一種低功耗晶體振蕩電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于振蕩電路領(lǐng)域，具體涉及一種低功耗晶體振蕩電路。
【背景技術(shù)】
[0002]晶振又稱晶體振蕩器，它是一種機(jī)電器件，用電損耗很小的石英晶體經(jīng)精密切割磨削并鍍上電極焊制而成。石英晶體可以提供準(zhǔn)確的時(shí)鐘頻率信號(hào)，它與時(shí)鐘芯片構(gòu)成時(shí)鐘發(fā)生器，為負(fù)載電路提供時(shí)鐘信號(hào)。隨著便攜式電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品的低功耗成為關(guān)注的熱點(diǎn)。
[0003]目前的電子產(chǎn)品在待機(jī)時(shí)，電子產(chǎn)品處于低功耗模式下，由于此時(shí)晶體振蕩電路仍然工作，使電子產(chǎn)品的待機(jī)電流較大，待機(jī)功耗過大。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是針對(duì)目前的電子產(chǎn)品待機(jī)時(shí)，晶體振蕩電路仍然工作使待機(jī)電流過大的缺點(diǎn)，為此提供一種低功耗的晶體振蕩電路。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種低功耗晶體振蕩電路，包括晶振，還包括振蕩芯片、第三電容、第四電阻、三極管和第一電壓比較器，第一電壓比較器的負(fù)相輸入端與負(fù)載電路的供電電壓連接，第一電壓比較器的正相輸入端通過第二電阻接地，第一電壓比較器的輸出端與三極管的基極連接，三極管的集電極與振蕩芯片的復(fù)位端連接，振蕩芯片的放電端通過第四電阻與第三電容一端連接，第三電容另一端接地，振蕩芯片的閾值端和觸發(fā)端均與晶振一端連接，晶振另一端與第三電容連接。
[0007]采用本實(shí)用新型一種低功耗晶體振蕩電路具有如下技術(shù)效果:
[0008]晶振產(chǎn)生一定頻率的基頻；振蕩芯片的振蕩頻率由第四電阻和第三電容的乘積決定，乘積越小，振蕩芯片的振蕩頻率越高；振蕩芯片輸出的頻率為基頻與振蕩頻率的乘積，使基頻變?yōu)榉阂纛l率；當(dāng)負(fù)載電路進(jìn)入待機(jī)模式時(shí)，負(fù)載電路的電源變?yōu)榈碗娫矗斎氲谝浑妷罕容^器的負(fù)相輸入端，與正相輸入端的電壓比較后，輸出高電平，使三極管導(dǎo)通，振蕩芯片因復(fù)位端為低電平而輸出低電平，無(wú)信號(hào)輸出，使負(fù)載電路在待機(jī)模式時(shí)，晶體振蕩電路不工作，降低待機(jī)功耗。
[0009]進(jìn)一步，還包括濾波電路，驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端與濾波電路連接。輸出的泛音信號(hào)混有噪聲信號(hào)，通過濾波電路濾除泛音信號(hào)中的噪聲信號(hào)。
[0010]進(jìn)一步，所述的濾波電路為帶通濾波電路，包括高通濾波電路和低通濾波電路，驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端、高通濾波電路和低通濾波電路依次連接。低通濾波電路濾除高于泛音信號(hào)下限頻率的噪聲信號(hào)，高通濾波電路濾除低于泛音信號(hào)上限頻率的噪聲信號(hào)。
[0011]進(jìn)一步，所述的高通濾波電路包括第一放大器，振蕩芯片的第二輸出端通過第五電容與第一放大器的正相輸入端連接，第一放大器的正相輸入端通過第六電阻接地，第一放大器的負(fù)相輸入端依次通過第七電阻和第七電容接地；所述的低通濾波器包括第二放大器，第一放大器的輸出端與第二放大器的正相輸入端連接，第二放大器的正相輸入端通過第六電容接地，第二放大器的負(fù)相輸入端通過第九電阻接地，第二放大器的輸出端通過可變電阻與第二放大器的反相輸入端連接，第二放大器的輸出端為晶體振蕩電路的輸出端。僅高于泛音信號(hào)下限頻率的信號(hào)才能通過第五電容，經(jīng)第一放大器放大后輸出；高于泛音信號(hào)上限頻率的信號(hào)經(jīng)第六電容流入接地端，低于泛音信號(hào)上限頻率的信號(hào)輸入到第二放大器的正相輸入端，然后經(jīng)第二放大器放大后輸出。第五電容、第六電阻、第七電阻和第七電容，組成雙RC網(wǎng)絡(luò)，第五電容與第六電阻的乘積等于第七電阻和第七電容的乘積，即第一放大器的正相輸入端和反相輸入端的RC網(wǎng)絡(luò)的時(shí)間常數(shù)相同，且具有相同的高通特性，避免了信號(hào)中直流分量對(duì)濾波電路的影響，提高了高通濾波電路的線型穩(wěn)定性；另外，可變電阻使第二放大器具有獨(dú)立調(diào)節(jié)增益的功能。
[0012]進(jìn)一步，還包括電感和第四電容，振蕩芯片的輸出端通過電感與第四電容一端連接，第四電容另一端接地。電感和第四電容組成選頻電路，將振蕩芯片輸出的基頻信號(hào)濾除。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型一種低功耗晶體振蕩電路的實(shí)施例的電路原理圖。
[0014]圖2是本實(shí)用新型一種低功耗晶體振蕩電路的晶振的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明:
[0016]如圖1所示，本實(shí)用新型一種低功耗晶體振蕩電路，具體包括:晶振M、振蕩芯片IC1、第三電容C3、第四電阻R4、三極管VT和第一電壓比較器IC2，第一電壓比較器IC2的負(fù)相輸入端與負(fù)載電路的供電電壓連接，第一電壓比較器IC2的正相輸入端通過第二電阻R2接地，第一電壓比較器IC2的輸出端與三極管VT的基極連接，三極管VT的集電極與振蕩芯片ICl的復(fù)位端連接，振蕩芯片ICl的放電端通過第四電阻R4與第三電容C3—端連接，第三電容C3另一端接地，振蕩芯片ICl的閾值端和觸發(fā)端均與晶振M —端連接，晶振M另一端與第三電容C3連接。
[0017]在具體實(shí)施過程中，當(dāng)負(fù)載電路處于正常工作模式下，第一電壓比較器IC2的負(fù)向輸入端的電壓大于正相輸入端的電壓，第一電壓比較器IC2的輸出端為低電平，三極管VT截止，振蕩芯片ICl的復(fù)位端的電平為高電平，振蕩芯片ICl正常工作，此時(shí)，晶振M產(chǎn)生的基頻輸出到振蕩芯片ICl的閾值端和觸發(fā)端，經(jīng)放電常數(shù)為1.44*R4*C3的振蕩信號(hào)的倍頻后，變?yōu)?次泛音頻率信號(hào)，由振蕩芯片ICl的輸出端輸出；當(dāng)負(fù)載電路處于待機(jī)模式時(shí)，該負(fù)載電路的供電電壓被降低，使第一電壓比較器IC2的反相輸入端的電壓小于正相輸入端的電壓，第一電壓比較器IC2的輸出端為高電平，三極管VT導(dǎo)通，振蕩芯片ICl的復(fù)位端電平被拉低，強(qiáng)