩器，所以還可以利用數(shù)模轉(zhuǎn)換器通過加載電容性負(fù)載來調(diào)諧晶體振蕩器，來調(diào)制電壓控制振蕩器。電壓控制振蕩器通過閉合的鎖相環(huán)來跟隨晶體振蕩器。
權(quán)利要求
1.一種用來調(diào)制發(fā)射器電路的輸出電壓的方法，所述電路包括一個(gè)具有一個(gè)調(diào)制輸入的電壓控制振蕩器，一個(gè)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和一個(gè)天線電路，所述方法包括從電壓控制振蕩器直接向天線電路發(fā)送一個(gè)輸出信號(hào)，和通過向電壓控制振蕩器的調(diào)制輸入施加一個(gè)數(shù)/模轉(zhuǎn)換器的輸出信號(hào)，直接調(diào)制電壓控制振蕩器的輸出信號(hào)的頻率。
2.依照權(quán)利要求1的方法，其中使電壓控制振蕩器的儲(chǔ)能電路帶電容性負(fù)載，來直接調(diào)制電壓控制振蕩器的頻率。
3.依照權(quán)利要求1的方法，其中使電壓控制振蕩器的晶體振蕩器電路帶電容器負(fù)載，來直接調(diào)制電壓控制振蕩器的頻率。
4.一個(gè)發(fā)射器電路，特別是針對(duì)藍(lán)牙和Hiperlan應(yīng)用，包括一個(gè)電壓控制振蕩器，所述壓控振蕩器電路具有一個(gè)儲(chǔ)能電路、一個(gè)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和一個(gè)天線電路，其中電壓控制振蕩器適于直接向天線電路發(fā)送一個(gè)具有足夠功率的輸出信號(hào)，其中數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器被配置用來調(diào)制電壓控制振蕩器的輸出頻率。
5.依照權(quán)利要求4的發(fā)射器電路，其中將一個(gè)電容性負(fù)載電路連接到電壓控制振蕩器的儲(chǔ)能電路，來調(diào)制電壓控制振蕩器的頻率。
6.依照權(quán)利要求4的發(fā)射器電路，其中一個(gè)電容負(fù)載電路連接到電壓控制振蕩器的晶體振蕩器電路，來調(diào)制電壓控制振蕩器的頻率。
7.依照權(quán)利要求4-6中任意一項(xiàng)所要求的發(fā)射器電路，其中電壓控制振蕩器包括一個(gè)中心頻率設(shè)置電路，來調(diào)諧電壓控制振蕩器的一個(gè)中心頻率。
8.依照權(quán)利要求7的發(fā)射器電路，其中用于調(diào)諧電壓控制振蕩器的中心頻率設(shè)置電路包括一個(gè)調(diào)諧電壓源和一個(gè)連接到儲(chǔ)能電路的電壓控制電容器電路。
9.依照權(quán)利要求4的發(fā)射器電路，其中儲(chǔ)能電路通過一個(gè)第一電阻電路接地，通過一個(gè)第二電阻電路連接到供電電壓源。
10.依照權(quán)利要求4-9中任意一項(xiàng)所要求的發(fā)射器電路，其中天線電路包括連接在儲(chǔ)能電路的輸出之間的一系列電容器，連接在天線電路的功率節(jié)點(diǎn)之間的其電容值可控的電容器。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種方法，用于調(diào)制包括一個(gè)電壓控制振蕩器、一個(gè)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和一個(gè)天線電路的發(fā)射器電路輸出電壓，該方法包括從電壓控制振蕩器直接向天線電路發(fā)送一個(gè)輸出信號(hào)，并直接調(diào)制電壓控制振蕩器的輸出信號(hào)的頻率。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一個(gè)發(fā)射器電路，包括一個(gè)具有一個(gè)儲(chǔ)能電路、一個(gè)數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和一個(gè)天線電路的電壓控制振蕩器，其中電壓控制振蕩器適于直接向天線電路發(fā)送一個(gè)具有足夠功率的輸出信號(hào)，其中數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器被配置用來調(diào)制電壓控制振蕩器的輸出頻率。一個(gè)電容負(fù)載電路可以連接到電壓控制振蕩器的儲(chǔ)能電路或一個(gè)晶體振蕩器電路，來調(diào)制電壓控制振蕩器的頻率。
文檔編號(hào)H04B1/04GK1636335SQ02801673
公開日2005年7月6日 申請(qǐng)日期2002年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月16日
發(fā)明者D·M·W·萊內(nèi)爾茨, E·C·迪克曼斯 申請(qǐng)人:皇家菲利浦電子有限公司