一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種電路板生產(chǎn)工藝，具體涉及一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]在電路板生產(chǎn)工藝中，常規(guī)的做法是采用以下模式:電路板外觀生產(chǎn)一電路板外觀表面后處理一沖床鏤空一化鎳金前處理一化鎳金處理，無(wú)需鍍金的情況下此種工藝的成本差異不大，而在需要鍍金處理時(shí)，需要對(duì)大面積的銅面表面進(jìn)行處理生產(chǎn)成本較高，生產(chǎn)效率低，而且電路板產(chǎn)品的質(zhì)量也得不到保障。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問(wèn)題，提供一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，本發(fā)明改變了常用電路板生產(chǎn)的那種工序流程，前置沖壓，合并了二次電路板的表面處理，減少了開(kāi)缸藥水的損耗，同等條件工藝比較，本發(fā)明降低成本約20%，一次生產(chǎn)即合格的比率提高15%，提高了生產(chǎn)效率、宿短了總的生產(chǎn)周期，經(jīng)濟(jì)效益顯著。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，包括以下步驟:
步驟一、電路板外觀生產(chǎn)；
步驟二、電路板上沖床進(jìn)行鏤空；
步驟三、沖壓后電路板表面處理；
步驟四、對(duì)沖壓后電路板進(jìn)行化鎳金前處理；
步驟五、對(duì)化鎳金前處理后的沖壓電路板進(jìn)行化鎳金處理。
[0005]進(jìn)一步的，所述化鎳金處理的工藝中的鍍鎳層厚度為4um，鍍鎳層最終厚度為
0.075um。
[0006]進(jìn)一步的，所述化鎳金前處理的處理時(shí)間為4-6分鐘，所述化鎳金處理時(shí)間為4-6分鐘。
[0007]進(jìn)一步的，所述化鎳金前處理的工作溫度控制在88-92° C，所述化鎳金處理的工作溫度控制在88-92° C。
[0008]進(jìn)一步的，所述化鎳金處理過(guò)程中使用了開(kāi)缸藥水，所述開(kāi)缸藥水的濃度為100ml/L。
[0009]進(jìn)一步的，所述沖壓后電路板表面處理包括電路板外觀生產(chǎn)后處理和沖壓鏤空工藝殘留物的處理。
[0010]本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明改變了常用電路板生產(chǎn)的那種工序流程，前置沖壓，合并了二次電路板的表面處理，減少了開(kāi)缸藥水的損耗，同等條件工藝比較，本發(fā)明降低成本約20%，一次生產(chǎn)即合格的比率提高15%，提高了生產(chǎn)效率、宿短了總的生產(chǎn)周期，經(jīng)濟(jì)效益顯著。
[0011]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。
【附圖說(shuō)明】
[0012]此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
圖1是本發(fā)明工藝流程示意圖；
圖2是目前采用廣泛應(yīng)用的工藝流程示意圖；
圖3是目前采用廣泛應(yīng)用的另一種工藝流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
[0014]參照?qǐng)D1所示，一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，包括一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，包括以下步驟:
步驟一、電路板外觀生產(chǎn)；
步驟二、電路板上沖床進(jìn)行鏤空；
步驟三、沖壓后電路板表面處理；
步驟四、對(duì)沖壓后電路板進(jìn)行化鎳金前處理；
步驟五、對(duì)化鎳金前處理后的沖壓電路板進(jìn)行化鎳金處理。
[0015]進(jìn)一步的，所述化鎳金處理的工藝中的鍍鎳層厚度為4um，鍍鎳層最終厚度為
0.075um。
[0016]進(jìn)一步的，所述化鎳金前處理的處理時(shí)間為4-6分鐘，所述化鎳金處理時(shí)間為4-6分鐘。
[0017]進(jìn)一步的，所述化鎳金前處理的工作溫度控制在88-92° C，所述化鎳金處理的工作溫度控制在88-92° C。
[0018]進(jìn)一步的，所述化鎳金處理過(guò)程中使用了開(kāi)缸藥水，所述開(kāi)缸藥水的濃度為100ml/L。
[0019]進(jìn)一步的，所述沖壓后電路板表面處理包括電路板外觀生產(chǎn)后處理和沖壓鏤空工藝殘留物的處理。
[0020]本實(shí)施例的工作原理如下:
參展附圖1，本發(fā)明改變了常用電路板生產(chǎn)的那種工序流程，前置沖壓，合并了電路板外觀生產(chǎn)后處理和沖壓鏤空工藝殘留物的處理，減少了操作步驟，也減少了開(kāi)缸藥水的損耗，而目前的常規(guī)做法是采用如圖2和圖3所示的工藝流程，電路板外觀生產(chǎn)后處理和沖壓鏤空工藝殘留物的處理方式是分開(kāi)處理，增大了流程的時(shí)間，同時(shí)需要對(duì)大面積的銅面表面進(jìn)行處理，增大了開(kāi)缸藥水的損耗，經(jīng)同樣電路板在各自工藝條件下進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)對(duì)比，同等條件下，本發(fā)明能夠降低生產(chǎn)成本約20%，一次生產(chǎn)即合格的比率提高15%。
[0021]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，其特征在于:包括以下步驟:步驟一、電路板外觀生產(chǎn)； 步驟二、電路板上沖床進(jìn)行鏤空； 步驟三、沖壓后電路板表面處理； 步驟四、對(duì)沖壓后電路板進(jìn)行化鎳金前處理； 步驟五、對(duì)化鎳金前處理后的沖壓電路板進(jìn)行化鎳金處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述化鎳金處理的工藝中的鍍鎳層厚度為4um，鍍鎳層最終厚度為0.075um。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述化鎳金前處理的處理時(shí)間為4-6分鐘，所述化鎳金處理時(shí)間為4-6分鐘。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述化鎳金前處理的工作溫度控制在88-92° C，所述化鎳金處理的工作溫度控制在88-92° C。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述化鎳金處理過(guò)程中使用了開(kāi)缸藥水，所述開(kāi)缸藥水的濃度為100ml/L。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述沖壓后電路板表面處理包括電路板外觀生產(chǎn)后處理和沖壓鏤空工藝殘留物的處理。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種電路板生產(chǎn)工藝，尤其涉及一種鍍鎳金電路板生產(chǎn)工藝，本工藝發(fā)明包括以下步驟：步驟一、電路板外觀生產(chǎn)；步驟二、電路板上沖床進(jìn)行鏤空；步驟三、沖壓后電路板表面處理；步驟四、對(duì)沖壓后電路板進(jìn)行化鎳金前處理；步驟五、化鎳金處理。本發(fā)明改變了常用電路板生產(chǎn)的那種工序流程，前置沖壓，合并了二次電路板的表面處理，減少了開(kāi)缸藥水的損耗，同等條件工藝比較，本發(fā)明降低成本約20%，一次生產(chǎn)即合格的比率提高15%，提高了生產(chǎn)效率、宿短了總的生產(chǎn)周期，經(jīng)濟(jì)效益顯著。
【IPC分類】H05K3/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105578764
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410528802
【發(fā)明人】孫祥根
【申請(qǐng)人】蘇州市三生電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2014年10月10日