以及 Cgd =A3+B3*Pin+C3*Pin2
[0059]其中:A1是常量；
[0060]BI是常量；
[0061]Cl是常量；
[0062]A2是常量；
[0063]B2是常量；
[0064]A3是常量；
[0065]B3是常量；以及
[0066]C3是常量。
[0067]已經(jīng)描述了本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例。然而，將懂得可以在沒(méi)有偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下進(jìn)行各種修改。例如，應(yīng)當(dāng)懂得，電感和電容的其它排列和不同無(wú)源元件可以用于阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，以使得這種網(wǎng)絡(luò)提供在低和高輸入信號(hào)功率電平處的阻抗匹配。此外，雖然已經(jīng)描述了共源配置，但是對(duì)于其它晶體管配置(例如，共柵或共漏)，可以適當(dāng)?shù)匦薷淖杩蛊ヅ渚W(wǎng)絡(luò)。此外，如果增強(qiáng)型晶體管用于開(kāi)關(guān)20和22，那么可以用其它無(wú)源元件配置來(lái)適當(dāng)?shù)匦薷妮斎肫ヅ渚W(wǎng)絡(luò)，以提供在低和高輸入信號(hào)功率電平處的阻抗匹配。因此，其它實(shí)施例在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電路，包括: 輸入匹配網(wǎng)絡(luò)；以及 晶體管，具有耦合到所述阻抗網(wǎng)絡(luò)的輸出的輸入電極，其中， 當(dāng)向所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)饋送具有相對(duì)低的功率電平的輸入信號(hào)時(shí)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)具有第一輸入阻抗，其中， 當(dāng)向所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)饋送具有相對(duì)高的功率電平的輸入信號(hào)時(shí)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)具有不同于所述第一輸入阻抗的輸入阻抗，其中， 所述電路還包括功率電平感測(cè)電路，所述功率電平感測(cè)電路由所述輸入信號(hào)來(lái)饋送，當(dāng)所述功率電平感測(cè)電路感測(cè)到所述輸入信號(hào)具有所述相對(duì)高的功率電平時(shí)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)具有串聯(lián)地耦合在所述輸入信號(hào)與所述晶體管的所述輸入電極之間的第一電感，并且其中，當(dāng)所述功率電平感測(cè)電路感測(cè)到所述輸入信號(hào)具有所述相對(duì)低的功率電平時(shí)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)具有串聯(lián)地耦合在所述輸入信號(hào)與所述晶體管的所述輸入電極之間的第二電感，其中， 當(dāng)所述功率電平感測(cè)電路感測(cè)到所述輸入信號(hào)具有所述相對(duì)低的功率電平時(shí)，所述第一電感和所述第二電感并聯(lián)連接，并且其中， 所述晶體管是具有場(chǎng)柵極或伽瑪柵極的GaN晶體管器件，針對(duì)所述GaN晶體管器件的所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)是通過(guò)如下步驟來(lái)設(shè)計(jì)的: 通過(guò)具有相對(duì)大的輸入信號(hào)功率電平的所述輸入網(wǎng)絡(luò)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述器件； 以所述器件在預(yù)定輸出功率電平處的輸出來(lái)改變所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)； 當(dāng)所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)被改變時(shí)，測(cè)量所述器件的傳輸函數(shù)性能參數(shù)；以及 根據(jù)所測(cè)量的傳輸函數(shù)性能參數(shù)來(lái)選擇所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述晶體管具有場(chǎng)板。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述晶體管是氮化鎵晶體管。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其中，所述晶體管具有場(chǎng)板。5.一種電路，包括: 晶體管，其具有輸入電極； 輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，其具有由輸入信號(hào)饋送的輸入并且具有連接到所述晶體管的所述輸入電極的輸出；以及 功率電平感測(cè)電路，其由所述輸入信號(hào)來(lái)饋送，其中， 所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)響應(yīng)于所述功率電平感測(cè)電路進(jìn)行以下操作: 當(dāng)所述功率電平感測(cè)電路感測(cè)到所述輸入信號(hào)具有相對(duì)低的功率電平時(shí)，用第一輸入阻抗來(lái)配置所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)；以及 當(dāng)所述功率電平感測(cè)電路感測(cè)到所述輸入信號(hào)具有相對(duì)高的功率電平時(shí)，用不同于所述第一輸入阻抗的輸入阻抗來(lái)配置所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)， 其中， 當(dāng)所述功率電平感測(cè)電路感測(cè)到所述輸入信號(hào)具有所述相對(duì)高的功率電平時(shí)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)具有串聯(lián)地耦合在所述輸入信號(hào)與所述晶體管的所述輸入電極之間的第一電感，其中， 當(dāng)所述功率電平感測(cè)電路感測(cè)到所述輸入信號(hào)具有所述相對(duì)低的功率電平時(shí)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)具有串聯(lián)地耦合在所述輸入信號(hào)與所述晶體管的所述輸入電極之間的第二電感，其中， 當(dāng)所述功率電平感測(cè)電路感測(cè)到所述輸入信號(hào)具有所述相對(duì)低的功率電平時(shí)，所述第一電感和所述第二電感并聯(lián)連接，并且其中， 所述晶體管是具有場(chǎng)柵極或伽瑪柵極的GaN晶體管器件，針對(duì)所述GaN晶體管器件的所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)是通過(guò)如下步驟來(lái)設(shè)計(jì)的: 通過(guò)具有相對(duì)大的輸入信號(hào)功率電平的所述輸入網(wǎng)絡(luò)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述器件； 以所述器件在預(yù)定輸出功率電平處的輸出來(lái)改變所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)； 當(dāng)所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)被改變時(shí)，測(cè)量所述器件的傳輸函數(shù)性能參數(shù)；以及 根據(jù)所測(cè)量的傳輸函數(shù)性能參數(shù)來(lái)選擇所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中，所述晶體管具有場(chǎng)板。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中，所述晶體管是氮化鎵晶體管。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中，所述晶體管具有場(chǎng)板。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中，所述晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并且其中，所述輸入電極是所述晶體管的柵電極。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路，其中，所述晶體管具有場(chǎng)板。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路，其中，所述晶體管是氮化鎵晶體管。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路，其中，所述晶體管具有場(chǎng)板。13.—種電路，包括: 晶體管，其具有輸入電極； 輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，其具有由輸入信號(hào)饋送的輸入并且具有連接到所述晶體管的所述輸入電極的輸出； 功率電平感測(cè)電路，其由所述輸入信號(hào)來(lái)饋送；并且其中， 所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)響應(yīng)于所述功率電平感測(cè)電路進(jìn)行以下操作: 當(dāng)所述功率電平感測(cè)電路感測(cè)到所述輸入信號(hào)具有相對(duì)低的功率電平時(shí)，用第一輸入阻抗來(lái)配置所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)；以及 當(dāng)所述功率電平感測(cè)電路感測(cè)到所述輸入信號(hào)具有相對(duì)高的功率電平時(shí)，用不同于所述第一輸入阻抗的輸入阻抗來(lái)配置所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)， 其中， 所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括:一對(duì)電氣部件；以及至少一個(gè)開(kāi)關(guān)，并且其中，至少一個(gè)開(kāi)關(guān)響應(yīng)于所述功率電平感測(cè)電路進(jìn)行操作，來(lái)在所述相對(duì)高或相對(duì)低的功率電平中的一個(gè)處，將所述一對(duì)電氣部件中的一個(gè)從所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)電氣地去耦合，并且所述至少一個(gè)開(kāi)關(guān)進(jìn)行操作來(lái)在所述相對(duì)高或相對(duì)低的功率電平中的另一個(gè)處，將所述一對(duì)電氣部件中的所述一個(gè)電氣地耦合到所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，并且其中， 所述晶體管是具有場(chǎng)柵極或伽瑪柵極的GaN晶體管器件，針對(duì)所述GaN晶體管器件的所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)是通過(guò)如下步驟來(lái)設(shè)計(jì)的: 通過(guò)具有相對(duì)大的輸入信號(hào)功率電平的所述輸入網(wǎng)絡(luò)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述器件； 以所述器件在預(yù)定輸出功率電平處的輸出來(lái)改變所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)； 當(dāng)所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)被改變時(shí)，測(cè)量所述器件的傳輸函數(shù)性能參數(shù)；以及 根據(jù)所測(cè)量的傳輸函數(shù)性能參數(shù)來(lái)選擇所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電路，其中，所述電氣部件是具有不同電感值的電感。15.—種電路，包括: 輸入匹配網(wǎng)絡(luò)；以及 晶體管，其耦合到所述阻抗網(wǎng)絡(luò)的輸出，其中， 當(dāng)向所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)饋送具有相對(duì)低的功率電平的輸入信號(hào)時(shí)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)具有第一輸入阻抗，其中， 當(dāng)向所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)饋送具有相對(duì)高的功率電平的輸入信號(hào)時(shí)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)具有不同于所述第一輸入阻抗的輸入阻抗，其中， 所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括: 一對(duì)電抗電氣部件；以及 至少一個(gè)開(kāi)關(guān)，其中， 所述至少一個(gè)開(kāi)關(guān)響應(yīng)于所述功率電平感測(cè)電路進(jìn)行操作，來(lái)在所述相對(duì)高或相對(duì)低的功率電平中的一個(gè)處，將所述一對(duì)電抗電氣部件中的一個(gè)從所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)電氣地去耦合，并且所述至少一個(gè)開(kāi)關(guān)進(jìn)行操作來(lái)在所述相對(duì)高或相對(duì)低的功率電平中的另一個(gè)處，將所述一對(duì)電抗電氣部件中的所述一個(gè)電氣地耦合到所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，并且其中，所述晶體管是具有場(chǎng)柵極或伽瑪柵極的GaN晶體管器件，針對(duì)所述GaN晶體管器件的所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)是通過(guò)如下步驟來(lái)設(shè)計(jì)的: 通過(guò)具有相對(duì)大的輸入信號(hào)功率電平的所述輸入網(wǎng)絡(luò)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述器件； 以所述器件在預(yù)定輸出功率電平處的輸出來(lái)改變所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)； 當(dāng)所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)被改變時(shí)，測(cè)量所述器件的傳輸函數(shù)性能參數(shù)；以及 根據(jù)所測(cè)量的傳輸函數(shù)性能參數(shù)來(lái)選擇所述輸入網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)。16.根據(jù)權(quán)利要求1-15中的任一項(xiàng)所述的電路，通過(guò)以下步驟來(lái)設(shè)計(jì)對(duì)所述晶體管進(jìn)行饋送的所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò): 在阻抗史密斯圖上繪制所述晶體管的柵源阻抗的復(fù)共軛；以及在所述阻抗史密斯圖上將所繪制的圖順時(shí)針旋轉(zhuǎn)10-15度，以獲得所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入阻抗。
【專(zhuān)利摘要】一種電路具有：輸入匹配網(wǎng)絡(luò)；晶體管(14)，其耦合到所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出；并且其中，當(dāng)向所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)(12)饋送具有相對(duì)低的功率電平的輸入信號(hào)時(shí)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)(12)具有第一輸入阻抗，并且其中，當(dāng)向所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)(12)饋送具有相對(duì)高的功率電平的輸入信號(hào)時(shí)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)(12)具有不同于所述第一輸入阻抗的輸入阻抗。
【IPC分類(lèi)】H03F1/56, H03F3/193, H03H7/38
【公開(kāi)號(hào)】CN105305986
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510789224
【發(fā)明人】C·S.·惠蘭, J·C.·特倫布萊
【申請(qǐng)人】雷聲公司
【公開(kāi)日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2008年7月21日
【公告號(hào)】CN101796720A, EP2203974A1, US7609115, US20090066439, WO2009035767A1