高頻放大電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及被用于無(wú)線(xiàn)通信等的接收機(jī)的高頻放大電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 在被用于無(wú)線(xiàn)通信等的接收機(jī)中，為了保持電池的壽命而要求高頻放大電路的省 電力化。作為運(yùn)樣的高頻放大電路，提出了將兩個(gè)晶體管共源共柵連接的2級(jí)放大電路(例 如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。在2級(jí)放大電路中，在第一級(jí)再利用在第二級(jí)的晶體管中流動(dòng)的電流，因 此，能夠?qū)⒆鳛殡娐氛w的功耗量抑制得低。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專(zhuān)利文獻(xiàn) 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2003-243938號(hào)公報(bào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 發(fā)明要解決的課題 可是，在運(yùn)樣的接收機(jī)中，從天線(xiàn)輸入的信號(hào)被高頻放大電路放大，并供給到頻率變換 電路。頻率變換電路將從高頻放大電路供給的信號(hào)與從本地振蕩電路供給的本地信號(hào)混合 并變換為中頻，并供給到解調(diào)處理部。此時(shí)，產(chǎn)生了如下的現(xiàn)象：從本地振蕩電路施加到頻 率變換電路的本地信號(hào)的一部分不是沿解調(diào)處理部的方向而是沿從高頻放大電路朝向天 線(xiàn)的方向即反方向流動(dòng)。當(dāng)運(yùn)樣的沿反方向流動(dòng)的信號(hào)到達(dá)天線(xiàn)時(shí)，產(chǎn)生不需要的福射而 成為電波故障的原因，因此，需要盡可能地在高頻放大電路中截?cái)唷?陽(yáng)〇化]為了提高截?cái)噙\(yùn)樣的沿反方向流動(dòng)的信號(hào)的特性(反方向隔離)，通過(guò)共源共柵結(jié) 構(gòu)等來(lái)連接多個(gè)晶體管，使從輸出向輸入的寄生電容變小是優(yōu)選的。但是，當(dāng)使通過(guò)共源共 柵結(jié)構(gòu)等而連接的晶體管的數(shù)量變多時(shí)，由于必須將電源電壓設(shè)定得高，所W存在功耗量 增加運(yùn)樣的問(wèn)題。
[0006] 用于解決課題的方案 本發(fā)明為了解決上述問(wèn)題而完成，是一種高頻放大電路，對(duì)所輸入的高頻信號(hào)進(jìn)行放 大并輸出，所述高頻放大電路的特征在于，具有：第一放大部，對(duì)從輸入端子輸入的高頻信 號(hào)進(jìn)行放大來(lái)生成高頻放大信號(hào)；第二放大部，進(jìn)一步對(duì)所述高頻放大信號(hào)進(jìn)行放大來(lái)生 成輸出信號(hào)，并從輸出端子輸出；第一偏置部，將偏置電壓供給到所述第一放大部；第二偏 置部，將偏置電壓供給到所述第二放大部沖間電位線(xiàn)，將第一電位和第二電位之間的中間 電位供給到所述第一放大部和所述第二放大部；電流生成部，生成所述第一偏置部的工作 電流；W及電流控制部，連接于所述中間電位線(xiàn)，基于所述中間電位來(lái)控制所述第二偏置部 的工作電流，所述第一放大部包括向源極端子供給所述第一電位的第一導(dǎo)電型的第一晶體 管、W及連接于所述中間電位線(xiàn)并向一端供給所述第一電位的第一電感器，所述第二放大 部包括向源極端子供給所述第二電位的與所述第一導(dǎo)電型相反導(dǎo)電型的第二導(dǎo)電型的第 二晶體管、W及連接于所述中間電位線(xiàn)并向一端供給所述第二電位的第二電感器。
[0007] 此外，本發(fā)明的高頻放大電路對(duì)所輸入的高頻信號(hào)進(jìn)行放大并輸出，所述高頻放 大電路的特征在于，具有：第一放大部，對(duì)從輸入端子輸入的高頻信號(hào)進(jìn)行放大來(lái)生成高頻 放大信號(hào)；第二放大部，進(jìn)一步對(duì)所述高頻放大信號(hào)進(jìn)行放大來(lái)生成輸出信號(hào)，并從輸出端 子輸出；第一偏置部，將偏置電壓供給到所述第一放大部；第二偏置部，將偏置電壓供給到 所述第二放大部；中間電位線(xiàn)，將第一電位和第二電位之間的中間電位供給到所述第一放 大部和所述第二放大部；電流控制部，連接于所述中間電位線(xiàn)，基于所述中間電位來(lái)控制所 述第一偏置部的工作電流；W及電流生成部，生成所述第二偏置部的工作電流，所述第一放 大部包括向源極端子供給所述第一電位的第一導(dǎo)電型的第一晶體管、W及連接于所述中間 電位線(xiàn)并向一端供給所述第一電位的第一電感器，所述第二放大部包括向源極端子供給所 述第二電位的與所述第一導(dǎo)電型相反導(dǎo)電型的第二導(dǎo)電型的第二晶體管、W及連接于所述 中間電位線(xiàn)并向一端供給所述第二電位的第二電感器。
[000引發(fā)明效果 根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)提高沿反方向（輸入方向）流動(dòng)的信號(hào)的截?cái)嗵匦圆⑶沂闺娫措?壓變低而能省電力化的高頻放大電路。
【附圖說(shuō)明】
[0009] 圖1是示出包括本發(fā)明的高頻放大電路的接收機(jī)的結(jié)構(gòu)的框圖。
[0010] 圖2是示出本發(fā)明的實(shí)施例1中的高頻放大電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0011] 圖3是示出本發(fā)明的實(shí)施例1中的高頻放大電路的另一結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0012] 圖4是示出本發(fā)明的實(shí)施例2中的高頻放大電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0013] 圖5是示出本發(fā)明的實(shí)施例2中的高頻放大電路的另一結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0014] 圖6是示出本發(fā)明的實(shí)施例2中的高頻放大電路的另一結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0015] 圖7是示出本發(fā)明的實(shí)施例2中的高頻放大電路的另一結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0016] 圖8是示出本發(fā)明的實(shí)施例3中的高頻放大電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。 陽(yáng)017] 圖9是詳細(xì)地示出圖8的電路圖中的核屯、部和電流調(diào)整部的電路圖。
[0018] 圖10是示出本發(fā)明的實(shí)施例3中的高頻放大電路的另一結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0019] 圖11是詳細(xì)地示出圖10的電路圖中的核屯、部和電流調(diào)整部的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020] 在W下，詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。 陽(yáng)02 U [實(shí)施例^ W下，參照附圖并詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。圖1是示出使用了本發(fā)明的高頻放大 電路10的接收機(jī)11的結(jié)構(gòu)的框圖。高頻放大電路10對(duì)從天線(xiàn)12輸入的高頻信號(hào)進(jìn)行放 大，并供給到混合器13?；旌掀?3向解調(diào)處理部15供給將從高頻放大電路10供給的信號(hào) 與從本地振蕩電路14供給的本地信號(hào)混合并變換為中頻而得到的中頻信號(hào)。解調(diào)處理部 15通過(guò)對(duì)中頻信號(hào)施行規(guī)定的解調(diào)處理而得到信息數(shù)據(jù)信號(hào)。
[0022] 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的高頻放大電路10的結(jié)構(gòu)的電路圖。輸入端 子IN連接于切斷輸入信號(hào)的直流分量的電容器CO的一端。電容器CO的另一端連接于電 阻Rl的一端和N溝道(第一導(dǎo)電型）MOS (metal-oxide-semiconductor :金屬氧化物半導(dǎo) 體）晶體管（?下，稱(chēng)為NMOS晶體管）Ql的柵極端子。NMOS晶體管Ql的源極端子接地而被 供給接地電位(第一電位)。NMOS晶體管Ql的漏極端子連接于NMOS晶體管Q2的源極端子。
[0023] NMOS晶體管Q2的柵極端子連接于電阻R2的一端。NMOS晶體管Q2的漏極端子連 接于構(gòu)成第一并聯(lián)共振電路PRl的電感器Ll和電容器Cl的每一個(gè)的一端。
[0024] 電感器Ll和電容器Cl的每一個(gè)的一端連接于電容器C3的一端。此外，電感器Ll 和電容器Cl的每一個(gè)的另一端連接于中間電位線(xiàn)LCE。
[0025] NMOS晶體管QUNMOS晶體管Q2、電阻RU電阻R2、電容器CO W及第一并聯(lián)共振電 路PRl (LU Cl)構(gòu)成作為第一級(jí)的放大部的第一放大部A1。 陽(yáng)0%] NMOS晶體管Q3的源極端子被接地，漏極端子連接于NMOS晶體管Q4的源極端子， 柵極端子連接于NMOS晶體管Q4的漏極端子、電阻R3的一端和電阻Rl的另一端。NMOS晶 體管Q4的柵極端子連接于P溝道(第二導(dǎo)電型）MOS晶體管（W下，稱(chēng)為PMOS晶體管）Q5的 漏極端子、電阻R3的另一端和電阻R2的另一端。NMOS晶體管Q3、NMOS晶體管Q4和電阻 R3構(gòu)成第一偏置（bias)部Bl。
[0027] 向PMOS晶體管Q5的源極端子供給電源電位(第二電位)Vdd,柵極端子連接于PMOS 晶體管Q6的柵極端子。向PMOS晶體管Q6的源極端子供給電源電位Vdd,柵極端子和漏極 端子連接于電流源IB。PMOS晶體管Q5和Q6構(gòu)成電流鏡電路CMN。
[0028] 向PMOS晶體管Q7的源極端子供給電源電位Vdd,漏極端子連接于PMOS晶體管Q8 的源極端子。PMOS晶體管Q7的柵極端子連接于電阻R4的一端和電容器C3的另一端。
[0029] PMOS晶體管Q8的柵極端子連接于電阻R5的一端，漏極端子經(jīng)由輸出線(xiàn)LT連接于 電感器L2和電容器C2的每一個(gè)的一端。輸出端子OUT連接于輸出線(xiàn)LT。
[0030] 電感器L2和電容器C2并聯(lián)連接，構(gòu)成第二并聯(lián)共振電路PR2。電感器L2和電容 器C2的每一個(gè)的另一端連接于中間電位線(xiàn)LCE。
[0031] PMOS晶體管Q7、PM0S晶體管Q8、電阻R4、電阻貼、電容器C3和第二并聯(lián)共振電路 PR2 (L2、C2)構(gòu)成作為第二級(jí)放大部的第二放大