可控硅電壓保護(hù)電路和方法、調(diào)光電路及照明設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實施例涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種可控硅電壓保護(hù)電路和方法、調(diào)光電路及照明設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]可控硅是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強等特點，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關(guān)等。
[0003]家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、攝像機(jī)等及很多工業(yè)控制設(shè)備都大量使用了可控硅器件進(jìn)行整流和調(diào)壓等。以家用電器中的調(diào)光燈為例，由于LED具有發(fā)光效率高、使用壽命長、穩(wěn)定性好等優(yōu)點，調(diào)光燈一般使用的是LED照明燈或者LED背光源進(jìn)行照明。用戶在使用LED照明燈或LED背光源時，經(jīng)常直接將LED照明電路接入現(xiàn)有的可控硅調(diào)光器，可控硅調(diào)光器中的可控硅器件對市電進(jìn)行斬波之后，直接輸入LED照明燈或者LED背光源，造成輸入電流變大，導(dǎo)致LED照明燈或者LED背光源等負(fù)載被破壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例提供的可控硅電壓保護(hù)電路和方法、調(diào)光電路及照明設(shè)備，用于解決用戶直接將LED照明電路接入可控硅調(diào)光器，造成斬波之后的交流市電直接輸入LED照明電路，造成輸入電流變大，破壞負(fù)載的問題。
[0005]本發(fā)明第一方面提供一種可控硅電壓保護(hù)電路，包括:可控硅檢測電路和保護(hù)電路；所述可控硅檢測電路的第一端與電壓采樣點連接；所述電壓采樣點設(shè)置在可控硅調(diào)節(jié)器與功率轉(zhuǎn)換電路的連接線路上，所述可控硅檢測電路的第二端與所述保護(hù)電路的第一端連接；所述保護(hù)電路的第二端與功率轉(zhuǎn)換電路連接；
[0006]所述可控硅檢測電路用于在可控硅接入時，檢測電壓采樣點的電壓并輸出到所述保護(hù)電路；所述保護(hù)電路用于根據(jù)所述電壓采樣點的電壓控制所述功率轉(zhuǎn)換電路的啟動或關(guān)閉。
[0007]在本發(fā)明的一實施例中，所述可控硅電壓保護(hù)電路還包括:整流電路，所述整流電路連接在所述電壓采樣點與所述可控硅調(diào)節(jié)器之間，用于將可控過調(diào)節(jié)器輸出的電流進(jìn)行整流再輸出到所述電壓采樣點。
[0008]在本發(fā)明的一實施例中，所述可控硅檢測電路包括:突變電壓檢測電路、電流電壓轉(zhuǎn)換電路和峰值電壓采樣電路；所述突變電壓檢測電路的第一端與所述電壓檢測點連接，所述突變電壓檢測電路的第二端與所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路的第一端連接；所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路的第二端與所述峰值電壓采樣電路的第一端連接；所述峰值電壓采樣電路的第二端與所述保護(hù)電路的第一端連接；
[0009]所述突變電壓檢測電路用于在可控硅接入時，檢測所述電壓采樣點的突變電壓產(chǎn)生的電流信號；所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路用于將突變電壓產(chǎn)生的電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號，并將所述電壓信號通過所述峰值電壓采樣電路輸出到所述保護(hù)電路。
[0010]在本發(fā)明的一實施例中，所述保護(hù)電路包括電壓采樣電路和遲滯比較器，所述電壓采樣電路的第一端與所述峰值電壓采樣電路的第二端連接，所述電壓采樣電路的第二端與所述遲滯比較器的第一輸入端連接；所述遲滯比較器的第二輸入端用于輸入?yún)⒖茧妷?；所述遲滯比較器的輸出端與所述功率轉(zhuǎn)換電路連接；所述電壓采樣電路用于根據(jù)所述峰值電壓采樣電路輸出的電壓信號獲取輸出電壓，所述遲滯比較器用于將所述輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較；
[0011]若所述遲滯比較器比較出所述輸出電壓大于參考電壓，則輸出低電平關(guān)閉所述功率轉(zhuǎn)換電路；若所述遲滯比較器比較出所述輸出電壓小于參考電壓，則輸出高電平啟動所述功率轉(zhuǎn)換電路。
[0012]在本發(fā)明的一實施例中，所述突變電壓檢測電路包括第一電容，用于在可控硅接入時，檢測所述電壓采樣點的突變電壓產(chǎn)生的電流信號。
[0013]在本發(fā)明的一實施例中，所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路包括并聯(lián)連接的第一電阻和第一二極管。
[0014]在本發(fā)明的一實施例中，所述峰值電壓采樣電路包括第二電阻、第二電容和第二二極管；所述第二電阻和所述第二電容并聯(lián)連接，所述第二二極管的輸出端與所述第二電阻和所述第二電容并聯(lián)組成的電路的一端串聯(lián)連接；
[0015]所述第二二極管的輸入端與所述第一電阻和所述第一二極管并聯(lián)組成的電路的第一端串聯(lián)連接；所述第一電阻和所述第一二極管并聯(lián)組成的電路的第一端為所述第一二極管輸出的一端。
[0016]本發(fā)明第二方面提供一種可控硅電壓保護(hù)方法，應(yīng)用于可控硅電壓保護(hù)電路，所述可控硅電壓保護(hù)電路包括可控硅檢測電路和保護(hù)電路；所述可控硅檢測電路的第一端與電壓采樣點連接；所述電壓采樣點設(shè)置在可控硅調(diào)節(jié)器與功率轉(zhuǎn)換電路的連接線路上，所述可控硅檢測電路的第二端與所述保護(hù)電路的第一端連接；所述保護(hù)電路的第二端與功率轉(zhuǎn)換電路連接；所述方法包括:
[0017]在可控硅與功率轉(zhuǎn)換電路之間設(shè)置電壓采樣點；
[0018]所述可控硅檢測電路獲取所述電壓采樣點的電壓，并對所述電壓采樣點的電壓進(jìn)行峰值處理；
[0019]所述保護(hù)電路對峰值處理后的所述電壓采樣點的電壓與參考電壓進(jìn)行比較，若峰值處理后的所述電壓采樣點的電壓大于參考電壓值，則控制功率轉(zhuǎn)換電路停止功率轉(zhuǎn)換，否則控制所述功率轉(zhuǎn)換電路啟動功率轉(zhuǎn)換。
[0020]本發(fā)明第三方面提供一種調(diào)光電路，包括:供電電路、可控硅調(diào)光器、功率轉(zhuǎn)換電路和權(quán)利要求第一方面任一項所述的可控硅電壓保護(hù)電路；所述供電電路與所述可控硅調(diào)節(jié)器的一端連接，所述可控硅調(diào)光器的另一端分別與所述可控硅電壓保護(hù)電路的一端和所述功率轉(zhuǎn)換電路的第一輸入端連接；所述可控硅電壓保護(hù)電路的另一端與所述功率轉(zhuǎn)換電路的第二輸入端連接；所述可控硅調(diào)光器包括可控硅。
[0021]本發(fā)明第四方面提供一種照明設(shè)備，包括:第三方面所述的調(diào)光電路以及與所述調(diào)光電路連接的照明器件。
[0022]本發(fā)明提供的可控硅電壓保護(hù)電路和方法、調(diào)光電路及照明設(shè)備，該可控硅電壓保護(hù)電路包括可控硅檢測電路和保護(hù)電路，可控硅檢測電路的第一端與電壓采樣點連接；所述電壓采樣點設(shè)置在可控硅調(diào)節(jié)器與功率轉(zhuǎn)換電路的連接線路上，可控硅檢測電路在可控硅接入時，檢測電壓采樣點的電壓并輸出到保護(hù)電路，保護(hù)電路通過根據(jù)所述電壓采樣點的電壓控制所述功率轉(zhuǎn)換電路的啟動或關(guān)閉，通過在可控硅和功率轉(zhuǎn)換電路之間連接可控硅檢測電路和保護(hù)電路，檢測可控硅處的突變電壓，并通過保護(hù)電路控制功率轉(zhuǎn)換電路的開關(guān)，保護(hù)之后連接的負(fù)載器件不被突變電壓破壞。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本發(fā)明可控硅電壓保護(hù)電路實施例一的原