元件制造方法以及元件制造裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于在連續(xù)延伸的基材上形成元件的元件制造方法以及元件制造裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]為了防止雜質(zhì)混入元件中，制造有機(jī)半導(dǎo)體元件或者無(wú)機(jī)半導(dǎo)體元件等元件的工序主要在真空環(huán)境下實(shí)施。例如，作為用于在基材上形成陰極電極、陽(yáng)極電極或者半導(dǎo)體層的方法，使用濺射法或者蒸鍍法等在真空環(huán)境下實(shí)施的成膜技術(shù)。真空環(huán)境是通過(guò)使用真空栗等耗費(fèi)規(guī)定的時(shí)間對(duì)元件制造裝置的內(nèi)部進(jìn)行脫氣而實(shí)現(xiàn)的。
[0003]但是在元件的制造工序中，除了成膜工序以外還實(shí)施各種工序。其中，以往也存在在大氣壓下實(shí)施的工序。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)真空環(huán)境，如上所述需要規(guī)定的時(shí)間。因此，在元件的制造工序除了包含在真空環(huán)境下實(shí)施的成膜工序之外還包含在大氣壓下實(shí)施的工序的情況下，為了將元件暫時(shí)取出到元件制造裝置的外部，將元件制造裝置的內(nèi)部的環(huán)境置換為大氣、以及對(duì)元件制造裝置的內(nèi)部進(jìn)行脫氣所需要的時(shí)間增加。為了避免產(chǎn)生這樣的時(shí)間，期望元件的制造工序中的盡可能多的工序在元件制造裝置的內(nèi)部實(shí)施。由此，能夠降低得到I個(gè)元件所需要的時(shí)間及成本。
[0004]作為成膜工序以外的工序的例子，能夠列舉出例如專(zhuān)利文獻(xiàn)I所述的那樣的去除位于輔助電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層的去除工序。輔助電極是在設(shè)于有機(jī)半導(dǎo)體層上的電極為薄膜狀的共用電極的情況下，為了對(duì)產(chǎn)生于共用電極的電壓下降根據(jù)位置而不同的情況進(jìn)行抑制而設(shè)置的。即，通過(guò)使共用電極與輔助電極在各種位置連接，能夠降低共用電極中的電壓下降。另一方面，由于有機(jī)半導(dǎo)體層一般情況下遍及基材的整個(gè)區(qū)域而設(shè)置，因此為了將共用電極與輔助電極連接，需要實(shí)施去除輔助電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層的上述的去除工序。
[0005]作為去除輔助電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層的方法，公知有對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層照射激光等光的方法。這種情況下，由于構(gòu)成有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體材料因磨蝕而飛散，因此優(yōu)選為了防止因飛散的有機(jī)半導(dǎo)體材料造成的污染而通過(guò)某些部件覆蓋基材將其密閉。例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中，提案如下方法:首先，在真空環(huán)境下將對(duì)置基材疊合到基材上來(lái)構(gòu)成疊合基材，接下來(lái)，在維持對(duì)置基材與基材之間的空間為真空氛圍的狀態(tài)下將疊合基材取出到大氣中，此后，對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層照射激光。這種情況下，能夠基于真空氛圍與大氣之間的壓差使對(duì)置基材與基材牢固地緊貼，由此，能夠可靠地防止因飛散的有機(jī)半導(dǎo)體材料造成的污染。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特許第4340982號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明要解決的課題
[0010]在如專(zhuān)利文獻(xiàn)I所述那樣、元件的制造工序的一部分在大氣中實(shí)施的情況下，即在元件制造裝置的外部實(shí)施的情況下，如上所述，將元件制造裝置的內(nèi)部的環(huán)境置換為大氣、以及對(duì)元件制造裝置的內(nèi)部進(jìn)行脫氣所需要的時(shí)間增加。如果考慮這一點(diǎn)，則優(yōu)選在元件制造裝置的內(nèi)部實(shí)施利用壓差將基材密閉的工序。但是，在以往，沒(méi)有提出在元件制造裝置的內(nèi)部利用壓差將基材密閉的方法。
[0011]本發(fā)明是考慮這一點(diǎn)而完成的，其目的在于提供元件制造方法以及元件制造裝置，通過(guò)在元件制造裝置的內(nèi)部利用壓差將基材密閉而能夠高效率地制造有機(jī)半導(dǎo)體元件等元件。
[0012]用于解決課題的手段
[0013]本發(fā)明提供元件制造方法，用于在連續(xù)延伸的基材上形成元件，其特征在于，該元件制造方法具備:準(zhǔn)備包含所述基材以及沿所述基材的法線方向延伸的突起部的中間制品的工序；層疊工序，在被調(diào)整為真空環(huán)境的層疊室中，使蓋材從所述突起部側(cè)連續(xù)地層疊到所述中間制品上而形成層疊體；將所述層疊體從所述層疊室向第I壓力室輸送的工序，該第I壓力室與所述層疊室連結(jié)，并且被調(diào)整為比真空環(huán)境的壓力高的第I壓力；將所述層疊體從所述第I壓力室向分離室輸送的工序，該分離室與所述第I壓力室連結(jié)，并且被調(diào)整為真空環(huán)境；以及分離工序，在所述分離室中，將所述層疊體分離為所述中間制品以及所述蓋材，在通過(guò)與輸送所述層疊體的方向垂直的面將所述層疊體假想地截?cái)嗟那闆r下的層疊體的截面上，所述中間制品與所述蓋材之間的空間從周?chē)荛]。
[0014]此外本發(fā)明提供元件制造裝置，用于在連續(xù)延伸的基材上形成元件，其特征在于，該元件制造裝置具備:層疊機(jī)構(gòu)，其使蓋材相對(duì)于包含所述基材以及沿所述基材的法線方向延伸的突起部的中間制品從所述突起部側(cè)連續(xù)層疊而形成層疊體；壓力施加機(jī)構(gòu)，其包含第I壓力室，該第I壓力室與所述層疊室連結(jié)，并被調(diào)整為比真空環(huán)境的壓力高的第I壓力，并且接收從所述層疊室輸送的所述層疊體；以及分離機(jī)構(gòu)，其在分離室中將所述層疊體分離為所述中間制品以及所述蓋材，其中，該分離室與所述第I壓力室連結(jié)，并被調(diào)整為真空環(huán)境，并且接收從第I壓力室輸送的所述層疊體，在通過(guò)與輸送所述層疊體的方向垂直的面將所述層疊體假想地截?cái)嗟那闆r下的層疊體的截面上，所述中間制品與所述蓋材之間的空間從周?chē)]。
[0015]在本發(fā)明中，所述層疊體可以進(jìn)一步包含支承材，該支承材從與所述突起部相反的一側(cè)相對(duì)于所述中間制品連續(xù)層疊。這種情況下?？梢允窃谕ㄟ^(guò)與輸送所述層疊體的方向垂直的面將所述層疊體假想地截?cái)嗟那闆r下的層疊體的截面上，所述蓋材與所述支承材粘合。
[0016]在本發(fā)明中，所述元件包含:所述基材；多個(gè)第I電極，它們?cè)O(shè)于所述基材上；輔助電極以及所述突起部，它們?cè)O(shè)于所述第I電極之間；有機(jī)半導(dǎo)體層，其設(shè)于所述第I電極上；以及第2電極，其設(shè)于所述有機(jī)半導(dǎo)體層上以及所述輔助電極上，所述中間制品可以包含:所述基材；所述多個(gè)第I電極，它們?cè)O(shè)于所述基材上；所述輔助電極以及所述突起部，它們?cè)O(shè)于所述第I電極之間；所述有機(jī)半導(dǎo)體層，其設(shè)于所述第I電極上以及所述輔助電極上。這種情況下，基于本發(fā)明的元件制造方法可以具備去除工序，在所述第I壓力室中，將設(shè)于所述輔助電極上的所述有機(jī)半導(dǎo)體層去除。此外，基于本發(fā)明的元件制造裝置可以具備去除機(jī)構(gòu)，該去除機(jī)構(gòu)在所述第I壓力室中去除設(shè)于所述輔助電極上的所述有機(jī)半導(dǎo)體層。
[0017]在本發(fā)明中，所述輔助電極可以部分地被所述突起部覆蓋。這種情況下，基于本發(fā)明的所述去除工序可以包含對(duì)與所述突起部相鄰配置的所述輔助電極上的所述有機(jī)半導(dǎo)體層照射光的工序。此外，基于本發(fā)明的元件制造裝置的所述去除機(jī)構(gòu)可以具有光照射部，該光照射部對(duì)與所述突起部相鄰配置的所述輔助電極上的所述有機(jī)半導(dǎo)體層照射光。
[0018]在本發(fā)明中，所述突起部可以至少部分地被所述輔助電極覆蓋。這種情況下，在基于本發(fā)明的所述去除工序中，可以去除位于所述突起部上的所述輔助電極上的所述有機(jī)半導(dǎo)體層。此外，基于本發(fā)明的元件制造裝置的所述去除機(jī)構(gòu)可以構(gòu)成為去除位于所述突起部上的所述輔助電極上的所述有機(jī)半導(dǎo)體層。
[0019]在本發(fā)明中，所述中間制品可以包含:所述基材；以及設(shè)于所述基材上的所述突起部和被曝光層。這種情況下，基于本發(fā)明的所述元件制造方法可以具備曝光工序:在所述第I壓力室中對(duì)所述被曝光層照射曝光光。此外，基于本發(fā)明的元件制造裝置可以具備曝光機(jī)構(gòu)，該曝光機(jī)構(gòu)在所述第I壓力室中對(duì)所述被曝光層照射曝光光。
[0020]在本發(fā)明中，可以在所述蓋材的與所述中間制品相對(duì)的面上設(shè)有蒸鍍用材料。這種情況下，基于本發(fā)明的所述元件制造方法可以具備在所述第I壓力室中朝向所述蒸鍍用材料照射光而使所述蒸鍍用材料蒸鍍到所述基材上的工序。此外，基于本發(fā)明的元件制造裝置可以具備蒸鍍機(jī)構(gòu)，該蒸鍍機(jī)構(gòu)在所述第I壓力室中朝向所述蒸鍍用材料照射光而使所述蒸鍍用材料蒸鍍到所述基材上。
[0021]發(fā)明效果
[0022]根據(jù)本發(fā)明，在元件制造裝置的內(nèi)部利用壓差通過(guò)蓋材將基材密閉，由此能夠高效率地制造有機(jī)半導(dǎo)體元件等元件。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)半導(dǎo)體元件的縱剖視圖。
[0024]圖2A是示出圖1所示的有機(jī)半導(dǎo)體元件的輔助電極、突起部以及有機(jī)半導(dǎo)體層的布局的一例的俯視圖。
[0025]圖2B是示出圖1所示的有機(jī)半導(dǎo)體元件的輔助電極、突起部以及有機(jī)半導(dǎo)體層的布局的其他例子的俯視圖。
[0026]圖3是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的元件制造裝置的圖。
[0027]圖4中的(a)?(g)是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的元件制造方法的圖。
[0028]圖5是示出圖3所示的元件制造裝置的中間制品處理裝置的圖。
[0029]圖6是示出圖5所示的層疊體的剖視圖。
[0030]圖7是示出圖3所示的元件制造裝置的中間制品處理裝置的變形例的圖。
[0031]圖8是示出圖7所示的層疊體的剖視圖。
[0032]圖9中的(a)?(g)是示出在本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例中，去除輔助電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層的方法的圖。
[0033]圖10是示出中間制品處理裝置作為使被曝光層曝光的曝光裝置而構(gòu)成的例子的圖。
[0034]圖11是示出通過(guò)圖10所示的曝光裝置實(shí)施的曝光工序的圖。
[0035]圖12是示出中間制品處理裝置作為使蒸鍍用材料蒸鍍到基材上的蒸鍍裝置而構(gòu)成的例子的圖。
[0036]圖13是示出通過(guò)圖12所示的蒸鍍裝置實(shí)施的蒸鍍工序的圖。
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