供至所述MOS晶體管Ml的柵極，于是流過(guò)所述MOS晶體管Ml的電流隨著所述運(yùn)算放大器OPl的輸出電壓的變化而變化，從而使得流過(guò)所述泄放模塊50的電流與流過(guò)所述恒流模塊40的電流之和大于等于所述調(diào)光模塊20工作的最小維持電流。
[0029]當(dāng)所述調(diào)光模塊20中的可控硅調(diào)光器21的調(diào)光角度較小(LED燈較暗)時(shí)，流過(guò)所述恒流模塊40的電流較小，所述恒流模塊40提供給所述第一電阻Rl的浮動(dòng)電壓降低。因?yàn)樗鲞\(yùn)算放大器OPl的基準(zhǔn)電壓Vref恒定，而要使所述運(yùn)算放大器OPl的正負(fù)輸入端電壓匹配，所以所述第一電阻Rl兩端的壓差需要增大，據(jù)此所述運(yùn)算放大器OPl控制流過(guò)所述MOS晶體管Ml的電流增大。當(dāng)流過(guò)所述MOS晶體管Ml的電流增大時(shí)，能夠保證流過(guò)所述泄放模塊50的電流與流過(guò)所述恒流模塊40的電流之和仍能夠大于等于所述調(diào)光模塊20工作的最小維持電流。亦即，所述恒流模塊40中的LED負(fù)載也能夠保持正常工作狀態(tài)。也就是說(shuō)，當(dāng)流過(guò)恒流模塊40的電流減小時(shí)，為保證調(diào)光模塊20工作的最小維持電流，所述泄放模塊50會(huì)檢測(cè)流過(guò)所述恒流模塊40的電流大小，以此決定所述運(yùn)算放大器OPl的輸出端電壓，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)調(diào)整MOS晶體管Ml流過(guò)的電流，其中流過(guò)所述泄放模塊50的電流大小與流過(guò)所述恒流模塊40的電流大小成反比。
[0030]反之，當(dāng)所述調(diào)光模塊20中的可控硅調(diào)光器21的調(diào)光角度較大(LED燈較亮)時(shí)，流過(guò)所述恒流模塊40的電流較大，所述恒流模塊40提供給所述第一電阻Rl的浮動(dòng)電壓增加。因?yàn)樗鲞\(yùn)算放大器OPl的基準(zhǔn)電壓Vref恒定，而要使所述運(yùn)算放大器的正負(fù)輸入端電壓匹配，所以所述第一電阻Rl兩端的壓差需要減小，據(jù)此所述運(yùn)算放大器OPl控制流過(guò)所述MOS晶體管Ml的電流減小。當(dāng)流過(guò)所述MOS晶體管Ml的電流減小時(shí)，也能夠保證流過(guò)所述泄放模塊50的電流與流過(guò)所述恒流模塊40的電流之和仍能夠大于等于所述調(diào)光模塊20工作的最小維持電流。這樣，在滿足所述調(diào)光模塊20工作的最小維持電流條件下不僅能夠減小所述泄放模塊50的損耗，而且提升整個(gè)電路的效率。
[0031]也就是說(shuō)，在調(diào)光角度較小且所述整流模塊30輸出電壓較低時(shí)，主要由所述泄放模塊50給所述調(diào)光模塊20提供可控硅調(diào)光器21工作的最小維持電流。在調(diào)光角度較大且所述整流模塊30輸出電壓較高時(shí)，所述泄放模塊50調(diào)整流經(jīng)所述泄放模塊50的電流或甚至關(guān)斷所述泄放模塊50，以提升整機(jī)效率。
[0032]另外，所述泄放模塊50內(nèi)置的過(guò)溫保護(hù)單元51會(huì)監(jiān)控整個(gè)泄放模塊50的溫度。當(dāng)溫度大于一設(shè)定溫度閾值時(shí)發(fā)送一過(guò)溫保護(hù)信號(hào)至泄放模塊50。于是，利用所述過(guò)溫保護(hù)單元51內(nèi)置的電流源而提供一電流至所述運(yùn)算放大器OPl的負(fù)極輸入端，這樣使得所述運(yùn)算放大器OPl的輸出電壓小于所述MOS晶體管Ml的閾值電壓，從而關(guān)斷所述MOS晶體管M1，所述泄放模塊50也被關(guān)斷，于是，可以避免系統(tǒng)溫度過(guò)高。
[0033]因此，本實(shí)用新型的可控硅調(diào)光電路能夠有效解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，例如，開(kāi)關(guān)型調(diào)光方案很難做到小體積;器件數(shù)量多，成本高;普通泄放模塊50不能動(dòng)態(tài)檢測(cè)溫度；以及為解決傳導(dǎo)輻射需外加器件。
[0034]另外，在本實(shí)施例中，所述恒流模塊40和所述泄放模塊50分別可以設(shè)置在不同的芯片，其中恒流模塊40可以設(shè)置于LED驅(qū)動(dòng)芯片，如BP5131X系列線性LED驅(qū)動(dòng)芯片，BP5132X系列線性LED驅(qū)動(dòng)芯片。當(dāng)然，在其他部分實(shí)施例中，所述恒流模塊40和所述泄放模塊50可設(shè)置在同一芯片。
[0035]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可控娃調(diào)光電路，所述可控娃調(diào)光電路包括一電源模塊、一整流模塊、一調(diào)光模塊和一恒流模塊，所述電源模塊用以提供一輸入電壓，所述調(diào)光模塊與所述電源模塊電連接，所述調(diào)光模塊用于將所述電源模塊輸出給所述整流模塊的輸入電壓進(jìn)行切相以實(shí)現(xiàn)調(diào)光，所述整流模塊與所述調(diào)光模塊電連接，所述整流模塊用于將所述調(diào)光模塊輸出的電壓進(jìn)行整流以輸出整流電壓，所述恒流模塊與所述整流模塊電連接，用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載，并且使得流過(guò)負(fù)載的電流為恒定值，其特征在于，所述可控硅調(diào)光電路包括: 一泄放模塊，分別與所述整流模塊和恒流模塊電連接，所述泄放模塊用于根據(jù)流過(guò)恒流模塊的電流大小調(diào)整流經(jīng)所述泄放模塊的電流或關(guān)斷所述泄放模塊，以使流過(guò)所述泄放模塊的電流與流過(guò)所述恒流模塊的電流之和大于等于所述調(diào)光模塊工作的最小維持電流。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光電路，其特征在于，所述恒流模塊通過(guò)一第一電阻Rl電連接至所述泄放模塊。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光電路，其特征在于，所述泄放模塊包括:一MOS晶體管和一運(yùn)算放大器;所述MOS晶體管的柵極電連接至所述運(yùn)算放大器的輸出端，所述MOS晶體管的源極電連接至所述運(yùn)算放大器的正極輸入端，所述MOS晶體管的漏極電連接至所述整流模塊;所述運(yùn)算放大器的負(fù)極輸入端接一基準(zhǔn)電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可控硅調(diào)光電路，其特征在于，所述MOS晶體管的漏極通過(guò)一第二電阻電連接至所述整流模塊。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光電路，其特征在于，所述泄放模塊進(jìn)一步包括一過(guò)溫保護(hù)單元，所述過(guò)溫保護(hù)單元電連接至所述泄放模塊的運(yùn)算放大器的負(fù)極輸入端，所述過(guò)溫保護(hù)單元用以檢測(cè)所述泄放模塊的溫度，并當(dāng)所述泄放模塊的溫度大于一設(shè)定溫度閾值時(shí)發(fā)送一過(guò)溫保護(hù)信號(hào)至泄放模塊。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可控硅調(diào)光電路，其特征在于，所述過(guò)溫保護(hù)單元包括一電流源，所述電流源與所述運(yùn)算放大器的負(fù)極輸入端電連接，所述電流源用于當(dāng)所述泄放模塊的溫度大于一設(shè)定溫度閾值時(shí)，所述電流源提供一電流至所述運(yùn)算放大器的負(fù)極輸入端。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光電路，其特征在于，所述恒流模塊和所述泄放模塊設(shè)置在同一芯片。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光電路，其特征在于，所述恒流模塊和所述泄放模塊分別設(shè)置在不同的芯片。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型披露一種可控硅調(diào)光電路，所述可控硅調(diào)光電路包括電源模塊、整流模塊、調(diào)光模塊和恒流模塊，電源模塊用以提供一輸入電壓，調(diào)光模塊與電源模塊電連接，調(diào)光模塊用于將電源模塊輸出給整流模塊的輸入電壓進(jìn)行切相以實(shí)現(xiàn)調(diào)光，整流模塊與調(diào)光模塊電連接，整流模塊用于將調(diào)光模塊輸出的電壓進(jìn)行整流以輸出整流電壓，恒流模塊與整流模塊電連接，用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載，并且使得流過(guò)負(fù)載的電流為恒定值；所述可控硅調(diào)光電路還包括：一泄放模塊，與整流模塊和恒流模塊電連接，所述泄放模塊用于根據(jù)流過(guò)恒流模塊的電流大小調(diào)整流經(jīng)泄放模塊的電流或關(guān)斷泄放模塊，以使流過(guò)泄放模塊的電流與流過(guò)恒流模塊的電流之和大于等于調(diào)光模塊工作的最小維持電流。
【IPC分類(lèi)】H05B33/08
【公開(kāi)號(hào)】CN205320340
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201620062310
【發(fā)明人】王剛, 張松
【申請(qǐng)人】上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2016年1月22日