一種具有單凸結構的壓電石英晶片的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及壓電石英晶片構造的技術領域，特別是一種具有單凸結構的壓電石英晶片。
【背景技術】
[0002]目前，石英晶體諧振器通常由壓電石英晶片及封裝外殼構成，其中壓電石英晶片為長方形或圓形，封裝外殼材料為陶瓷、玻璃等。壓電石英晶片上下兩面需蒸鍍電極，電極通過密封封裝的引線，與封裝外殼中的基座引腳相連。交流電壓可通過引腳連通石英晶片的上下電極，使石英晶片產生逆壓電效應，從而產生振蕩。石英晶體諧振器因其頻率的準確性和穩(wěn)定性等特性廣泛應用在移動電子設備、手機、移動通信裝置等電子行業(yè)。
[0003]隨著移動通信電子的迅速發(fā)展，器件小型化需求越來越高，石英晶體諧振器的小型化也勢在必行。在石英晶體諧振器小型化的進程中，傳統(tǒng)設計結構已很難生產，且成本較高。傳統(tǒng)的切條、腐蝕等工藝方式難以加工超小型石英晶片，已經(jīng)不能滿足小型化的要求。
[0004]石英晶體諧振器的諧振頻率較低時，為了提高能陷效應，削弱石英晶片邊緣效應，需改變石英晶片的外形。通常情況下，采用的是滾磨磨削方式，改變石英晶片外形，即雙凸曲面結構。但因滾磨工藝的穩(wěn)定性差、重復性低，所以成本一直居高不下，因此，石英晶片技術亟待提升。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術的缺點，提供一種成本低、可用于小型化石英晶片批量型生產、減弱邊緣產生的寄生振動，并能夠增強石英晶片中心的能陷效應、大幅度提升產品的一致性的具有單凸結構的壓電石英晶片。
[0006]本實用新型的目的通過以下技術方案來實現(xiàn):一種具有單凸結構的壓電石英晶片，它包括中央構件、保護框和連接部，所述的中央構件和保護框均呈矩形狀，保護框內設置有型腔，型腔內設置有中央構件設置在型腔內，中央構件的頂表面設置有能夠減弱邊緣產生的寄生振動，并能夠增強石英晶片中心的能陷效應的凸臺，保護框的兩條長邊與中央構件的兩條長邊之間形成有通槽A，保護框的兩條短邊與中央構件的兩條短邊之間形成有通槽B，通槽A與通槽B連通，所述的保護框的任意一條短邊與中央構件之間通過連接部相連接，連接部設置在任意一個通槽B內。
[0007]所述的凸臺為圓形凸臺、矩形凸臺或梯形凸臺。
[0008]所述的連接部的形狀為矩形或梯形。
[0009]所述的壓電石英晶片的長度為0.8-3.2mm。
[0010]所述的壓電石英晶片的寬度為0.6-2.5mm。
[0011]所述的中央構件、保護框和連接部的材質均為石英。
[0012]本實用新型具有以下優(yōu)點:(I)本實用新型的中央構件的頂表面設置有凸臺，凸臺能夠減弱邊緣產生的寄生振動，并能夠增強石英晶片中心的能陷效應。(2)本實用新型可用于小型化石英晶片批量型生產、大幅度提升了晶片和晶體的制造效率，同時一致性也得到提升。(3)當保護框受到外界力的作用時，力不會傳遞到中央構件上，從而很好地保護了中央構件。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型實施例一的結構示意圖；
[0014]圖2為圖1的俯視圖；
[0015]圖3為圖2的A-A剖視圖；
[0016]圖4為圖1的仰視圖；
[0017]圖5為本實用新型實施例一基于石英基板經(jīng)制造工藝加工后產品俯視圖；
[0018]圖6為圖5的仰視圖；
[0019]圖7為本實用新型實施例二的結構示意圖；
[0020]圖8為圖7的俯視圖；
[0021]圖9為圖7的仰視圖；
[0022]圖10為本實用新型實施例二基于石英基板經(jīng)制造工藝加工后產品俯視圖；
[0023]圖11為圖10仰視圖；
[0024]圖中，1-中央構件，2-保護框，3-連接部，4-凸臺，5-通槽A，6_通槽B，7_石英基板，8-切割定位孔。
【具體實施方式】
[0025]下面結合附圖對本實用新型做進一步的描述，本實用新型的保護范圍不局限于以下所述:
[0026]實施例一:
[0027]如圖1~4所示，一種具有單凸結構的壓電石英晶片，該石英晶片采用AT切型，此切型普遍應用于石英晶體諧振器中，其中晶片的長邊平行于X軸，X軸是石英晶體的電軸，短邊平行于Z’軸，厚度方向平行于Y’軸。不排除，石英晶片的長邊平行于Z’軸，寬度平行于X軸，厚度方向平行于Y’軸。該壓電石英晶片包括中央構件1、保護框2和連接部3，中央構件1、保護框2和連接部3的材質均為石英，所述的中央構件I和保護框2均呈矩形狀，所述的保護框2起到支撐和封裝連接作用，保護框2內設置有型腔，型腔內設置有中央構件I設置在型腔內，中央構件I的頂表面設置有能夠減弱邊緣產生的寄生振動，并能夠增強石英晶片中心的能陷效應的凸臺4，保護框2的兩條長邊與中央構件I的兩條長邊之間形成有通槽A5，保護框2的兩條短邊與中央構件I的兩條短邊之間形成有通槽B6，通槽A5與通槽B6連通，通槽A5和通槽B6通過化學腐蝕或物理分割石英晶體材料而成。如圖1~4所示，所述的保護框2的任意一條短邊與中央構件I之間通過連接部3相連接，連接部3設置在任意一個通槽B6內。
[0028]所述的凸臺4為圓形凸臺、矩形凸臺或梯形凸臺，本實施例中的凸臺為矩形凸臺。所述的連接部3的形狀為矩形或梯形，本實施例中的連接部3為矩形狀。
[0029]所述的壓電石英晶片的長度為0.8-3.2mm，本實施例中的長度為1.6mm，壓電石英晶片的寬度為0.6-2.5_，本實例中的寬度為1.2_，該石英晶片的諧振頻率為t=1664/F，t表不石英晶片的厚度，單位為y m ;F表不諧振頻率，單位為MHz，本實例中的石英晶片的諧振頻率在8MHz ~70MHz之間。
[0030]如圖5和圖6所示，一種具有單凸結構的壓電石英晶片，其加工步驟如下:
[0031]S1、取出一定規(guī)格的石英基板7，并對石英基板7的上、下表面進行研磨、拋光處理；
[0032]S2、通過旋涂或噴淋方式在石英基板7表面形成厚度均勻的光刻抗刻蝕保護層ER，然后使用光刻曝光在光刻抗刻蝕保護層ER上，在表面形成待刻蝕圖形；
[0033]S3、通過濕法刻蝕或干法刻蝕方式在石英基板7上表面刻蝕，從而在石英基板7表面形成凸臺4，凸臺4的刻蝕深度通過控制濕法刻蝕或干法刻蝕反應時間決定；
[0034]S4、去除步驟S3中的光刻抗刻蝕保護層ER并將石英基板7表面清洗干凈；
[0035]S5、清洗結束后，先通過旋涂或噴淋方式在石英基板7表面形成厚度均勻的光刻抗刻蝕保護層ER，再使用光刻曝光在光刻抗刻蝕保護層ER上表面形成待刻蝕圖形；
[0036]S6、通過濕法刻蝕、干法刻蝕、激光刻蝕、物理噴砂等方式在石英基板7上表面刻蝕，從而形成通槽A5和通槽B6 ；
[0037]S7、去除光刻抗刻蝕保護層ER并將石英基板7表面清洗干凈，從而制得具有單凸結構的壓電石英晶片。
[0038]S8、在石英基板7上加工出切割定位孔8 ;
[0039]S9、使用激光切割或刀片切割沿著切割定位孔8對石英基板7進行切割分離，從而實現(xiàn)了石英晶片的加工。
[0040]實施例二:
[0041]如圖7~9所示，本實施二與實施例一的不同點在于:所述的保護框2的任意一條短邊與中央構件I之間連接有兩個連接部3，兩個連接部3增加了中央構件I和與護框2之間的機械強度。
[0042]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當理解本實用新型并非局限于本文所披露的形式，不應看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述構想范圍內，通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離本實用新型的精神和范圍，則都應在本實用新型所附權利要求的保護范圍內。
【主權項】
1.一種具有單凸結構的壓電石英晶片，其特征在于:它包括中央構件(I)、保護框(2)和連接部(3)，所述的中央構件(I)和保護框(2)均呈矩形狀，保護框(2)內設置有型腔，型腔內設置有中央構件(I)設置在型腔內，中央構件(I)的頂表面設置有能夠減弱邊緣產生的寄生振動，并能夠增強石英晶片中心的能陷效應的凸臺(4)，保護框(2)的兩條長邊與中央構件(I)的兩條長邊之間形成有通槽A (5)，保護框(2)的兩條短邊與中央構件(I)的兩條短邊之間形成有通槽B (6)，通槽A (5)與通槽B (6)連通，所述的保護框(2)的任意一條短邊與中央構件(I)之間通過連接部(3)相連接，連接部(3)設置在任意一個通槽B (6)內。2.根據(jù)權利要求1所述的一種具有單凸結構的壓電石英晶片，其特征在于:所述的凸臺(4)為圓形凸臺、矩形凸臺或梯形凸臺。3.根據(jù)權利要求1所述的一種具有單凸結構的壓電石英晶片，其特征在于:所述的連接部(3)的形狀為矩形或梯形。4.根據(jù)權利要求1所述的一種具有單凸結構的壓電石英晶片，其特征在于:所述的壓電石英晶片的長度為0.8-3.2mm。5.根據(jù)權利要求1或4所述的一種具有單凸結構的壓電石英晶片，其特征在于:所述的壓電石英晶片的寬度為0.6-2.5mm。6.根據(jù)權利要求1所述的一種具有單凸結構的壓電石英晶片，其特征在于:所述的中央構件(I)、保護框(2)和連接部(3)的材質均為石英。
【專利摘要】本實用新型公開了一種具有單凸結構的壓電石英晶片，它包括中央構件（1）、保護框（2）和連接部（3），保護框（2）內設置有型腔，型腔內設置有中央構件（1）設置在型腔內，中央構件（1）的頂表面設置有凸臺（4），保護框（2）的兩條長邊與中央構件（1）的兩條長邊之間形成有通槽A（5），保護框（2）的兩條短邊與中央構件（1）的兩條短邊之間形成有通槽B（6），通槽A（5）與通槽B（6）連通，連接部（3）設置在任意一個通槽B（6）內。本實用新型的有益效果是：可用于小型化石英晶片批量型生產、減弱邊緣產生的寄生振動，并能夠增強石英晶片中心的能陷效應、提高加工精度、大幅度提升產品的一致性。
【IPC分類】H03H9/19
【公開號】CN204859129
【申請?zhí)枴緾N201520534368
【發(fā)明人】葉竹之, 陸旺, 雷晗
【申請人】成都泰美克晶體技術有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年7月22日