所示的高頻放大電路10中， 首先，當(dāng)由電流源IB而使電流Ib在NMOS晶體管Q6中流動時，通過電流鏡電路CMN使電流 Ib W等倍或規(guī)定的比率增大后的電流Ipl在PMOS晶體管Q9、Q10和電阻R6中流動。通過 該電流Ipl來確定PMOS晶體管Q9和QlO的柵極直流電壓。
[0055] PMOS晶體管Q9的柵極直流電壓經(jīng)由電阻R4而作為偏置電壓施加于PMOS晶體管 Q7。同樣地，PMOS晶體管QlO的柵極直流電壓經(jīng)由電阻R5而作為偏置電壓施加于PMOS晶 體管Q8。PMOS晶體管Q7和Q8的漏極電流吐2根據(jù)施加于柵極的偏置電壓來確定。
[0056] 在第一偏置部Bl的電阻R3、NM0S晶體管Q4和Q3中流動與從運算放大器AO供給 的柵極電壓Vcp對應(yīng)的電流Inl。此時，柵極電壓Vcp為中間電位線LCE的電位與中間電位 V血的電位差所對應(yīng)的電壓。目P，電流控制部CC基于中間電位線LCE的電位與設(shè)定為中間 電位V血的直流電壓的電壓差來控制第一偏置部Bl的工作電流Ini。 陽057] NMOS晶體管Q4和Q3的柵極直流電壓根據(jù)電流Inl來確定。NMOS晶體管Q3的柵 極直流電壓經(jīng)由電阻Rl而作為偏置電壓施加于NMOS晶體管Ql。NMOS晶體管Q4的柵極直 流電壓經(jīng)由電阻R2而作為偏置電壓施加于NMOS晶體管Q2。NMOS晶體管Ql和Q2的漏極 電流In2根據(jù)施加于每一個的柵極端子的偏置電壓來確定。根據(jù)W上，確定直流工作點。 陽05引在圖3所示的高頻放大電路10中，被構(gòu)成為由共源共柵連接的2個晶體管構(gòu)成的 第一放大部Al和第二放大部A2進行共源共柵連接，因此，從輸出端子OUT到達輸入端子IN 的路徑中的寄生電容小，反方向隔離的特性高。此外，能夠在第一放大部Al再利用在第二 放大部A2中流動的電流，與圖2所示的電路同樣，使第一偏置部Bl和第二偏置部B2分別 連接于向兩端供給電源電位Vdd和接地電位的不同的電流路徑來工作，由此，能夠?qū)㈦娫?電位Vdd抑制得低。因而，能夠大幅度地抑制功耗。
[0059][實施例引 圖4是示出本發(fā)明的實施例2的高頻放大電路20的結(jié)構(gòu)的圖。高頻放大電路20在具 有電流調(diào)整部DP的方面與實施例1的高頻放大電路10不同，關(guān)于其他的各部分，具有與實 施例1的高頻放大電路10同樣的結(jié)構(gòu)。 W60] 電流調(diào)整部DP由PMOS晶體管化和郵構(gòu)成。向PMOS晶體管化的源極端子供給 電源電位Vdd,其漏極端子連接于PMOS晶體管郵的源極端子，柵極端子連接于PMOS晶體管 Q9的柵極端子。PMOS晶體管郵的漏極端子連接于中間電位線LCE，柵極端子連接于PMOS 晶體管QlO的柵極端子。
[0061] PMOS晶體管Q9的柵極直流電壓作為偏置電壓施加于PMOS晶體管化的柵極。PMOS 晶體管QlO的柵極直流電壓作為偏置電壓施加于PMOS晶體管郵的柵極。通過施加于PMOS 晶體管化和郵的柵極的偏置電壓來確定在電流調(diào)整部DP中流動的電流I化a。
[0062] 在第二放大部A2中流動的電流Ip2和在電流調(diào)整部DP中流動的電流I化a流入 到第一放大部A1。因而，在第一放大部Al中流動的電流In2為In2=Ip化I化曰。
[0063] 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠分別地設(shè)定第一放大部Al的工作電流和第二放大部A2的工 作電流。此外，由于能夠分別地設(shè)定直流工作點，所W能夠獨立地設(shè)定第一放大部Al的小 信號增益和第二放大部A2的小信號增益。目P，能夠?qū)崿F(xiàn)自由度高的小信號增益的設(shè)計。 [0064] 再有，如圖5所示，對在第一級設(shè)置有電流控制部CC并在第二級設(shè)置有電流源IB 和電流鏡電路CMN的結(jié)構(gòu)（圖3的結(jié)構(gòu)）附加電流調(diào)整部DP的結(jié)構(gòu)也是可能的。在該結(jié)構(gòu) 中，在第一放大部Al中流動的電流In2為In2=Ip化I化曰。因而，能夠分別地設(shè)定第一放大 部Al的工作電流和第二放大部A2的工作電流。此外，由于能夠分別地設(shè)定直流工作點，所 W能夠獨立地設(shè)定第一放大部Al的小信號增益和第二放大部A2的小信號增益。 陽0化]此外，與圖4的結(jié)構(gòu)不同，如圖6所示，在第一級設(shè)置電流調(diào)整部DN的結(jié)構(gòu)也是可 能的。電流調(diào)整部DN由NMOS晶體管化和Qd構(gòu)成。NMOS晶體管化的漏極端子連接于中 間電位線LCE，源極端子連接于NMOS晶體管Qd的漏極端子，柵極端子連接于NMOS晶體管 Q4的柵極端子。NMOS晶體管Qd的源極端子接地，柵極端子連接于NMOS晶體管Q3的柵極 端子。
[0066] NMOS晶體管Q3的柵極直流電壓作為偏置電壓施加于NMOS晶體管Qd的柵極。NMOS 晶體管Q4的柵極直流電壓作為偏置電壓施加于NMOS晶體管化的柵極。通過施加于NMOS 晶體管化和Qd的柵極的偏置電壓來確定在電流調(diào)整部DN中流動的電流I化曰。
[0067] 在第二放大部A2中流動的電流吐2流入到第一放大部Al和電流調(diào)整部DN。因 而，在第二放大部A2中流動的電流吐2為Ip2=In化I化曰，能夠分別地設(shè)定第一放大部Al的 工作電流和第二放大部A2的工作電流。此外，由于能夠分別地設(shè)定直流工作點，所W能夠 獨立地設(shè)定第一放大部Al的小信號增益和第二放大部A2的小信號增益。
[0068] 再有，如圖7所示，對在第一級設(shè)置有電流控制部CC并在第二級設(shè)置有電流源IB 和電流鏡電路CMN的結(jié)構(gòu)（圖3的結(jié)構(gòu)）附加電流調(diào)整部DN的結(jié)構(gòu)也是可能的。在該結(jié)構(gòu) 中，也與圖6所示的結(jié)構(gòu)同樣，在第二放大部A2中流動的電流吐2為Ip2=In化I化曰。 W例無論根據(jù)圖4~圖7的哪個結(jié)構(gòu)，都能夠通過設(shè)置電流調(diào)整部DN或DP，從而利用 調(diào)整電流來調(diào)整在第一放大部Al中流動的電流In2與在第二放大部A2中流動的電流吐2 的差。因而，由于能夠使在第一級流動的電流與在第二級流動的電流相等，謀求電流的再利 用，所W能夠?qū)⒆鳛殡娐氛w的功耗量抑制得低。
[0070] 此外，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠分別地設(shè)定第一放大部Al的工作電流和第二放大部A2 的工作電流，因此，能夠分別地設(shè)定直流工作點。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)自由度高的小信號增益的 設(shè)計。 陽〇7U [實施例引 圖8是示出本發(fā)明的實施例3中的高頻放大電路30的結(jié)構(gòu)的圖。高頻放大電路30在 具有第一級的電流調(diào)整部DN和第二級的電流調(diào)整部DP雙方的方面與圖4和圖6的高頻放 大電路20不同。 陽072] 在第二放大部A2中流動的電流吐2和在電流調(diào)整部DP中流動的電流I化a流入 到第一放大部Al和電流調(diào)整部DN。因而，在第一放大部Al中流動的電流In2和在電流調(diào) 整部DN中流動的電流I化a與在第二放大部A2中流動的電流吐2和在電流調(diào)整部DP中流 動的電流I化a的關(guān)系為，In2+I化a=Ip化I化a。
[0073] 根據(jù)運樣的結(jié)構(gòu)，無論在第一放大部Al中流動的電流In2比在第二放大部A2中 流動的電流吐2大的情況和在第二放大部A2中流動的電流吐2比在第一放大部Al中流動 的電流In2大的情況的哪種情況下，都能夠進行電流的調(diào)整。因而，能夠根據(jù)狀況來靈活地 進行電流的調(diào)整，謀求由電流的再利用而引起的功耗的降低。
[0074] 此外，在本實施例的高頻放大電路30中，能夠進一步將多個晶體管對并聯(lián)連接于 NMOS晶體管Ql和Q2來構(gòu)成第一放大部Al，進一步將多個晶體管對并聯(lián)連接于PMOS晶體 管Q7和Q8來構(gòu)成第二放大部A2。此外，能夠進一步將多個晶體管對并聯(lián)連接于NMOS晶體 管化和Qd來構(gòu)成第一級的電流調(diào)整部DN，進一步將多個晶體管對并聯(lián)連接于PMOS晶體管 化和郵來構(gòu)成第二級的電流調(diào)整部DP。 陽0巧]圖9是示出在第一放大部AU第二放大部A2、電流調(diào)整部DN和電流調(diào)整部DP的 每一個中并聯(lián)連接有多個共源共柵連接的晶體管對的高頻放大電路30的圖。
[0076] 第一放大部Al具有由共源共柵連接的一對NMOS晶體管、電阻和開關(guān)構(gòu)成的n個 單元Ul~Un并聯(lián)連接于NMOS晶體管Ql和Q2的結(jié)構(gòu)。單元Ul包括NMOS晶體管Q1UQ12、 電阻R11、開關(guān)Sll和S12。單元化包括NMOS晶體管化1、化2、電阻化1、開關(guān)Snl和Sn2。
[0077] 在單元Ul中，對開關(guān)Sll和開關(guān)S12 W-個接通時另一個關(guān)斷的方式進行切換。 例如，在使開關(guān)Sll接通并且使開關(guān)S12關(guān)斷的情況下，NMOS晶體管Qll的柵極端子經(jīng)由 電阻Rll連接于NMOS晶體管Q4的柵極端子。因而，NMOS晶體管Q4的柵極電壓作為偏置 電壓施