[0229]在絕緣膜911、912、919、920、933上，也可以另行設(shè)置絕緣膜，該絕緣膜在將布線材料埋入上述絕緣膜中之后利用CMP等進(jìn)行平坦化處理時的蝕刻停止膜。
[0230]接觸插頭913、915、917、921、925是通過在絕緣膜中形成高寬高比的開口(通孔)并將鎢等導(dǎo)電材料埋入而形成的。優(yōu)選進(jìn)行各向異性高的蝕刻來形成開口。尤其是，優(yōu)選使用反應(yīng)離子刻蝕法(RIE法)。開口的內(nèi)壁形成有由鈦膜、氮化鈦膜或上述膜的疊層膜等形成的阻擋膜(擴(kuò)散防止膜)，阻擋膜的內(nèi)部被填充有摻雜了鎢或磷等的多晶硅等材料。例如，可以通過包層CVD (blanket CVD)法將鎢埋入通孔內(nèi)，并利用CMP使接觸插頭的上表面平坦化。
[0231]〈6.在本說明書中公開的半導(dǎo)體裝置的作用及效果〉
通過使用在本說明書中公開的半導(dǎo)體裝置及其驅(qū)動方法，可以適當(dāng)?shù)赝Ｖ构?yīng)電源電壓。
[0232]因此，可以間歇供應(yīng)電源電壓，從而可以降低耗電量。
[0233]此外，通過使用在本說明書中公開的半導(dǎo)體裝置及其驅(qū)動方法，可以在停止供應(yīng)電源電壓之前保存數(shù)據(jù)，并且可以在再次開始供應(yīng)電源電壓之后載入數(shù)據(jù)。
[0234]因此，可以抑制持續(xù)供應(yīng)電源電壓時的動作延遲。
[0235]本實施方式可以與其他實施方式所記載的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實施。
[0236]實施方式2
根據(jù)本發(fā)明的一個方式的半導(dǎo)體裝置可以用于顯示設(shè)備、個人計算機(jī)、具備記錄媒體的圖像再現(xiàn)裝置(典型的是，能夠再現(xiàn)記錄媒體如數(shù)字視頻光盤(DVD -Digital VersatileDisc)等并具有能夠顯示其圖像的顯示器的裝置)等。此外，作為可以使用根據(jù)本發(fā)明的一個方式的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，還可以舉出移動電話、包括便攜式游戲機(jī)的游戲機(jī)、便攜式信息終端、電子書閱讀器、例如攝像機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等影像拍攝裝置、護(hù)目鏡型顯示器(頭戴式顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)裝置(例如，汽車音頻系統(tǒng)和數(shù)字音頻播放器等)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、打印機(jī)、多功能打印機(jī)、自動取款機(jī)(ATM)、自動售貨機(jī)等。圖8A至圖8F示出這些電子設(shè)備的具體例子。
[0237]圖8A是便攜式游戲機(jī)，其包括框體5001、框體5002、顯示部5003、顯示部5004、麥克風(fēng)5005、揚(yáng)聲器5006、操作鍵5007、觸屏筆5008等。注意，雖然圖8A所示的便攜式游戲機(jī)包括兩個顯示部5003和顯示部5004，但便攜式游戲機(jī)所具有的顯示部的數(shù)目不限于此。
[0238]圖8B是便攜式信息終端，其包括第一框體5601、第二框體5602、第一顯示部5603、第二顯示部5604、連接部5605、操作鍵5606等。第一顯示部5603設(shè)置在第一框體5601中，第二顯示部5604設(shè)置在第二框體5602中。并且，第一框體5601與第二框體5602通過連接部5605連接，第一框體5601與第二框體5602所形成的角度可以通過連接部5605改變。第一顯示部5603中的圖像的切換可以根據(jù)在連接部5605中第一框體5601與第二框體5602所形成的角度進(jìn)行。另外，也可以將附加有位置輸入裝置的功能的顯示裝置用于第一顯不部5603和第二顯不部5604中的至少一個。另外，可以通過在顯不裝置設(shè)置觸摸屏來附加位置輸入裝置的功能?；蛘?，也可以通過在顯示裝置的像素部設(shè)置也稱為光電傳感器的光電轉(zhuǎn)換元件來附加位置輸入裝置的功能。
[0239]圖8C是筆記本式個人計算機(jī)，其包括框體5401、顯示部5402、鍵盤5403及指向裝置5404等。
[0240]圖8D是電冷藏冷凍箱，其包括框體5301、冷藏室門5302、冷凍室門5303等。
[0241]圖8E是攝像機(jī)，其包括第一框體5801、第二框體5802、顯示部5803、操作鍵5804、透鏡5805、連接部5806等。操作鍵5804及透鏡5805設(shè)置在第一框體5801中，顯示部5803設(shè)置在第二框體5802中。并且，第一框體5801與第二框體5802通過連接部5806連接，第一框體5801與第二框體5802所形成的角度可以通過連接部5806改變。顯示部5803中的圖像的切換也可以根據(jù)在連接部5806中第一框體5801與第二框體5802所形成的角度進(jìn)行。
[0242]圖8F是一般的汽車，其包括車體5101、車輪5102、儀表盤5103及燈5104等。
[0243]本實施方式可以與其他實施方式適當(dāng)?shù)亟M合而實施。
[0244]附圖標(biāo)記說明
Node_l:節(jié)點(diǎn)；Node_2:節(jié)點(diǎn)；Node_3:節(jié)點(diǎn)；Node_4:節(jié)點(diǎn)；P1:期間；P2:期間；P3:期間；P4:期間；10:半導(dǎo)體裝置；20:半導(dǎo)體裝置；30:半導(dǎo)體裝置；110:存儲電路部分；120:存儲電路部分；121:晶體管；122:電容兀件；123:晶體管；124:晶體管；125:晶體管；126:電容元件；127:晶體管；128:晶體管；200:存儲電路部分；201:反相器電路；202:反相器電路；203:開關(guān)；204:反相器電路；205:開關(guān)；220:存儲電路部分；221:晶體管；222:電容元件；223:晶體管；224:晶體管；225:晶體管；226:電容元件；227:晶體管；228:晶體管；229:反相器電路；230:反相器電路；300:邏輯陣列；301:LE ；302:開關(guān)部分；303:布線群；304:布線群；305:輸入/輸出端子；311:LUT ；312:觸發(fā)器；313:多路復(fù)用器；314:配置存儲器；315:配置存儲器；316:輸入端子；317:輸出端子；400:CPU ；401:主存儲裝置；411:程序計數(shù)器；412:指令寄存器；413:指令譯碼器；414:通用寄存器；415:ALU ；421:電源開關(guān);422:電源控制電路；500:配置存儲器；501:數(shù)據(jù)線；502:字線；503:字線；511:晶體管；512:晶體管；513:晶體管；514:電容元件；520:配置存儲器；531:晶體管；532:晶體管；533:晶體管；534:電容元件；535:晶體管；536:晶體管；537:晶體管；538:電容元件；540:反相器電路；541:數(shù)據(jù)線；542:字線；543:字線；900:襯底；901:晶體管；902:晶體管；904:阱；906:雜質(zhì)區(qū)；907:柵極絕緣膜；908:柵電極層；909:側(cè)壁絕緣膜；910:絕緣膜；911:絕緣膜；912:絕緣膜；913:接觸插頭；914:布線層；915:接觸插頭；916:布線層；917:接觸插頭；918:布線層；919:絕緣膜；920:絕緣膜；921:接觸插頭；922:布線層；923:背柵電極層；924:絕緣膜；925:接觸插頭；926:氧化物半導(dǎo)體膜；927:源電極層；928:漏電極層；929:柵極絕緣膜；930:柵電極層；932:絕緣膜；933:絕緣膜；5001:框體；5002:框體；5003:顯示部；5004:顯示部；5005:麥克風(fēng)；5006:揚(yáng)聲器；5007:操作鍵；5008:觸屏筆；5101:車體；5102:車輪；5103:儀表盤；5104:燈；5301:框體；5302:冷藏室門；5303:冷凍室門；5401:框體；5402:顯示部；5403:鍵盤；5404:指向裝置；5601:框體；5602:框體；5603:顯示部；5604:顯示部；5605:連接部；5606:操作鍵；5801:框體；5802:框體；5803:顯示部；5804:操作鍵；5805:透鏡；5806:連接部
本申請基于2012年11月6日提交到日本專利局的日本專利申請N0.2012-244560，通過引用將其完整內(nèi)容并入在此。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括:易失性存儲器；第一晶體管；第二晶體管；以及第三晶體管，其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于所述易失性存儲器，所述第一晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的柵極，所述第二晶體管的第一端子電連接于所述第三晶體管的第一端子，并且，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述易失性存儲器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一晶體管包括包含氧化物半導(dǎo)體的溝道形成區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述易失性存儲器包括第一反相器及第二反相器，所述第一反相器的輸入端子及所述第二反相器的輸出端子電連接于第一節(jié)點(diǎn)，所述第一反相器的輸出端子及所述第二反相器的輸入端子電連接于第二節(jié)點(diǎn)，所述第一晶體管的所述第一端子電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)，并且，所述第三晶體管的所述第二端子電連接于所述第二節(jié)點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述易失性存儲器包括第一反相器及第二反相器，所述半導(dǎo)體裝置包括第三反相器，所述第一反相器的輸入端子及所述第二反相器的輸出端子電連接于第一節(jié)點(diǎn)，所述第一反相器的輸出端子及所述第二反相器的輸入端子電連接于第二節(jié)點(diǎn)，所述第一晶體管的所述第一端子通過所述第三反相器電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)，并且，所述第三晶體管的所述第二端子電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置包括第一電容元件，并且，所述第一電容元件的第一端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括:易失性存儲器；第一晶體管；第二晶體管；第三晶體管；第四晶體管；第五晶體管；以及第六晶體管，其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于所述易失性存儲器，所述第一晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的柵極，所述第二晶體管的第一端子電連接于所述第三晶體管的第一端子，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述易失性存儲器，所述第四晶體管的第一端子電連接于所述易失性存儲器，所述第四晶體管的第二端子電連接于所述第五晶體管的柵極，所述第五晶體管的第一端子電連接于所述第六晶體管的第一端子，并且，所述第六晶體管的第二端子電連接于所述易失性存儲器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一晶體管包括包含氧化物半導(dǎo)體的溝道形成區(qū)，并且，所述第四晶體管包括包含氧化物半導(dǎo)體的溝道形成區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述易失性存儲器包括第一反相器及第二反相器，所述第一反相器的輸入端子及所述第二反相器的輸出端子電連接于第一節(jié)點(diǎn)，所述第一反相器的輸出端子及所述第二反相器的輸入端子電連接于第二節(jié)點(diǎn)，所述第一晶體管的所述第一端子電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)，所述第三晶體管的所述第二端子電連接于所述第二節(jié)點(diǎn)，所述第四晶體管的所述第一端子電連接于所述第二節(jié)點(diǎn)，并且，所述第六晶體管的所述第二端子電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述易失性存儲器包括第一反相器及第二反相器，所述半導(dǎo)體裝置包括第三反相器及第四反相器，所述第一反相器的輸入端子及所述第二反相器的輸出端子電連接于第一節(jié)點(diǎn)，所述第一反相器的輸出端子及所述第二反相器的輸入端子電連接于第二節(jié)點(diǎn)，所述第一晶體管的所述第一端子通過所述第三反相器電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)，所述第三晶體管的所述第二端子電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)，所述第四晶體管的所述第一端子通過所述第四反相器電連接于所述第二節(jié)點(diǎn)，并且，所述第六晶體管的所述第二端子電連接于所述第二節(jié)點(diǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置包括第一電容元件及第二電容元件，所述第一電容元件的第一端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，并且，所述第二電容元件的第一端子電連接于所述第五晶體管的所述柵極。
11.一種半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法，所述半導(dǎo)體裝置包括:易失性存儲器；第一晶體管；第二晶體管；以及第三晶體管，其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于所述易失性存儲器，所述第一晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的柵極，所述第二晶體管的第一端子電連接于所述第三晶體管的第一端子，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述易失性存儲器，并且，所述半導(dǎo)體裝置的所述驅(qū)動方法包括如下步驟:向所述第一晶體管的柵極供應(yīng)第一控制信號來向所述第二晶體管的所述柵極供應(yīng)對應(yīng)于所述易失性存儲器的數(shù)據(jù)的電荷； 無電源電壓向所述易失性存儲器供應(yīng)； 在無電源電壓向所述易失性存儲器供應(yīng)期間保持對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)的所述電荷； 向所述易失性存儲器供應(yīng)電源電壓；以及 向所述第三晶體管的柵極供應(yīng)第二控制信號來將所述數(shù)據(jù)載入到所述易失性存儲器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法， 其中所述第一晶體管包括包含氧化物半導(dǎo)體的溝道形成區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法， 其中所述易失性存儲器包括第一反相器及第二反相器， 所述第一反相器的輸入端子及所述第二反相器的輸出端子電連接于第一節(jié)點(diǎn)， 所述第一反相器的輸出端子及所述第二反相器的輸入端子電連接于第二節(jié)點(diǎn)， 所述第一晶體管的所述第一端子電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)， 并且，所述第三晶體管的所述第二端子電連接于所述第二節(jié)點(diǎn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法， 其中所述易失性存儲器包括第一反相器及第二反相器， 所述半導(dǎo)體裝置包括第三反相器， 所述第一反相器的輸入端子及所述第二反相器的輸出端子電連接于第一節(jié)點(diǎn)， 所述第一反相器的輸出端子及所述第二反相器的輸入端子電連接于第二節(jié)點(diǎn)， 所述第一晶體管的所述第一端子通過所述第三反相器電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)， 并且，所述第三晶體管的所述第二端子電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法， 其中所述半導(dǎo)體裝置包括第一電容元件， 并且，所述第一電容元件的第一端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法， 所述半導(dǎo)體裝置包括: 第四晶體管； 第五晶體管；以及 第六晶體管， 其中所述第四晶體管的第一端子電連接于所述易失性存儲器， 所述第四晶體管的第二端子電連接于所述第五晶體管的柵極， 所述第五晶體管的第一端子電連接于所述第六晶體管的第一端子， 所述第六晶體管的第二端子電連接于所述易失性存儲器， 并且，所述半導(dǎo)體裝置的所述驅(qū)動方法包括如下步驟: 向所述第一晶體管的所述柵極及所述第四晶體管的柵極供應(yīng)所述第一控制信號來向所述第二晶體管的所述柵極及所述第五晶體管的所述柵極供應(yīng)對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)的所述電荷； 無電源電壓向所述易失性存儲器供應(yīng)； 在無電源電壓向所述易失性存儲器供應(yīng)期間保持對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)的所述電荷； 向所述易失性存儲器供應(yīng)電源電壓；以及 向所述第三晶體管的所述柵極及所述第六晶體管的柵極供應(yīng)所述第二控制信號來將所述數(shù)據(jù)載入到所述易失性存儲器。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法， 其中所述第一晶體管包括包含氧化物半導(dǎo)體的溝道形成區(qū)， 并且，所述第四晶體管包括包含氧化物半導(dǎo)體的溝道形成區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法， 其中所述易失性存儲器包括第一反相器及第二反相器， 所述第一反相器的輸入端子及所述第二反相器的輸出端子電連接于第一節(jié)點(diǎn)， 所述第一反相器的輸出端子及所述第二反相器的輸入端子電連接于第二節(jié)點(diǎn)， 所述第一晶體管的所述第一端子電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)， 所述第三晶體管的所述第二端子電連接于所述第二節(jié)點(diǎn)， 所述第四晶體管的所述第一端子電連接于所述第二節(jié)點(diǎn)， 并且，所述第六晶體管的所述第二端子電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法， 其中所述易失性存儲器包括第一反相器及第二反相器， 所述半導(dǎo)體裝置包括第三反相器及第四反相器， 所述第一反相器的輸入端子及所述第二反相器的輸出端子電連接于第一節(jié)點(diǎn)， 所述第一反相器的輸出端子及所述第二反相器的輸入端子電連接于第二節(jié)點(diǎn)， 所述第一晶體管的所述第一端子通過所述第三反相器電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)， 所述第三晶體管的所述第二端子電連接于所述第一節(jié)點(diǎn)， 所述第四晶體管的所述第一端子通過所述第四反相器電連接于所述第二節(jié)點(diǎn)， 并且，所述第六晶體管的所述第二端子電連接于所述第二節(jié)點(diǎn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法， 其中所述半導(dǎo)體裝置包括第一電容元件及第二電容元件， 所述第一電容元件的第一端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極， 并且，所述第二電容元件的第一端子電連接于所述第五晶體管的所述柵極。
【專利摘要】提供一種半導(dǎo)體裝置及其驅(qū)動方法，其中該半導(dǎo)體裝置可以降低耗電量，還可以抑制由于停止或再次開始供應(yīng)電源電壓而導(dǎo)致的動作延遲。對應(yīng)于在持續(xù)供應(yīng)電源電壓期間保持的數(shù)據(jù)的電位在停止供應(yīng)電源電壓之前保存于連接有電容元件的節(jié)點(diǎn)中。并且，由于將該節(jié)點(diǎn)用作柵極的晶體管的溝道電阻變化，因此通過再次開始供應(yīng)電源電壓載入數(shù)據(jù)。
【IPC分類】H03K3-356
【公開號】CN104769842
【申請?zhí)枴緾N201380058087
【發(fā)明人】青木健, 池田隆之, 黑川義元
【申請人】株式會社半導(dǎo)體能源研究所
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2013年10月15日
【公告號】US9064574, US20140126271, WO2014073374A1