半導(dǎo)體裝置以及其驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置以及其驅(qū)動(dòng)方法。尤其本發(fā)明涉及一種適當(dāng)?shù)赝Ｖ构?yīng)電源電壓的半導(dǎo)體裝置以及其驅(qū)動(dòng)方法。
[0002]另外，在本說明書中，半導(dǎo)體裝置是指包括半導(dǎo)體元件的裝置或包括半導(dǎo)體元件的電路。
【背景技術(shù)】
[0003]PLD (Programmable Logic Device:可編程邏輯器件)以及 CPU (CentralProcessing Unit:中央處理器)等半導(dǎo)體裝置根據(jù)其用途具有各種各樣的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置一般包括存儲(chǔ)裝置；PLD包括寄存器及配置存儲(chǔ)器，CPU包括寄存器及高速緩沖存儲(chǔ)器。
[0004]與主要使用DRAM的主存儲(chǔ)器相比，對(duì)這種存儲(chǔ)裝置要求高速地進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和讀出等工作。因此，在很多情況下，作為寄存器使用觸發(fā)器，作為配置存儲(chǔ)器及高速緩沖存儲(chǔ)器使用SRAM (Static Random Access Memory:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。
[0005]SRAM雖然通過晶體管的微型化而實(shí)現(xiàn)工作的高速化，但具有如下問題:由于微型化而使泄漏電流明顯增加，導(dǎo)致耗電量增大的問題。因此，為了降低耗電量，已嘗試了如下方法:例如在沒有進(jìn)行數(shù)據(jù)的輸入及輸出期間停止向半導(dǎo)體裝置供應(yīng)電源電壓的方法。
[0006]但是，作為寄存器使用的觸發(fā)器以及作為高速緩沖存儲(chǔ)器使用的SRAM都為易失性存儲(chǔ)裝置。因此，在停止向半導(dǎo)體裝置供應(yīng)電源電壓的情況下，在再次開始電源電壓的供應(yīng)之后需要在寄存器及高速緩沖存儲(chǔ)器等易失性存儲(chǔ)裝置中恢復(fù)消失的數(shù)據(jù)。
[0007]鑒于上述點(diǎn)，開發(fā)了在易失性存儲(chǔ)裝置的周圍配置非易失性存儲(chǔ)裝置的半導(dǎo)體裝置。例如，專利文獻(xiàn)I公開了如下技術(shù):在停止供應(yīng)電源電壓之前將保持在觸發(fā)器等中的數(shù)據(jù)保存于鐵電存儲(chǔ)器中，在再次開始供應(yīng)電源電壓之后將保存于鐵電存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)恢復(fù)到觸發(fā)器等中的技術(shù)。
[0008][參考文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)I]日本專利申請(qǐng)公開平10-078836號(hào)公報(bào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種新穎的半導(dǎo)體裝置以及其驅(qū)動(dòng)方法。
[0010]具體而言，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種能夠降低耗電量的半導(dǎo)體裝置以及其驅(qū)動(dòng)方法。本發(fā)明的一個(gè)方式的其他目的之一是提供一種能夠抑制由于停止及再次開始供應(yīng)電源電壓而導(dǎo)致的動(dòng)作延遲的半導(dǎo)體裝置以及其驅(qū)動(dòng)方法。
[0011 ] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，將對(duì)應(yīng)于在持續(xù)供應(yīng)電源電壓期間保持的數(shù)據(jù)的電位在停止供應(yīng)電源電壓之前保存于與電容元件連接的節(jié)點(diǎn)中。并且，由于將該節(jié)點(diǎn)用作柵極的晶體管的溝道電阻變化，所以根據(jù)再次開始供應(yīng)電源電壓載入數(shù)據(jù)。
[0012]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括:第一存儲(chǔ)電路部分；以及第二存儲(chǔ)電路部分。該第一存儲(chǔ)電路部分包括:保持第一電位和第二電位中的一個(gè)的第一節(jié)點(diǎn)；以及保持第一電位和第二電位中的另一個(gè)的第二節(jié)點(diǎn)。該第二存儲(chǔ)電路部分包括:第一晶體管，其中柵極電連接于被輸入第一控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第一節(jié)點(diǎn)，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第三節(jié)點(diǎn)；第一電容元件，其中一個(gè)電極電連接于第三節(jié)點(diǎn)，另一個(gè)電極電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；第二晶體管，其中柵極電連接于第三節(jié)點(diǎn)，源極和漏極中的一個(gè)電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；以及第三晶體管，其中柵極電連接于被輸入第二控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第二節(jié)點(diǎn)。第一晶體管包括具有氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體膜。
[0013]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括:第一存儲(chǔ)電路部分；以及第二存儲(chǔ)電路部分。該第一存儲(chǔ)電路部分包括:保持第一電位和第二電位中的一個(gè)的第一節(jié)點(diǎn)；以及保持第一電位和第二電位中的另一個(gè)的第二節(jié)點(diǎn)。該第二存儲(chǔ)電路部分包括:第一反相器電路，其中輸入端子電連接于第一節(jié)點(diǎn)；第一晶體管，其中柵極電連接于被輸入第一控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第一反相器電路的輸出端子，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第三節(jié)點(diǎn)；第一電容元件，其中一個(gè)電極電連接于第三節(jié)點(diǎn)，另一個(gè)電極電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；第二晶體管，其中柵極電連接于第三節(jié)點(diǎn)，源極和漏極中的一個(gè)電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；以及第三晶體管，其中柵極電連接于被輸入第二控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第一節(jié)點(diǎn)。第一晶體管包括具有氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體膜。
[0014]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括:第一存儲(chǔ)電路部分；以及第二存儲(chǔ)電路部分。該第一存儲(chǔ)電路部分包括:保持第一電位和第二電位中的一個(gè)的第一節(jié)點(diǎn)；以及保持第一電位和第二電位中的另一個(gè)的第二節(jié)點(diǎn)。該第二存儲(chǔ)電路部分包括:第一晶體管，其中柵極電連接于被輸入第一控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第一節(jié)點(diǎn)，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第三節(jié)點(diǎn)；第一電容元件，其中一個(gè)電極電連接于第三節(jié)點(diǎn)，另一個(gè)電極電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；第二晶體管，其中柵極電連接于第三節(jié)點(diǎn)，源極和漏極中的一個(gè)電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；第三晶體管，其中柵極電連接于被輸入第二控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第二節(jié)點(diǎn)；第四晶體管，其中柵極電連接于被輸入第一控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第二節(jié)點(diǎn)，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第四節(jié)點(diǎn)；第二電容元件，其中一個(gè)電極電連接于第四節(jié)點(diǎn)，另一個(gè)電極電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；第五晶體管，其中柵極電連接于第四節(jié)點(diǎn)，源極和漏極中的一個(gè)電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；以及第六晶體管，其中柵極電連接于被輸入第二控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第五晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第一節(jié)點(diǎn)。第一晶體管及第四晶體管都包括具有氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體膜。
[0015]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括:第一存儲(chǔ)電路部分；以及第二存儲(chǔ)電路部分。該第一存儲(chǔ)電路部分包括:保持第一電位和第二電位中的一個(gè)的第一節(jié)點(diǎn)；以及保持第一電位和第二電位中的另一個(gè)的第二節(jié)點(diǎn)。該第二存儲(chǔ)電路部分包括:第一反相器電路，其中輸入端子電連接于第一節(jié)點(diǎn)；第一晶體管，其中柵極電連接于被輸入第一控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第一反相器電路的輸出端子，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第三節(jié)點(diǎn)；第一電容元件，其中一個(gè)電極電連接于第三節(jié)點(diǎn)，另一個(gè)電極電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；第二晶體管，其中柵極電連接于第三節(jié)點(diǎn)，源極和漏極中的一個(gè)電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；第三晶體管，其中柵極電連接于被輸入第二控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第一節(jié)點(diǎn)；第二反相器電路，其中輸入端子電連接于第二節(jié)點(diǎn)；第四晶體管，其中柵極電連接于被輸入第一控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第二反相器電路的輸出端子，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第四節(jié)點(diǎn)；第二電容元件，其中一個(gè)電極電連接于第四節(jié)點(diǎn)，另一個(gè)電極電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；第五晶體管，其中柵極電連接于第四節(jié)點(diǎn)，源極和漏極中的一個(gè)電連接于被供應(yīng)第二電位的布線；以及第六晶體管，其中柵極電連接于被輸入第二控制信號(hào)的布線，源極和漏極中的一個(gè)電連接于第五晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第二節(jié)點(diǎn)。第一晶體管及第四晶體管都包括具有氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體膜。
[0016]本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置優(yōu)選包括第一存儲(chǔ)電路部分及第二存儲(chǔ)電路部分，該第一存儲(chǔ)電路部分及該第二存儲(chǔ)電路部分為如下存儲(chǔ)電路部分:在持續(xù)供應(yīng)電源電壓期間，第一存儲(chǔ)電路部分將第一電位和第二電位中的一個(gè)保持于第一節(jié)點(diǎn)中，并且將第一電位和第二電位中的另一個(gè)保持于第二節(jié)點(diǎn)中，而在停止供應(yīng)電源電壓期間，第二存儲(chǔ)電路部分將第一節(jié)點(diǎn)中的第一電位和第二電位中的一個(gè)保持于第三節(jié)點(diǎn)中，并且將第二節(jié)點(diǎn)中的第一電位和第二電位中的另一個(gè)保持于第四節(jié)點(diǎn)中。
[0017]在本發(fā)明的一個(gè)方式中，半導(dǎo)體裝置優(yōu)選為如下半導(dǎo)體裝置:第一控制信號(hào)為用來切換第一節(jié)點(diǎn)與第三節(jié)點(diǎn)之間的電性導(dǎo)通與非導(dǎo)通且用來切換第二節(jié)點(diǎn)與第四節(jié)點(diǎn)之間的電性導(dǎo)通與非導(dǎo)通的信號(hào)，并且，第二控制信號(hào)為用來切換第二節(jié)點(diǎn)與第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)之間的電性導(dǎo)通與非導(dǎo)通且用來切換第一節(jié)點(diǎn)與第五晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)之間的電性導(dǎo)通與非導(dǎo)通的信號(hào)的半導(dǎo)體裝置。
[0018]在本發(fā)明的一個(gè)方式中，半導(dǎo)體裝置優(yōu)選為如下半導(dǎo)體裝置:第一控制信號(hào)為用來切換第一節(jié)點(diǎn)與第三節(jié)點(diǎn)之間的電性導(dǎo)通與非導(dǎo)通且用來切換第二節(jié)點(diǎn)與第四節(jié)點(diǎn)之間的電性導(dǎo)通與非導(dǎo)通的信號(hào)，并且，第二控制信號(hào)為用來切換第一節(jié)點(diǎn)與第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)之間的電性導(dǎo)通與非導(dǎo)通且用來切換第二節(jié)點(diǎn)與第五晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)之間的電性導(dǎo)通與非導(dǎo)通的信號(hào)的半導(dǎo)體裝置。
[0019]一種半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法，優(yōu)選包括如下步驟:通過第一控制信號(hào)將在第一節(jié)點(diǎn)及第二節(jié)點(diǎn)中保持的電位分別保持于第三節(jié)點(diǎn)及第四節(jié)點(diǎn)中的第一步驟；停止供應(yīng)電源電壓的第二步驟；再次開始供應(yīng)電源電壓的第三步驟；以及通過第二控制信號(hào)，將在第一節(jié)點(diǎn)及第二節(jié)點(diǎn)中保持的電位根據(jù)保持于第三節(jié)點(diǎn)及第四節(jié)點(diǎn)中的電位載入為第一步驟的狀態(tài)的第四步驟。
[0020]通過適當(dāng)?shù)赝Ｖ箤?duì)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置供應(yīng)電源電壓，能夠降低半導(dǎo)體裝置的耗電量。此外，通過在停止供應(yīng)電源電壓之前保存數(shù)據(jù)且在再次開始供應(yīng)電源電壓之后載入該數(shù)據(jù)，能夠抑制動(dòng)作延遲。
【附圖說明】
[0021]圖1是半導(dǎo)體裝置的電路圖；
圖2A及圖2B是半導(dǎo)體裝置的電路圖及時(shí)序圖；
圖3是半導(dǎo)體裝置的電路圖；
圖4是說明半導(dǎo)體裝置的具體例子的方框圖；
圖5是說明半導(dǎo)體裝置的具體例子的方框圖；
圖6是說明半導(dǎo)體裝置的具體例子的方框圖；
圖7是說明半導(dǎo)體裝置的具體例子的方框圖；
圖8A至圖8F示出電子設(shè)備的一個(gè)例子；
圖9A及圖9B是說明半導(dǎo)體裝置的具體例子的電路圖；
圖10是說明半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面，關(guān)于實(shí)施方式參照附圖給予說明。但是，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)，就是實(shí)施方式可以以多個(gè)不同形式來實(shí)施，其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在下面的本實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。
[0023]另外，在附圖中，為便于清楚地說明有時(shí)對(duì)大小、層的厚度和/或區(qū)域進(jìn)行夸張的描述。因此，本發(fā)明并不一定限定于上述尺寸。此外，在附圖中，示意性地示出理想的例子，而不局限于附圖所示的形狀或數(shù)值等。例如，可以包括因雜波或定時(shí)偏差等所引起的信號(hào)、電壓或電流的不均勻等。
[0024]此外，在本說明書等中，晶體管是指至少包括柵極、漏極以及源極的三個(gè)端子的元件。在漏極(漏極端子、漏區(qū)或漏電極)與源極(源極端子、源區(qū)或源電極)之間具有溝道區(qū)，并能夠流過漏極、溝道區(qū)以及源極使電流流過。
[0025]在此，因?yàn)樵礃O和漏極根據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)或工作條件等而更換，因此很難限定哪個(gè)是源極哪個(gè)是漏極。因此，有時(shí)將用作源極的部分或用作漏極的部分不稱為源極或漏極，而將源極和漏極中的一個(gè)稱為第一電極并將源極和漏極中的另一個(gè)稱為第二電極。
[0026]注意，本說明書所使用的“第一”、“第二”、“第三”等序數(shù)詞是為了避免構(gòu)成要素的混同而附上的，而不是為了在數(shù)目方面進(jìn)行限定而附上的。
[0027]注意，在本說明書中，“使A與B連接”的描述除了使A與B直接連接的情況以外，還包括使A與B電連接的情況。在此，“使A與B電連接”的描述是指當(dāng)在A與B之間存在具有某種電作用的對(duì)象物時(shí)，能夠進(jìn)行A和B的電信號(hào)的授受。
[0028]注意，在本說明書中，為了方便起見，使用“上” “下”等的表示配置的詞句以參照【附圖說明】構(gòu)成要素的位置關(guān)系。另外，構(gòu)成要素的位置關(guān)系根據(jù)描述各構(gòu)成要素的方向適當(dāng)?shù)馗淖?。因此，不局限于本說明書中所說明的詞句，根據(jù)情況可以適當(dāng)?shù)負(fù)Q詞句。
[0029]另外，附圖中的方框圖的各電路方框的配置是為了說明而特定位置關(guān)系的，雖然其示出為使用不同的電路方框使不同的功能實(shí)現(xiàn)，但是有時(shí)在實(shí)際上的電路或區(qū)域中，將其設(shè)置為有可能在相同的電路或相同的區(qū)域中使不同的功能實(shí)現(xiàn)。此外，附圖中的方框圖的各電路方框的功能是為了說明而特定功能的，雖然其示出為一個(gè)電路方框，但是有時(shí)在實(shí)際上的電路或區(qū)域中，設(shè)置為一個(gè)電路方框進(jìn)行的處理由多個(gè)電路方框進(jìn)行。
[0030]實(shí)施方式I
以下面的順序參照附圖進(jìn)行本實(shí)施方式的說明。
[0031]1.半導(dǎo)體裝置的電路圖
1-1.半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成要素的連接關(guān)系 1-2.氧化物半導(dǎo)體的晶體管的特征
2.半導(dǎo)體裝置的工作
3.半導(dǎo)體裝置的變形例
4.半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例
4-1.在PLD中應(yīng)用于觸發(fā)器的例子 4-1-1.PLD及LE的結(jié)構(gòu)實(shí)例 4-1-2.配置存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)實(shí)例 4-2.在CPU中應(yīng)用于寄存器的例子
5.半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例
6.在本說明書中公開的半導(dǎo)體裝置的作用及效果 〈1.半導(dǎo)體裝置的電路圖〉
首先，說明半導(dǎo)體裝置的電路圖。
[0032][1-1.半導(dǎo)體裝置的電路圖中的連接關(guān)系]
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的電路圖。圖1所示的半導(dǎo)體裝置10可以大致分為存儲(chǔ)電路部分110 (也稱為第一存儲(chǔ)電路部分)和存儲(chǔ)電路部分120 (也稱為第二存儲(chǔ)電路部分)。
[0033]圖1所示的存儲(chǔ)電路部分110可以在持續(xù)供應(yīng)電源電壓期間保持對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)的電位。
[0034]存儲(chǔ)電路部分110包括節(jié)點(diǎn)Node_l、節(jié)點(diǎn)Node_2，該節(jié)點(diǎn)Node_l、節(jié)點(diǎn)Node_2可以在持續(xù)供應(yīng)電源電壓期間保持對(duì)應(yīng)于I或O的電位作為數(shù)據(jù)。電位Vl及電位V2(V1>V2)供應(yīng)到存儲(chǔ)電路部分110中。電位Vl及電位V2作為存儲(chǔ)電路部分110的電源電壓供應(yīng)到存儲(chǔ)電路部分110中。
[0035]作為一個(gè)例子，電位Vl為高電源電位VDD，電位V2為低電源電位VSS。電位V2也可以為接地電位GND。
[0036]注意，假設(shè)如下情況:在節(jié)點(diǎn)Node_l或節(jié)點(diǎn)Node_2中保持?jǐn)?shù)據(jù)“ I”是指節(jié)點(diǎn)Node_l或節(jié)點(diǎn)Node_2的電位為電位Vl的情況；在節(jié)點(diǎn)Node_l或節(jié)點(diǎn)Node_2中保持?jǐn)?shù)據(jù)“O”是指節(jié)點(diǎn)Node_l或節(jié)點(diǎn)Node_2的電位為電位V2的情況。如上所述，電位Vl比電位V2高。因此，有時(shí)將根據(jù)電位Vl保持在節(jié)點(diǎn)Node_l或節(jié)點(diǎn)Node_2中的電位稱為“H電平”的電位，將根據(jù)電位V2保持在節(jié)點(diǎn)Node_l或節(jié)點(diǎn)Node_2中的電位稱為“L電平”的電位。
[0037]另外，保持在節(jié)點(diǎn)Node_l中的電位和保持在節(jié)點(diǎn)Node_2中的電位彼此反相。艮P，在節(jié)點(diǎn)Node_l中保持H電平和L電平中的一個(gè)電位，在節(jié)點(diǎn)Node_2中保持H電平和L電平中的另一個(gè)電位。
[0038]H電平及L電平的電位在持續(xù)供應(yīng)電源電壓期間根據(jù)輸入到存儲(chǔ)電路部分110的數(shù)據(jù)信號(hào)D、時(shí)鐘信號(hào)C而變化。在持續(xù)供應(yīng)電源電壓期間，將保持在節(jié)點(diǎn)Node_l、節(jié)點(diǎn)Node_2中的電位作為輸出信號(hào)Q而輸出。
[0039]另外，除了數(shù)據(jù)信號(hào)D、時(shí)鐘信號(hào)C之外反相時(shí)鐘信號(hào)CB和/或復(fù)位信號(hào)等也可以輸入到存儲(chǔ)電路部分110。此外，被輸入的時(shí)鐘信號(hào)可以為相位彼此不同的多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。
[0040]存儲(chǔ)電路部分110包括易失性寄存器、觸發(fā)器或鎖存電路。當(dāng)使用寄存器作為存儲(chǔ)電路部分110時(shí)，存儲(chǔ)電路部分110根據(jù)應(yīng)用的數(shù)據(jù)種類可以應(yīng)用D型寄存器、T型寄存器、JK型寄存器或RS型寄存器中的任一種。
[0041]保持于節(jié)點(diǎn)Node_l、節(jié)點(diǎn)Node_2中的電位在停止供應(yīng)電源電壓之前被保存于存儲(chǔ)電路部分120中(附圖中的虛線箭頭Save)。保存于存儲(chǔ)電路部分120中的電位在再次開始供應(yīng)電源電壓之后載入到存儲(chǔ)電路部分110中。另外，保持于存儲(chǔ)電路部分110的節(jié)點(diǎn)Node_l、節(jié)點(diǎn)Node_2中的電位在停止供應(yīng)電源電壓時(shí)消失。
[0042]另外，在半導(dǎo)體裝置10中，停止供應(yīng)電源電壓是指通過將被供應(yīng)電位Vl的布線的電位從電位Vl切換為電位V2，將電位Vl與電位V2間的電位差(V1-V2)切換為O。此外，在半導(dǎo)體裝置10中，停止供應(yīng)電源電壓也可以是指在被供應(yīng)電位Vl的布線與存儲(chǔ)電路部分110之間設(shè)置開關(guān)，并且將該開關(guān)從打開狀態(tài)切換為關(guān)閉狀態(tài)。
[0043]另外，在半導(dǎo)體裝置10中，再次開始供應(yīng)電源電壓是指通過將被供應(yīng)電位Vl的布線的電位從電位V2切換為電位Vl，將電位Vl與電位V2間的電位