一種采用移相逆變的x光機燈絲電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及高頻高壓發(fā)生器，特別是指一種采用移相逆變的X光機燈絲電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著高頻X線機的發(fā)展，燈絲單元電路至關(guān)重要，燈絲電路的合理性直接關(guān)系到X光線的質(zhì)量，X光管芯的壽命，以及X線機整機的可靠性和穩(wěn)定性。
[0003]在傳統(tǒng)的燈絲單元設(shè)計中，國內(nèi)外(如南寧一舉醫(yī)療，CPI醫(yī)療)普遍采用硬開關(guān)技術(shù)，硬開關(guān)技術(shù)，開關(guān)損耗大，轉(zhuǎn)換效率低，逆變M0SFET發(fā)熱量大，M0SFET須大面積散熱。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型提出一種采用移相逆變的X光機燈絲電路，解決了現(xiàn)有技術(shù)中開關(guān)損耗大、轉(zhuǎn)換效率低、發(fā)熱量大，須大面積散熱的問題。
[0005]本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0006]—種采用移相逆變的X光機燈絲電路，其特征在于:包括PI調(diào)節(jié)子電路、移相型PWM控制器、M0FET逆變子電路和燈絲變壓器。
[0007]PI調(diào)節(jié)子電路包括參數(shù)設(shè)定端、參數(shù)反饋端和型號為LF353的運算放大器，參數(shù)設(shè)定端通過第三十三電阻與運算放大器的負輸入端連接，參數(shù)反饋端通過第四十二電阻與運算放大器的負輸入端連接，運算放大器的負輸入端與輸出端之間連接有第三十七電阻，第三十七電阻的兩端連接有相串聯(lián)的第三十二電阻和第二十六電容，運算放大器的輸出端與PWM控制器的輸入端連接。
[0008]M0FET逆變子電路包括脈沖變壓器、第一場效應(yīng)管、第二場效應(yīng)管、第三場效應(yīng)管和第四場效應(yīng)管，脈沖變壓器具有四個次級繞組，第一、第二、第三、第四場效應(yīng)管均為型號為IRF540N的金氧半場效晶體管，第四場效應(yīng)管的漏極與第一場效應(yīng)管的漏極連接，第四場效應(yīng)管的源極與第三場效應(yīng)管的漏極連接，第三場效應(yīng)管的源極與第二場效應(yīng)管的源極連接，第二場效應(yīng)管的漏極與第一場效應(yīng)管的源極連接。
[0009]第四場效應(yīng)管的柵極連接第四電阻后與源極對應(yīng)脈沖變壓器的第一個次級繞組連接，第四場效應(yīng)管的柵極與源極間連接有第十二電阻；第一場效應(yīng)管的柵極連接第五電阻后與源極對應(yīng)脈沖變壓器的第二個次級繞組連接，第一場效應(yīng)管的柵極與源極間連接有第十三電阻；第三場效應(yīng)管的柵極連接第二十電阻后與源極對應(yīng)脈沖變壓器的第三個次級繞組連接，第三場效應(yīng)管的柵極與源極間連接有第二十八電阻；第二場效應(yīng)管的柵極連接第二十一電阻后與源極對應(yīng)脈沖變壓器的第四個次級繞組連接，第二場效應(yīng)管的柵極與源極間連接有第二十九電阻。
[0010]燈絲變壓器初級線圈的兩端與第四場效應(yīng)管的源極、第一場效應(yīng)管的源極對應(yīng)連接，燈絲變壓器次級線圈的兩端加載到X光機的燈絲上。
[0011]本燈絲電路采用移相逆變軟開關(guān)技術(shù)，可大大減小開關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，減小MOSFET發(fā)熱量，提高燈絲單元電路的可靠性，穩(wěn)定性，降低燈絲單元部分的成本。
【附圖說明】
[0012]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1為本實用新型的一部分電路原理圖；
[0014]圖2為本實用新型包含圖1以外的另一部分電路原理圖。
【具體實施方式】
[0015]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0016]—種采用移相逆變的X光機燈絲電路，結(jié)合圖1、圖2所示，其包括PI調(diào)節(jié)子電路、移相型PWM控制器Pl、M0FET逆變子電路和燈絲變壓器B1。
[0017]其中，PI調(diào)節(jié)子電路包括參數(shù)設(shè)定端SETMA、參數(shù)反饋端FBMA和型號為LF353的運算放大器U3B，參數(shù)設(shè)定端SETMA通過第三十三電阻R33與運算放大器U3B的負輸入端連接，參數(shù)反饋端FBMA通過第四十二電阻R42與運算放大器U3B的負輸入端連接，運算放大器U3B的負輸入端與輸出端之間連接有第三十七電阻R37，第三十七電阻R37的兩端連接有相串聯(lián)的第三十二電阻R32和第二十六電容C26，運算放大器U3B的輸出端與PWM控制器P1的輸入端連接。
[0018]其中，M0FET逆變子電路包括脈沖變壓器Ml、第一場效應(yīng)管Q1、第二場效應(yīng)管Q2、第三場效應(yīng)管Q3和第四場效應(yīng)管Q4，脈沖變壓器Ml具有四個次級繞組，第一、第二、第三、第四場效應(yīng)管Q1、Q2、Q3、Q4均為型號為IRF540N的金氧半場效晶體管，第四場效應(yīng)管Q4的漏極與第一場效應(yīng)管Q1的漏極連接，第四場效應(yīng)管Q4的源極與第三場效應(yīng)管Q3的漏極連接，第三場效應(yīng)管Q3的源極與第二場效應(yīng)管Q2的源極連接，第二場效應(yīng)管Q2的漏極與第一場效應(yīng)管Q1的源極連接。
[0019]第四場效應(yīng)管Q4的柵極連接第四電阻R4后與源極對應(yīng)脈沖變壓器Ml的第一個次級繞組連接，第四場效應(yīng)管Q4的柵極與源極間連接有第十二電阻R12 ;第一場效應(yīng)管Q1的柵極連接第五電阻R5后與源極對應(yīng)脈沖變壓器Ml的第二個次級繞組連接，第一場效應(yīng)管Q1的柵極與源極間連接有第十三電阻R13 ;第三場效應(yīng)管Q3的柵極連接第二十電阻R20后與源極對應(yīng)脈沖變壓器Ml的第三個次級繞組連接，第三場效應(yīng)管Q3的柵極與源極間連接有第二十八電阻R28 ;第二場效應(yīng)管Q2的柵極連接第二i^一電阻R21后與源極對應(yīng)脈沖變壓器Ml的第四個次級繞組連接，第二場效應(yīng)管Q2的柵極與源極間連接有第二十九電阻R29。
[0020]其中，燈絲變壓器B1初級線圈的兩端與第四場效應(yīng)管Q4的源極、第一場效應(yīng)管Q1的源極對應(yīng)連接，燈絲變壓器B1次級線圈的兩端加載到X光機的燈絲上。[0021 ] 本燈絲電路的參數(shù)設(shè)定端SETMA和參數(shù)反饋端FBMA與X線機的中央處理器CPU連接，根據(jù)中央處理器CPU傳輸?shù)目刂菩盘?，?jīng)過PI調(diào)節(jié)子電路，使PWM控制器P1工作，PWM控制器P1的PWM波控制M0SFET逆變子電路，產(chǎn)生高頻方波電壓，經(jīng)燈絲變壓器B1耦合，加載到X線機的燈絲，使燈絲加熱增溫。
[0022]與國內(nèi)外(如南寧一舉醫(yī)療，CPI醫(yī)療)的技術(shù)相比，由于采用移相逆變軟開關(guān)技術(shù)，可大大減小開關(guān)損耗，提尚轉(zhuǎn)換效率，減小M0SFET發(fā)熱量，提尚燈絲電路的可靠性，穩(wěn)定性，降低燈絲部分的成本。
[0023]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種采用移相逆變的X光機燈絲電路，其特征在于:包括PI調(diào)節(jié)子電路、移相型PWM控制器(P1)、M0FET逆變子電路和燈絲變壓器(B1)； PI調(diào)節(jié)子電路包括參數(shù)設(shè)定端(SETMA)、參數(shù)反饋端(FBMA)和型號為LF353的運算放大器(U3B)，參數(shù)設(shè)定端(SETMA)通過第三十三電阻(R33)與運算放大器(U3B)的負輸入端連接，參數(shù)反饋端(FBMA)通過第四十二電阻(R42)與運算放大器(U3B)的負輸入端連接，運算放大器(U3B)的負輸入端與輸出端之間連接有第三十七電阻(R37)，第三十七電阻(R37)的兩端連接有相串聯(lián)的第三十二電阻(R32)和第二十六電容(C26)，運算放大器(U3B)的輸出端與PWM控制器(P1)的輸入端連接； MOFET逆變子電路包括脈沖變壓器(Ml)、第一場效應(yīng)管(Q1)、第二場效應(yīng)管(Q2)、第三場效應(yīng)管(Q3)和第四場效應(yīng)管(Q4)，脈沖變壓器(Ml)具有四個次級繞組，第一、第二、第三、第四場效應(yīng)管(Ql、Q2、Q3、Q4)均為型號為IRF540N的金氧半場效晶體管，第四場效應(yīng)管(Q4)的漏極與第一場效應(yīng)管(Q1)的漏極連接，第四場效應(yīng)管(Q4)的源極與第三場效應(yīng)管(Q3)的漏極連接，第三場效應(yīng)管(Q3)的源極與第二場效應(yīng)管(Q2)的源極連接，第二場效應(yīng)管(Q2)的漏極與第一場效應(yīng)管(Q1)的源極連接； 第四場效應(yīng)管(Q4)的柵極連接第四電阻(R4)后與源極對應(yīng)脈沖變壓器(Ml)的第一個次級繞組連接，第四場效應(yīng)管(Q4)的柵極與源極間連接有第十二電阻(R12);第一場效應(yīng)管(Q1)的柵極連接第五電阻(R5)后與源極對應(yīng)脈沖變壓器(Ml)的第二個次級繞組連接，第一場效應(yīng)管(Q1)的柵極與源極間連接有第十三電阻(R13);第三場效應(yīng)管(Q3)的柵極連接第二十電阻(R20)后與源極對應(yīng)脈沖變壓器(Ml)的第三個次級繞組連接，第三場效應(yīng)管(Q3)的柵極與源極間連接有第二十八電阻(R28);第二場效應(yīng)管(Q2)的柵極連接第二十一電阻(R21)后與源極對應(yīng)脈沖變壓器(Ml)的第四個次級繞組連接，第二場效應(yīng)管(Q2)的柵極與源極間連接有第二十九電阻(R29); 燈絲變壓器(B1)初級線圈的兩端與第四場效應(yīng)管(Q4)的源極、第一場效應(yīng)管(Q1)的源極對應(yīng)連接，燈絲變壓器(B1)次級線圈的兩端加載到X光機的燈絲上。
【專利摘要】本實用新型涉及一種采用移相逆變的X光機燈絲電路，其包括PI調(diào)節(jié)子電路、移相型PWM控制器、MOFET逆變子電路和燈絲變壓器。本燈絲電路采用移相逆變軟開關(guān)技術(shù)，可大大減小開關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，減小MOSFET發(fā)熱量，提高燈絲單元電路的可靠性，穩(wěn)定性，降低燈絲單元部分的成本。本方案解決了現(xiàn)有技術(shù)中開關(guān)損耗大、轉(zhuǎn)換效率低、發(fā)熱量大，須大面積散熱的問題。
【IPC分類】H05G1/08, H02M7/537
【公開號】CN205017674
【申請?zhí)枴緾N201520817490
【發(fā)明人】甘立勁, 周奇, 胡長勝, 楊躍川, 廖興恩
【申請人】重慶華倫弘力實業(yè)有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年10月21日