上額外能量的效果。陽極本體內(nèi)部的冷卻通道呈環(huán)狀或螺旋狀分布，都是為了增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。
[0038]實施例5
[0039]作為本實用新型又一較佳實施例，本實施例公開了一種等離子體源陽極的冷卻結(jié)構(gòu)，本實施例包括陽極本體1，所述陽極本體I內(nèi)部設(shè)置有冷卻通道2 ;所述陽極本體I上設(shè)置有進(jìn)氣口 3和出氣口 4 ;所述進(jìn)氣口 3和出氣口 4分別與冷卻通道2連通；所述冷卻通道2上設(shè)置有冷卻結(jié)構(gòu)21。冷卻結(jié)構(gòu)21是由所述冷卻通道2呈豎直螺旋狀分布在陽極本體I內(nèi)部形成的冷卻結(jié)構(gòu)21。
[0040]等離子體源工作時工作氣體由進(jìn)氣口進(jìn)入陽極本體內(nèi)部，氣體在冷卻通道中帶走陽極本體能量，最后由出氣口進(jìn)入等離子體源的氣流通道內(nèi)，最后進(jìn)入電弧通道內(nèi)；工作氣體在經(jīng)過陽極本體內(nèi)部的冷卻通道時，吸收陽極本體釋放的能量，溫度升高，氣壓增加，使得電弧通道內(nèi)外氣體壓力差減小，氣流波動減小，能夠穩(wěn)定等離子體射流；同時陽極本體上額外的能量部分被用于氣體電離，提高了等離子體源的熱效率。
[0041]實施例6
[0042]作為本實用新型又一較佳實施例，本實施例公開了一種等離子體源陽極的冷卻結(jié)構(gòu)，本實施例包括陽極本體1，所述陽極本體I內(nèi)部設(shè)置有冷卻通道2 ;所述陽極本體I上設(shè)置有進(jìn)氣口 3和出氣口 4 ;所述進(jìn)氣口 3和出氣口 4分別與冷卻通道2連通；所述冷卻通道2上設(shè)置有冷卻結(jié)構(gòu)21。冷卻結(jié)構(gòu)21是由所述冷卻通道2呈水平螺旋狀分布在陽極本體I內(nèi)部形成的冷卻結(jié)構(gòu)21。
[0043]等離子體源工作時工作氣體由進(jìn)氣口進(jìn)入陽極本體內(nèi)部，氣體在冷卻通道中帶走陽極本體能量，最后由出氣口進(jìn)入等離子體源的氣流通道內(nèi)，最后進(jìn)入電弧通道內(nèi)；工作氣體在經(jīng)過陽極本體內(nèi)部的冷卻通道時，吸收陽極本體釋放的能量，溫度升高，氣壓增加，使得電弧通道內(nèi)外氣體壓力差減小，氣流波動減小，能夠穩(wěn)定等離子體射流；同時陽極本體上額外的能量部分被用于氣體電離，提高了等離子體源的熱效率。
[0044]所述陽極本體I內(nèi)部設(shè)置有兩層冷卻通道2 ;其中一層冷卻通道呈環(huán)狀分布在陽極本體內(nèi)部，且相鄰兩個環(huán)狀冷卻通道連通；另一層冷卻通道呈螺旋狀分布在陽極本體內(nèi)部。為了進(jìn)一步提高冷卻效果，陽極本體內(nèi)部可以設(shè)置多層冷卻通道，增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，從而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。陽極本體內(nèi)部的冷卻通道呈環(huán)狀或螺旋狀分布，都是為了增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。
[0045]實施例7
[0046]作為本實用新型又一較佳實施例，本實施例公開了一種等離子體源陽極的冷卻結(jié)構(gòu)，本實施例包括陽極本體1，所述陽極本體I內(nèi)部設(shè)置有冷卻通道2 ;所述陽極本體I上設(shè)置有進(jìn)氣口 3和出氣口 4 ;所述進(jìn)氣口 3和出氣口 4分別與冷卻通道2連通；所述冷卻通道2上設(shè)置有冷卻結(jié)構(gòu)21。冷卻結(jié)構(gòu)21是由所述冷卻通道2呈水平螺旋狀分布在陽極本體I內(nèi)部形成的冷卻結(jié)構(gòu)21。
[0047]等離子體源工作時工作氣體由進(jìn)氣口進(jìn)入陽極本體內(nèi)部，氣體在冷卻通道中帶走陽極本體能量，最后由出氣口進(jìn)入等離子體源的氣流通道內(nèi)，最后進(jìn)入電弧通道內(nèi)；工作氣體在經(jīng)過陽極本體內(nèi)部的冷卻通道時，吸收陽極本體釋放的能量，溫度升高，氣壓增加，使得電弧通道內(nèi)外氣體壓力差減小，氣流波動減小，能夠穩(wěn)定等離子體射流；同時陽極本體上額外的能量部分被用于氣體電離，提高了等離子體源的熱效率。
[0048]所述陽極本體I內(nèi)部設(shè)置有兩層冷卻通道2 ;其中一層冷卻通道呈環(huán)狀分布在陽極本體內(nèi)部，且相鄰兩個環(huán)狀冷卻通道連通；另一層冷卻通道呈螺旋狀分布在陽極本體內(nèi)部。為了進(jìn)一步提高冷卻效果，陽極本體內(nèi)部可以設(shè)置多層冷卻通道，增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，從而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。陽極本體內(nèi)部的冷卻通道呈環(huán)狀或螺旋狀分布，都是為了增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。
[0049]所述冷卻通道2上設(shè)置兩層冷卻結(jié)構(gòu)21。為了進(jìn)一步提高冷卻效果，陽極本體內(nèi)部可以設(shè)置多層冷卻通道，增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，從而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。陽極本體內(nèi)部的冷卻通道呈環(huán)狀分布，都是為了增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。
[0050]實施例8
[0051]作為本實用新型又一較佳實施例，本實施例公開了一種等離子體源陽極的冷卻結(jié)構(gòu)，本實施例包括陽極本體1，所述陽極本體I內(nèi)部設(shè)置有冷卻通道2 ;所述陽極本體I上設(shè)置有進(jìn)氣口 3和出氣口 4 ;所述進(jìn)氣口 3和出氣口 4分別與冷卻通道2連通；所述冷卻通道2上設(shè)置有冷卻結(jié)構(gòu)21。
[0052]等離子體源工作時工作氣體由進(jìn)氣口進(jìn)入陽極本體內(nèi)部，氣體在冷卻通道中帶走陽極本體能量，最后由出氣口進(jìn)入等離子體源的氣流通道內(nèi)，最后進(jìn)入電弧通道內(nèi)；工作氣體在經(jīng)過陽極本體內(nèi)部的冷卻通道時，吸收陽極本體釋放的能量，溫度升高，氣壓增加，使得電弧通道內(nèi)外氣體壓力差減小，氣流波動減小，能夠穩(wěn)定等離子體射流；同時陽極本體上額外的能量部分被用于氣體電離，提高了等離子體源的熱效率。
[0053]所述陽極本體I內(nèi)部設(shè)置有兩層冷卻通道2 ;其中一層冷卻通道呈環(huán)狀分布在陽極本體內(nèi)部，且相鄰兩個環(huán)狀冷卻通道連通；另一層冷卻通道呈螺旋狀分布在陽極本體內(nèi)部。為了進(jìn)一步提高冷卻效果，陽極本體內(nèi)部可以設(shè)置多層冷卻通道，增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，從而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。陽極本體內(nèi)部的冷卻通道呈環(huán)狀或螺旋狀分布，都是為了增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。
[0054]所述冷卻通道2上設(shè)置兩層冷卻結(jié)構(gòu)21。其中一層冷卻結(jié)構(gòu)21是由冷卻通道2呈環(huán)狀分布在陽極本體I內(nèi)部形成的冷卻結(jié)構(gòu)21，且相鄰兩個環(huán)狀冷卻通道連通；另一層冷卻結(jié)構(gòu)21是由冷卻通道2呈豎直螺旋狀分布在陽極本體I內(nèi)部形成的冷卻結(jié)構(gòu)21。為了進(jìn)一步提高冷卻效果，陽極本體內(nèi)部可以設(shè)置多層冷卻通道，增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，從而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。陽極本體內(nèi)部的冷卻通道呈環(huán)狀或螺旋狀分布，都是為了增大工作氣體與陽極本體的接觸面積，而進(jìn)一步提高了冷卻陽極和吸收陽極本體上額外能量的效果。
【主權(quán)項】
1.一種等離子體源陽極冷卻結(jié)構(gòu)，包括陽極本體(1)，其特征在于:所述陽極本體(I)內(nèi)部設(shè)置有冷卻通道(2 );所述陽極本體(I)上設(shè)置有進(jìn)氣口(3)和出氣口(4);所述進(jìn)氣口(3)和出氣口(4)分別與冷卻通道(2)連通；所述冷卻通道(2)上設(shè)置有冷卻結(jié)構(gòu)(21)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體源陽極冷卻結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述冷卻結(jié)構(gòu)(21)為設(shè)置在陽極本體內(nèi)部的空腔；所述空腔分別與進(jìn)氣口(3)和出氣口(4)連通。
3.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體源陽極冷卻結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述冷卻結(jié)構(gòu)(21)是由所述冷卻通道(2)環(huán)狀分布在陽極本體(I)內(nèi)部形成的冷卻結(jié)構(gòu)(21)。
4.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體源陽極冷卻結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述冷卻結(jié)構(gòu)(21)是由所述冷卻通道(2)螺旋狀分布在陽極本體(I)內(nèi)部形成的冷卻結(jié)構(gòu)(21)。
5.如權(quán)利要求1或4所述的一種等離子體源陽極冷卻結(jié)構(gòu)，其特征在于:冷卻結(jié)構(gòu)(21)是由所述冷卻通道(2)呈豎直螺旋狀分布在陽極本體(I)內(nèi)部形成的冷卻結(jié)構(gòu)(21)。
6.如權(quán)利要求1或4所述的一種等離子體源陽極冷卻結(jié)構(gòu)，其特征在于:冷卻結(jié)構(gòu)(21)是由所述冷卻通道(2)呈水平螺旋狀分布在陽極本體(I)內(nèi)部形成的冷卻結(jié)構(gòu)(21)。
7.如權(quán)利要求1-4任意一項所述的一種等離子體源陽極冷卻結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述陽極本體(I)內(nèi)部至少設(shè)置有一層冷卻結(jié)構(gòu)(21)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種等離子體源陽極冷卻結(jié)構(gòu)，涉及等離子體源技術(shù)領(lǐng)域。本實用新型包括陽極本體（1），所述陽極本體（1）內(nèi)部設(shè)置有冷卻通道（2）；所述陽極本體（1）上設(shè)置有進(jìn)氣口（3）和出氣口（4）；所述進(jìn)氣口（3）和出氣口（4）分別與冷卻通道（2）連通；所述冷卻通道（2）上設(shè)置有冷卻結(jié)構(gòu)（21）。本實用新型可以實現(xiàn)等離子體源的自冷卻，且利用陽極冷卻過程中釋放的熱量，加熱工作氣體，減小電弧通道內(nèi)外工作氣體壓力，穩(wěn)定等離子體射流。
【IPC分類】H05H1-28
【公開號】CN204466029
【申請?zhí)枴緾N201520080253
【發(fā)明人】王鵬飛, 黃佳華, 王井楠, 楊超, 趙華, 任瓊英, 李向陽, 李露
【申請人】成都真火科技有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2015年2月5日