體管660被接通時(shí)被關(guān)斷。類似地，當(dāng)推式晶體管400或者挽式晶體管410被接通時(shí)，相應(yīng)的上拉晶體管650或者下拉晶體管660可被關(guān)斷。在圖6中所示的示例中，接通相應(yīng)晶體管可包括將相應(yīng)晶體管耦合至它的由控制電路470生成的控制信號(hào)?？刂齐娐?00、620例如可被設(shè)計(jì)為使得:當(dāng)不滿足相應(yīng)的第一或第二預(yù)定條件時(shí)，推式晶體管400或者挽式晶體管410被激活，同時(shí)相應(yīng)的上拉晶體管650和下拉晶體管660被停止或者被關(guān)斷。
[0090]圖7示出了包括根據(jù)示例的推挽式驅(qū)動(dòng)器210的包絡(luò)跟蹤系統(tǒng)200的另一示例的電路圖。圖7的推挽式驅(qū)動(dòng)器210使用主動(dòng)恢復(fù)電流生成，然而該主動(dòng)恢復(fù)電流生成基于一個(gè)或多個(gè)另外的耦合電容器690。在圖7中所示的示例中，推挽式驅(qū)動(dòng)器210包括另一第一親合電容器690-1和另一第二親合電容器690-2，它們被親合到輸出端220。通過第一開關(guān)610和第二開關(guān)620，另外的親合電容器690可分別被導(dǎo)電地親合至推式晶體管400和挽式晶體管410。如前所述，開關(guān)610、620可分別由上拉控制電路600和下拉控制電路620控制。上拉控制電路600可將另外的耦合電容器690、第一耦合電容器320和第二耦合電容器340中的一者導(dǎo)電地耦合至推式晶體管400。下拉控制電路620可將另外的耦合電容器690、第二親合電容器340和第一親合電容器320中的一者導(dǎo)電地親合至挽式晶體管410。
[0091]為了控制第一開關(guān)610，上拉控制電路600可確定第二耦合電容器340、另外的耦合電容器690、和第一耦合電容器320處相對(duì)于例如在觸點(diǎn)290處提供的電源電勢的電勢。然后可基于所確定的電勢控制第一開關(guān)610在第一親合電容器320、另外的親合電容器690、和第二耦合電容器340之間切換推式晶體管400。類似地，下拉控制電路620可確定第一耦合電容器320、另外的耦合電容器690、和第二耦合電容器340處相對(duì)于例如在觸點(diǎn)630的參考電勢的電勢。下拉控制電路620可至少部分地基于所確定的電勢控制第二開關(guān)640在第一耦合電容器320、另外的耦合電容器690、和第二耦合電容器340之間切換挽式晶體管410。然而，開關(guān)無需切換所有電容器。具體地，只要以任何方式使得足夠的電荷流經(jīng)下拉電阻性元件420，并非所有連接到下拉電阻性元件420的電容器都必須連接到挽式晶體管410。類似地，推理適用于上拉電阻性元件450和推式晶體管400。如圖7中所述，分別僅提供一個(gè)下拉電阻性元件420和一個(gè)上拉電阻性元件450是足夠的，并且它們可被連接至第一親合電容器320和第二親合電容器340。但是其他親合電容器690中的一些或全部電容器也可被連接至這樣的電阻性元件(可能具有更高的電阻)。
[0092]上拉控制電路600和下拉控制電路620例如可控制耦合電容器690之間的開關(guān)610,640以建立耦合電容器690、320、340之間的級(jí)聯(lián)切換。例如，與第一或第二耦合電容器320、340分別導(dǎo)電地耦合至參考電勢或電源電勢不同，控制電路600、620可將另外的耦合電容器690中的一個(gè)電容器耦合至相應(yīng)的晶體管400、410來減少被漏到參考電勢的電流或者由電源電勢的觸點(diǎn)290提供的電流。通過將相應(yīng)的第一或第二耦合電容器320、340與耦合電容器690級(jí)聯(lián)，甚至更進(jìn)一步地減小電流消耗。在示例中，上拉控制電路600和下拉控制電路620例如可分別控制開關(guān)610、640連接具有最高電勢或最低電勢的電容器，該最高電勢仍然低于相應(yīng)參考電勢或者該最低電勢仍然高于相應(yīng)參考電勢(可能還加上閾值)。
[0093]圖8示出了包括根據(jù)(例如，如前所述的)示例的推挽式驅(qū)動(dòng)器210的發(fā)射機(jī)700、接收機(jī)710或者收發(fā)機(jī)720的示意框圖。發(fā)射機(jī)700、接收機(jī)710或者收發(fā)機(jī)720還可包括功率放大器240，其例如可被耦合到功率放大器240的電源觸點(diǎn)250。如前所述，推挽式驅(qū)動(dòng)器210可向功率放大器240提供在它的輸出端220 (未在圖8中顯示)處提供的電源信號(hào)。例如，推挽式驅(qū)動(dòng)器210以及功率放大器240可以是包絡(luò)跟蹤系統(tǒng)200 (未在圖8中顯示)的一部分。如前所述，功率放大器還可包括輸入端260和輸出端270以在輸出端270處獲得輸出信號(hào)，該輸出信號(hào)是被提供至輸入端260的輸入信號(hào)的放大版本。
[0094]圖9示出了包括根據(jù)(例如，如前所述的)示例的推挽式驅(qū)動(dòng)器210的集成電路800的示意框圖。推挽式驅(qū)動(dòng)器210可被集成到襯底810中。襯底810例如可以是半導(dǎo)體制造的襯底或管芯，其具有沿兩個(gè)正交方向延伸的主表面。襯底810沿與前面提到的(與主表面平行的)第一方向和第二方向二者正交的第三方向的厚度可遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于襯底810沿這兩個(gè)方向的延伸度。例如，依據(jù)實(shí)現(xiàn)方式，相應(yīng)襯底810可具有小于沿另兩個(gè)方向的最小延伸的10%、5%，甚至1%的厚度。
[0095]襯底810例如可使用半導(dǎo)體工藝和/或薄膜工藝技術(shù)流程來進(jìn)行制造。這些流程例如可包括圖案化、銑削、蝕刻、淀積層或生長層(例如，通過外延生長材料或者不定向地生成或淀積層)。這些流程例如可在晶圓被切片以獲得先前所述的管芯狀襯底之前，在由半導(dǎo)體或絕緣測量制成的晶圓上執(zhí)行。
[0096]襯底810還可包括也被集成到襯底810中的功率放大器240，其中推挽式驅(qū)動(dòng)器210的輸出端200 (未在圖9中顯示)被耦合到功率放大器240的電源輸入端或觸點(diǎn)。如前所述，功率放大器還可包括輸入端260和輸出端270以在輸出端270處獲得輸出信號(hào)，該輸出信號(hào)是被提供至輸入端260的輸入信號(hào)的放大版本。
[0097]圖10示出了用于在輸出端220 (未在圖10中顯示)處生成信號(hào)的方法的流程圖。該方法包括:在過程PlOO中，經(jīng)由第一耦合電容器320將推挽式驅(qū)動(dòng)器210的推級(jí)310耦合至推挽式驅(qū)動(dòng)器210的輸出端220。在過程PllO中，該方法包括經(jīng)由第二耦合電容器340將推挽式驅(qū)動(dòng)器210的挽級(jí)320耦合至推挽式驅(qū)動(dòng)器210的輸出端。
[0098]方法還可包括將在下文更詳細(xì)地說明的其他過程。除非另外明顯或者暗示地聲明，否則任何這些過程可以用任何次序來執(zhí)行。另外，還可以至少部分時(shí)間重疊或者甚至同步地執(zhí)行這些過程。
[0099]示例可被用于例如諸如計(jì)算機(jī)系統(tǒng)架構(gòu)之類的高容量架構(gòu)中，這在廣泛意義上包括諸如移動(dòng)電話、移動(dòng)計(jì)算機(jī)設(shè)備或者其他移動(dòng)設(shè)備之類的移動(dòng)設(shè)備。它們還可被用于采用相應(yīng)器件和相關(guān)聯(lián)的制造工藝(例如包括薄膜制造工藝和/或半導(dǎo)體制造工藝)的高容量接口中。
[0100]下面的示例涉及其他示例。
[0101]示例I是一種推挽式驅(qū)動(dòng)器，包括:推級(jí)，該推級(jí)被經(jīng)由第一耦合電容器耦合到推挽式驅(qū)動(dòng)器的輸出端；以及挽級(jí)，該挽級(jí)被經(jīng)由第二耦合電容器耦合到推挽式驅(qū)動(dòng)器的輸出端。
[0102]在示例2中，示例I的主題可以可選地包括:推級(jí)被耦合于電源電勢的觸點(diǎn)和第一耦合電容器之間，并且其中挽級(jí)被耦合于參考電勢的觸點(diǎn)和第二耦合電容器之間。
[0103]在示例3中，示例2的主題可以可選地包括:推級(jí)包括被耦合于第一耦合電容器和參考電勢的觸點(diǎn)之間的下拉電阻性元件，并且其中挽級(jí)包括被耦合于第二耦合電容器和電源電勢的觸點(diǎn)之間的上拉電阻性元件。
[0104]在示例4中，示例3的主題可以可選地包括:下拉電阻性元件和上拉電阻性元件包括電阻器、晶體管、和二極管中的至少一者。
[0105]在示例5中，示例I到4中任一項(xiàng)的主題可以可選地包括:推級(jí)包括被耦合于電源電勢的觸點(diǎn)和第一耦合電容器之間的推式晶體管，并且其中挽級(jí)包括耦合于參考電勢的觸點(diǎn)和第二耦合電容器之間的挽式晶體管。
[0106]在示例6中，示例5的主題可以可選地包括:推式晶體管和挽式晶體管是互補(bǔ)晶體管。
[0107]在示例7中，示例5或6的主題可以可選地包括:推式晶體管是PMOS晶體管，并且其中挽式晶體管是NMOS晶體管。
[0108]在示例8中，示例5到7中任一項(xiàng)的主題可以可選地包括:第一耦合電容器除經(jīng)由輸出端的耦合之外，至少暫時(shí)與挽式晶體管電分離，并且其中第二耦合電容器，除經(jīng)由輸出端的耦合之外，至少暫時(shí)與推式晶體管電分離。另外可選地，至少暫時(shí)分離可包括僅暫時(shí)將相應(yīng)的組件彼此分離或者永久地將相應(yīng)的組件彼此分離。
[0109]在示例9中，示例8的主題可以可選地包括:第一耦合電容器，除經(jīng)由輸出端的耦合之外，在操作期間永久與挽式晶體管電分離，并且其中第二耦合電容器，除經(jīng)由輸出端的耦合之外，在操作期間永久與推式晶體管電分離。
[0110]在示例10中，示例5到9中任一項(xiàng)的主題可以可選地包括:推挽式驅(qū)動(dòng)器包括多個(gè)晶體管，這多個(gè)晶體管包括推式晶體管和挽式晶體管，其中推挽式驅(qū)動(dòng)器包括上拉控制電路，其中上拉控制電路被配置為確定第二耦合電容器處相對(duì)于電源電勢的電勢，其中上拉控制電路被配置為當(dāng)?shù)谝活A(yù)定條件被滿足時(shí)，將多個(gè)晶體管中除挽式晶體管之外的另一晶體管耦合到第二耦合電容器來僅暫時(shí)地將電源電勢的觸點(diǎn)電耦合至第二耦合電容器，并且其中推挽式驅(qū)動(dòng)器包括下拉控制電路，其中下拉控制電路被配置為確定第一耦合電容器處相對(duì)于參考電勢的電勢，其中下拉控制電路被配置為當(dāng)?shù)诙A(yù)定條件被滿足時(shí)，將多個(gè)晶體管中除推式晶體管之外的另一晶體管耦合到第一耦合電容器來僅暫時(shí)地將參考電勢的觸點(diǎn)電耦合至第一耦合電容器。
[0111]在示例11中，示例10的主題可以可選地包括:當(dāng)?shù)诙詈想娙萜饕怀潆姴⑶业诙詈想娙萜魈幍碾妱菰试S操作除挽式晶體管之外的其他晶體管時(shí)，第一預(yù)定條件被滿足，并且其中當(dāng)?shù)谝获詈想娙萜饕环烹姴⑶业谝获詈想娙萜魈幍碾妱菰试S操作除推式晶體管之外的其他晶體管時(shí)，第二預(yù)定條件被滿足。
[0112]在示例12中，示例10或11的主題可以可選地包括第一開關(guān)，該第一開關(guān)被耦合至多個(gè)晶體管中除挽式晶體管之外的另一晶體管，其中上拉控制電路被耦合至第一開關(guān)并且被配置為分別將電源電勢的觸點(diǎn)耦合至第二耦合電容器或者將電源電勢的觸點(diǎn)與第二耦合電容器分離，并且其中推挽式驅(qū)動(dòng)器包括第二開關(guān)，該第二開關(guān)被耦合至多個(gè)晶體管中除推式晶體管之外的另一晶體管，其中下拉控制電路被耦合至第二開關(guān)并被配置為分別將參考電勢的觸點(diǎn)耦合至第一耦合電容器或者將電源電勢的觸點(diǎn)與第一耦合電容器分離。
[0113]在示例13中，示例5到12中任一項(xiàng)的主題可以可選地包括被電耦合于推式晶體管和第一耦合電容器之間的第一開關(guān)，其中第一開關(guān)還被電耦合到第二耦合電容器并且被配置為將第一耦合電容器或第二耦合電容器中的任一者電耦合到推式晶體管。
[0114]在示例14中，示例13的主題可以可選地包括上拉控制電路，該上拉控制電路被配置為確定第二耦合電容器處相對(duì)于電源電勢的電勢并且至少基于確定的第二耦合電容器處的電勢來控制第一開關(guān)。
[0115]在示例15中，示例14的主題可以可選地包括:上拉控制電路被配置為當(dāng)?shù)谝活A(yù)定條件被滿足時(shí)，將推式晶體管耦合到第二耦合電容器來僅暫時(shí)地將電源電勢的觸點(diǎn)電耦合至第二耦合電容器。
[0116]在示例16中，示例15的主題可以可選地包括:當(dāng)?shù)诙詈想娙萜饕怀潆姴⑶业诙詈想娙萜魈幍碾妱菰试S操作推式晶體管時(shí)，第一預(yù)定條件被滿足。
[0117]在示例17中，示例13到16中任一項(xiàng)的主題可以可選地包括被電耦合于挽式晶體管和第二耦合電容器之間的第二開關(guān)，其中第二開關(guān)還被電耦合到第一耦合電容器并被配置為將第一耦合電容器或第二耦合電容器中的任一者電耦合到挽式晶體管。
[0118]在示例18中，示例17的主題可以可選地包括下拉控制電路，其中下拉控制電路被配置為確定第一耦合電容器處相對(duì)于參考電勢的電勢并且至少基于確定的第一耦合電容器處的電勢來控制第二開關(guān)。
[0119]在示例19中，示例18的主題可以可選地包括:下拉控制電路被配置為當(dāng)?shù)诙A(yù)定條件被滿足時(shí)，將挽式晶體管耦合到第一耦合電容器來僅暫時(shí)地將參考電勢的觸點(diǎn)電耦合至第一親合電容器。
[0120]在示例20中，示例19的主題可以可選地包括:當(dāng)?shù)谝获詈想娙萜饕环烹姴⑶业谝获詈想娙萜魈幍碾妱菰试S操作挽式晶體管時(shí)，第二預(yù)定條件被滿足。
[0121]在示例21中，示例5到12中任一項(xiàng)的主題可以可選地包括被電耦合于電源電勢的觸點(diǎn)和第二耦合電容器之間的上拉晶體管，其中推挽式驅(qū)動(dòng)器包括第一開關(guān)，該第一開關(guān)被耦合至上拉晶體管的控制輸入端并且被配置為在用于推式晶體管的控制信號(hào)的觸點(diǎn)和用于上拉晶體管的關(guān)斷信號(hào)的觸點(diǎn)之間切換